JP2017069408A - 積層コモンモードフィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークが高周波数側にシフトすると共に当該減衰ピークの深さが大きく、かつ、コモンモードインピーダンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供する。
【解決手段】第一導体２５は、一対の磁性体部５Ａ，５Ｂが対向している方向（以下、対向方向と称する）で第一コイルＣ１と隣り合っていると共に、対向方向から見たときに第一コイルＣ１の一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈している。第二導体２８は、対向方向で第二コイルＣ２と隣り合っていると共に、対向方向から見たときに第二コイルＣ２の一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈している。第一及び第二コイルＣ１，Ｃ２の内側領域は、対向方向から見たときに第一及び第二導体２５，２８と重ならない領域を含んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層コモンモードフィルタに関する。

非磁性材料からなる非磁性体部と、磁性材料からなり、かつ、非磁性体部を挟んで対向するように配置されている一対の磁性体部と、を有している素体と、一対の磁性体部が対向している方向で対向するように非磁性体部に配置され、互いに磁気結合する第一及び第二コイルと、第一及び第二コイルを一対の磁性体部が対向している方向で挟むように素体に配置され、グラウンドに接続される第一及び第二導体と、を備えている積層コモンモードフィルタが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された積層コモンモードフィルタでは、第一コイルと第二導体との間、及び、第二コイルと第二導体との間に浮遊容量が生じるため、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピーク（減衰極）が高周波側にシフトすると共に、その深さが大きくなる。

特開２０１２−１０９３２６号公報

特許文献１に記載された積層コモンモードフィルタでは、第一及び第二導体は、一対の磁性体部が対向している方向から見てベタ状又は環状であるため、以下のような問題点が生じるおそれがある。

第一及び第二導体がベタ状であり、一対の磁性体部が対向している方向から見たときに第一及び第二コイルの内側領域が第一及び第二導体で覆われている。この場合、第一及び第二コイルにより発生した磁束が、第一及び第二導体によって阻害されるため、積層コモンモードフィルタでは、インダクタンスが低下すると共に、コモンモードインピーダンスが低下する。

第一及び第二導体が環状である場合、第一及び第二コイルにより発生した磁束が第一及び第二導体を通ると、第一及び第二導体に逆起電力が生じる。このため、第一及び第二導体には、第一及び第二コイルにより発生した磁束を相殺する向きに磁束が発生する。したがって、この場合でも、積層コモンモードフィルタでは、インダクタンスが低下すると共に、コモンモードインピーダンスが低下する。

コモンモードインピーダンスが低下すると、所望の減衰特性が得られる周波数帯域が狭くなってしまう。

本発明の一つの態様は、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークが高周波数側にシフトすると共に当該減衰ピークの深さが大きく、かつ、コモンモードインピーダンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供することを目的とする。

本発明の一つの態様に係る積層コモンモードフィルタは、非磁性材料からなる非磁性体部と、磁性材料からなり、かつ、非磁性体部を挟んで対向するように配置されている一対の磁性体部と、を有している素体と、素体に配置されている、第一端子電極、第二端子電極、第三端子電極、第四端子電極、第一グラウンド用端子電極、及び第二グラウンド用端子電極と、非磁性体部に配置され、第一端子電極と第三端子電極とに電気的に接続されている第一コイルと、一対の磁性体部が対向している方向で第一コイルと対向するように非磁性体部に配置され、かつ、第二端子電極と第四端子電極とに電気的に接続されており、第一コイルと磁気結合する第二コイルと、一対の磁性体部が対向している方向で第一及び第二コイルを挟むように非磁性体部に配置され、第一グラウンド用端子電極と第二グラウンド用端子電極とに電気的に接続されている第一及び第二導体と、を備え、第一導体は、一対の磁性体部が対向している方向で第一コイルと隣り合っていると共に、一対の磁性体部が対向している方向から見たときに第一コイルの一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈し、第二導体は、一対の磁性体部が対向している方向で第二コイルと隣り合っていると共に、一対の磁性体部が対向している方向から見たときに第二コイルの一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈し、第一及び第二コイルの内側領域は、一対の磁性体部が対向している方向から見たときに第一及び第二導体と重ならない領域を含んでいる。

本発明の一つの態様に係る積層コモンモードフィルタでは、一対の磁性体部が対向している方向（以下、「対向方向」と称することがある）で第一コイルと隣り合っている第一導体が、対向方向から見たときに第一コイルの一部と重なるように配置されている。このため、第一導体と第一コイルとの間に浮遊容量が生じる。対向方向で第二コイルと隣り合っている第二導体が、対向方向から見たときに第二コイルの一部と重なるように配置されている。このため、第二導体と第二コイルとの間に浮遊容量が生じる。したがって、本発明によれば、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピーク（減衰極）が高周波側にシフトすると共に、その深さが大きくなる。

第一導体と第二導体とは、線状に延びた形状を呈している。したがって、第一及び第二コイルにより発生した磁束が、第一及び第二導体を通る場合でも、第一及び第二導体には逆起電力が生じ難い。第一及び第二コイルの内側領域は、対向方向から見たときに第一及び第二導体と重ならない領域を含んでいるので、第一及び第二コイルにより発生した磁束が、第一及び第二導体によって阻害され難い。これらにより、本発明では、積層コモンモードフィルタのコモンモードインピーダンスが低下するのを抑制することができる。

第一及び第二導体は、直線状に延びた形状を呈していてもよい。この場合、第一及び第二導体が直線状に延びた形状以外の形状（たとえば、蛇行状に延びた形状又はクランク形状など）である構成に比して、第一及び第二導体の寄生インダクタンスが少ないので、減衰ピークの深さがより一層大きくなる。

第一及び第二導体の幅は、第一及び第二コイルの内側領域の幅よりも小さくてもよい。この場合、第一及び第二導体が対向方向から見たときに第一及び第二コイルの内側領域と重なるように配置されていても、第一及び第二コイルの内側領域は、対向方向から見たときに第一及び第二導体と重ならない領域を確実に含むことができる。

第一及び第二導体は、第一グラウンド用端子電極に接続される第一導体部分と、第二グラウンド用端子電極に接続される第二導体部分と、第一導体部分と第二導体部分とを接続する第三導体部分と、をそれぞれ有し、第三導体部分の幅は、第一及び第二導体部分の幅よりも大きく、第一導体部分と第三導体部分との境界と、第二導体部分と第三導体部分との境界とは、一対の磁性体部が対向している方向から見たときに、第一及び第二コイルと重なっていてもよい。

第一導体部分の非磁性体部の表面に露出している端全体が、第一グラウンド用端子電極で覆われている必要があるため、第一導体部分の幅は、第一グラウンド用端子電極の幅よりも小さく設定される必要がある。第二導体部分の非磁性体部の表面に露出している端全体が、第一グラウンド用端子電極で覆われている必要があるため、第二導体部分の幅は、第二グラウンド用端子電極の幅よりも小さく設定される必要がある。

第一導体の幅が大きいほど、第一導体と第一コイルとの間に生じる浮遊容量における残留インダクタンスが小さくなる。第二導体の幅が大きいほど、第二導体と第二コイルとの間に生じる浮遊容量における残留インダクタンスが小さくなる。残留インダクタンスが小さくなると、上記減衰ピークの深さが大きくなる。第一導体部分と第三導体部分との境界と、第二導体部分と第三導体部分との境界とが、対向方向から見たときに第一及び第二コイルと重なっている場合、第一及び第二導体部分よりも幅広である第三導体部分が対向方向から見たときに第一及び第二コイルと確実に重なる。

