JP2007266047A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アウターリード42のうちモールド樹脂60に最も近い箇所においてアウターリード42の一面側が凸となり他面側が凹となるように曲げられた部位を、第1の曲げ部421としたとき、粗化部401を、インナーリード41からアウターリード42に渡って連続して設けるとともに、アウターリード42の一面における粗化部401と非粗化部402との境界403を、モールド樹脂60の外形線と第1の曲げ部421の中央部421aとの間に設定している。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置100の概略断面構成を示す図であり、この半導体装置100をプリント基板200にはんだ210を介して実装した状態を示す。なお、この図1(a)に示される粗化部401および非粗化部402の詳細は、図1(b)に示してある。
図9は、本発明の第2実施形態に係る樹脂封止型半導体装置110の要部の概略断面構成を示す図である。なお、この図9においては、粗化部401および非粗化部402のメッキ膜構成については、大幅に簡略化して示してある。以下、上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
図10は、本発明の第3実施形態に係る樹脂封止型半導体装置におけるモールド樹脂60の外形線近傍のリードフレーム40の概略断面図である。本実施形態では、リードフレーム40における粗化部401のメッキ膜構成を、上記した各実施形態とは変えたものである。
図11は、本発明の第4実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
なお、上記した各実施形態では、アウターリード42は、モールド樹脂60側の根元部と先端部との中間部に2箇所曲げられ、第1の曲げ部421および第2の曲げ部422を有する形状となっていたが、アウターリード42における曲げ部は少なくとも1箇所あればよい。
40a…リードフレームの母材、40c…粗化メッキ膜としての粗化Niメッキ膜、
41…インナーリード、42…アウターリード、60…モールド樹脂、
200…プリント基板、401…粗化部、402…非粗化部、
403…粗化部と非粗化部との境界、421…第1の曲げ部、
421a…第1の曲げ部の中央部、422…第2の曲げ部、
422a…第2の曲げ部の中央部、424…アウターリードの検査面。
Claims (7)
- 互いに電気的に接続された半導体素子(30)とリードフレーム(40)とがモールド樹脂(60)で封止されてなり、
前記リードフレーム(40)におけるインナーリード(41)は、母材(40a)およびこの母材(40a)の表面に形成され前記母材(40a)の表面よりも粗化された粗化メッキ膜(40c)により構成された粗化部(401)となっており、
前記リードフレーム(40)におけるアウターリード(42)のうちプリント基板(200)への実装後における外観検査が行われる検査面(424)は、前記粗化部(401)よりも表面が平坦な非粗化部(402)となっている樹脂封止型半導体装置において、
前記アウターリード(42)は、前記モールド樹脂(60)側の根元部と先端部との中間部に少なくとも1箇所曲げられた形状となっており、
前記アウターリード(42)のうち前記モールド樹脂(60)に最も近い箇所において当該アウターリード(42)の一面側が凸となり他面側が凹となるように曲げられた部位を、第1の曲げ部(421)としたとき、
前記粗化部(401)は、前記インナーリード(41)から前記アウターリード(42)に渡って連続して設けられるとともに、前記アウターリード(42)の前記一面における前記粗化部(401)と前記非粗化部(402)との境界(403)は、前記モールド樹脂(60)の外形線と前記第1の曲げ部(421)の中央部(421a)との間に設定されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 前記第1の曲げ部(421)において凹となる前記アウターリード(42)の前記他面では、前記第1の曲げ部(421)の中央部(421a)を越えて前記モールド樹脂(60)から離れた部位まで、前記粗化部(401)となっていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 前記アウターリード(42)においては、前記第1の曲げ部(421)から数えて前記モールド樹脂(60)側から2番目に近い箇所に設けられた曲げ部として、前記アウターリード(42)の前記他面側が凸となり前記一面側が凹となるように曲げられた第2の曲げ部(422)が設けられており、
前記アウターリード(42)の前記他面における前記粗化部(401)と前記非粗化部(402)との境界(403)は、前記第1の曲げ部(421)の中央部(421a)と前記第2の曲げ部(422)の中央部(422a)との間に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 前記アウターリード(42)の前記一面における前記粗化部(401)と前記非粗化部(402)との境界(403)は、前記モールド樹脂(60)の外形線より外側であって当該外形線から0.4mm以下の範囲に位置することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の樹脂封止型半導体装置。
- 前記粗化部(401)の比表面積は1.33以上であり、前記非粗化部(402)の比表面積は1.2以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の樹脂封止型半導体装置。
- 前記粗化メッキ膜(40c)は、Niメッキ膜よりなるものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の樹脂封止型半導体装置。
- 互いに電気的に接続された半導体素子(30)とリードフレーム(40)とをモールド樹脂(60)で封止するとともに、前記リードフレーム(40)におけるアウターリード(42)のうちプリント基板(200)への実装後における外観検査が行われる部位を、検査面(424)として構成する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リードフレーム(40)のうち前記アウターリード(42)となる部位を、その中間部に曲げ部(421、422)を持つように曲げ加工した後、
前記リードフレーム(40)のうちインナーリード(41)および前記曲げ部(421、422)を被覆し且つ前記検査面(424)を被覆しないように、前記リードフレーム(40)の表面に、粗化された粗化メッキ膜(40c)を形成し、
続いて、前記半導体素子(30)と前記リードフレーム(40)との電気的接続、および、前記モールド樹脂(60)による封止を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017089004A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 株式会社ワールドメタル | 接合部材 |
IT201600086321A1 (it) * | 2016-08-19 | 2018-02-19 | St Microelectronics Srl | Procedimento per realizzare dispositivi a semiconduttore e dispositivo corrispondente |
JP2019204913A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 三菱マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5366169A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Lead frame for resin charging |
JPS6060742A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
JPS6249646A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPH02285662A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体及びその製造方法 |
JP2003318346A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005223305A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-08-18 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005235926A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | リードフレーム |
-
2006
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5366169A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Lead frame for resin charging |
JPS6060742A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
JPS6249646A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPH02285662A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体及びその製造方法 |
JP2003318346A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005223305A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-08-18 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005235926A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | リードフレーム |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017089004A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 株式会社ワールドメタル | 接合部材 |
IT201600086321A1 (it) * | 2016-08-19 | 2018-02-19 | St Microelectronics Srl | Procedimento per realizzare dispositivi a semiconduttore e dispositivo corrispondente |
EP3285295A1 (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-21 | STMicroelectronics Srl | A method for manufacturing semiconductor devices, and corresponding device |
CN107768256A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 意法半导体股份有限公司 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 |
JP2019204913A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 三菱マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP7119574B2 (ja) | 2018-05-25 | 2022-08-17 | 三菱マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
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