JP2017083174A - リソグラフィ原版検査方法、および、検出用リソグラフィ原版 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細な欠陥を検出することが可能なリソグラフィ原版検査方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ原版検査方法は、拡大前の検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法と拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法とを比較することにより、前記検出用リソグラフィ原版の拡大率を算出し、拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンの欠陥の位置を検出する。検出した前記第2凹凸パターンの欠陥の位置と、算出した拡大率とに基づいて、マスタリソグラフィ原版における第1凹凸パターンの欠陥の予測位置を算出することを特徴とする。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、リソグラフィ原版検査方法、および、検出用リソグラフィ原版に関する。
微細パターンを低コストに形成するための技術として、光ナノインプリント法が知られている。これは、基板上に形成したいパターンに対応する凹凸を有するテンプレートを、基板表面に塗布された光硬化性有機材料層に押しつけ、これに光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から離型することで、パターンを転写する方法である。
例えば、テンプレート表面に欠陥が存在する場合、この欠陥も基板表面に転写される。そのため、テンプレートの欠陥検査が行われている。
従来のテンプレートの欠陥検査においては、光源を短波長レーザー(例えば波長193nmの固体SHGレーザー)、高開口数対物レンズ、および微小欠陥を検出するための偏光素子光学系を備える光学式欠陥検査装置を用いてテンプレートのパターン面をスキャンし、欠陥を検出していた。
しかし、光学解像限界により、検出できる欠陥サイズは20nm程度が限界となり、それより小さい欠陥を検出できなかった。
微細な欠陥を検出することができることが可能なリソグラフィ原版検査方法を提供する。
実施例に従ったリソグラフィ原版検査方法は、第1凹凸パターンを有するマスタリソグラフィ原版を複製して、上面に前記第1凹凸パターンに対応した第2凹凸パターンを有するとともに、拡大率計測パターンを有する検出用リソグラフィ原版を作製する。リソグラフィ原版検査方法は、拡大前の検出用リソグラフィ原版の前記拡大率計測パターンの寸法を計測する。リソグラフィ原版検査方法は、前記第2凹凸パターンおよび前記拡大率計測パターンが拡大するように前記検出用リソグラフィ原版を拡大させる。リソグラフィ原版検査方法は、拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の前記拡大率計測パターンの寸法を計測する。リソグラフィ原版検査方法は、拡大前の前記検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法と拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法とを比較することにより、前記検出用リソグラフィ原版の拡大率を算出する。リソグラフィ原版検査方法は、拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンの欠陥の位置を検出する。リソグラフィ原版検査方法は、検出した前記第2凹凸パターンの欠陥の位置と、算出した拡大率とに基づいて、前記マスタリソグラフィ原版における前記第1凹凸パターンの欠陥の予測位置を算出する。
以下、各実施例について図面に基づいて説明する。
図1は、マスタリソグラフィ原版T1、検出用リソグラフィ原版T2a、および、拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの関係の概念を説明するための図である。
図1に示すように、検査対象のリソグラフィ原版であるマスタリソグラフィ原版T1は、複数の第1凹凸パターンを備えている。
このマスタリソグラフィ原版T1は、例えば、インプリント処理に用いられるテンプレートや、リソグラフィ処理に用いられるフォトマスクなどである。
マスタリソグラフィ原版T1は、例えば、全透明な石英基板の一方の面にプラズマエッチングで第1凹凸パターンPを形成したものである。
検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第1凹凸パターンPに対応した第2凹凸パターンPaを有するとともに、拡大率計測パターンMaを有する。
なお、この検出用リソグラフィ原版T2aは、注型、LIM(Liquid Injectiion Molding)、フィルム転写等によりマスタリソグラフィ原版を複製することで、作製される。
例えば、マスタリソグラフィ原版T1の上面に樹脂を塗布し、この樹脂を硬化し、硬化した樹脂をマスタリソグラフィ原版T1から剥離することにより、上面に第1凹凸パターンPに対応する第2凹凸パターンPaを有する検出用リソグラフィ原版T2aを作製する。