これらのことから、第三導体部分の幅が第一及び第二導体部分の幅よりも大きい、すなわち、第一及び第二導体部分の幅が第三導体部分の幅よりも小さい場合、第一導体部分と第一グラウンド用端子電極との接続性、及び、第二導体部分と第二グラウンド用端子電極との接続性を確保しつつ、減衰ピークの深さを大きくすることができる。

第一導体部分と第三導体部分との境界と、第二導体部分と第三導体部分との境界とが、対向方向から見たときに第一及び第二コイルと重なっている場合には、第一コイルと第一導体とに位置ずれが生じる場合でも、第一導体と第一コイルとの間に生じる浮遊容量がばらつき難く、また、第二コイルと第二導体とに位置ずれが生じる場合でも、第二導体と第二コイルとの間に生じる浮遊容量がばらつき難い。したがって、積層コモンモードフィルタの特性がばらつくのを抑制することができる。

第一コイルは、渦巻き状の第一及び第二コイル導体を有していると共に、第一コイル導体と第二コイル導体とが電気的に接続されることにより構成され、第二コイルは、渦巻き状の第三及び第四コイル導体を有していると共に、第三コイル導体と第四コイル導体とが電気的に接続されることにより構成され、第一コイル導体と第三コイル導体とは、一対の磁性体部が対向している方向で互いに隣り合い、第二コイル導体と第四コイル導体とは、一対の磁性体部が対向している方向で互いに隣り合い、第三コイル導体は、一対の磁性体部が対向している方向で第一コイル導体と第二コイル導体との間に位置していてもよい。この場合、第一コイルと第二コイルとの磁気結合を高めることができる。

互いに離間するように素体内に配置されている第一及び第二放電電極を更に備えており、第一及び第二放電電極のいずれか一方が、第一グラウンド用端子電極と第二グラウンド用端子電極とに電気的に接続されていてもよい。この場合、積層コモンモードフィルタは、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）を吸収するＥＳＤ吸収機能を有する。

本発明の一つの態様によれば、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークが高周波数側にシフトすると共に当該減衰ピークの深さが大きく、かつ、コモンモードインピーダンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。 素体の構成を示す分解斜視図である。 素体の、第一グラウンド用端子電極及び第二グラウンド用端子電極を含む断面構成を説明するための図である。 素体の、第一ギャップ部及び第三ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。 素体の、第二ギャップ部及び第四ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。 第一コイル導体と第二コイル導体とを示す平面図である。 第三コイル導体と第四コイル導体とを示す平面図である。 第一導体を示す平面図である。 第二導体を示す平面図である。 第一ギャップ部、第二ギャップ部、第三ギャップ部、及び第四ギャップ部を含む部分の構成を示す分解斜視図である。 コモンモードインピーダンスの周波数特性を示す図表である。 コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性を示す図表である。 第一導体の変形例を説明するための図である。 第二導体の変形例を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図５を参照して、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタＣＦの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。図２は、素体の構成を示す分解斜視図である。図３は、素体の、第一及び第二グラウンド用端子電極を含む断面構成を説明するための図である。図４は、素体の、第一及び第三ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。図５は、素体の、第二及び第四ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図１〜図５に示されるように、素体１と、素体１の外表面に配置される第一端子電極１１、第二端子電極１２、第三端子電極１３、第四端子電極１４、第一グラウンド用端子電極１５、及び第二グラウンド用端子電極１６と、を備えている。積層コモンモードフィルタＣＦは、第一端子電極１１、第二端子電極１２、第三端子電極１３、及び第四端子電極１４がそれぞれ信号ラインに接続されると共に、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６がそれぞれグラウンドに接続されるように、電子機器（たとえば、回路基板又は電子部品など）に実装される。

素体１は、直方体形状を呈している。素体１は、その外表面として、互いに対向する長方形状の第一主面１ａ及び第二主面１ｂと、互いに対向する第一側面１ｃ及び第二側面１ｄと、互いに対向する第三側面１ｅ及び第四側面１ｆと、を有している。素体１の長手方向は、第三側面１ｅと第四側面１ｆとが対向している方向である。素体１の幅方向は、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向である。素体１の高さ方向は、第一主面１ａと第二主面１ｂとが対向している方向である。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。

第一側面１ｃ及び第二側面１ｄは、第一主面１ａと第二主面１ｂとを連結するように素体１の高さ方向に延びている。第一側面１ｃ及び第二側面１ｄは、素体１の高さ方向（第一主面１ａ及び第二主面１ｂの長辺方向）にも延びている。第三側面１ｅ及び第四側面１ｆは、第一主面１ａと第二主面１ｂとを連結するように素体１の高さ方向に延びている。第三側面１ｅ及び第四側面１ｆは、素体１の幅方向（第一主面１ａ及び第二主面１ｂの短辺方向）にも延びている。

素体１は、三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、素体１の高さ方向で各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃを挟むように配置された四つの磁性体部５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄと、を有している。三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃと四つの磁性体部５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとは、素体１の高さ方向で、磁性体部５Ｃ、非磁性体部３Ｂ、磁性体部５Ａ、非磁性体部３Ａ、磁性体部５Ｂ、非磁性体部３Ｃ、磁性体部５Ｄの順に配置されている。一対の磁性体部５Ａ，５Ｂは、非磁性体部３Ａを挟んで対向するように配置されている。一対の磁性体部５Ａ，５Ｃは、非磁性体部３Ｂを挟んで対向するように配置されている。一対の磁性体部５Ｂ，５Ｄは、非磁性体部３Ｃを挟んで対向するように配置されている。素体１は、積層されている複数の絶縁体層により構成されている。

各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃでは、絶縁体層として、複数の非磁性体層４が積層されている。すなわち、各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、積層された複数の非磁性体層４により構成されている。各磁性体部５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄでは、絶縁体層として、複数の磁性体層６が積層されている。すなわち、各磁性体部５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄは、積層された複数の磁性体層６により構成されている。複数の絶縁体層は、それぞれ複数の非磁性体層４及び磁性体層６を含んでいる。図２では、構造の明確化のため、複数の非磁性体層４のうちいくつかの非磁性体層４の図示を省略し、複数の磁性体層６のうちいくつかの磁性体層６の図示を省略している。

各非磁性体層４は、たとえば非磁性材料（Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、誘電体材料、又はガラスセラミック材料など）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。各磁性体層６は、たとえば磁性材料（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト材料、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト材料など）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。

実際の素体１では、各非磁性体層４及び各磁性体層６は、層間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１の高さ方向、すなわち第一主面１ａと第二主面１ｂとが対抗している方向は、複数の絶縁体層、すなわち、それぞれ複数の非磁性体層４及び磁性体層６が積層されている方向（以下、単に「積層方向」と称する。）と一致する。一対の磁性体部５Ａ，５Ｂが対向している方向も、積層方向と一致する。

第一端子電極１１及び第三端子電極１３は、素体１の第一側面１ｃ側に配置されている。第一端子電極１１及び第三端子電極１３は、第一側面１ｃの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。第一端子電極１１は、第三側面１ｅ側に位置し、第三端子電極１３は、第四側面１ｆ側に位置している。

