JP2022043572A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの上記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの上記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
上記接続部は金属からなり、
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体を上記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)上記封止接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
上記接続部は金属からなり、
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)上記封止仮接続体を上記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
上記接続部及び上記接続バンプは金属からなり、
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体を上記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)上記封止接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
上記接続部及び上記接続バンプは金属からなり、
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)上記封止仮接続体を上記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
[式中、R1はアルキル基又はフェニル基を示し、R2はアルキレン基を示す。]
[9]上記R1がフェニル基である、上記[8]に記載の半導体装置の製造方法。
[10]上記シラノール化合物が25℃で固形である、上記[8]又は[9]に記載の半導体装置の製造方法。
[12]上記高分子量成分が、重量平均分子量30000以上であり且つガラス転移温度が100℃以下の成分である、上記[11]に記載の半導体装置の製造方法。
本実施形態の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置について、図1及び図2を用いて以下説明する。図1は半導体チップと基板間で接続が行われる場合、図2は半導体チップ間で接続が行われる場合の断面構造を示している。
第一の実施形態の半導体装置の製造方法は、接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの上記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの上記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、上記接続部及び上記接続バンプは金属からなり、
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体を上記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)上記封止接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える。
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)上記封止仮接続体を上記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える。
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体を上記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)上記封止接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える。
(a)上記半導体チップ及び上記配線回路基板、又は、上記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、上記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの上記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)上記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)上記封止仮接続体における上記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)上記封止仮接続体を上記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える。
半導体用接着剤は、重量平均分子量10000以下の化合物及び硬化剤をはじめ、下記のとおり様々な成分を含有し得る。
重量平均分子量10000以下の化合物としては特に制限はないが、共に含有される硬化剤と反応するものである。重量平均分子量が10000以下と小さい成分は加熱時に分解等してボイドの原因となり得るが、硬化剤と反応することで高い耐熱性が確保され易い。このような化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、(メタ)アクリル化合物、等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。これらは単独又は2種以上の混合体として使用することができる。耐熱性、取り扱い性の観点から、ビスフェノールF型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型から選択してもよい。エポキシ樹脂の配合量は、半導体用接着剤の全体100質量部に対して、例えば10~50質量部とすることができる。10質量部以上の場合、硬化成分が十分に存在するため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御し易く、50質量部以下では、硬化物が硬くなりすぎず、パッケージの反りをより抑制できる傾向がある。
(メタ)アクリル化合物としては、分子内に1個以上の(メタ)アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。(メタ)アクリル化合物としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型、各種多官能アクリル化合物等を使用することができる。これらは単独又は2種以上の混合体として使用することができる。(メタ)アクリル化合物の配合量は、半導体用接着剤の全体100質量部に対して、10~50質量部、又は15~40質量部であってもよい。10質量部以上の場合、硬化成分が十分に存在するため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御し易くなる。50質量部以下では、硬化物が硬くなりすぎず、パッケージの反りを更に抑制できる。
硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤、アゾ化合物、有機過酸化物等が挙げられる。
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はない。フェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。
アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノ-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノ-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールから選択してもよい。これらは単独で又は2種以上を併用して用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4-メチルフェニル)ボレート及びテトラフェニルホスホニウム(4-フルオロフェニル)ボレートが挙げられる。
有機過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステル等が挙げられる。保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステルから選択してもよい。さらに、耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイドから選択してもよい。
重量平均分子量10000超の高分子量成分は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。その中でも耐熱性及びフィルム形成性に優れるエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等から選択してもよい。さらに耐熱性、フィルム形成性に優れるエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴムから選択してもよい。これらの高分子量成分は単独又は2種以上の混合体又は共重合体として使用することもできる。
封止用樹脂としては、半導体装置の封止用に用いられる樹脂であれば特に制限されない。そのような樹脂としては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
使用した化合物を以下に示す。
(i)重量平均分子量10000超の高分子量成分
フェノキシ樹脂(東都化成株式会社、ZX-1356-2、Tg:約71℃、Mw:約63000)
(ii)重量平均分子量10000以下の化合物:エポキシ樹脂
トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ(三菱化学株式会社、EP1032H60)
ビスフェノールF型液状エポキシ(三菱化学株式会社、YL983U)
(iii)硬化剤
2,4-ジアミン-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体(四国化成工業株式会社、2MAOK-PW)
(iv)無機フィラ
シリカフィラ(株式会社アドマテックス、SE2050、平均粒径0.5μm)
エポキシシラン表面処理シリカフィラ(株式会社アドマテックス、SE2050SEJ、平均粒径0.5μm)
メタクリル表面処理ナノシリカフィラ(株式会社アドマテックス、YA050C-SM、以下SMナノシリカとする、平均粒径約50nm)
(v)樹脂フィラ
有機フィラ(ロームアンドハースジャパン株式会社製、EXL-2655:コアシェルタイプ有機微粒子)
(vi)フラックス剤
2-メチルグルタル酸(アルドリッチ、融点:約77℃)
表1に示す質量割合のエポキシ樹脂、無機フィラ、樹脂フィラ及びフラックス剤に対し、NV60%(溶媒40質量%に対し、液状成分、固形成分、フィラ等の接着剤を構成する成分全てが60質量%)になるように有機溶媒(メチルエチルケトン)を添加した。その後、φ1.0mm及びφ2.0mmのビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル(フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機P-7)で30分撹拌した。その後、高分子量成分を加え、再度、ビーズミルで30分撹拌した。撹拌後、硬化剤を添加して攪拌し、その後に用いたビーズをろ過によって除去し、二種類の樹脂ワニスを得た。
(実施例1)
工程1:上記にて作製したフィルム状接着剤を切り抜き(8mm×8mm×0.045mmt)、基板(20mm×27mm、0.41mm厚、接続部金属:Cu(OSP処理)、製品名:HCTEG-P1180-02、日立化成エレクトロニクス株式会社製)上に貼付した。その上に、はんだバンプ付き半導体チップ(チップサイズ:7.3mm×7.3mm×0.15mmt、バンプ高さ:銅ピラー+はんだ計約45μm、バンプ数328ピン、ピッチ80μm、製品名:SM487A-HC-PLT、住友商事九州株式会社製)を、熱圧着機(FCB3、パナソニック株式会社製)を用いて、ステージ温度80℃、仮圧着温度130℃、仮圧着時間2秒間の条件で仮圧着した。
工程2:仮圧着を行った半導体パッケージ(仮接続体)に対し、モールド装置(株式会社テクノマルチシ製)を用いて、封止用樹脂(製品名:CEL-400ZHF40-MANG、日立化成株式会社製)チップ上面の封止を行い、封止体(封止仮接続体)を形成した。
工程3(又は工程4):得られた封止体に対し、上記熱圧着機(FCB3、パナソニック株式会社製)を用いてステージ温度80℃、圧着温度280℃で加熱処理を行い、封止接続体を作製した。
工程4(又は工程3):得られた封止接続体に対し、バックグラインド装置(DAG810、株式会社DISCO)を用いてチップ上面の封止材を研削し、チップ裏面(バンプを有する面とは反対側の表面)を露出した半導体装置を作製した。
表2に示すように、工程3における加熱処理を、リフロー装置(熱風窒素リフロー炉SNR-1065GT、千住金属工業株式会社製)を用いて行ったこと以外は実施例1と同様にして、半導体装置を作製した。
表2に示すように、工程3と工程4の順序を入れ替えて、封止体に対して研削を行った後に加熱処理(熱圧着)を行ったこと以外は実施例1と同様にして、半導体装置を作製した。
表2に示すように、工程3と工程4の順序を入れ替えて、封止体に対して研削を行った後に加熱処理(リフロー)を行ったこと以外は実施例2と同様にして、半導体装置を作製した。
表2に示すように、工程4を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、半導体装置を作製した。
表2に示すように、工程4を行わなかったこと以外は実施例2と同様にして、半導体装置を作製した。
(溶融粘度評価)
上記にて作製したフィルム状接着剤に対し、レオメーター(アントンパール ジャパン社製、MCR301)及び治具(ディスポーザブルプレート(直径8mm)とディスポーザブルサンプルディッシュ)を用いて、サンプル厚み400μm、昇温速度10℃/分、周波数1Hz、の条件で、工程1(仮圧着温度:80~130℃)における溶融粘度を測定した。結果を表2に示す。
