JP2017059830A - 高周波用途のための構造および同構造の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高周波用途のための構造および同構造の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、高周波用途のための構造(100)に関し、この構造(100)は、−単結晶基板(1)と、−単結晶基板(1)の直上の多結晶シリコン層(2)と、−高周波コンポーネントを受け取ることが意図された、多結晶シリコン層(2)の上の活性層(3)と、を備え、多結晶シリコン層(2)と単結晶基板との界面(I)から延在する、多結晶シリコン層(2)の少なくとも第1の部分(2a)は、多結晶シリコンの粒界に位置する炭素原子および/または窒素原子を、2%から20%の間に含まれる濃度で含む、ことを特徴とする。本発明は、さらに、同構造の製造方法に関する。【選択図】図2

Description

本発明は、高周波用途のための構造および同構造の製造方法に関する。
高周波(RF)用途において、異なるタイプの構造がRFコンポーネントを作製するために用いられうる。
これらの構造の中で、HR−SOI(「高抵抗率シリコン・オン・インシュレータ」の頭字語)タイプの基板が対象となる。
本明細書において、「高抵抗率」とは、500Ohm・cmよりも大きい電気抵抗率を意味する。
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造は、シリコン・ベース基板、誘電体(例えば酸化物)層(通常「埋め込み酸化物」(BOX)層と呼ばれる)およびシリコン活性層を連続して備える。
高周波(RF)スイッチに必要な挿入損失、高調波歪みおよび絶縁性能を改善するために、SOI基板のシリコン・ベース基板は、高抵抗率ベース基板によって置換され、HR−SOIを形成した。
RF用途向けにHR−SOIウェハを採用することにより、RFフロントエンド・モジュールのモノリシック集積化が可能となった。これは、小型化、信頼性の向上、性能の改善およびシステム・コストの低減をもたらす。
HR−SOI基板は、2Gおよび3G用途に非常に適しているが、Si/SiO界面近傍で、自由キャリアを引きつける固定酸化物電荷のために、埋め込み酸化物の下に寄生表面伝導(PSC)層が誘発されることに苦しむ。
これは、基板の有効抵抗率を、1桁よりも大きく大幅に低減し、次世代の性能要件を満足する際の基板能力を制限する。
この固有の制限に対処し、有効抵抗率を改善するために、多結晶シリコン層は、誘電体層と高抵抗率ベース基板との間に導入され、誘電体層の下にトラップ・リッチ層を形成し、PSCを凍結する。
これらのトラップは、RFコンポーネントが作製されることになっている多結晶シリコン層の粒界から生じる。
文献WO2012/127006に対する参照が可能である。
図1は、多結晶シリコン(「ポリシリコン」とも称される)層2’と、酸化物層4と、基板の活性層を形成する単結晶シリコン層3と、によって連続して覆われているHRシリコン基板1を備えた強化されたHR−SOI構造を示す。
この種の強化されたHR−SOI構造は、
−HRシリコン基板を提供するステップと、
−多結晶シリコン層を前記HRシリコン基板の上に堆積させるステップと、
−前記HRシリコン基板の上に、転写されるべき活性層を画定する弱化ゾーンであって、原子種をドナー基板に注入することによって得られうる弱化ゾーンを備える単結晶シリコン・ドナー基板を提供するステップと、
−多結晶シリコン基板および単結晶ドナー基板の少なくとも1つの上に、例えば前記基板の少なくとも1つを酸化させることによって、誘電体層を形成するステップと、
−ドナー基板およびHRシリコン基板を接合するステップであって、少なくとも1つの誘電体層が接合界面に存在し、前記少なくとも1つの誘電体層がBOX層を形成する、接合するステップと、
−ドナー基板を弱化ゾーンに沿って分離するステップであって、これにより、単結晶活性層をHRシリコン基板上に転写させる、分離するステップと、
を備えるSmart Cut(登録商標)法によって作製されうる。
この方法から生じた強化されたHR−SOI構造は、BOX層と下層との間の界面に、注入および酸化のステップに起因する残余の電荷を含む。
前記電荷は、活性層内または活性層上に後に形成されるコンポーネントのRF性能を悪化させる。特に、前記電荷は、隣接するRFコンポーネント間の望ましくない相互作用を引き起こしうる。
多結晶シリコン層は、前記電荷をトラップし、それゆえRF性能に対する前記電荷の悪影響を回避することを意図している。実際、多結晶シリコン層の表面は、BOX層との界面で前記電荷をトラップすることを可能にする複数の粒界を備える。
