JP2017034257A - プラズマエッチング耐性コーティングを有するプラズマエッチングデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ処理チャンバ表面を保護するための、汚染物質となる粒子を生成しないコーティング層、及びそのコーテイング層を用いた装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバの出力(RF)窓112は、窓本体204と、窓本体204の少なくとも1つの表面を覆うコーティング層208から構成されている。コーティング層208の材質は、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素からなり、オキシフッ化イットリウムが好ましい。
【選択図】図2
【解決手段】プラズマ処理チャンバの出力(RF)窓112は、窓本体204と、窓本体204の少なくとも1つの表面を覆うコーティング層208から構成されている。コーティング層208の材質は、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素からなり、オキシフッ化イットリウムが好ましい。
【選択図】図2
Description
本願は、半導体デバイスの製造に関する。より具体的には、本願は、半導体デバイスの製造で使用されるチャンバ表面のコーティングに関する。
半導体ウェハ処理中、半導体デバイスを処理するためにプラズマ処理チャンバが使用される。チャンバ表面を保護するためにコーティングが使用される。
上記のことを実現するために、本願の開示によれば、プラズマ処理チャンバで使用するための装置が提供される。この装置は、部品本体と、部品本体の表面の少なくとも一部を覆うコーティングであって、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になる、厚さ30ミクロン以下のコーティングとを備える。
別の態様では、プラズマ処理チャンバで使用するためのエッジリングを形成する方法が提供される。オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になる未加工エッジリングが形成される。未加工エッジリングは焼結される。
別の態様では、基板を処理するための装置が提供される。処理チャンバが提供される。基板を支持するための基板支持体は、処理チャンバ内にある。基板の表面の上方へ、処理チャンバ内にガスを提供するためのガス入口がある。RF電力をチャンバ内に通す窓がある。この窓は、窓本体と、窓本体の表面を覆い、主としてオキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素からなるコーティング層とを備え、このコーティング層は、厚さ30ミクロン以下である。
本発明のこれらおよび他の特徴を、以下の図面と共に本発明の詳細な説明において以下でより詳細に述べる。
本願は、限定ではなく例示として添付図面の各図に示されている。図面中、同様の参照番号は同様の要素を表す。
添付図面に示される本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して、本発明を詳細に述べる。以下の説明では、本発明を完全に理解できるように、いくつかの特定の詳細を記載する。しかし、これらの特定の詳細のいくつかまたは全てを伴わずに本発明を実施することができることは当業者には明らかであろう。なお、本発明を不要に曖昧にしないように、周知のプロセスステップおよび/または構造は詳細には述べていない。
理解を容易にするために、図1は、一実施形態で使用されてよいプラズマ処理チャンバ100の一例を概略的に示す。プラズマ処理チャンバ100は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ104を内部に有するプラズマリアクタ102を含む。マッチングネットワーク108によって調整されるプラズマ電源106が、出力窓112の近くに位置されたTCPコイル110に電力を供給し、誘導結合電力を提供することによって、プラズマ処理閉じ込めチャンバ104内にプラズマ114を生成する。TCPコイル(上側電極)110は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ104内部で均一な拡散プロファイルを生成するように構成されてよい。例えば、TCPコイル110は、プラズマ114内でトロイダル電力分布を生成するように構成されてよい。出力窓112は、TCPコイル110をプラズマ処理閉じ込めチャンバ104から離隔すると共に、TCPコイル110からプラズマ処理閉じ込めチャンバ104にエネルギーを通過させるように提供される。マッチングネットワーク118によって調整されるウェハバイアス電圧電源116は、電極120に電力を提供して、電極120によって支持される基板164でのバイアス電圧を設定する。制御装置124は、プラズマ電源106、ガス源/ガス供給メカニズム130、およびウェハバイアス電圧電源116を所定の値に設定する。
プラズマ電源106およびウェハバイアス電圧電源116は、例えば13.56MHz、27MHz、2MHz、60MHz、400kHz、2.54GHz、またはそれらの組合せなど、特定の高周波数で動作するように構成されてよい。プラズマ電源106およびウェハバイアス電圧電源116は、所望のプロセス性能を実現するためにある範囲の電力を供給するように適切にサイズ調整されてよい。例えば、本発明の一実施形態では、プラズマ電源106は、50〜5000ワットの範囲内の電力を供給してよく、ウェハバイアス電圧電源116は、20〜2000Vの範囲内のバイアス電圧を供給してよい。さらに、TCPコイル110および/または電極120は、2つ以上のサブコイルまたはサブ電極から構成されてもよく、サブコイルまたはサブ電極は、単一の電源によって電力供給されても、複数の電源によって電力供給されてもよい。