より具体的には、マスタリソグラフィ原版T1の第1凹凸パターンPが形成された面に、液状樹脂(図示せず)を塗布する。この液状樹脂は、毛細管現象により、第1凹凸パターンPに充填される。
次に、液状樹脂がマスタリソグラフィ原版T1の第1凹凸パターンPに充填された後、液状樹脂の表面に樹脂基板を搭載する。その後、液状樹脂に対して光照射又は加熱を行う。これにより、液状樹脂が硬化する。光照射の場合は例えば紫外線を照射する。
次に、硬化した液状樹脂と樹脂基板をマスタリソグラフィ原版T1から離型する。これにより、硬化した液状樹脂および樹脂基板からなる検出用リソグラフィ原版T2aが得られる。液状樹脂には、パターン転写成分が含まれているため、マスタリソグラフィ原版T1の微細な凹凸パターンが検出用リソグラフィ原版T2aに転写される。パターン転写成分は、例えば液状シリコン樹脂であり、シリコンポリマーやシルセスキオキサン等を用いることができる。
また、図1に示すように、検出用リソグラフィ原版T2bは、検出用リソグラフィ原版T2aを拡大させたものである。例えば、検出用リソグラフィ原版T2aを、延伸あるいは膨潤により拡大することにより、検出用リソグラフィ原版T2bを得る。例えば、検出用リソグラフィ原版T2aを1.5倍以上に拡大して検出用リソグラフィ原版T2bを得る。
なお、検出用リソグラフィ原版T2aを一方向に引き延ばしてもよいし、直交する2方向に引き延ばしてもよいし、3以上の方向に引き延ばしてもよい。
複数方向に引き延ばす場合は、同時に複数方向に引き延ばしてもよいし、一方向ずつ順に引き延ばしてもよい。
また、検出用リソグラフィ原版T2aを加熱した状態で回転させることで、全方向に引き延ばしてもよい。
マスタリソグラフィ原版T1の第1凹凸パターンPに、図1に示すような欠陥Dが存在する場合を考える。ここで、欠陥Dは、所望のラインアンドスペースパターンになっていないという欠陥である。この欠陥Dは、検出用リソグラフィ原版T2aの第2の凹凸パターンPaに欠陥Daとして転写される。そして、検出用リソグラフィ原版T2aを引き延ばして拡大することで拡大検出用リソグラフィ原版T2bの第2の凹凸パターンPbに欠陥Dbとして現れる。
この欠陥Dbは、マスタリソグラフィ原版T1の欠陥Dよりもサイズが拡大されているため、光学的な検出が可能となる。
図2は、図1に示す拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aと、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bとを示す図である。なお、図2(a)は、断面図を示し、図2(b)は、上面図を示し、図2(b)は、下面図を示す。
図2に示すように、検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第2凹凸パターンPaが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層1と、上面が第1の層1の下面に固定されるように配置され、下面に拡大率計測パターンMaが設けられ、熱可塑性樹脂から成る第2の層2と、を備える。
なお、第1の層1と第2の層2とは、例えば、接着により固定される。
また、熱可塑性樹脂は、例えば、COP(シクロオレフィンポリマー)、PC(ポリカーボネート)、PS(ポリスチレン)、PET(ポリエチレンテレフタレート)、AS(アクリロニトリルスチレン)、ABS(アクリルニトリルブタジエンスチレン)などである。
ここで、図2(c)に示すように、拡大前の拡大率計測パターンMaは、検出用リソグラフィ原版T2aの下面にマトリクス状に配置されている。
この拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの拡大率計測パターンMaは、横方向にXamnの寸法を有し、縦方向にYamnの寸法を有する(m, n=1,2,・・・)。
また、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの拡大率計測パターンMbは、縦方向にXbmnの寸法を有し、横方向にYbmnの寸法を有する(m, n=1,2,・・・)。
上記各寸法を計測することにより、以下の式(1)、(2)から、拡大率計測パターンの各領域における拡大率Exmn, Eymn(m, n=1,2,・・・)を算出することができる。
Exmn=Xbmn/Xamn (1)
Eymn=Ybmn/Yamn (2)
Exmn=Xbmn/Xamn (1)
Eymn=Ybmn/Yamn (2)
そして、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの第2凹凸パターンPaの欠陥Daの寸法X、Yは、 以下の式(3)、(4)のように表される。なお、この式(3)、(4)において、D1x、D1yは、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの寸法である(図2(b))。
X=D1x/Exmn (3)
Y=D1y/Eymn (4)
X=D1x/Exmn (3)
Y=D1y/Eymn (4)
このように、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの寸法D1x、D1yを計測し、拡大率Exmn, Eymnを算出することにより、第2凹凸パターンPaの欠陥Daの寸法X、Yを算出することができる。