この主題に関するさらなる情報は、D.Lederer、R.LobetおよびJ.−P.Raskin、「Enhanced high resistivity SOI wafers for RF applications」、IEEE Intl. SOI Conf.、46〜47ページ、2004年、D.LedererおよびJ.−P.Raskin、「New substrate passivation method dedicated to high resistivity SOI wafer fabrication with increased substrate resistivity」、IEEE Electron Device Letters、第26巻、第11号、805〜807ページ、2005年、D.LedererおよびJ.−P.Raskin、「RF performance of a commercial SOI technology transferred onto a passivated HR silicon substrate」、IEEE Transactions on Electron Devices、第55巻、第7号、1664〜1671ページ、2008年、および、D.C.Kerrら、「Identification of RF harmonic distortion on Si substrates and its reduction using a trap−rich layer」、978−1−4244−1856−5/08、IEEE 2008 IEEEの刊行物に見られる。
しかしながら、この種のHR−SOI構造を製造することは、高温で実行される複数のステップを含む(例えば、熱処理は、接合強度を補強するために接合後に実行される)。前記高温は、多結晶シリコン層の再結晶化を誘発し、下層のHRシリコン基板(単結晶である)は、この種の再結晶化のための種として作用する。換言すれば、再結晶化フロントは、多結晶シリコン層を通り、HR単結晶シリコン基板との界面から伝播する。
再結晶化するとき、ポリシリコン層は、粒界の数の減少およびより大きい粒径のばらつきにより、そのトラップ効率を失い、その結果、表層粗さの増大および電荷トラップの均一性が生ずる可能性がある。
再結晶化を制限するために、ポリシリコン層の厚さは、高温ステップ終了時、ポリシリコン層の少なくとも一部が再結晶化していないような十分な厚さに設定されうる。
さらに、ポリシリコン層がその粗さを減らすために堆積後研磨されなければならず、前記研磨するステップがポリシリコン層のある程度の厚さを取り除くという事実を補償するために、厚い堆積厚さもまた必要である。
これらの理由から、現在の強化されたHR−SOI構造では、堆積するポリシリコン層は、概して2μmよりも厚い厚さを有する。
しかしながら、ポリシリコン層の厚さを増加させることには欠点がある。実際に、ポリシリコン層が化学蒸着(CVD)を使用して堆積されるとき、ポリシリコンは、最初に、核をHRシリコン基板の表面上に形成し、次に、ポリシリコン層の厚さが増大するにつれて実質的に円錐の様に次第に拡大する小さい粒を形成する。その結果、HRシリコン基板の反対側のポリシリコン層の表面は、HRシリコン基板との界面に位置する表面よりも少ない粒界を備える。したがって、ポリシリコン層の厚さが大きいほど、粒界の数は少なく、それゆえ、ポリシリコン層のトラップ効率はより低い。
WO2012/127006
D.Lederer、R.LobetおよびJ.−P.Raskin、「Enhanced high resistivity SOI wafers for RF applications」、IEEE Intl. SOI Conf.、46〜47ページ、2004年 D.LedererおよびJ.−P.Raskin、「New substrate passivation method dedicated to high resistivity SOI wafer fabrication with increased substrate resistivity」、IEEE Electron Device Letters、第26巻、第11号、805〜807ページ、2005年 D.LedererおよびJ.−P.Raskin、「RF performance of a commercial SOI technology transferred onto a passivated HR silicon substrate」、IEEE Transactions on Electron Devices、第55巻、第7号、1664〜1671ページ、2008年 D.C.Kerrら、「Identification of RF harmonic distortion on Si substrates and its reduction using a trap−rich layer」、978−1−4244−1856−5/08、IEEE 2008 IEEE
