JP2017045891A - 半導体装置及びそれを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体チップに基板を仮圧着する工程の一例を示す工程図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置について説明する。本実施形態に係る半導体装置における接続部は、バンプと配線との金属接合、及び、バンプとバンプとの金属接合のいずれでもよい。本実施形態に係る半導体装置では、例えば、接着剤層を介して電気的な接続を得るフリップチップ接続を用いることができる。
接着剤層は、10000以下の分子量を有する熱硬化性樹脂、及びその硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物によって形成された層であることが好ましい。
((a)熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂は、加熱により架橋構造を形成し得る化合物である。熱硬化性樹脂は10000以下の分子量を有する。分子量が小さい成分は加熱時に分解等してボイドの原因となるため、耐熱性の観点から、熱硬化性樹脂としては、硬化剤と反応して架橋構造を形成する化合物が好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂が挙げられる。
アクリル樹脂は、分子内に1個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物であれば特に制限されない。アクリル樹脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ナフタレン、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル、ビフェニル、トリフェニルメタン、ジシクロペンタジエン、フルオレン、アダマンタン及びイソシアヌル酸から選ばれる化合物に由来する骨格を有する(メタ)アクリレート、並びに各種多官能(メタ)アクリル化合物が挙げられる。その中でも、耐熱性の観点から、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ナフタレン、フルオレン、アダマンタン及びイソシアヌル酸から選ばれる化合物に由来する骨格を有する(メタ)アクリレートが好ましい。アクリル樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、並びに各種多官能エポキシ樹脂が挙げられる。その中でも、速硬化性及び耐熱性の観点から、ビスフェノールF型及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
硬化剤は、熱硬化性樹脂と反応して、熱硬化性樹脂とともに架橋構造を形成する化合物であれば特に制限されない。硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ホスフィン系硬化剤、アゾ化合物及び有機過酸化物が挙げられる。硬化系としてはラジカル重合系が好ましい。硬化剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
フェノール樹脂系硬化剤は、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限されない。フェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
アミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、ドデカンジアミン等が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、硬化性、保存安定性及び接続信頼性に優れる観点から、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤として用いてもよい。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4−メチルフェニル)ボレート及びテトラフェニルホスホニウム(4−フルオロフェニル)ボレートが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
アゾ化合物は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
有機過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステル等が挙げられる。有機過酸化物としては、保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド及びパーオキシエステルが好ましい。更に、有機過酸化物としては、耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド及びジアルキルパーオキサイドが好ましい。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、10000以上の重量平均分子量を有する高分子成分を更に含有していてもよい。熱硬化性樹脂、硬化剤等の、高分子成分以外の成分の重量平均分子量又は分子量は、通常、10000未満である。高分子成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びアクリルゴムが挙げられる。