JP2011195778A - 高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 - Google Patents
高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011195778A JP2011195778A JP2010066760A JP2010066760A JP2011195778A JP 2011195778 A JP2011195778 A JP 2011195778A JP 2010066760 A JP2010066760 A JP 2010066760A JP 2010066760 A JP2010066760 A JP 2010066760A JP 2011195778 A JP2011195778 A JP 2011195778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- curing agent
- adhesive
- semiconductor
- epoxy resin
- weight loss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の高分子化硬化剤は、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤の反応により得られ、本発明の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、(A)エポキシ樹脂又は(B)硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下である。本発明の高分子化硬化剤の製造方法は、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、(A)エポキシ樹脂又は(B)硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下となるように、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤を反応させる。
【選択図】なし
Description
本実施形態の高分子化硬化剤は、(A)エポキシ樹脂Aと、(B)硬化剤Aとから合成される。本実施形態の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、エポキシ樹脂A又は硬化剤Aの少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下である。
エポキシ樹脂Aとしては、特に制限はなく、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。
硬化剤Aとしては、例えばフェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ホスフィン系硬化剤、及び、非共有電子対を有する窒素原子含有化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種が挙げられ、中でも、非共有電子対を有する窒素原子含有化合物が好ましい。
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4−メチルフェニル)ボレート、テトラフェニルホスホニウム(4−フルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。
非共有電子対を有する窒素原子含有化合物としては、非共有電子対を有する窒素原子を化合物中に含有していればどのような置換基を有していても特に問題はなく、例えば第1級アルキルアミン、第2級アルキルアミン、第3級アルキルアミン、アリールアミン、さらに複素環アミンであるピリジン類、ピロール類、キノリン類、イミダゾール類、インドール類、ピリミジン類、ピロリジン類、ピペリジン類、トリアジン類、ジアゾ化合物等が挙げられ、中でもイミダゾール類が好ましい。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。
次に、エポキシ樹脂A及び硬化剤Aをプレ高分子化する高分子化硬化剤の製造方法について説明する。高分子化硬化剤の製造方法では、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、エポキシ樹脂A又は硬化剤Aの少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下となるように、エポキシ樹脂A及び硬化剤Aを反応させる。高分子化硬化剤の製造方法では、エポキシ樹脂A及び硬化剤Aが無触媒でプレ高分子化されることが好ましい。プレ高分子化の際には、エポキシ樹脂A又は硬化剤Aの少なくとも一方が溶解する溶媒や濃度にする。溶媒としては、使用用途に不都合がないものを用いればよい。
本実施形態の樹脂組成物は、上記高分子化硬化剤と、(C)エポキシ樹脂Bとを含む。
本実施形態の半導体用接着剤は、上記樹脂組成物を含む。半導体用接着剤としてはどのような形態でもよく、例えば、液状材料、ペースト材料、フィルム材料、粉状材料等として用いることができる。
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。また、液状フェノールは高温加熱時に分解して揮発成分が発生する傾向があることから、室温、1気圧で固形のフェノール樹脂系硬化剤を用いることが好ましい。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。これらは1種類単独又は2種類以上の混合体として使用することができる。また、液状酸無水物は高温加熱時に分解して揮発成分が発生する傾向があることから、室温、1気圧で固形の酸無水物を用いることが好ましい。
アミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド等を使用することができる。また、液状アミンは高温加熱時に分解して揮発成分が発生する傾向があることから、室温、1気圧で固形のアミンを用いることが好ましい。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられる。中でも、硬化性や保存安定性、接続信頼性の観点から、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノ−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは1種類単独又は2種類以上を併用してもよい。また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めたものを用いてもよい。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4−メチルフェニル)ボレート、テトラフェニルホスホニウム(4−フルオロフェニル)ボレートなどが挙げられる。これらは1種類単独又は2種類以上を併用してもよい。
