JP2013187491A - 回路接続構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係る回路接続構造体の製造方法は、配線回路基板11及び配線13を有する回路部材10と、半導体チップ21及び配線23を有する回路部材20と、を準備する準備工程と、配線回路基板11及び半導体チップ21の間に接着剤層40aを介在させて回路部材10及び回路部材20を圧着し、配線13及び配線23が互いに電気的に接続された積層体100aを得る接続工程と、接続工程の後、積層体100aを温度T1で加熱する第1の加熱工程と、第1の加熱工程の後に、積層体100aを温度T2で加熱する第2の加熱工程と、を備え、温度T1及び温度T2が下記式(1)の条件を満たす。
温度T1>温度T2≧接着剤層40aのガラス転移温度 ・・・(1)
【選択図】図7
Description
温度T1>温度T2≧接着剤層の硬化物のガラス転移温度 ・・・(1)
本実施形態に係る回路接続構造体の製造方法により得られる回路接続構造体について、図1〜図4を用いて説明する。図1は、第1実施形態に係る回路接続構造体の製造方法により得られる回路接続構造体を示す模式断面図である。図2は、第2実施形態に係る回路接続構造体の製造方法により得られる回路接続構造体を示す模式断面図である。図3は、第3実施形態に係る回路接続構造体の製造方法により得られる回路接続構造体を示す模式断面図である。図4は、他の実施形態に係る回路接続構造体の製造方法により得られる回路接続構造体を示す模式断面図である。
以下、接着剤組成物を構成する半導体封止用接着剤の構成成分について説明する。
半導体封止用接着剤は、エポキシ樹脂を含有することができる。エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型及びジシクロペンタジエン型のエポキシ樹脂、並びに、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。これらは1種を単独で又は2種以上の混合体として使用することができる。エポキシ樹脂の配合量は、半導体封止用接着剤の全体100質量部に対して、例えば10〜50質量部である。
半導体封止用接着剤は、硬化剤を含有することができる。硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。以下、各硬化剤について説明する。
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。これらは1種を単独で又は2種以上の混合体として使用することができる。フェノール性水酸基を含むフェノール樹脂系硬化剤は、酸化膜を除去するフラックス活性を示すことから、フェノール樹脂系硬化剤を用いることにより、接続信頼性や絶縁信頼性を更に向上させることができる。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。これらは1種を単独で又は2種以上の混合体として使用することができる。酸無水物を含む酸無水物系硬化剤は、酸化膜を除去するフラックス活性を示すことから、酸無水物系硬化剤を用いることにより、接続信頼性や絶縁信頼性を更に向上させることができる。
アミン系硬化剤としては、例えば、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した化合物であればよく、ジシアンジアミド等を使用することができる。アミン類を含むアミン系硬化剤は、酸化膜を除去するフラックス活性を示すことから、アミン系硬化剤を用いることにより、接続信頼性や絶縁信頼性を更に向上させることができる。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体等が挙げられる。これらの中でも、硬化性、保存安定性、接続信頼性の観点から、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。前述したイミダゾールの類似構造(置換基が異なるもの等)で液状のものを用いてもよい。これらは1種を単独で又は2種以上を併用してもよい。また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めたものを用いてもよい。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4−メチルフェニル)ボレート、テトラフェニルホスホニウム(4−フルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。
半導体封止用接着剤は、フラックス活性(酸化物や不純物を除去する活性)を示す化合物であるフラックス剤を含有することができる。フラックス活性剤としては、イミダゾール類やアミン類のように非共有電子対を有する含窒素化合物;カルボン酸類;フェノール類;アルコール類が挙げられる。これらの中でも、カルボン酸類はフラックス活性が強く、(a)エポキシ樹脂と容易に反応し、接着剤組成物の硬化物中に遊離した状態で存在しないため、絶縁信頼性の低下を防ぐことができる。
半導体封止用接着剤は、粘度や硬化物の物性を制御するため、及び、回路接続部材同士を接続した際のボイドの発生や吸湿率の抑制のために、フィラを更に含有していてもよい。フィラとしては、絶縁性無機フィラ、ウィスカー又は樹脂フィラを用いることができる。
半導体封止用接着剤は、重量平均分子量10000以上の高分子成分を含有していてもよい。半導体封止用接着剤が上記高分子成分を含有していると、フィルム形成性が向上する。半導体封止用接着剤をフィルム状にすると作業性、生産性が向上する。重量平均分子量10000以上の高分子成分を配合するか否かや配合量等は、その他物性を考慮して適宜決めることができる。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー(島津製作所製C−R4A)を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。