本発明の目的は、上述の課題を解決し、特に多結晶シリコン層のトラップ効率を悪化させずに前記層の厚さを減らすことを可能にすることである。
したがって、本発明は、高周波用途のための構造であって、
−単結晶基板と、
−単結晶基板の直上の多結晶シリコン層と、
−高周波コンポーネントを受け取ることを意図した、多結晶シリコン層の上の活性層と
を備え、
多結晶シリコン層と単結晶基板との界面から延在する、多結晶シリコン層の少なくとも第1の部分が、多結晶シリコンの粒界に位置する炭素原子および/または窒素原子を、2%から20%の間に含まれる濃度で含む、ことを特徴とする構造を提供する。
以下でさらに詳述されるように、炭素原子および/または窒素原子は、多結晶シリコンの粒界でトラップされ、再結晶化速度を遅くする。
これにより、ポリシリコン層の厚さを減らすとともに、熱処理終了時の前記層の完全な再結晶化を回避することが可能になる。
厚さが減少したこの種のポリシリコン層は、単結晶基板の反対側の表面で、より多数の粒界を備え、それゆえ、前記表面に存在する電荷をより厚い層よりも効率的にトラップする。さらに、ポリシリコンの減少した厚さは、限られた表層粗さを誘発し、それゆえ、研磨するステップを最小化し、ウェハ全体にわたる粒径、および、ウェハ間の粒径のより高い均一性を最小化する。
一実施形態によれば、多結晶シリコン層全体は、炭素原子および/または窒素原子を含む。
このような場合、多結晶シリコン層の厚さは、200から1000nmの範囲である。
別の実施形態によれば、多結晶シリコン層は、炭素原子および/または窒素原子を含む第1の部分の上に、炭素原子および/または窒素原子を含まない第2の部分をさらに備える。
「含まない」とは、炭素原子および/または窒素原子の濃度が0.5%未満であることを意味する。
このような場合、多結晶シリコン層の第1の部分の厚さは、有利には、10から200nmの範囲である。したがって多結晶シリコン層の全体の厚さは、好ましくは、20から500nmの範囲である。
一実施形態によれば、単結晶基板は、500Ohm・cmよりも大きい電気抵抗率を有する単結晶シリコン、炭化ケイ素および/またはゲルマニウムのうちの少なくとも1つを備える。
一実施形態によれば、活性層は、半導性材料、誘電材料、強誘電材料、ならびに少なくとも1つのキャビティおよび前記キャビティ上の少なくとも1つの懸架要素(suspended element)を備えた基礎構造のうちの少なくとも1つを備える。
別の実施形態によれば、構造は多結晶シリコン層の上に誘電体層をさらに備え、活性層は、前記誘電体層の上にある。
本発明の別の目的は、このような構造を製造する方法に関するものである。
前記方法は、
−単結晶基板を提供することと、
−前記単結晶基板の上に、多結晶シリコン層を堆積させることと、
−高周波コンポーネントを受け取ることが意図される活性層を備えたドナー基板を提供することと、
−多結晶シリコン層および活性層が接合界面にあるように、単結晶基板およびドナー基板を接合することと、
−活性層を単結晶基板および多結晶シリコン層上に転写することと、
を備え、
単結晶基板との界面に位置する、多結晶シリコン層の少なくとも第1の部分の堆積の間、炭素原子および/または窒素原子が、前記第1の部分内に堆積されることを特徴とする。
有利には、多結晶シリコン層は、低圧化学蒸着法(LPCVD)によってリアクタ内で堆積される。
炭素原子および/または窒素原子を含有するガスは、LPCVDリアクタ内に導入され、少なくとも第1の部分を形成する。
一実施形態によれば、前記ガスは、多結晶シリコン層の全体の堆積の間、LPCVDリアクタ内に導入される。
したがって多結晶シリコン層の厚さは、好ましくは、200から1000nmの範囲である。
別の実施形態によれば、第1の部分が堆積された後、方法は、LPCVDリアクタ内への炭素原子および/または窒素原子を含有するガスの導入を停止することと、炭素および/または窒素を含まない多結晶層の第2の部分をさらに堆積させることと、を備え、第2の部分内の炭素および/または窒素の濃度は、0.5%未満である。
したがって多結晶シリコン層の第1の部分の厚さは、好ましくは、10から200nmの範囲である。
別の実施形態によれば、方法は、誘電体層を多結晶シリコン層の上におよび/またはドナー基板の活性層の上に形成することをさらに備える。