第二端子電極１２及び第四端子電極１４は、素体１の第二側面１ｄ側に配置されている。第二端子電極１２及び第四端子電極１４は、第二側面１ｄの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。第二端子電極１２は、第三側面１ｅ側に位置し、第四端子電極１４は、第四側面１ｆ側に位置している。

第一グラウンド用端子電極１５は、素体１の第三側面１ｅ側に配置されている。第一グラウンド用端子電極１５は、第三側面１ｅの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。第二グラウンド用端子電極１６は、素体１の第四側面１ｆ側に配置されている。第二グラウンド用端子電極１６は、第四側面１ｆの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。

各端子電極１１〜１６は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。各端子電極１１〜１６は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。各端子電極１１〜１６の表面にはめっき層が形成されている。めっき層は、たとえば電気めっきにより形成される。めっき層は、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層からなる層構造、又は、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層からなる層構造などを有する。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図２〜図５に示されるように、第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、第四コイル導体２４、第一接続導体３１、第二接続導体３２、第三接続導体３３、第四接続導体３４、第一導体２５、第二導体２８を、非磁性体部３Ａに備えている。各導体２１〜２４，３１〜３４及び各導体２５，２８は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。各導体２１〜２４，３１〜３４及び各導体２５，２８は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

第一コイル導体２１は、図６の（ａ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第一コイル導体２１の一端部（外側端部）２１ａは、第一コイル導体２１と同じ層に位置する第一接続導体３１に接続されている。第一接続導体３１は、端部が第一側面１ｃに露出している。第一接続導体３１は、第一側面１ｃに露出している端部で第一端子電極１１に接続されている。第一コイル導体２１の他端部（内側端部）２１ｂは、第一コイル導体２１と同じ層に位置するパッド導体４１に接続されている。本実施形態では、第一コイル導体２１、第一接続導体３１、及びパッド導体４１は、一体的に形成されている。

第二コイル導体２２は、図６の（ｂ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第二コイル導体２２の一端部（外側端部）２２ａは、第二コイル導体２２と同じ層に位置する第二接続導体３２に接続されている。第二接続導体３２は、端部が第二側面１ｄに露出している。第二接続導体３２は、第二側面１ｄに露出している端部で第二端子電極１２に接続されている。第二コイル導体２２の他端部（内側端部）２２ｂは、第二コイル導体２２と同じ層に位置するパッド導体４２に接続されている。本実施形態では、第二コイル導体２２、第二接続導体３２、及びパッド導体４２は、一体的に形成されている。

第三コイル導体２３は、図７の（ａ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第三コイル導体２３の一端部（外側端部）２３ａは、第三コイル導体２３と同じ層に位置する第三接続導体３３に接続されている。第三接続導体３３は、端部が第一側面１ｃに露出している。第三接続導体３３は、第一側面１ｃに露出している端部で第三端子電極１３に接続されている。第三コイル導体２３の他端部（内側端部）２３ｂは、第三コイル導体２３と同じ層に位置するパッド導体４３に接続されている。本実施形態では、第三コイル導体２３、第三接続導体３３、及びパッド導体４３は、一体的に形成されている。

第四コイル導体２４は、図７の（ｂ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第四コイル導体２４の一端部（外側端部）２４ａは、第四コイル導体２４と同じ層に位置する第四接続導体３４に接続されている。第四接続導体３４は、端部が第二側面１ｄに露出している。第四接続導体３４は、第二側面１ｄに露出している端部で第四端子電極１４に接続されている。第四コイル導体２４の他端部（内側端部）２４ｂは、第四コイル導体２４と同じ層に位置するパッド導体４４に接続されている。本実施形態では、第四コイル導体２４、第四接続導体３４、及びパッド導体４４は、一体的に形成されている。

第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とが非磁性体層４を介して積層方向で互いに隣り合っている。積層方向で第三コイル導体２３が第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置している。すなわち、第一、第二、第三、及び第四コイル導体２１，２２，２３，２４は、積層方向において、第一コイル導体２１、第三コイル導体２３、第二コイル導体２２、第四コイル導体２４の順に配置されている。第一、第二、第三、及び第四コイル導体２１，２２，２３，２４は、積層方向から見て、同じ方向に巻き回されていると共に互いに重なり合うように位置している。

パッド導体４１とパッド導体４２とは、積層方向から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４１とパッド導体４２との間には、第三コイル導体２３と同じ層に位置するパッド導体４５が配置されている。パッド導体４５は、積層方向から見て、第一及びパッド導体４１，４２と互いに重なり合うように位置している。すなわち、パッド導体４１とパッド導体４５とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４５とパッド導体４２とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合っている。

パッド導体４１とパッド導体４５とパッド導体４２とは、それぞれスルーホール導体５１を通して接続されている。スルーホール導体５１は、パッド導体４１とパッド導体４５との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４５とパッド導体４２との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。

パッド導体４３とパッド導体４４とは、積層方向から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４３とパッド導体４４との間には、第二コイル導体２２と同じ層に位置するパッド導体４６とが配置されている。パッド導体４６は、積層方向から見て、パッド導体４３，４４と互いに重なり合うように位置している。すなわち、パッド導体４３とパッド導体４６とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４６とパッド導体４４とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合っている。

パッド導体４３とパッド導体４６とパッド導体４４とは、それぞれスルーホール導体５２を通して接続されている。スルーホール導体５２は、パッド導体４３とパッド導体４６との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４６とパッド導体４４との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。

第一コイル導体２１と第二コイル導体２２とは、パッド導体４１、パッド導体４５、パッド導体４２、及びスルーホール導体５１を通して、電気的に接続されており、第一コイルＣ１を構成している。第三コイル導体２３と第四コイル導体２４とは、パッド導体４３、パッド導体４６、パッド導体４４、及びスルーホール導体５２を通して、電気的に接続されており、第二コイルＣ２を構成している。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、素体１内に、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２を備える。第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とは、第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とが積層方向で互いに隣り合うと共に第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とが積層方向で互いに隣り合い、かつ、積層方向で第三コイル導体２３が第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置するように、非磁性体部３Ａに配置されている。

パッド導体４１，４２，４３，４４，４５，４６及びスルーホール導体５１，５２は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。パッド導体４１，４２，４３，４４，４５，４６及びスルーホール導体５１，５２は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。スルーホール導体５１，５２は、対応する非磁性体層４を構成することとなるセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。

第一導体２５と第二導体２８とは、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２を積層方向で挟むように非磁性体部３Ａに配置されている。第一導体２５は、積層方向で第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）と隣り合っている。すなわち、第一導体２５は、積層方向で第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）と磁性体部５Ａとの間に位置している。第二導体２８は、積層方向で第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）と隣り合っている。すなわち、第二導体２８は、積層方向で、第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）と磁性体部５Ｂとの間に位置している。

第一導体２５は、図８にも示されるように、第一導体部分２５ａと、第二導体部分２５ｂと、第三導体部分２５ｃと、を有している。第一導体２５は、線状に延びた形状を呈している。本実施形態では、第一導体２５は、直線状に延びた形状を呈している。第一導体部分２５ａと、第二導体部分２５ｂと、第三導体部分２５ｃとは、一体的に形成されている。