この算出された第2凹凸パターンPaの欠陥Daの寸法X、Yは、マスタリソグラフィ原版T1の第1凹凸パターンPの欠陥Dの予測寸法に対応する。
また、図3は、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aと、延伸により拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの一例を示す図である。なお、図3では、横方向(X方向)に延伸させており、縦方向(Y方向)には収縮している。
この図3の例において、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの位置(基準点から欠陥までの寸法)Xd、Ydは、例えば、以下の式(5)、(6)のように表される。なお、式(5)、(6)において、Xde、Ydeは、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの位置(基準点から欠陥までの寸法)である(図3)。なお、式(5)、(6)において、拡大率(収縮率)は、基準点の座標から欠陥の位置まで間に近接する各拡大率計測パターンMbの拡大率(収縮率)の平均になっている。
Xd=Xde/(Ex13+Ex23+Ex33+Ex43)×4 (5)
Yd=Yde/(Ey13+Ey23+Ey33+Ey43)×4 (6)
Xd=Xde/(Ex13+Ex23+Ex33+Ex43)×4 (5)
Yd=Yde/(Ey13+Ey23+Ey33+Ey43)×4 (6)
式(5)、(6)に示すように、拡大率計測パターンの拡大率(縮小率)と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの位置(座標)を測定することにより、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの位置(座標)を算出することができる。
この算出された第2凹凸パターンPaの欠陥Daの位置Xd、Ydは、マスタリソグラフィ原版T1の第1凹凸パターンPの欠陥Dの予測位置に対応する。
また、図4は、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの第2凹凸パターンPaの欠陥Daと、延伸により拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの一例を示す図である。なお、図4では、横方向(X方向)に延伸させており、縦方向(Y方向)には収縮している。
この図4の例において、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法Xaは、例えば、以下の式(7)のように表される。なお、式(7)において、拡大率は、欠陥に近接する各拡大率計測パターンMbの拡大率Ex41、Ex42の平均になっている。
Xa=Xb/(Ex41+Ex42)×2 (7)
Xa=Xb/(Ex41+Ex42)×2 (7)
式(7)に示すように、拡大率計測パターンMbの拡大率と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの寸法Xbを測定することにより、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法を算出することができる。
また、図5は、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの第2凹凸パターンPaの欠陥Daと、延伸により拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの一例を示す図である。なお、図5では、縦方向(Y方向)に延伸させており、横方向(X方向)には収縮している。
この図5の例において、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法Yaは、例えば、以下の式(8)のように表される。なお、式(8)において、拡大率は、欠陥に近接する各拡大率計測パターンMbの拡大率Ey41、Ey42の平均になっている。
Ya=Yb/(Ey41+Ey42)×2 (8)
Ya=Yb/(Ey41+Ey42)×2 (8)
式(8)に示すように、拡大率計測パターンMbの拡大率と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの寸法を測定することにより、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法Ybを算出することができる。
また、図6は、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの拡大率計測パターンMaと、膨潤により拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの拡大率計測パターンMbの一例を示す図である。なお、図6では、縦横方向(X、Y方向)に膨潤させている。
この図6の例において、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの位置(基準点から欠陥までの寸法)Xd、Ydは、例えば、以下の式(9)、(10)のように表される。なお、式(9)、(10)において、Xde、Ydeは、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの位置(基準点から欠陥までの寸法)である(図6)。なお、式(9)、(10)において、拡大率は、基準点の座標から欠陥の位置まで間に近接する各拡大率計測パターンMbの拡大率の平均になっている。
