JP2017048098A - 多結晶シリコン棒の製造方法およびfz単結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1Aおよび図1Bは、シーメンス法などの化学気相法で析出させて育成された多結晶シリコン棒10からの、X線回折測定法による残留応力測定用の板状試料20の採取例(第1)について説明するための図で、rr方向とθθ方向の残留応力成分を測定するための試料採取例である。
ある。
上述のrr方向、θθ方向、およびzz方向の3方向での残留応力を測定すべく、直径19mmで厚さ2mmの円板状試料を採取する。採取した円板状試料を、ミラー指数面<331>からのブラッグ反射が検出される位置に配置し、X線照射領域が上述の3方向となるようにスリットを設定して、残留応力を測定する。なお、rr方向とθθ方向の2方向については、走査軸を平行にした並傾法と走査軸を直交する側傾法にて測定を行う。
シーメンス法にて各種条件にて合成した、(a)炉内にて既に割れてしまったロッド、(b)ハンマーによる破砕テストにおいて割れ易かったロッド、および(c)ハンマーによる破砕テストにおいて割れ難かったロッドの三者について、XRD法による残留応力測定の結果を検討したところ、残留応力のzz方向成分に違いが認められた。
10 多結晶シリコン棒
11 ロッド
12 円板
20 円板状試料
Claims (3)
- シーメンス法によりシリコン芯線上に多結晶シリコンを析出させて得られる半径Rの多結晶シリコン棒の製造方法であって、
前記シリコン芯線の近傍領域、R/2領域、最表面領域における多結晶シリコンの析出温度をそれぞれT1、T2、T3としたときに、T1>T2>T3に設定する、多結晶シリコン棒の製造方法。 - シーメンス法によりシリコン芯線上に多結晶シリコンを析出させて得られる半径Rの多結晶シリコン棒の製造方法であって、
前記シリコン芯線の近傍領域、R/2領域、最表面領域における多結晶シリコンの析出温度をそれぞれT1、T2、T3としたときに、T1>T2かつT2<T3とし、さらに、
前記最表面領域における多結晶シリコンの析出時における前記シリコン芯線の近傍領域の温度T1´と前記T3との温度差をΔTとしたときに、T1>T3+ΔTとなるように設定する、多結晶シリコン棒の製造方法。 - 請求項1または2に記載の方法により得られた多結晶シリコン棒を、該多結晶シリコン棒の析出工程後の熱処理を行うことなく誘導加熱して単結晶化する、FZ単結晶シリコンの製造方法。
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