第一導体部分２５ａは、第三側面１ｅに露出している一端を有している。第一導体部分２５ａの一端は、第一グラウンド用端子電極１５に接続されている。第二導体部分２５ｂは、第四側面１ｆに露出している一端を有している。第二導体部分２５ｂの一端は、第二グラウンド用端子電極１６に接続されている。第三導体部分２５ｃは、第一導体部分２５ａと第二導体部分２５ｂとを接続している。すなわち、第三導体部分２５ｃは、第一導体部分２５ａの他端に接続される一端と、第二導体部分２５ｂの他端に接続される他端と、を有している。

第一導体２５は、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とに接続されている。すなわち、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とは、第一導体部分２５ａ、第三導体部分２５ｃ、及び第二導体部分２５ｂを通して電気的に接続されている。

第三導体部分２５ｃの幅Ｗ_２５ｃは、第一導体部分２５ａの幅Ｗ_２５ａ及び第二導体部分２５ｂの幅Ｗ_２５ｂよりも大きい。本実施形態では、幅Ｗ_２５ａと幅Ｗ_２５ｂとは、同等である。

本明細書において、幅とは、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向（素体１の幅方向）での長さである。本明細書において、同等とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差又は製造誤差などを含んだ値を同等としてもよい。たとえば、複数の値が、当該複数の値の平均値の±５％の範囲内に含まれているのであれば、当該複数の値は同等であると規定する。

第一導体２５は、積層方向から見たときに、第一コイルＣ１の一部、すなわち第一コイル導体２１の一部と重なるように位置している。本実施形態では、第一導体部分２５ａの他端側の領域、第二導体部分２５ｂの他端側の領域、第三導体部分２５ｃの一端側の領域、及び第三導体部分２５ｃの他端側の領域が、積層方向から見たときに、それぞれ第一コイル導体２１と重なっている。

第一導体部分２５ａと第三導体部分２５ｃとの境界と、第二導体部分２５ｂと第三導体部分２５ｃとの境界とは、積層方向から見たときに、第一コイルＣ１と重なっている。詳細には、第一導体部分２５ａと第三導体部分２５ｃとの境界と、第二導体部分２５ｂと第三導体部分２５ｃとの境界とは、積層方向から見たときに、第一コイル導体２１における渦巻き状の導体部分が全体的に位置している環状の領域内に位置している。

第二導体２８は、図９にも示されるように、第一導体部分２８ａと、第二導体部分２８ｂと、第三導体部分２８ｃと、を有している。第二導体２８は、線状に延びた形状を呈している。本実施形態では、第二導体２８は、直線状に延びた形状を呈している。第一導体部分２８ａと、第二導体部分２８ｂと、第三導体部分２８ｃとは、一体的に形成されている。

第一導体部分２８ａは、第三側面１ｅに露出している一端を有している。第一導体部分２８ａの一端は、第一グラウンド用端子電極１５に接続されている。第二導体部分２８ｂは、第四側面１ｆに露出している一端を有している。第二導体部分２８ｂの一端は、第二グラウンド用端子電極１６に接続されている。第三導体部分２８ｃは、第一導体部分２８ａと第二導体部分２８ｂとを接続している。すなわち、第三導体部分２８ｃは、第一導体部分２８ａの他端に接続される一端と、第二導体部分２８ｂの他端に接続される他端と、を有している。

第二導体２８は、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とに接続されている。すなわち、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とは、第一導体部分２８ａ、第三導体部分２８ｃ、及び第二導体部分２８ｂを通して電気的に接続されている。

第三導体部分２８ｃの幅Ｗ_２８ｃは、第一導体部分２８ａの幅Ｗ_２８ａ及び第二導体部分２８ｂの幅Ｗ_２８ｂよりも大きい。本実施形態では、幅Ｗ_２８ａと幅Ｗ_２８ｂとは、同等である。幅Ｗ_２８ａ及び幅Ｗ_２８ｂは、幅Ｗ_２５ａ及び幅Ｗ_２５ｂと同等である。

第二導体２８は、積層方向から見たときに、第二コイルＣ２の一部、すなわち第四コイル導体２４の一部と重なるように位置している。本実施形態では、第一導体部分２８ａの他端側の領域、第二導体部分２８ｂの他端側の領域、第三導体部分２８ｃの一端側の領域、及び第三導体部分２８ｃの他端側の領域が、積層方向から見たときに、それぞれ第四コイル導体２４と重なっている。

第一導体部分２８ａと第三導体部分２８ｃとの境界と、第二導体部分２８ｂと第三導体部分２８ｃとの境界とは、積層方向から見たときに、第二コイルＣ２と重なっている。詳細には、第一導体部分２８ａと第三導体部分２８ｃとの境界と、第二導体部分２８ｂと第三導体部分２８ｃとの境界とは、積層方向から見たときに、第四コイル導体２４における渦巻き状の導体部分が全体的に位置している環状の領域内に位置している。

第一コイルＣ１の内側領域Ｒ１及び第二コイルＣ２の内側領域Ｒ２は、積層方向から見たときに、第一導体２５及び第二導体２８と重ならない領域を含んでいる。第一導体２５の第三導体部分２５ｃと第二導体２８の第三導体部分２８ｃとは、積層方向から見て、各内側領域Ｒ１，Ｒ２と重なっている。第三導体部分２５ｃの幅Ｗ_２５ｃ及び第三導体部分２８ｃの幅Ｗ_２８ｃは、各内側領域Ｒ１，Ｒ２の幅Ｗ_Ｒ１，Ｗ_Ｒ２よりも小さい。各内側領域Ｒ１，Ｒ２は、積層方向から見たときに、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向での各第三導体部分２５ｃ，２８ｃの両側に、第一導体２５（第三導体部分２５ｃ）及び第二導体２８（第三導体部分２８ｃ）と重ならない領域を含んでいる。

内側領域Ｒ１は、図６にも示されるように、積層方向から見て、第一コイル導体２１及び第二コイル導体２２における渦巻き状の各導体部分の内側に位置している領域である。内側領域Ｒ２は、図７にも示されるように、積層方向から見て、第三コイル導体２３及び第四コイル導体２４における渦巻き状の各導体部分の内側に位置している領域である。

第一導体２５と第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）とが重なり合う面積と、第二導体２８と第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）とが重なり合う面積とは同等である。

第一導体２５及び第二導体２８の各厚みＴＨ１は、第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、及び第四コイル導体２４の各厚みＴＨ２よりも小さい。第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、及び第四コイル導体２４の各厚みＴＨ２は、たとえば、９〜１１μｍである。各導体２５，２８の厚みＴＨ１は、４〜６μｍである。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図４、図５、及び図１０にも示されるように、放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及び放電誘発部７０〜７３を備えている。一対の放電電極６０，６８と放電誘発部７０とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６２，６８と放電誘発部７１とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６４，６８と放電誘発部７２とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６６，６８と放電誘発部７３とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。各ＥＳＤサプレッサは、非磁性体部３Ｂに配置されている。

放電電極６０は、素体１の長手方向における、第四側面１ｆよりも第三側面１ｅに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第二側面１ｄよりも第一側面１ｃに近い位置に配置されている。放電電極６０は、第一接続部６０ａ及び第一対向部６０ｂを有している。第一接続部６０ａと第一対向部６０ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６０ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６０ａの一端６０ｃは、素体１の第一側面１ｃに露出しており、第一端子電極１１に接続されている。第一対向部６０ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６０ｂの一端６０ｄは、スルーホール導体６１を通して第一接続部６０ａの他端６０ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６０ｂは、スルーホール導体６１及び第一接続部６０ａを通して、第一端子電極１１に電気的に接続される。