Xd=Xde/(Ex13+Ex23+Ex33+Ex43)×4 (9)
Yd=Yde/(Ey13+Ey23+Ey33+Ey43)×4 (10)
Xd=Xde/(Ex13+Ex23+Ex33+Ex43)×4 (9)
Yd=Yde/(Ey13+Ey23+Ey33+Ey43)×4 (10)
式(9)、(10)に示すように、拡大率計測パターンの拡大率と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの位置(座標)を測定することにより、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの位置(座標)を算出することができる。
また、図7は、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの第2凹凸パターンPaの欠陥Daと、膨潤により拡大させた検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの一例を示す図である。なお、図7では、縦横方向(X、Y方向)に膨潤している。
この図7の例において、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法Xa、Yaは、例えば、以下の式(11)、(12)のように表される。なお、式(11)、(12)において、拡大率は、欠陥に近接する各拡大率計測パターンMbの拡大率Ex41、Ex42(Ey41、Ey42)の平均になっている。
Xa=Xb/(Ex41+Ex42)×2 (11)
Ya=Yb/(Ey41+Ey42)×2 (12)
Xa=Xb/(Ex41+Ex42)×2 (11)
Ya=Yb/(Ey41+Ey42)×2 (12)
式(11)、(12)に示すように、拡大率計測パターンMbの拡大率と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの欠陥Dbの寸法Xb、Ybを測定することにより、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの欠陥Daの寸法を算出することができる。
次に、図8に示すリソグラフィ原版検査装置100を用いて、マスタリソグラフィ原版T1における欠陥の予測位置を算出するリソグラフィ原版検査方法の一例について説明する。
ここで、図8は、実施形態に係るリソグラフィ原版検査装置100の構成の一例を示す図である。
図8に示すように、リソグラフィ原版検査装置100は、光源11、集光レンズ12、拡大検出用リソグラフィ原版T2a、T2bが載置されるXYステージ13、対物レンズ14、及び画像センサ15を有する撮像部と、センサ回路16と、A/D変換器17と、ステージ制御回路18と、計算機19と、欠陥検出回路22とを備える。
撮像部は、マスタリソグラフィ原版の第1凹凸パターンに対応する第2凹凸パターンが設けられた検出用リソグラフィ原版T2a、T2bを撮像して撮像画像を生成する。
光源11は、水銀ランプやアルゴンレーザ等である。
XYステージ13は、検出用リソグラフィ原版T2a、T2bを水平2軸方向(XY方向)に移動可能に構成されている。XYステージ13の動作は、ステージ制御回路18により制御される。
画像センサ15は、例えば、CCD(Charge Coupled Device)を1次元又は2次元に配列したCCDセンサである。この画像センサ15には、拡大コピーテンプレート130のパターン像が、集光レンズ12、対物レンズ14等の光学系により、例えば数百倍に拡大されて結像される。
画像センサ15の受光面積が小さい場合でも、検出用リソグラフィ原版T2a、T2bを画像センサ15に対してX方向及びY方向に相対的に移動させることにより、検出用リソグラフィ原版T2a、T2b全体のパターン像を撮像することができる。画像センサ15は、検出用リソグラフィ原版T2a、T2bのパターン像をセンサ回路16へ出力する。
なお、図8は、透過光を用いた例を示しているが、検出用リソグラフィ原版T2a、T2bの特性に応じて、反射光を用いてもよいし、透過光と反射光を混合したものを用いてもよい。
センサ回路16は、画像センサ15から出力されたパターン像に応じた光学像(センサ画像)を出力する。
A/D変換器17は、センサ画像をアナログデジタル変換し、欠陥検出回路22へ出力する。
欠陥検出回路22は、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bを撮像した画像(A/D変換器17から出力されるセンサ画像)と、参照画像とを比較し、不一致箇所を拡大後の検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンPbの欠陥の位置(座標)として検出する。また、欠陥検出回路22は、マスタリソグラフィ原版T1における欠陥の予測位置を算出して出力する。
このとき、欠陥検出回路22は、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの寸法をさらに検出するようにしてもよい。
なお、上述の参照画像は、例えば、マスタリソグラフィ原版T1の設計データから生成される。
