JP2008004596A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 荷電粒子線をラスタースキャンして複数のピクセルから成るパターンを基板上に描画する荷電粒子線描画方法において、
前記複数のピクセルのうち前記パターンのエッジに位置するピクセルのドーズ指令信号を互いに異ならせて複数のパターンを描画する描画ステップと、
前記複数のパターンそれぞれの線幅を測定する測定ステップと、
互いに異なる複数の前記ドーズ指令信号と前記測定ステップの測定結果とに基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する決定ステップと、を有することを特徴とする荷電粒子線描画方法。 - 前記測定ステップは、前記基板を搭載するステージ上に配置された荷電粒子線を検出する検出器を用いて前記線幅を測定する、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画方法。
- 請求項１または２に記載の荷電粒子線描画方法を行うことを特徴とする露光装置。
- 請求項３に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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