放電電極６２は、素体１の長手方向における、第三側面１ｅよりも第四側面１ｆに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第二側面１ｄよりも第一側面１ｃに近い位置に配置されている。放電電極６２は、第一接続部６２ａ及び第一対向部６２ｂを有している。第一接続部６２ａは、第一接続部６０ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６２ｂは、第一対向部６０ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６２ａと第一対向部６２ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６２ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６２ａの一端６２ｃは、素体１の第一側面１ｃに露出しており、第三端子電極１３に接続されている。第一対向部６２ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６２ｂの一端６２ｄは、スルーホール導体６３を通して第一接続部６２ａの他端６２ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６２ｂは、スルーホール導体６３及び第一接続部６２ａを通して、第三端子電極１３に電気的に接続される。

放電電極６４は、素体１の長手方向における、第四側面１ｆよりも第三側面１ｅに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第一側面１ｃよりも第二側面１ｄに近い位置に配置されている。放電電極６４は、第一接続部６４ａ及び第一対向部６４ｂを有している。第一接続部６４ａは、第一接続部６０ａ，６２ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６４ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６４ａと第一対向部６４ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６４ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６４ａの一端６４ｃは、素体１の第二側面１ｄに露出しており、第二端子電極１２に接続されている。第一対向部６４ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６４ｂの一端６４ｄは、スルーホール導体６５を通して第一接続部６４ａの他端６４ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６４ｂは、スルーホール導体６５及び第一接続部６４ａを通して、第二端子電極１２に電気的に接続される。

放電電極６６は、素体１の長手方向における、第三側面１ｅよりも第四側面１ｆに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第一側面１ｃよりも第二側面１ｄに近い位置に配置されている。放電電極６６は、第一接続部６６ａ及び第一対向部６６ｂを有している。第一接続部６６ａは、第一接続部６０ａ，６２ａ，６４ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６６ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６６ａと第一対向部６６ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６６ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６６ａの一端６６ｃは、素体１の第二側面１ｄに露出しており、第四端子電極１４に接続されている。第一対向部６６ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６６ｂの一端６６ｄは、スルーホール導体６７を通して第一接続部６６ａの他端６６ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６６ｂは、スルーホール導体６７及び第一接続部６６ａを通して、第四端子電極１４に電気的に接続される。

放電電極６８は、第二接続部６８ａ、第二対向部６８ｂ、及び第二対向部６８ｃを有している。第二接続部６８ａは、第一接続部６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第二対向部６８ｂ，６８ｃは、第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第二接続部６８ａと第二対向部６８ｂ，６８ｃとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第二接続部６８ａは、素体１の幅方向における、略中央の位置に配置されている。第二接続部６８ａは、素体１の長手方向に延在している。第二接続部６８ａの一端６８ｅは、素体１の第三側面１ｅ側に露出しており、第一グラウンド用端子電極１５に接続されている。第二接続部６８ａの他端６８ｆは、素体１の第四側面１ｆ側に露出しており、第二グラウンド用端子電極１６に接続されている。

第二対向部６８ｂと第二対向部６８ｃとは、積層方向から見て、素体１の幅方向に離間している。第二対向部６８ｂ，６８ｃは、素体１の長手方向に延在している。第二対向部６８ｂと第二対向部６８ｃとは、接続部６８ｄを通して電気的に接続されている。接続部６８ｄの一端は、第二対向部６８ｂにおける素体１の長手方向での略中央に接続されている。接続部６８ｄの他端は、第二対向部６８ｃにおける素体１の長手方向での略中央に接続されている。第二対向部６８ｂ，６８ｃと接続部６８ｄとは、一体に形成されている。接続部６８ｄは、素体１の幅方向に延在している。

接続部６８ｄは、スルーホール導体６９を通して第二接続部６８ａに電気的に接続される。これにより、第二対向部６８ｂ，６８ｃは、接続部６８ｄ、スルーホール導体６９、及び第二接続部６８ａを通して、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６に電気的に接続される。第二接続部６８ａは、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とを電気的に接続する導体層として機能する。

第二対向部６８ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂと素体１の幅方向で対向配置されている。すなわち、第二対向部６８ｂと第一対向部６０ｂ，６２ｂとは、素体１の幅方向で離間している。第一対向部６０ｂ，６２ｂと第二対向部６８ｂとは、厚みを有している。このため、第一対向部６０ｂ，６２ｂの側面と第二対向部６８ｂの側面とが対向する。

第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとの間に、第一ギャップ部ＧＰ１が形成されている（図４参照）。第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとの間に、第二ギャップ部ＧＰ２が形成されている（図５参照）。第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６と第一端子電極１１との間に所定以上の電圧が印加されると、第一ギャップ部ＧＰ１で放電が生じる。第三端子電極１３と第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第二ギャップ部ＧＰ２で放電が生じる。各ギャップ部ＧＰ１，ＧＰ２の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

第二対向部６８ｃは、第一対向部６４ｂ，６６ｂと素体１の幅方向で対向配置されている。すなわち、第二対向部６８ｃと第一対向部６４ｂ，６６ｂとは、素体１の幅方向で離間している。第一対向部６４ｂ，６６ｂと第二対向部６８ｃとは、厚みを有している。このため、第一対向部６４ｂ，６６ｂの側面と第二対向部６８ｃの側面とが対向する。

第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとの間に、第三ギャップ部ＧＰ３が形成されている（図４参照）。第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとの間に、第四ギャップ部ＧＰ４が形成される（図５参照）。第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６と第二端子電極１２との間に所定以上の電圧が印加されると、第三ギャップ部ＧＰ３で放電が生じる。第四端子電極１４と第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第四ギャップ部ＧＰ４で放電が生じる。各ギャップ部ＧＰ３，ＧＰ４の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及びスルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、導電材（たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、又はＷなど）を含んでいる。各放電電極６０，６２，６４，６６，６８及び各スルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末、Ｐｄ粉末、Ａｕ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ａｌ粉末、Ｍｏ粉末、又はＷ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。スルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、対応する非磁性体層４を構成することとなるセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。

放電誘発部７０は、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとに接している。放電誘発部７０は、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように形成され、第一ギャップ部ＧＰ１での放電を発生し易くする機能を有する。放電誘発部７１は、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとに接している。放電誘発部７１は、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように形成され、第二ギャップ部ＧＰ２での放電を発生し易くする機能を有する。

放電誘発部７２は、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとに接している。放電誘発部７２は、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように形成され、第三ギャップ部ＧＰ３での放電を発生し易くする機能を有する。放電誘発部７３は、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとに接している。放電誘発部７３は、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように形成され、第四ギャップ部ＧＰ４での放電を発生し易くする機能を有する。

放電誘発部７０〜７３は、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｎＯ_２、Ｋ_２О、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、及びＢ_２Ｏ_３からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料を含んで構成される。放電誘発部７０〜７３は、上記群より選ばれる二種類以上の材料を含んで構成されてもよい。放電誘発部７０〜７３には、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金、又はＡｇ／Ｐｔ合金などの金属粒子が含有されている。放電誘発部７０〜７３には、ＲｕＯ_２などの半導体粒子が含有されていてもよい。放電誘発部７０〜７３には、ガラス又は酸化錫（ＳｎＯ又はＳｎＯ_２）が含有されていてもよい。