本発明のさらなる特徴および効果は、添付の図面に基づいて、以下の詳細な説明から明らかになる。
ポリシリコン層を備えた絶縁体構造上の既知の半導体の断面図を示す。 本発明の一実施形態による構造の断面図を示す。 本発明の別の実施形態による構造の断面図を示す。 本発明による構造の製造方法の複数のステップを示す。 本発明による構造の製造方法の複数のステップを示す。 本発明による構造の製造方法の複数のステップを示す。 本発明による構造の製造方法の複数のステップを示す。
図面が一定の比率ではない場合があるということに留意されたい。
図2は、本発明の第1の実施形態による構造100を例示する。
構造100は、単結晶基板1を備える。
単結晶基板は、単一の材料からなるバルク基板とすることもできるし、多数の異なる材料の積層からなり、単結晶材料が少なくとも基板の主表面に位置している複合基板とすることもできる。
有利には、単結晶基板は、500Ohm・cmよりも大きい電気抵抗率を有する単結晶シリコンからなるが、他の材料が選択されてもよい。
例えば、以下の材料、すなわち、シリコン、炭化ケイ素、ゲルマニウムまたは前記材料の少なくとも2つの組み合わせは、単結晶基板を形成するために用いることができる。
多結晶シリコン層2は、単結晶基板1の直上に延在している。「直上」とは、多結晶シリコンが、界面Iで単結晶基板の材料に接触していることを意味し、特に、多結晶層または非結晶層が、単結晶基板1と多結晶シリコン層2との間に配置されていないことを意味する。
多結晶シリコン層2は、炭素および/または窒素を含み、これは炭素原子および/または窒素原子が、多結晶シリコンの粒界に位置することを意味する。以下でさらに詳述するように、前記炭素原子および/または窒素原子は、概して、ポリシリコンの成長の間に導入される。
ポリシリコン層2内の炭素原子の濃度は、2〜20%の範囲であり、それは、オージェ電子分光法または二次イオン質量分析法のような化学組成特性化技術を使用して決定可能である。
炭素および/または窒素の前記濃度は、層2の厚さの全体にわたって均一でもよいし、層2の厚さに沿って変化してもよい。
多結晶シリコン層2の厚さは、概して200から1000nmの範囲であり、これは、図1に示したような従来技術の構造よりもはるかに薄い。
誘電体層4、例えば酸化物層は、ポリシリコン層2の上に存在することができる。しかしながら、この層4は、任意である。
構造100は、さらに、ポリシリコン層2の上に(または、存在する場合には、誘電体層4の上に)高周波コンポーネントを受け取ることを意図した活性層を備える。それゆえ、前記高周波コンポーネント(図示せず)は、前記活性層3の上に、または、前記活性層3の中に形成されうる。
活性層3は、半導性材料、誘電材料、強誘電材料、および/または、少なくとも1つのキャビティと前記キャビティ上の少なくとも1つの懸架要素を備えた基礎構造を備えることができる。
図3は、本発明の第2の実施形態による構造100を例示する。
図2と同一の参照番号によって示される要素は、同一であるので、再び詳述する必要はない。
図2の構造と比較すると、図3の構造は、2つの部分からなるポリシリコン層2を備え、2つの部分とは、界面Iから延在する第1の部分2aおよび第1の部分2aの上に延在する第2の部分2bである。
第1の部分2aは、炭素および/または窒素を含む。
ポリシリコン層の第1の部分2a内の炭素原子および/または窒素原子の濃度は、2%〜20%の範囲である。
前記第1の部分2aの厚さは、10から200nmの範囲である。
対照的に、第2の部分2bは、炭素原子および/または窒素原子を実質的に含まない。いくらかの炭素原子および/または窒素原子が、例えば製造方法の間、前記第2の部分に混入しうると仮定するならば、前記第2の部分の炭素原子および/または窒素原子の濃度は、0.5%未満である。
図2および図3に示される構造の製造方法は、図4A〜4Dに関して記載されている。
一方では、図4Aに示すように、単結晶基板1が提供されている。
前記基板は、多結晶層の堆積を実行するように、リアクタ内に導入される。堆積技術は、有利には、低圧化学蒸着法(LPCVD)またはプラズマ強化LPCVDである。
そのために、シラン(SiH)、ジシラン(S)またはトリシラン(Si)およびメタン(CH)またはメチルシラン(SiHCH)がリアクタ内に導入される。リアクタ内の温度は、概して500°Cから900°Cの範囲である。
メチルシランまたはメタンの導入と並行して、炭素原子および/または窒素原子を、成長している多結晶シリコン層に導入するように、前記炭素および/または窒素を含有するガスがリアクタ内に導入される。前記炭素および/または窒素を含有するガスの濃度は、50から300sccmの間に含まれる。