上記にて作製した半導体装置を、恒温恒湿器(PR-2KP、エスペック株式会社製)中に80℃、65%RHの条件で168時間静置して吸湿させた。吸湿後の半導体装置を、リフロー炉で260℃中に30秒の条件で熱処理した。吸湿及び熱処理(リフロー)後の半導体装置の内部を、超音波観察装置(INSIGHT-300、インサイト株式会社製)を用いて観察し、各部材間(基板と接着剤層との間、半導体チップと接着剤層との間、半導体チップと封止材との間、基板と封止材との間、及び、封止材と接着剤層との間)の剥離の有無を確認した。いずれの箇所でも剥離が確認できなかった場合を「無」、いずれかの箇所で剥離が確認できた場合を「有」とした。結果を表2に示す。
Claims (13)
- 接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの前記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの前記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
前記接続部は金属からなり、
(a)前記半導体チップ及び前記配線回路基板、又は、前記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、前記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの前記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)前記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)前記封止仮接続体を前記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)前記封止接続体における前記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの前記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの前記接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
前記接続部は金属からなり、
(a)前記半導体チップ及び前記配線回路基板、又は、前記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、前記接続部の金属の融点より低い温度で、それぞれの前記接続部が互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)前記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)前記封止仮接続体における前記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)前記封止仮接続体を前記接続部の金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの前記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの前記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
前記接続部及び前記接続バンプは金属からなり、
(a)前記半導体チップ及び前記配線回路基板、又は、前記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、前記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの前記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)前記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)前記封止仮接続体を前記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第三工程と、
(d)前記封止接続体における前記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 接続部を有する半導体チップ及び接続部を有する配線回路基板を備え、それぞれの前記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置、又は、接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの前記接続部が接続バンプを介して互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
前記接続部及び前記接続バンプは金属からなり、
(a)前記半導体チップ及び前記配線回路基板、又は、前記半導体チップ同士を、間に半導体用接着剤を介した状態で、前記接続バンプの金属の融点より低い温度で、それぞれの前記接続バンプが互いに接触するように圧着し、仮接続体を得る第一工程と、
(b)前記仮接続体の少なくとも一部を、封止用樹脂を用いて封止し、封止仮接続体を得る第二工程と、
(c)前記封止仮接続体における前記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する第三工程と、
(d)前記封止仮接続体を前記接続バンプの金属の融点以上の温度で加熱し、封止接続体を得る第四工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記封止用樹脂の少なくとも一部を研削する工程において、前記半導体チップの前記接続部を有する面とは反対側の面が露出するまで研削する、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一工程では、前記半導体チップ及び前記配線回路基板、又は、前記半導体チップ同士を、対向する一対の押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧することにより、圧着する、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用接着剤が、重量平均分子量10000以下の化合物及び硬化剤を含有し、80~130℃における溶融粘度が6000Pa・s以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記R1がフェニル基である、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シラノール化合物が25℃で固形である、請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用接着剤が、重量平均分子量10000超の高分子量成分を含有する、請求項1~10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高分子量成分が、重量平均分子量30000以上であり且つガラス転移温度が100℃以下の成分である、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用接着剤がフィルム状である、請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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