素体１は、空洞部７４〜７７を有している（図４及び図５参照）。

空洞部７４を画成する面は、第一対向部６０ｂ及び第二対向部６８ｂ、並びに、放電誘発部７０（第一対向部６０ｂ及び第二対向部６８ｂから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７４は、第一対向部６０ｂ及び第二対向部６８ｂと、放電誘発部７０（第一対向部６０ｂ及び第二対向部６８ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部７４は、放電時における第一対向部６０ｂ、第二対向部６８ｂ、非磁性体層４及び放電誘発部７０の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７５を画成する面は、第一対向部６２ｂ及び第二対向部６８ｂ、並びに、放電誘発部７１（第一対向部６２ｂ及び第二対向部６８ｂから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７５は、第一対向部６２ｂ及び第二対向部６８ｂと、放電誘発部７１（第一対向部６２ｂ及び第二対向部６８ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部７５は、放電時における第一対向部６２ｂ、第二対向部６８ｂ、非磁性体層４及び放電誘発部７１の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７６を画成する面は、第一対向部６４ｂ及び第二対向部６８ｃ、並びに、放電誘発部７２（第一対向部６４ｂ及び第二対向部６８ｃから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７６は、第一対向部６４ｂ及び第二対向部６８ｃと、放電誘発部７２（第一対向部６４ｂ及び第二対向部６８ｃから露出する部分）と、に接している。空洞部７６は、放電時における第一対向部６４ｂ、第二対向部６８ｃ、非磁性体層４及び放電誘発部７２の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７７を画成する面は、第一対向部６６ｂ及び第二対向部６８ｃ、並びに、放電誘発部７３（第一対向部６６ｂ及び第二対向部６８ｃから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７７は、第一対向部６６ｂ及び第二対向部６８ｃと、放電誘発部７３（第一対向部６６ｂ及び第二対向部６８ｃから露出する部分）と、に接している。空洞部７７は、放電時における第一対向部６６ｂ、第二対向部６８ｃ、非磁性体層４及び放電誘発部７３の熱膨張を吸収する機能を有する。

非磁性体部３Ｃには、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とが配置されている非磁性体部３Ａ及びＥＳＤサプレッサが配置されている非磁性体部３Ｂと異なり、導体などが配置されていない。非磁性体部３Ｃは、三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃの関係において、非磁性体部３Ａを挟んで非磁性体部３Ｂとは反対側に位置している。非磁性体部３Ｃは、焼成の際に素体１に発生する内部応力を緩和する。

以上のように、本実施形態では、第一導体２５と第二導体２８とは、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とに接続されている。すなわち、第一導体２５及び第二導体２８は、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６を通してグラウンドに接続される。

積層方向（一対の磁性体部５Ａ，５Ｂが対向している方向）で第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）と隣り合っている第一導体２５が、積層方向から見たときに第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）の一部と重なるように配置されている。このため、第一導体２５と第一コイルＣ１との間に浮遊容量が生じる。積層方向で第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）と隣り合っている第二導体２８が、積層方向から見たときに第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）の一部と重なるように配置されている。このため、第二導体２８と第二コイルＣ２との間に浮遊容量が生じる。したがって、積層コモンモードフィルタＣＦでは、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピーク（減衰極）が高周波側にシフトすると共に、その深さが大きくなる。

第一導体２５と第二導体２８とは、線状に延びた形状を呈している。したがって、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２により発生した磁束が、第一導体２５及び第二導体２８を通る場合でも、第一導体２５及び第二導体２８には逆起電力が生じ難い。第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２の各内側領域Ｒ１，Ｒ２は、積層方向から見たときに第一導体２５及び第二導体２８と重ならない領域を含んでいるので、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２により発生した磁束が、第一導体２５及び第二導体２８によって阻害され難い。これらにより、積層コモンモードフィルタＣＦのコモンモードインピーダンスが低下するのを抑制することができる。

本実施形態では、第一導体２５及び第二導体２８は、直線状に延びた形状を呈している。これにより、第一導体２５及び第二導体２８が直線状に延びた形状以外の形状（たとえば、蛇行状に延びた形状又はクランク形状など）である積層コモンモードフィルタに比して、積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一導体２５及び第二導体２８の寄生インダクタンスが少ないので、減衰ピークの深さがより一層大きくなる。

本実施形態では、第一導体２５及び第二導体２８の各幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ａ，Ｗ_２８ｂ，Ｗ_２８ｃは、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２の各内側領域の幅Ｗ_Ｒ１，Ｗ_Ｒ２よりも小さい。これにより、第一及び第二導体が対向方向から見たときに第一及び第二コイルの内側領域と重なるように配置されていても、第一及び第二コイルの各内側領域Ｒ１，Ｒ２は、積層方向から見たときに第一導体２５及び第二導体２８と重ならない領域を確実に含むことができる。

本実施形態では、第一導体２５は、第一導体部分２５ａと、第二導体部分２５ｂと、第三導体部分２５ｃとを有し、第二導体２８は、第一導体部分２８ａと、第二導体部分２８ｂと、第三導体部分２８ｃとを有している。第三導体部分２５ｃ，２８ｃの幅Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ｃは、第一導体部分２５ａ，２８ａの幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２８ａ及び第二導体部分２５ｂ，２８ｂの幅Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ｂよりも大きい。第一導体部分２５ａと第三導体部分２５ｃとの境界、及び、第二導体部分２５ｂと第三導体部分２５ｃとの境界は、積層方向から見たときに、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２と重なっている。第一導体部分２８ａと第三導体部分２８ｃとの境界、及び、第二導体部分２５ｂ，２８ｂと第三導体部分２５ｃ，２８ｃとの境界も、積層方向から見たときに、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２と重なっている。

第一導体部分２５ａ，２８ａの一端は、非磁性体部３Ａの表面（第一側面１ｃ）に露出しており、第一グラウンド用端子電極１５に接続される。このため、第一導体部分２５ａ，２８ａの一端は、第一グラウンド用端子電極１５で覆われている必要があり、第一導体部分２５ａ，２８ａの幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２８ａは、第一グラウンド用端子電極１５の幅よりも小さく設定される必要がある。

第二導体部分２５ｂ，２８ｂの一端は、非磁性体部３Ａの表面（第二側面１ｄ）に露出しており、第二グラウンド用端子電極１６に接続される。このため、第二導体部分２５ｂ，２８ｂの一端は、第二グラウンド用端子電極１６で覆われている必要があり、第二導体部分２５ｂ，２８ｂの幅Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ｂは、第二グラウンド用端子電極１６の幅よりも小さく設定される必要がある。

第一導体２５の幅が大きいほど、第一導体２５と第一コイルＣ１との間に生じる浮遊容量における残留インダクタンスが小さくなる。第二導体２８の幅が大きいほど、第二導体２８と第二コイルＣ２との間に生じる浮遊容量における残留インダクタンスが小さくなる。残留インダクタンスが小さくなると、上記減衰ピークの深さが大きくなる。

第一導体部分２５ａと第三導体部分２５ｃとの境界と、第二導体部分２５ｂと第三導体部分２５ｃとの境界とが、積層方向から見たときに第一コイルＣ１と重なっている場合、第一導体部分２５ａ及び第二導体部分２５ｂよりも幅広である第三導体部分２５ｃは、積層方向から見たときに第一コイルＣ１と確実に重なる。第一導体部分２８ａと第三導体部分２８ｃとの境界と、第二導体部分２８ｂと第三導体部分２８ｃとの境界とが、積層方向から見たときに第二コイルＣ２と重なっている場合、第一導体部分２８ａ及び第二導体部分２８ｂよりも幅広である第三導体部分２８ｃは、積層方向から見たときに第二コイルＣ２と確実に重なる。