その結果、炭素および/または窒素を含むポリシリコンの第1の部分2aは、単結晶基板1の上に得られる。この第1の部分2aの厚さは、10から200nmの間に含まれる。
一実施形態によれば、炭素および/または窒素を含有するガスの導入と並行したポリシリコンの成長は、200から1000nmの間の厚さを有する最終的なポリシリコン層を得るまで続けられうる。このような場合、ポリシリコン層の全体は、炭素および/または窒素を含む(図4B左)。
代替実施形態によれば、第1の部分2aの形成と炭素および/または窒素を含まないポリシリコンの第2の部分2bの成長とが、20から500nmまでのポリシリコン層2の全体厚さを得るまで続けられた後、炭素および/または窒素を含有するガスの導入は停止される(図4B右)。この実施形態の利点は、リアクタ内に導入される炭素の量が制限され、それゆえ、炭素によってリアクタ壁を汚すことが最小化されるということである。それゆえ、リアクタは、上述した実施形態の場合よりも清掃が少なくてよい。
次に、ポリシリコン層で覆われている単結晶基板は、リアクタから取り出される。
他方では、図4Cに示すように、構造の活性層を形成することが意図される層3を備えたドナー基板30が提供される。層3は、例えば弱化ゾーン31によってドナー基板30内で区切られることができる。弱化ゾーンは、種の注入によって、または、他の任意の好適な方法によって形成されうる。これらの技術は、それ自体は公知であり、本明細書においてさらに詳細に記載される必要はない。
誘電体層は、ポリシリコン層の上におよび/またはドナー基板の活性層の上に形成されてもよい。例えば、前記誘電体層は、ポリシリコン層および/またはドナー基板の酸化によって得られてもよい。例として、このような誘電体層4は、図4Cにおいて、ドナー基板30の活性層3の上に示されている。誘電体層がポリシリコン層およびドナー基板の両方の上に形成されるとき、両方の誘電体層は、接合後、埋め込み誘電体層をともに形成する。
次に、図4Dに示すように、多結晶シリコン層2および活性層3(または、適切な場合、層2および/または層3の上に存在する誘電体層)が接合界面にあるように、単結晶基板1およびドナー基板30は接合される。
熱処理が接合強度を補強するために実行される。この熱処理の温度は、概して100から1250°Cの間に含まれ、その期間は、一般的に10秒から2時間の範囲である。
このような処理の熱量は、再結晶化のための種を形成する単結晶基板との界面からポリシリコン層の再結晶化を誘発するのに十分である。しかしながら、単結晶基板1に接触するポリシリコン層の少なくとも部分2a内の炭素原子の存在のため、炭素原子がポリシリコンの粒界をブロックするので、再結晶化速度は実質的に低下する。それゆえ、約100nmほどの厚さの炭素および/または窒素を含むポリシリコン領域でさえ、ポリシリコン層2は、熱処理終了時、完全には再結晶化しない。
次に、活性層3は、ドナー基板30の残部32を除去することによって、単結晶基板1およびポリシリコン層2上に転写される。前記除去は、弱化ゾーン31に沿ってドナー基板を破断することによって(Smart Cut(登録商標)法)、または、ドナー基板をエッチングおよび/またはグラインドすることによって実行され、活性層3のみを残すことができる。
結果として生じる構造は、図2(ポリシリコン層がその全厚さに炭素および/または窒素を含む場合)または図3(ポリシリコン層の第1の部分のみが炭素および/または窒素を含む場合)に示される。
このような構造では、ポリシリコン層2は、200から1000nm(または、図3に関して表される状況ではさらに10から500nm)の厚さを有し、これは、単結晶基板の反対側の表面で、図1のより厚い層2’内よりも多数の粒界を提供する。その結果、前記ポリシリコン層は、より厚い層よりも効率的に、前記表面に存在する電荷をトラップする。
さらに、多結晶シリコン層2は、図1の層2’よりも薄いので、粗さも小さく、それゆえ、ドナー基板に接合する前の研磨も少なくてよい。その結果、ポリシリコン層を形成するとき、研磨による材料のより小さい損失が考慮されればよい。
1 単結晶基板
2 多結晶シリコン層、ポリシリコン層
2a 第1の部分
2b 第2の部分
3 活性層
30 ドナー基板
31 弱化ゾーン
32 残部
4 誘電体層
100 構造
I 界面

Claims (17)

  1. 無線周波数高周波応用のため向けの構造(100)であって、
    −単結晶基板(1)と、
    −前記単結晶基板(1)の直上の多結晶シリコン層(2)と、
    −高周波コンポーネントを受け取ることが意図された、前記多結晶シリコン層(2)の上の活性層(3)と
