JP2017034257A5 - コーティング方法および基板を処理するための装置 - Google Patents

Description

いくつかの好ましい実施形態に関して本願を述べてきたが、本願の範囲内にある変形形態、並べ替え形態、修正形態、および様々な代替均等形態が存在する。本願の方法および装置を実施する多くの代替法があることにも留意されたい。したがって、以下の添付の特許請求の範囲は、本願の真の精神および範囲内に入るすべてのそのような変形形態、並べ替え形態、および様々な代替均等形態を含むものと解釈されることが意図される。例えば以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］プラズマ処理チャンバで使用するための装置であって、
部品本体と、
前記部品本体の表面の少なくとも一部を覆い、主としてオキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素からなる、厚さ３０ミクロン以下のコーティング層と
を備える装置。
［適用例２］適用例１に記載の装置であって、前記コーティング層が有孔率１％未満である装置。
［適用例３］適用例２に記載の装置であって、前記部品本体がセラミックから形成される装置。
［適用例４］適用例３に記載の装置であって、前記部品本体が、ＲＦ窓またはガスインジェクタを形成する部品本体である装置。
［適用例５］適用例４に記載の装置であって、前記コーティング層が電子ビーム物理蒸着によって堆積される装置。
［適用例６］適用例４に記載の装置であって、前記コーティング層がイオンアシスト電子ビーム蒸着によって堆積される装置。
［適用例７］適用例４に記載の装置であって、前記コーティング層が物理蒸着または化学蒸着によって堆積される装置。
［適用例８］適用例７に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。
［適用例９］適用例８に記載の装置であって、前記コーティング層が厚さ２〜１８μｍである装置。
［適用例１０］適用例７に記載の装置であって、前記コーティング層が、主として、オキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、またはトリウム（Ｔｍ）からなる装置。
［適用例１１］適用例２に記載の装置であって、前記コーティング層が物理蒸着または化学蒸着によって堆積される装置。
［適用例１２］適用例２に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。
［適用例１３］適用例２に記載の装置であって、前記コーティング層が、主としてオキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、またはトリウム（Ｔｍ）からなる装置。
［適用例１４］適用例２に記載の装置であって、前記コーティング層が厚さ１５〜１６μｍである装置。
［適用例１５］プラズマ処理チャンバで使用するためのエッジリングを形成する方法であって、
オキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素から本質的になる未加工エッジリングを形成するステップと、
前記未加工エッジリングを焼結するステップと
を含む方法。
［適用例１６］適用例１５に記載の方法であって、前記未加工エッジリングが主としてオキシフッ化イットリウムからなる方法。
［適用例１７］基板を処理するための装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記基板の表面の上方へ、前記処理チャンバ内にガスを提供するためのガス入口と、
前記処理チャンバ内にＲＦ電力を透過するための窓とを備え、前記窓が、
窓本体と、
前記窓本体の表面の少なくとも一部を覆い、主としてオキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素からなるコーティング層とを備え、前記コーティング層が厚さ３０ミクロン以下である
装置。
［適用例１８］適用例１７に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。

Claims (17)

1. プラズマ処理チャンバで使用するための部分本体をコーティングする方法であって、
   部品本体を受け入れ、
   物理蒸着または化学蒸着による堆積によって、前記部品本体の表面の少なくとも一部を、オキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素からなる、厚さ３０ミクロン以下のコーティング層によってコーティングする、
   方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、有孔率１％未満を実現する方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、前記部品本体がセラミックから形成される方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、前記部品本体が、ＲＦ窓またはガスインジェクタの少なくとも一方を含む方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、電子ビーム物理蒸着によって堆積されるコーティングを含む方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、イオンアシスト電子ビーム蒸着によって堆積されるコーティングを含む方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、オキシフッ化イットリウムからなるコーティング層を実現する方法。
8. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、厚さ２〜１８μｍのコーティング層を実現する方法。
9. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、オキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、またはトリウム（Ｔｍ）を含むコーティング層を実現する方法。
10. 請求項１に記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングが、厚さ１５〜１６μｍのコーティング層を実現する方法。
11. プラズマ処理チャンバで使用するためのエッジリングを形成する方法であって、
    オキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素から未加工エッジリングを形成するステップと、
    前記未加工エッジリングを焼結するステップと
    を含む方法。
12. 請求項１１に記載の方法であって、前記未加工エッジリングがオキシフッ化イットリウムからなる方法。
13. 請求項１記載の方法であって、
    前記部品本体の受け入れは、出力窓の受け入れを含み、
    更に、前記プラズマ処理チャンバ内に基板を支持する基板支持と前記プラズマ処理チャンバ内にガスを供給するガス入口を備える前記プラズマ処理チャンバ内に前記部品本体をマウントする、
    方法。
14. 請求項１記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングは、密度が少なくとも５ｇ／ｃｍ^３のコーティング層を実現する方法。
15. 請求項１記載の方法であって、前記物理蒸着または前記化学蒸着による堆積による前記コーティングは、亀裂のないコーティングを実現する方法。
16. 基板を処理するための装置であって、
    処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内で前記基板を支持するための基板支持体と、
    前記基板の表面の上方へ、前記処理チャンバ内にガスを提供するためのガス入口と、
    前記処理チャンバ内にＲＦ電力を透過するための窓とを備え、前記窓が、
    窓本体と、
    前記窓本体の表面の少なくとも一部を覆い、オキシフッ化物中のランタニド系列またはＩＩＩ族もしくはＩＶ族元素からなるコーティング層とを備え、前記コーティング層が厚さ３０ミクロン以下である
    装置。
17. 請求項１６に記載の装置であって、前記コーティング層がオキシフッ化イットリウムからなる装置。