第三導体部分２５ｃ，２８ｃの幅Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ｃが第一導体部分２５ａ，２８ａ及び第二導体部分２５ｂ，２８ｂの幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ａ，Ｗ_２８ｂよりも大きい、すなわち、第一導体部分２５ａ，２８ａ及び第二導体部分２５ｂ，２８ｂの幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ａ，Ｗ_２８ｂが第三導体部分２５ｃ，２８ｃの幅Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ｃよりも小さい場合、第一導体部分２５ａ，２８ａと第一グラウンド用端子電極１５との接続性、及び、第二導体部分２５ｂ，２８ｂと第二グラウンド用端子電極１６との接続性を確保しつつ、減衰ピークの深さを大きくすることができる。

第一導体部分２５ａと第三導体部分２５ｃとの境界と、第二導体部分２５ｂと第三導体部分２５ｃとの境界とが、積層方向から見たときに第一コイルＣ１と重なっている場合には、第一コイルＣ１と第一導体２５とに位置ずれが生じる場合でも、第一導体２５と第一コイルＣ１との間に生じる浮遊容量がばらつき難い。上記位置ずれが、第三側面１ｅと第四側面１ｆとが対向している方向での位置ずれである場合、第一導体２５と第一コイルＣ１との間に生じる浮遊容量のばらつきは、極めて生じ難い。

第一導体部分２８ａと第三導体部分２８ｃとの境界と、第二導体部分２８ｂと第三導体部分２８ｃとの境界とが、積層方向から見たときに第二コイルＣ２と重なっている場合には、第二コイルＣ２と第二導体２８とに位置ずれが生じる場合でも、第二導体２８と第二コイルＣ２との間に生じる浮遊容量がばらつき難い。上記位置ずれが、第三側面１ｅと第四側面１ｆとが対向している方向での位置ずれである場合、第二導体２８と第二コイルＣ２との間に生じる浮遊容量のばらつきは、極めて生じ難い。

これらのことから、積層コモンモードフィルタＣＦの特性がばらつくのを抑制することができる。

第一導体２５と第一コイルＣ１（第一コイル導体２１）とが重なり合う面積と、第二導体２８と第二コイルＣ２（第四コイル導体２４）とが重なり合う面積とは同等である。
これにより、第一コイルＣ１の一端、すなわち第一端子電極１１から信号が入る場合と、第一コイルＣ１の他端、すなわち第二端子電極１２から信号が入る場合とで、特性インピーダンスの変化が小さい。同じく、第二コイルＣ２の一端、すなわち第四端子電極１４から信号が入る場合と、第二コイルＣ２の他端、すなわち第三端子電極１３から信号が入る場合とで、特性インピーダンスの変化が小さい。これらの結果、積層コモンモードフィルタＣＦを実装する際の方向性を無くすことができる。

本実施形態では、第一コイルＣ１は、渦巻き状の第一コイル導体２１及び第二コイル導体２２を有していると共に、第一コイル導体２１と第二コイル導体２２とが電気的に接続されることにより構成されている。第二コイルＣ２は、渦巻き状の第三コイル導体２３及び第四コイル導体２４を有していると共に、第三コイル導体２３と第四コイル導体２４とが電気的に接続されることにより構成されている。第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とは、積層方向で互いに隣り合い、第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とは、積層方向で互いに隣り合い、第三コイル導体２３は、積層方向で第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置している。これにより、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との磁気結合を高めることができる。

本実施形態では、第一導体２５及び第二導体２８は、積層方向で第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との間には位置していない。このため、第一導体２５及び第二導体２８が第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との磁気結合を阻害することはない。

第一導体２５及び第二導体２８は、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とを電気的に接続している。この場合、第一グラウンド用端子電極１５と第二グラウンド用端子電極１６とが、第一導体２５及び第二導体２８を通して電気的に接続されているので、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６を形成する際に、電気めっきを施すことができる。

積層コモンモードフィルタＣＦでは、放電電極６０，６２，６４，６６（第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ）と放電電極６８（第二対向部６８ｂ）とが、互いに離間するように素体１内に配置されている。放電電極６８が、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６に接続されている。すなわち、放電電極６８は、第一グラウンド用端子電極１５及び第二グラウンド用端子電極１６を通してグラウンドに接続される。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦは、ＥＳＤ吸収機能を有する。静電気を逃がすグラウンドと、第一導体２５及び第二導体２８が接続されるグラウンドとの共通化が図られ、積層コモンモードフィルタＣＦの構成が複雑化するのを防ぐことができる。

積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一導体２５及び第二導体２８の各厚みＴＨ１は、第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、及び第四コイル導体２４の各厚みＴＨ２よりも小さいので、厚みＴＨ１が厚みＴＨ２以上である積層コモンモードフィルタに比して、積層方向での一対の磁性体部５Ａ，５Ｂの間隔が小さい。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦのインダクタンスが低下するのを抑制することができる。

ここで、本実施形態の積層コモンモードフィルタＣＦと、比較例の積層コモンモードフィルタとの、コモンモードインピーダンスの周波数特性とコモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性とを比較する試験を行った。コモンモードインピーダンスの周波数特性を比較した試験結果を図１１に示し、減衰量の周波数特性を比較した試験結果を図１２に示す。

比較例１の積層コモンモードフィルタは、第一導体２５及び第二導体２８を備えていない点で、積層コモンモードフィルタＣＦと相違する。比較例２の積層コモンモードフィルタは、第一導体２５及び第二導体２８の形状が、特許文献１の図１に開示されているように、環状を呈している点で、積層コモンモードフィルタＣＦと相違する。比較例３の積層コモンモードフィルタは、第一導体２５及び第二導体２８の形状が、特許文献１の図６に開示されているように、ベタ状である点で、積層コモンモードフィルタＣＦと相違する。比較例１〜３の各積層コモンモードフィルタと積層コモンモードフィルタＣＦとは、上述した相違点以外の構成に関しては同じである。第一導体２５及び第二導体２８がベタ状であるとは、第一導体２５及び第二導体２８が第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２だけでなく、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２の各内側領域Ｒ１，Ｒ２も覆っている形状であることを意味している。

図１１に示された試験結果からわかるように、積層コモンモードフィルタＣＦは、比較例２及び３の積層コモンモードフィルタに比して、コモンモードインピーダンスの低下が極めて少ない。すなわち、比較例２及び３の積層コモンモードフィルタでは、第一及び第二導体層に生じる逆起電力（渦電流）の影響により、コモンモードインピーダンスが大きく低下している。図１１において、特性Ｉ１は、積層コモンモードフィルタＣＦのコモンモードインピーダンスの周波数特性を示している。特性Ｉ２〜Ｉ４は、それぞれ比較例１〜３のコモンモードインピーダンスの周波数特性を示している。

図１２に示された試験結果からわかるように、積層コモンモードフィルタＣＦは、比較例１の積層コモンモードフィルタに比して、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きく、かつ、減衰ピークの位置が高周波数側にシフトしている。比較例２及び３の積層コモンモードフィルタは、積層コモンモードフィルタＣＦに対して、急峻な減衰特性を有している。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、比較例２及び３の積層コモンモードフィルタは、所望の減衰特性が得られる周波数帯域が広い。図１２において、特性Ｌ１は、積層コモンモードフィルタＣＦの減衰特性を示している。特性Ｌ２〜Ｌ４は、それぞれ比較例１〜３の減衰特性を示している。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