次に、この検査装置を用いた検査方法を図9に示すフローチャートを用いて説明する。
図9は、実施形態に係るリソグラフィ原版検査方法の一例を示すフロー図である。
先ず、第1凹凸パターンPを有するマスタリソグラフィ原版T1を複製して、上面に第1凹凸パターンPに対応した第2凹凸パターンPaを有するとともに、拡大率計測パターンMaを有する検出用リソグラフィ原版T2aを作製する。
次に、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aをリソグラフィ原版検査装置のXYステージ13に載置し、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの拡大率計測パターンの寸法Maを計測する(ステップS101)。
次に、第2凹凸パターンPaおよび拡大率計測パターンMaが拡大するように検出用リソグラフィ原版T2aを拡大させる(ステップS102)。なお、既述のように、検出用リソグラフィ原版を、例えば、延伸あるいは膨潤により、拡大させる。
次に、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bをリソグラフィ原版検査装置のXYステージ13に載置し、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの拡大率計測パターンの寸法Mbを計測する(ステップS103)。
次に、拡大前の検出用リソグラフィ原版T2aの拡大率計測パターンMaの寸法と拡大後の検出用リソグラフィ原版T2b拡大率計測パターンの寸法Mbとを比較することにより、検出用リソグラフィ原版T2aの拡大率を算出する(ステップS104)。
次に、拡大後の検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの位置を検出する(ステップS105)。このとき、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bの第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの寸法をさらに検出するようにしてもよい。
そして、検出した第2凹凸パターンPbの欠陥Dbの位置と、算出した拡大率とに基づいて、マスタリソグラフィ原版T1における第1凹凸パターンPの欠陥の予測位置を算出する(ステップS106)。
さらに加えて、検出した第2凹凸パターンPbの欠陥D2の寸法と、算出した拡大率とに基づいて、マスタリソグラフィ原版T1における第1凹凸パターンPの欠陥の予測寸法を算出するようにしてもよい。
そして、リソグラフィ原版検査装置100の欠陥検出回路22は、検出された欠陥の位置および寸法を出力する。なお、欠陥の位置は、拡大後の検出用リソグラフィ原版T2bにおける拡大欠陥の座標、及びマスタリソグラフィ原版T1における欠陥の予測座標を含む。
以上のように、マスタリソグラフィ原版T1上の欠陥の予測位置を出力することで、SEMによる欠陥レビューを行ったり、電子ビーム修正装置を用いてマスタリソグラフィ原版T1の欠陥を修正したりすることができる。
なお、マスタリソグラフィ原版T1における欠陥の予測座標は、欠陥検出回路22でなく、外部装置が算出してもよい。
例えば、マスタリソグラフィ原版T1の凹凸パターンにおける欠陥のサイズが20nm以下の微細な欠陥であった場合、この欠陥を撮像することは極めて困難である。しかし、検出用リソグラフィ原版を拡大することで現れる拡大欠陥は、撮像してセンサ画像に表すことができるため、参照画像と比較することで検出することが可能となる。
このように、本実施形態によれば、マスタリソグラフィ原版の凹凸パターンを複製した検出用リソグラフィ原版を拡大し、検出用リソグラフィ原版を検査することで、マスタリソグラフィ原版上の欠陥の有無、及び欠陥の位置を検出することができる。
ここで、検出用リソグラフィ原版T2aの他の構成例について説明する。
図10は、検出用リソグラフィ原版T2aの構成の一例を示す断面図である。
図10に示すように、検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第2凹凸パターンPaが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層1と、上面が第1の層1の下面に固定されるように配置され、上面(第1の層1と第2の層2との境界)に拡大率計測パターンMaが設けられ、熱可塑性樹脂から成る第2の層2と、を備えるようにしてもよい。
なお、第1の層1と第2の層2とは、例えば、接着により固定される。
また、図11は、検出用リソグラフィ原版T2aの構成の一例を示す断面図である。図12は、図11に示す検出用リソグラフィ原版T2aの平面図である。
図11、図12に示すように、検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第2凹凸パターンPaおよび拡大率計測パターンMaが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層1と、上面が第1の層1の下面に固定されるように配置され、熱可塑性樹脂から成る第2の層2と、を備えるようにしてもよい。
なお、拡大率計測パターンMaは、第1の層1の上面の外周に配置される。
また、第1の層1と第2の層2とは、例えば、接着により固定される。
また、図13は、検出用リソグラフィ原版T2aの構成の一例を示す断面図である。