図1に示されるように、プラズマ処理チャンバ100は、ガス源/ガス供給メカニズム130をさらに含む。ガス源130は、ガスインジェクタ140などのガス入口を介してプラズマ処理閉じ込めチャンバ104と流体接続している。ガスインジェクタ140は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ104内の任意の有利な位置に位置されてよく、ガスを注入するための任意の形態を取ってよい。しかし、好ましくは、ガス入口は、「調整可能な」ガス注入プロファイルを生成するように構成されてよく、これにより、プラズマプロセス閉じ込めチャンバ104内の複数の区域それぞれへのガスの流量の独立調節が可能になる。プロセスガスおよび副生成物は、圧力制御弁142およびポンプ144によってプラズマプロセス閉じ込めチャンバ104から取り出される。また、圧力制御弁142およびポンプ144は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ104内部で特定の圧力を維持する働きもする。圧力制御弁142は、処理中に1Torr未満の圧力を維持することができる。エッジリング160が、ウェハ164の周りに配置される。ガス源/ガス供給メカニズム130は、制御装置124によって制御される。Lam Research Corp.(米国カリフォルニア州フリーモント)によるKiyoが、一実施形態を実施するために使用されてよい。
図2は、出力窓112の拡大断面図である。出力窓112は、窓本体204と、窓本体204の少なくとも1つの表面を覆うコーティング層208とを備える。この例では、コーティング層208は、窓本体204の1つの表面上のみにある。窓本体204は、1つ以上の異なる材料から形成されてもよい。好ましくは、窓本体204はセラミックである。より好ましくは、窓本体204は、シリコン(Si)、水晶、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(SiN)、酸化アルミニウム(AlO)、窒化アルミニウム(AlC)、または炭化アルミニウム(AlC)の少なくとも1つを含む。コーティング層208は、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になる。より好ましくは、コーティング層は、オキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、ジスプロジウム(Dy)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、またはトリウム(Tm)から本質的になる。より好ましくは、コーティング層208は、オキシフッ化イットリウムから本質的になる。好ましくは、コーティング層208は、厚さ30μm以下である。より好ましくは、コーティング層208は、厚さ5〜20μmである。最も好ましくは、コーティング層208は、厚さ10〜18μmである。好ましくは、コーティング層208は、純度99.7%である。好ましくは、コーティング層208は、有孔率1%未満の高密度である。より好ましくは、コーティング層208は、有孔率0.5%未満である。そのような均一であり、高密度であり、低有孔率であり、かつ薄いコーティング層を提供するために、コーティング層208は物理蒸着によって形成されることが好ましい。より好ましくは、物理蒸着は、電子ビーム物理蒸着である。最も好ましくは、物理蒸着は、イオンアシスト電子ビーム蒸着である。好ましくは、コーティング層は、密度が少なくとも5g/cm3である。
図3は、ガスインジェクタ140の拡大断面図である。ガスインジェクタ140は、インジェクタ本体304と、インジェクタ本体304の少なくとも1つの表面を覆うコーティング層308とを備える。この例では、コーティング層308は、インジェクタ本体304の少なくとも2つの表面上にある。インジェクタ本体304は、貫通孔312を有し、貫通孔312を通ってガスが流れる。いくつかの実施形態では、コーティング層308が貫通孔312をライニングしてよい。ガスインジェクタ140はまた、ガスインジェクタ140を出力窓112に固定するための取付部316を有していてもよい。インジェクタ本体304は、1つ以上の異なる材料から形成されてよい。好ましくは、インジェクタ本体304はセラミックである。より好ましくは、インジェクタ本体304は、シリコン(Si)、水晶、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(SiN)、酸化アルミニウム(AlO)、窒化アルミニウム(AlC)、または炭化アルミニウム(AlC)の少なくとも1つを含む。コーティング層308は、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になる。より好ましくは、コーティング層308は、オキシフッ化イットリウムから本質的になる。好ましくは、コーティング層308は、厚さ30μm以下である。より好ましくは、コーティング層308は、厚さ2〜20μmである。最も好ましくは、コーティング層308は、厚さ10〜18μmである。好ましくは、コーティング層308は、純度99.7%である。好ましくは、コーティング層308は、有孔率1%未満の高密度である。そのような均一であり、高密度であり、低有孔率であり、かつ薄いコーティング層を提供するために、コーティング層308は物理蒸着または化学蒸着によって形成されることが好ましい。より好ましくは、物理蒸着は、電子ビーム物理蒸着である。最も好ましくは、物理蒸着は、イオンアシスト電子ビーム蒸着である。
図4は、エッジリング160の一部の拡大断面図である。エッジリング160は、リング本体404を備える。エッジリング160を形成する方法は、オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になるセラミックから未加工エッジリングを形成する。未加工エッジリングは、セラミック粒子を融合するように焼結される。好ましくは、セラミックは、オキシフッ化イットリウムから本質的になる。リング本体の密度は、少なくとも5g/cm3である。