本実施形態の半導体装置は、上記半導体用接着剤を用いている。以下、本実施形態の半導体装置について、図1,2を用いて更に説明する。図1は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図1(a)に示すように、半導体装置100は、互いに対向する半導体チップ10及び基板(配線回路基板)20と、半導体チップ10及び基板20の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線(接続部)15と、半導体チップ10及び基板20の配線15を互いに電気的に接続する接続バンプ30と、半導体チップ10及び基板20間の空隙に隙間なく充填されて配置された接着剤組成物(樹脂組成物)40とを有している。半導体チップ10及び基板20は、配線15及び接続バンプ30によりフリップチップ接続されている。接着剤組成物40は、上記半導体用接着剤の硬化物である。配線15及び接続バンプ30は、接着剤組成物40により封止されており外部環境から遮断されている。
半導体装置の製造方法(半導体装置組立方式)は、エポキシ樹脂A又は硬化剤Aの少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度の高温加熱プロセスを備える。高温加熱プロセスの温度としては、例えば240℃以上である。本実施形態の半導体装置の製造方法では、上記接着剤組成物を半導体チップ及び配線回路基板の間、又は、複数の半導体チップ間に介在させた状態で接続部同士を電気的に接続する。上記接続部同士は、例えば圧着温度240〜270℃、圧着圧力0.1MPa、圧着時間10秒の条件により熱圧着されて接続される。
(a)エポキシ樹脂A
ビスフェノールF型液状エポキシ(ジャパンエポキシレジン株式会社、商品名:YL983U、以下「YL983」という)。240℃熱重量減少量:1.5%。270℃熱重量減少量:5.02%。
単官能液状エポキシ(旭電化工業株式会社、商品名:ED−509S、以下「ED」という)。240℃熱重量減少量:99%。270℃熱重量減少量:99%。
(b)硬化剤A
2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成株式会社製、商品名:2PHZ−PW、以下「2PHZ」という)。240℃熱重量減少量:13.0%。270℃熱重量減少量:17.1%。
2−フェニル−4-メチル−5-ヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成株式会社製、商品名:2P4MHZ−PW、以下「2P4MHZ」という)。240℃熱重量減少量:10.1%。270℃熱重量減少量:11.5%。
(c)エポキシ樹脂B
トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ(ジャパンエポキシレジン株式会社、商品名:EP1032H60、以下「EP1032」という)。240℃熱重量減少量:0.4%。270℃熱重量減少量:0.5%。
柔軟性エポキシ(ジャパンエポキシレジン株式会社、商品名:YL7175)。240℃熱重量減少量:1.15%。270℃熱重量減少量:1.5%。
(d)重量平均分子量10000以上の高分子成分(ベース樹脂)
フェノキシ樹脂(東都化成株式会社、商品名:ZX1356)。240℃熱重量減少量:1.3%。270℃熱重量減少量:1.5%。
(e)フィラ
シリカフィラ(アドマテックス株式会社、商品名:SE2050、平均粒径:0.5μm)
以下の合成方法により高分子化硬化剤a〜dを合成した。
YL983のエポキシ等量1mol(5.33g、エポキシ等量:169)に対して、2PHZ1.5mol(9.65g、Mw:204)を、全体のNVが40%になるように、枝付きフラスコ中の溶媒N−メチル−2−ピロリドン(関東化学製、以下「NMP」という)中に添加した。
YL983のエポキシ等量1mol(5.33g、エポキシ等量:169)に対して、2PHZ1.8mol(11.58g、Mw:204)を、全体のNVが40%になるように、枝付きフラスコ中のNMP中に添加した。その後、実施例1と同様の手法により、高分子化硬化剤bを得た(Mw:10900、Mn:9000、分散度:1.21、240℃熱重量減少量:6.32%、270℃熱重量減少量:8.45%)。
高分子化硬化剤bは、1H−NMRにおいてブロードではあるが12.5ppm付近にピークを確認した。
YL983のエポキシ等量1mol(5.33g、エポキシ等量:169)に対して、2P4MHZ1.5mol(8.9g、Mw:188)を、全体のNVが40%になるように、枝付きフラスコ中のNMP中に添加した。その後、実施例1と同様の手法により、高分子化硬化剤cを得た(Mw:9900、Mn:8100、分散度:1.22、240℃熱重量減少量:6.04%、270℃熱重量減少量:7.95%)。
2P4MHZとエポキシ樹脂との反応に起因する2P4MHZの窒素に結合したプロトンは1H−NMRでは12〜13ppmにピークが確認される。上述した高分子型硬化剤cもブロードではあるが12.5ppm付近にピークを確認した。
EDのエポキシ等量1mol(5.33g、エポキシ等量:206)に対して、2PHZ1.5mol(7.9g、Mw:204)を、全体のNVが40%になるように、枝付きフラスコ中のNMP中に添加した。その後、実施例1と同様の手法により、高分子化硬化剤dを得た(Mw:7900、Mn:7200、分散度:1.09、240℃熱重量減少量:7.35%、270℃熱重量減少量:9.66%)。
高分子化硬化剤dは、1H−NMRにおいてブロードではあるが12.5ppm付近にピークを確認した。
(実施例1)
上述のように合成した高分子化硬化剤aを0.0002mol、YL7175を1.0g、EP1032を0.9g、シリカフィラを2.0g、全体がNV60%になるようにトルエンと酢酸エチルの混合溶媒(質量比1:1)に添加した。その後、Φ0.8mm、Φ2.0mmのビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル(フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機P−7)で30分撹拌した。その後、ZX1356を1.0g加え、再度ビーズミルで30分撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去した。作製したワニスを小型精密塗工装置(廉井精機)で塗工し、クリーンオーブン(ESPEC製)で乾燥し(110℃、10分)、フィルム状接着剤を得た。