その中でも、耐熱性及びフィルム形成性に優れる観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂及びポリカルボジイミド樹脂が好ましく、耐熱性及びフィルム形成性に更に優れる観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂及びアクリルゴムがより好ましい。これらの高分子成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、粘度及び硬化物の物性を制御するため、及び、半導体チップ同士、又は半導体チップと基板とを接続した際のボイドの発生及び吸湿率の更なる抑制のために、フィラーを更に含有していてもよい。フィラーとしては、例えば、無機フィラー及び樹脂フィラーが挙げられる。無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ及び窒化ホウ素等の絶縁性無機フィラーが挙げられる。その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン及び窒化ホウ素が好ましく、シリカ、アルミナ及び窒化ホウ素がより好ましい。絶縁性無機フィラーはウィスカーであってもよい。ウィスカーとしては、例えば、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム及び窒化ホウ素が挙げられる。樹脂フィラーとしては、例えば、ポリウレタン、ポリイミド、メタクリル酸メチル樹脂及びメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂(MBS)が挙げられる。フィラーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。フィラーの形状、粒径、及び含有量は特に制限されない。
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、フラックス剤(すなわち、フラックス活性(酸化物及び不純物を除去する活性)を示すフラックス活性剤)を更に含有していてもよい。フラックス剤としては、例えば、イミダゾール類及びアミン類等の非共有電子対を有する含窒素化合物、カルボン酸類、フェノール類及びアルコール類が挙げられる。アルコール等に比べて有機酸(2−メチルグルタル酸等のカルボン酸類など)がフラックス活性を強く発現し、接続性が向上する。
接着剤フィルムの作製に使用した化合物を以下に示す。
アクリル樹脂
・エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート(新中村化学工業株式会社製、A−9300、アクリロイル基の官能基数:3)
・フルオレンに由来する骨格を有するアクリレート化合物(大阪ガスケミカル株式会社製、EA0200、アクリロイル基の官能基数:2)
・ジクミル過酸化物(日油株式会社製、パークミルD)
・フェノキシ樹脂(東都化成株式会社製、ZX1356、Tg:約71℃、重量平均分子量:約63000)
・アクリルゴム(日立化成株式会社製、KH−C865、Tg:0〜12℃、重量平均分子量:450000〜650000)
無機フィラー
・シリカフィラー(株式会社アドマテックス製、SE2050、平均粒径:0.5μm)
・エポキシシランで表面処理されたシリカフィラー(株式会社アドマテックス製、SE2050SEJ、平均粒径:0.5μm)
・メタクリル表面処理ナノシリカフィラー(株式会社アドマテックス製、YA050C−SM、以下「SMナノシリカ」と表記する、平均粒径:約50nm)
樹脂フィラー
・有機フィラー(ロームアンドハースジャパン(株)製、EXL−2655:コアシェルタイプ有機微粒子)
表1に示す配合量(単位:質量部)のアクリル樹脂(A9300)、無機フィラー(SE2050、SE2050SEJ及びSMナノシリカ)及び樹脂フィラー(EXL2655)を、不揮発分(固形分(溶媒以外の成分)、ここでの溶媒はメチルエチルケトン)濃度60質量%になるようにメチルエチルケトンに加えた。次いで、Φ1.0mm、Φ2.0mmのビーズを、メチルエチルケトンに加えたアクリル樹脂及び無機フィラーの合計量と同じ量加え、ビーズミル(フリッチュ・ジャパン株式会社製、遊星型微粉砕機P−7)で30分撹拌した。その後、高分子成分としてのフェノキシ樹脂(ZX1356)を加え、再度、ビーズミルで30分撹拌した。撹拌後、硬化剤(パークミルD)を添加して攪拌し、ビーズをろ過によって除去してワニスを得た。得られたワニスを小型精密塗工装置(株式会社廉井精機製)で塗工し、クリーンオーブン(ESPEC製)で乾燥(70℃/10min)して、接着剤フィルムを得た。
使用した材料を表1に示すように変更したこと以外は製造例1と同様にして、接着剤フィルムを得た。
(実施例1)
作製した製造例1の接着剤フィルムを切り抜き(8mm×8mm×0.045mmt)、半導体チップ(チップサイズ:10mm×10mm×0.4mmt、接続部の金属:Au、製品名:WALTS−TEG IP80、WALTS製)上に貼付した。次いで、接着剤フィルムを貼付した半導体チップを、仮圧着用押圧部材としての押圧部材1のステージ上に供給した。このステージ上の半導体チップと、はんだバンプ付き半導体チップ(チップサイズ:7.3mm×7.3mm×0.15mmt、接続部の金属:銅ピラー+はんだ、バンプ高さ:銅ピラー+はんだ計約45μm、バンプ数1048ピン、ピッチ80μm、製品名:WALTS−TEG CC80、WALTS製)とをそれぞれの接続部が互いに対向するように位置合わせした。その後、半導体チップ、接着剤フィルム及び半導体チップからなる積層体を、圧着ヘッドとステージの間に挟んで加圧及び加熱して、半導体チップ同士を仮圧着した。次いで、得られた積層体をリフロ炉に搬送し、最高温度を260℃として600秒加熱することで、チップ−チップ間を電気的に接続した。仮圧着工程で積層体を複数形成し、それらを一括でリフロ炉へ搬送することで、一度に複数の半導体装置を製造した。上記の半導体装置の製造では、下記の接続評価がAとなるように条件が設定されている。半導体装置1パッケージ(PKG)あたりの仮圧着工程及び加熱工程のそれぞれに要した製造時間、半導体装置100パッケージ(PKG)あたりの製造時間の結果を表2に示す。