図13に示すように、検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第2凹凸パターンPaおよび拡大率計測パターンMa が設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層1を備えるようにしてもよい。
なお、図13に示す検出用リソグラフィ原版T2aの上面図は、図12と同様である。
また、図14は、検出用リソグラフィ原版T2aの構成の一例を示す断面図である。
図14に示すように、検出用リソグラフィ原版T2aは、上面に第2凹凸パターンPaが設けられ、下面に拡大率計測パターンMaが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層1を備えるようにしてもよい。
以上のように、本第1の実施形態に係るリソグラフィ原版検査方法によれば、微細な欠陥を検出すことができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
100 リソグラフィ原版検査装置
11 光源
12 集光レンズ
13 XYステージ
14 対物レンズ
15 画像センサ
16 センサ回路
17 A/D変換器
18 ステージ制御回路
19 計算機
22 欠陥検出回路
11 光源
12 集光レンズ
13 XYステージ
14 対物レンズ
15 画像センサ
16 センサ回路
17 A/D変換器
18 ステージ制御回路
19 計算機
22 欠陥検出回路
Claims (7)
- 第1凹凸パターンを有するマスタリソグラフィ原版を複製して、上面に前記第1凹凸パターンに対応した第2凹凸パターンを有するとともに、拡大率計測パターンを有する検出用リソグラフィ原版を作製し、
拡大前の検出用リソグラフィ原版の前記拡大率計測パターンの寸法を計測し、
前記第2凹凸パターンおよび前記拡大率計測パターンが拡大するように前記検出用リソグラフィ原版を拡大させ、
拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の前記拡大率計測パターンの寸法を計測し、
拡大前の前記検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法と拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の拡大率計測パターンの寸法とを比較することにより、前記検出用リソグラフィ原版の拡大率を算出し、
拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンの欠陥の位置を検出し、
検出した前記第2凹凸パターンの欠陥の位置と、算出した拡大率とに基づいて、前記マスタリソグラフィ原版における前記第1凹凸パターンの欠陥の予測位置を算出する
ことを特徴とするリソグラフィ原版検査方法。 - 拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンの欠陥の寸法を検出し、
検出した前記第2凹凸パターンの欠陥の寸法と、算出した拡大率とに基づいて、前記マスタリソグラフィ原版における前記第1凹凸パターンの欠陥の予測寸法を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ原版検査方法。 - 拡大後の前記検出用リソグラフィ原版を撮像した画像と、参照画像とを比較し、不一致箇所を拡大後の前記検出用リソグラフィ原版の第2凹凸パターンの欠陥の位置として検出する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ原版検査方法。 - 前記マスタリソグラフィ原版の上面に樹脂を塗布し、前記樹脂を硬化し、硬化した前記樹脂を前記マスタリソグラフィ原版から剥離することにより、上面に前記第1凹凸パターンに対応する前記第2凹凸パターンを有する前記検出用リソグラフィ原版を作製する
ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ原版検査方法。 - 前記検出用リソグラフィ原版は、下面に前記拡大率計測パターンが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ原版検査方法。
- 前記検出用リソグラフィ原版は、
上面に前記第2凹凸パターンが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層と、
上面が前記第1の層の下面に固定されるように配置され、下面に前記拡大率計測パターンが設けられ、熱可塑性樹脂から成る第2の層と、を備える
ことを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ原版検査方法。 - 上面に第1凹凸パターンを有するマスタリソグラフィ原版を複製した検出用リソグラフィ原版であって、
上面に前記第1凹凸パターンを複製した第2凹凸パターンが設けられ、光硬化樹脂から成る第1の層と、
上面が前記第1の層の下面に固定されるように配置され、下面に検出用リソグラフィ原版の拡大率を計測するための拡大率計測パターンが設けられ、前記熱可塑性樹脂から成る第2の層と、を備える
ことを特徴とする検出用リソグラフィ原版。
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