高分子化硬化剤aに代えて表2に示す硬化剤を用いたこと以外は、実施例1と同様に行って実施例2〜4及び比較例1〜2のフィルム状接着剤を得た。
(1)分子量測定方法
高速液体クロマトグラフィー(島津製作所製、商品名:C−R4A)を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの値として、高分子化硬化剤の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)を測定した。溶媒はDMF(N,N−ジメチルホルムアミド)を用いた。重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)の値から、分散度(重量平均分子量/数平均分子量)を求めた。
サンプル(高分子化硬化剤等)をPtパンに入れ、10℃/minで35℃から400までの熱重量減少量をTG/DTA測定装置(セイコーインスツル株式会社、EXSTAR6000)を用いて測定した。240℃熱重量減少量及び270℃熱重量減少量を各サンプルについて測定した。
フィルム状接着剤におけるボイド発生率の評価方法は、図3の各部材を用いて次のように行った。まず、実施例1〜4、比較例1〜2で作製したフィルム状接着剤を切り抜き、10mm×10mm×0.03mmtのフィルム状接着剤51を得た。次に、銅箔をコーティングしたガラスエポキシ基板52(25mm×25mm×0.3mmt)上にフィルム状接着剤51を100℃でラミネートした。その後、FCB3(パナソニック製)を用いて、銅バンプ53を介してはんだボール54が付いたチップ55(銅バンプ53+はんだボール54:40μm、バンプピッチ80μm、チップサイズ:7mm×7mm×725μmt)をフィルム状接着剤51に圧着した。圧着条件:240℃、10秒、0.1MPaのサンプルと、圧着条件:270℃、10秒、0.1MPaのサンプルとをそれぞれ作製した。
Claims (10)
- (A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤の反応により得られる高分子化硬化剤であって、
前記高分子化硬化剤の熱重量減少量が、前記(A)成分又は前記(B)成分の少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下である、高分子化硬化剤。 - 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置における前記半導体チップ及び前記配線回路基板の間、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置における前記複数の半導体チップの間に配置される半導体用接着剤に用いられ、前記半導体用接着剤が240℃以上で加熱される、請求項1に記載の高分子化硬化剤。
- 240℃における熱重量減少量が10%以下である、請求項1又は2に記載の高分子化硬化剤。
- 前記(B)成分が、非共有電子対を有する窒素原子含有化合物である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の高分子化硬化剤。
- 前記非共有電子対を有する窒素原子含有化合物がイミダゾール類である、請求項4に記載の高分子化硬化剤。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の高分子化硬化剤と、(C)分子内に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と、を含む、樹脂組成物。
- 請求項6に記載の樹脂組成物を含有する、半導体用接着剤。
- フィルム状である、請求項7に記載の半導体用接着剤。
- 請求項7又は8に記載の半導体用接着剤を用いた、半導体装置。
- (A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤を反応させる高分子化硬化剤の製造方法であって、前記高分子化硬化剤の熱重量減少量が、前記(A)成分又は前記(B)成分の少なくとも一方の熱重量減少量が10%より大きくなる温度において10%以下となるように、前記(A)成分及び前記(B)成分を反応させる、高分子化硬化剤の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066760A JP2011195778A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066760A JP2011195778A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011195778A true JP2011195778A (ja) | 2011-10-06 |
Family
ID=44874394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010066760A Pending JP2011195778A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011195778A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013145840A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路の層間充填層形成用塗布液、及び三次元集積回路の製造方法 |
JP2014136761A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | アダクト変性アミン化合物の製造方法 |
JP6596611B1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-10-23 | ペルノックス株式会社 | 熱硬化性組成物及びペースト |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0337220A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Yuka Shell Epoxy Kk | エポキシ樹脂硬化剤 |
JPH06100763A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂プリプレグ及びエポキシ樹脂積層板 |
JPH083529A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-09 | Soken Chem & Eng Co Ltd | 異方導電性接着剤および異方導電性接着シート |