    を備えた構造(100)において、
    前記多結晶シリコン層(2)と前記単結晶基板(1)との界面(I)から延在する、前記多結晶シリコン層(2)の少なくとも第1の部分(2a)が、多結晶シリコンの粒界に位置する炭素原子および/または窒素原子を、2%から20%の間に含まれる濃度で含むことを特徴とする、構造(100)。
  2. 前記多結晶シリコン層(2)の全体が、炭素原子および/または窒素原子を含む、請求項1に記載の構造。
  3. 前記多結晶シリコン層(2)の厚さは、200から1000nmの範囲である、請求項2に記載の構造。
  4. 前記多結晶シリコン層(2)は、炭素原子および/または窒素原子を含む前記第1の部分(2a)の上に第2の部分(2b)をさらに備え、前記第2の部分(2b)は、前記第2の部分(2b)内の炭素および/または窒素の前記濃度が0.5%未満であるという点で炭素原子および/または窒素原子を含まない、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造。
  5. 前記多結晶シリコン層の前記第1の部分(2a)の厚さは、10から200nmの範囲である、請求項4に記載の構造。
  6. 前記多結晶シリコン層(2)の厚さは、20から500nmの範囲である、請求項4または5に記載の構造。
  7. 前記単結晶基板(1)は、500Ohm・cmよりも大きい電気抵抗率を有する単結晶シリコン、炭化ケイ素および/またはゲルマニウムのうちの少なくとも1つを備える、請求項1から6のいずれか一項に記載の構造。
  8. 前記活性層(3)は、半導性材料、誘電材料、強誘電材料、ならびに少なくとも1つのキャビティおよび前記キャビティ上の少なくとも1つの懸架要素(suspended element)を備えた基礎構造のうちの少なくとも1つを備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の構造。
  9. 前記多結晶シリコン層(2)の上に誘電体層(4)をさらに備え、前記活性層(3)は前記誘電体層(4)の上にある、請求項1から8のいずれか一項に記載の構造。
  10. 高周波用途のための構造(100)を製造する方法であって、
    −単結晶基板(1)を提供することと、
    −前記単結晶基板(1)の上に、多結晶シリコン層(2)を堆積させることと、
    −高周波コンポーネントを受け取ることが意図される活性層(3)を備えたドナー基板(30)を提供することと、
    −前記多結晶シリコン層(2)および前記活性層(3)が接合界面にあるように、前記単結晶基板(1)および前記ドナー基板(30)を接合することと、
    −前記活性層(3)を前記単結晶基板(1)および前記多結晶シリコン層(2)に転写することと
    を備えた方法において、
    前記単結晶基板との界面に位置する、前記多結晶シリコン層(2)の少なくとも第1の部分(2a)の堆積の間、炭素原子および/または窒素原子が、前記第1の部分(2a)内に堆積されることを特徴とする、方法。
  11. 前記多結晶シリコン層(2)は、低圧化学蒸着法(LPCVD)によってリアクタ内で堆積される、請求項10に記載の方法。
  12. 炭素原子および/または窒素原子を含有するガスは、LPCVDリアクタ内に導入され、少なくとも前記第1の部分(2a)を形成する、請求項11に記載の方法。
  13. 前記ガスは、前記多結晶シリコン層(2)の全体の前記堆積の間、前記LPCVDリアクタ内に導入される、請求項12に記載の方法。
  14. 前記多結晶シリコン層の厚さは、200から1000nmの範囲である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第1の部分(2a)が堆積された後、前記LPCVDリアクタ内への前記炭素原子および/または窒素原子を含む前記ガスの前記導入を停止することと、炭素および/または窒素を含まない、前記多結晶シリコン層(2)の第2の部分(2b)をさらに堆積させることと、を備え、前記第2の部分(2b)内の炭素および/または窒素の濃度は、0.5%未満である、請求項12に記載の方法。
  16. 前記多結晶シリコン層(2)の前記第1の部分(2a)の厚さは、10から200nmの範囲である、請求項15に記載の方法。
  17. 誘電体層(4)を前記多結晶シリコン層(2)の上におよび/または前記ドナー基板(30)の前記活性層(3)の上に形成することをさらに備える、請求項10から16のいずれか一項に記載の方法。
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