第一導体２５及び第二導体２８の形状は、図８及び９に示された形状に限られない。第一導体２５及び第二導体２８は、図１３及び図１４に示されるように、積層方向から見たときに第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２の各内側領域Ｒ１，Ｒ２と重ならないように、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２の形状に沿って屈曲した形状を呈していてもよい。この場合、第一導体２５及び第二導体２８は、第一コイルＣ１及び第二コイルＣ２により発生する磁束を遮り難い。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦのインダクタンスが低下するのをより一層抑制することができる。

第三導体部分２５ｃ，２８ｃの幅Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ｃは、図１３及び図１４に示されるように、第一導体部分２５ａ，２８ａの幅Ｗ_２５ａ，Ｗ_２８ａ及び第二導体部分２５ｂ，２８ｂの幅Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ｂと同等であってもよい。

各内側領域Ｒ１，Ｒ２は、積層方向から見たときに、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向での各第三導体部分２５ｃ，２８ｃの両側に、第一導体２５及び第二導体２８と重ならない領域を含んでいるが、これに限られない。各内側領域Ｒ１，Ｒ２は、積層方向から見たときに、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向での各第三導体部分２５ｃ，２８ｃの一方側のみに、第一導体２５及び第二導体２８と重ならない領域を含んでいてもよい。

本実施形態では、第一コイルＣ１は、渦巻き状の第一コイル導体２１及び第二コイル導体２２を有していると共に、第一コイル導体２１と第二コイル導体２２とが電気的に接続されることにより構成されている。第二コイルＣ２は、渦巻き状の第三コイル導体２３及び第四コイル導体２４を有していると共に、第三コイル導体２３と第四コイル導体２４とが電気的に接続されることにより構成されている。

第一コイル導体２１と第二コイル導体２２とが積層方向で互いに隣り合い、第三コイル導体２３と第四コイル導体２４とが積層方向で互いに隣り合い、第二コイル導体２２と第三コイル導体２３とが積層方向で互いに隣り合っていてもよい。第一コイルＣ１は、一つの渦巻き状のコイル導体により構成されていてもよく、第二コイルＣ２も、一つの渦巻き状のコイル導体により構成されていてもよい。

積層コモンモードフィルタＣＦは、放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及び放電誘発部７０〜７３を備えていなくてもよい。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、ＥＳＤ吸収性能を有していなくてもよい。

１…素体、３Ａ，３Ｂ，３Ｃ…非磁性体部、５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ…磁性体部、１１…第一端子電極、１２…第二端子電極、１３…第三端子電極、１４…第四端子電極、１５…第一グラウンド用端子電極、１６…第二グラウンド用端子電極、２１…第一コイル導体、２２…第二コイル導体、２３…第三コイル導体、２４…第四コイル導体、２５…第一導体、２５ａ…第一導体部分、２５ｂ…第二導体部分、２５ｃ…第三導体部分、２８…第二導体、２８ａ…第一導体部分、２８ｂ…第二導体部分、２８ｃ…第三導体部分、６０，６２，６４，６６，６８…放電電極、Ｃ１…第一コイル、Ｃ２…第二コイル、ＣＦ…積層コモンモードフィルタ、Ｒ１…第一コイルの内側領域、Ｒ２…第二コイルの内側領域、Ｗ_２５ａ，Ｗ_２８ａ…第一導体部分の幅、Ｗ_２５ｂ，Ｗ_２８ｂ…第二導体部分の幅、Ｗ_２５ｃ，Ｗ_２８ｃ…第三導体部分の幅、Ｗ_Ｒ１，Ｗ_Ｒ２…内側領域の幅。

Claims (6)

1. 非磁性材料からなる非磁性体部と、磁性材料からなり、かつ、前記非磁性体部を挟んで対向するように配置されている一対の磁性体部と、を有している素体と、
   前記素体に配置されている、第一端子電極、第二端子電極、第三端子電極、第四端子電極、第一グラウンド用端子電極、及び第二グラウンド用端子電極と、
   前記非磁性体部に配置され、前記第一端子電極と前記第三端子電極とに電気的に接続されている第一コイルと、
   前記一対の磁性体部が対向している方向で前記第一コイルと対向するように前記非磁性体部に配置され、かつ、前記第二端子電極と前記第四端子電極とに電気的に接続されており、前記第一コイルと磁気結合する第二コイルと、
   前記一対の磁性体部が対向している前記方向で前記第一及び第二コイルを挟むように前記非磁性体部に配置され、前記第一グラウンド用端子電極と前記第二グラウンド用端子電極とに電気的に接続されている第一及び第二導体と、を備え、
   前記第一導体は、前記一対の磁性体部が対向している前記方向で前記第一コイルと隣り合っていると共に、前記一対の磁性体部が対向している前記方向から見たときに前記第一コイルの一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈し、
   前記第二導体は、前記一対の磁性体部が対向している前記方向で前記第二コイルと隣り合っていると共に、前記一対の磁性体部が対向している前記方向から見たときに前記第二コイルの一部と重なるように配置され、かつ、線状に延びた形状を呈し、
   前記第一及び第二コイルの内側領域は、前記一対の磁性体部が対向している前記方向から見たときに前記第一及び第二導体と重ならない領域を含んでいる、積層コモンモードフィルタ。
2. 前記第一及び第二導体は、直線状に延びた形状を呈している、請求項１に記載の積層コモンモードフィルタ。
3. 前記第一及び第二導体の幅は、前記第一及び第二コイルの前記内側領域の幅よりも小さい、請求項１又は２に記載の積層コモンモードフィルタ。
4. 前記第一及び第二導体は、前記第一グラウンド用端子電極に接続される第一導体部分と、前記第二グラウンド用端子電極に接続される第二導体部分と、前記第一導体部分と前記第二導体部分とを接続する第三導体部分と、をそれぞれ有し、
   前記第三導体部分の幅は、前記第一及び前記第二導体部分の幅よりも大きく、
   前記第一導体部分と前記第三導体部分との境界と、前記第二導体部分と前記第三導体部分との境界とは、前記一対の磁性体部が対向している前記方向から見たときに、前記第一及び第二コイルと重なっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層コモンモードフィルタ。
5. 前記第一コイルは、渦巻き状の第一及び第二コイル導体を有していると共に、前記第一コイル導体と前記第二コイル導体とが電気的に接続されることにより構成され、
   前記第二コイルは、渦巻き状の第三及び第四コイル導体を有していると共に、前記第三コイル導体と前記第四コイル導体とが電気的に接続されることにより構成され、
   前記第一コイル導体と前記第三コイル導体とは、前記一対の磁性体部が対向している前記方向で互いに隣り合い、
   前記第二コイル導体と前記第四コイル導体とは、前記一対の磁性体部が対向している前記方向で互いに隣り合い、
   前記第三コイル導体は、前記一対の磁性体部が対向している前記方向で前記第一コイル導体と前記第二コイル導体との間に位置している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層コモンモードフィルタ。
6. 互いに離間するように前記素体内に配置されている第一及び第二放電電極を更に備えており、
   前記第一及び第二放電電極のいずれか一方が、前記第一グラウンド用端子電極と前記第二グラウンド用端子電極とに電気的に接続されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層コモンモードフィルタ。

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