半導体封止用接着剤は、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤を更に含有していてもよい。これらは1種を単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。これらの配合量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。
本実施形態に係る回路接続構造体の製造方法は、複数の回路部材を準備する準備工程と、回路部材の接続部同士を接続する接続工程と、接着剤層を硬化するキュア工程(第1の加熱工程)と、反りを低減するための熱処理工程(第2の加熱工程)と、をこの順に備えている。
温度T1>温度T2≧接着剤層の硬化物のガラス転移温度 ・・・(1)
(式(1)中、T1は、キュア工程の加熱温度を示し、T2は、熱処理工程の加熱温度を示す。)
実施例及び比較例で使用した半導体封止用接着剤の構成成分を以下に示す。
(a)エポキシ樹脂
トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ(ジャパンエポキシレジン株式会社、EP1032H60、以下「EP1032」と表記する)
(b)硬化剤
2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成株式会社製、2PHZ−PW、以下「2PHZ」と表記する)
(c)フラックス剤
ジフェノール酸(東京化成株式会社製)
(d)フィラ
0.5μmシリカフィラ(アドマテックス株式会社、SE2050)
メタブレン型有機フィラ(三菱レイヨン、W5500)
(e)重量平均分子量10000以上の高分子成分
下記合成ポリイミド(重量平均分子量Mw:35000、Tg:97℃)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた300mlフラスコに、1,12−ジアミノドデカン10.7g、ポリエーテルジアミン(BASF製、ED400(重量平均分子量:約400))2.4g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(信越化学製、LP−7100)13.3g及びN−メチル−2−ピロリドン(関東化学製)165gを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した4,4´−(4,4´−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(ALDRICH製、BPADA)57gを少量ずつ添加した。170℃/5時間反応させた後、メタノールで洗浄した。その後、オーブン(DKN402、ヤマト科学製)で120℃/3時間乾燥後、さらに真空オーブン(LHV−112、エスペック製)で80℃/5時間、75cmHgで乾燥して固形の合成ポリイミドを得た(ポリイミド樹脂のTg:97℃,重量平均分子量:35000)。
作製した半導体封止用接着剤(フィルム状:縦20.5mm×横20.5mm×厚さ0.100mm)を、ガラスエポキシ基板(図2の配線回路基板11、縦35mm×横35mm×厚さ0.8〜1.0mm、コア:E679FGR(0.8mm)、ソルダーレジストPSR4000、ランド表面Cu無垢(配線)+ハンダバンプ(SAC:Sn−Ag−Cuハンダ、先端部分の高さ:ソルダーレジストの上面から25μm)、ソルダーレジスト開口0.08mm、バンプピッチ150μm、14884ピン、WALTS製)上に供給して回路部材A1を得た。
上記ガラスエポキシ基板とハンダバンプ付き半導体チップ(デイジーチェーン接続)をFCB3で実装後に、マルチメータ(ADVANTEST製、R6871E)を用いて初期導通の可否を測定した。各半導体チップの四隅の計8箇所について導通の可否を測定した。8箇所全ての初期接続抵抗値が12〜17ΩであるサンプルをA(接続良好)と評価し、初期接続抵抗値が12〜17Ω以外の不安定な数値であるサンプルをB(接続不良:ハンダ濡れ不足、硬化性制御不足等の接続不良)と評価し、未接続のサンプルをC(接続不良)と評価した。評価結果を表1に示す。
粘弾性測定装置(粘弾性装置RSAII、Rheometrics製)を用いて、上記半導体封止用接着剤のTgを測定した。測定した半導体封止用接着剤のサンプルサイズは、4mm×35mm、厚み100μmであった。半導体封止用接着剤を165℃/1時間キュア後にTgを測定した。測定条件は、−30℃〜270℃、10℃/min、周波数10Hzとした。tanδのピーク温度をTgとした。測定結果を表1に示す。
上記のとおりキュア工程後に加熱処理した接続構造体の反り量を測定した。測定装置は、サーモレイPS200(AKROMETRIX製)を用いた。反り量は、基板面を測定し(室温:25℃)、基板のCoplanarityの値とした。測定結果を表1に示す。
Claims (4)
- 第1の基板、及び、前記第1の基板の主面上に配置された第1の接続部を有する第1の回路部材と、第2の基板、及び、前記第2の基板の主面上に配置された第2の接続部を有する第2の回路部材と、を準備する準備工程と、
前記第1の基板及び前記第2の基板の間に接着剤層を介在させて前記第1の回路部材及び前記第2の回路部材を圧着し、前記第1の接続部及び前記第2の接続部が互いに電気的に接続された積層体を得る接続工程と、
前記接続工程の後、前記積層体を温度T1で加熱する第1の加熱工程と、
前記第1の加熱工程の後に、前記積層体を温度T2で加熱する第2の加熱工程と、を備え、
前記温度T1及び前記温度T2が下記式(1)の条件を満たす、回路接続構造体の製造方法。
温度T1>温度T2≧前記接着剤層の硬化物のガラス転移温度 ・・・(1) - 前記接着剤層の硬化物のガラス転移温度が40〜200℃である、請求項1に記載の回路接続構造体の製造方法。
- 前記接着剤層がエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する、請求項1又は2に記載の回路接続構造体の製造方法。
- 前記接着剤層がフラックス剤を含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路接続構造体の製造方法。
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