・仮圧着条件
圧着ヘッドの温度:80℃、荷重:75N、ステージ温度:80℃
作製した半導体装置の接続抵抗値を、マルチメータ(ADVANTEST製、商品名「R6871E」)を用いて測定することにより、実装後の初期導通を評価した。ペリフェラル部分の内周の初期接続抵抗値が45Ω以下で、かつ、外周の初期接続抵抗値が85Ω以下の場合を「A」とし、内周の初期接続抵抗値が45Ωを超える場合、外周の初期接続抵抗値が85Ωを超える場合、及び、導通していない(抵抗値が表示されない)場合を全て「B」とした。
実施例1に対して次の変更をしたこと以外は実施例1と同様にして半導体装置を製造した。押圧部材のステージ上で半導体チップとバンプ付半導体チップとを位置合わせした。その後、押圧部材の圧着ヘッドとステージとで加圧しながら、圧着ヘッドの温度を1秒間で280℃まで昇温させた後、その状態で2秒間保持した。これにより、半導体チップとバンプ付半導体チップとを互いに圧着し、電気的に接続した。圧着にかかった時間の合計は3秒であった。その後、圧着ヘッドの温度を280℃から半導体チップ供給温度の80℃まで冷却した。押圧部材を用いて、半導体装置を複数製造した。上記の半導体装置の製造では、上記の接続評価が「A」となるように条件が設定されている。圧着工程の各段階に要した製造時間、半導体装置100パッケージ(PKG)あたりの製造時間の結果を表2に示す。
加熱装置としてリフロ炉の代わりにオーブンを用い、積層体を260℃のオーブン内で600秒加熱したこと以外は実施例1と同様にして半導体装置の製造を行った。結果を表3に示す。
製造例2の接着剤フィルムを用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体装置の製造を行った。結果を表4に示す。
製造例2の接着剤フィルムを用いこと以外は比較例1と同様にして半導体装置の製造を行った。結果を表4に示す。
加熱装置としてリフロ炉の代わりにオーブンを用い、積層体を260℃のオーブン内で600秒加熱したこと以外は実施例3と同様にして半導体装置の製造を行った。結果を表5に示す。
Claims (7)
- 半導体チップと、基板及び/又は他の半導体チップと、これらの間に介在する接着剤層とを備え、前記半導体チップ、前記基板、及び前記他の半導体チップのそれぞれが金属材料によって形成された表面を有する接続部を有し、前記半導体チップの接続部と前記基板又は前記他の半導体チップの接続部とが金属接合によって電気的に接続されている、半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体チップと、前記基板又は前記他の半導体チップと、これらの間に配置された前記接着剤層とを有し、前記半導体チップの接続部と前記基板又は前記他の半導体チップの接続部とが対向配置されている、積層体を、対向する一対の仮圧着用押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧し、それにより前記半導体チップに前記基板又は前記他の半導体チップを仮圧着する工程と、
前記半導体チップの接続部と前記基板又は前記他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する工程と、
をこの順に備え、
前記一対の仮圧着用押圧部材のうち少なくとも一方が、前記積層体を加熱及び加圧する時に、前記半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、及び前記基板又は前記他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点よりも低い温度に加熱され、
前記半導体チップの接続部と前記基板又は前記他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する工程において、前記積層体が、加熱炉内又はホットプレート上で、前記半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は前記基板若しくは前記他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される、方法。 - 複数の前記積層体が前記加熱炉内又は前記ホットプレート上で一括して加熱される、請求項1に記載の方法。
- 前記接着剤層が、10000以下の分子量を有する熱硬化性樹脂、及びその硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物によって形成された層である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱硬化性樹脂組成物が、10000以上の重量平均分子量を有する高分子成分を更に含有する、請求項3に記載の方法。
- 前記高分子成分の重量平均分子量が30000以上であり、前記高分子成分のガラス転移温度が100℃以下である、請求項4に記載の方法。
- 前記接着剤層が、予め準備された接着剤フィルムによって形成された層である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体装置。
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