いくつかの実施形態では、ガス源は、ハロゲン含有ガスを提供し、このガスによりハロゲン含有プラズマが生成される。意外にも、オキシフッ化物中にIII族またはIV族元素の少なくとも1つを含むコーティング層が、高いエッチング耐性を有することが判明した。有孔率を1%未満にすることでエッチング耐性が高まることが判明した。
他の実施形態では、チャンバ壁または静電チャックなどの他の構成要素が、エッチング耐性コーティング層または本体を有していてもよい。他の実施形態では、プラズマ処理チャンバは、容量結合プラズマ処理チャンバでよい。そのようなチャンバでは、閉じ込めリングおよび上側電極などの構成要素がエッチング耐性コーティング層を有していてもよい。
チャンバの一部のみが酸化イットリウムでコーティングされている場合、フッ素含有プラズマが、酸化イットリウムのコーティング層のいくらかをオキシフッ化イットリウム粒子に変換する。オキシフッ化イットリウム粒子は剥落し、汚染物質となる。意外にも、高密度および低有孔率のオキシフッ化イットリウムによるコーティングは、そのような粒子を生成せず、フッ素含有プラズマに対するエッチング耐性がより高いことが判明した。さらに、意外にも、オキシフッ化イットリウムのコーティングは、応力によって引き起こされる亀裂なしで厚さ15〜16μmに堆積され得て、酸化イットリウムコーティングよりもはるかに厚いコーティング層を実現可能にし、酸化イットリウムコーティング層の2倍を超える寿命を有するコーティング層の製造を可能にすることが判明した。
いくつかの好ましい実施形態に関して本願を述べてきたが、本願の範囲内にある変形形態、並べ替え形態、修正形態、および様々な代替均等形態が存在する。本願の方法および装置を実施する多くの代替法があることにも留意されたい。したがって、以下の添付の特許請求の範囲は、本願の真の精神および範囲内に入るすべてのそのような変形形態、並べ替え形態、および様々な代替均等形態を含むものと解釈されることが意図される。
Claims (18)
- プラズマ処理チャンバで使用するための装置であって、
部品本体と、
前記部品本体の表面の少なくとも一部を覆い、主としてオキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素からなる、厚さ30ミクロン以下のコーティング層と
を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記コーティング層が有孔率1%未満である装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記部品本体がセラミックから形成される装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記部品本体が、RF窓またはガスインジェクタを形成する部品本体である装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記コーティング層が電子ビーム物理蒸着によって堆積される装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記コーティング層がイオンアシスト電子ビーム蒸着によって堆積される装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記コーティング層が物理蒸着または化学蒸着によって堆積される装置。
- 請求項7に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記コーティング層が厚さ2〜18μmである装置。
- 請求項7に記載の装置であって、前記コーティング層が、主として、オキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、ジスプロジウム(Dy)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、またはトリウム(Tm)からなる装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記コーティング層が物理蒸着または化学蒸着によって堆積される装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記コーティング層が、主としてオキシフッ化物中のイットリウム、ランタン、ジルコニウム、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、ジスプロジウム(Dy)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、またはトリウム(Tm)からなる装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記コーティング層が厚さ15〜16μmである装置。
- プラズマ処理チャンバで使用するためのエッジリングを形成する方法であって、
オキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素から本質的になる未加工エッジリングを形成するステップと、
前記未加工エッジリングを焼結するステップと
を含む方法。 - 請求項15に記載の方法であって、前記未加工エッジリングが主としてオキシフッ化イットリウムからなる方法。
- 基板を処理するための装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記基板の表面の上方へ、前記処理チャンバ内にガスを提供するためのガス入口と、
前記処理チャンバ内にRF電力を透過するための窓とを備え、前記窓が、
窓本体と、
前記窓本体の表面の少なくとも一部を覆い、主としてオキシフッ化物中のランタニド系列またはIII族もしくはIV族元素からなるコーティング層とを備え、前記コーティング層が厚さ30ミクロン以下である
装置。 - 請求項17に記載の装置であって、前記コーティング層が主としてオキシフッ化イットリウムからなる装置。
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