JP2002329966A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線板製造用配線基板及び多層配線板 |
JP2004063992A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
JP2006008854A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2007091899A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 高安定性エポキシ樹脂用硬化剤およびエポキシ樹脂組成物 |
JP2008050544A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
JP2008247974A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
JP2009117811A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010066760A patent/JP2011195778A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0337220A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Yuka Shell Epoxy Kk | エポキシ樹脂硬化剤 |
JPH06100763A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂プリプレグ及びエポキシ樹脂積層板 |
JPH083529A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-09 | Soken Chem & Eng Co Ltd | 異方導電性接着剤および異方導電性接着シート |
JP2002329966A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線板製造用配線基板及び多層配線板 |
JP2004063992A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
JP2006008854A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2007091899A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 高安定性エポキシ樹脂用硬化剤およびエポキシ樹脂組成物 |
JP2008050544A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
JP2008247974A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
JP2009117811A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013145840A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路の層間充填層形成用塗布液、及び三次元集積回路の製造方法 |
JP2014136761A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | アダクト変性アミン化合物の製造方法 |
JP6596611B1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-10-23 | ペルノックス株式会社 | 熱硬化性組成物及びペースト |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5900602B2 (ja) | 半導体用接着剤、フラックス剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6047888B2 (ja) | 半導体用接着剤及び半導体装置の製造方法 | |
JP5958529B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5915727B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP7226498B2 (ja) | 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5990940B2 (ja) | 回路接続構造体の製造方法 | |
JP5867584B2 (ja) | 半導体用接着剤及び半導体装置の製造方法 | |
JP6229528B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び接着剤組成物 | |
JP2011195778A (ja) | 高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置 | |
JP6536281B2 (ja) | 半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2017098463A (ja) | 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2017171817A (ja) | 半導体用接着剤、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JPWO2020071391A1 (ja) | 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
WO2020157828A1 (ja) | 樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
WO2022024648A1 (ja) | 半導体装置を製造する方法、及びフィルム状接着剤 | |
JP2019125691A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体用接着剤 | |
KR20220158222A (ko) | 반도체용 접착제, 및, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2013073955A (ja) | 回路接続構造体の製造方法 | |
JPWO2019167460A1 (ja) | 半導体用接着剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140513 |