JP2017014614A5 - - Google Patents

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いくつかの場合には、この方法は、アンプル内のセンサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしているときに実行される。特定の実施形態では、アンプル充填開始条件は、アンプルに前駆体を充填することによって引き起こされる液体前駆体の撹拌が基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に基板処理装置がなっている、または間もなく至るという判断を含む。特定の実施形態では、アンプル充填開始条件は、堆積操作のシーケンスが基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む。いくつかの例では、堆積操作のシーケンスは、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である。
いくつかの実装形態では、アンプル充填開始条件は、堆積操作のためのセットアップがその時点で行われているという判断を含む。いくつかの実装形態では、アンプル充填開始条件が、アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、上記の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前駆体および／または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される。
特定の実施形態では、アンプル充填開始条件は、アンプルに前駆体を充填することによって引き起こされる液体前駆体の撹拌が基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に基板処理装置がなっている、または間もなく至るという判断を含む。特定の実施形態では、アンプル充填開始条件は、堆積操作のシーケンスが基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む。特定の実施形態では、アンプル充填開始条件が、アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、上記の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前駆体および／または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される。
上記のように、ツールによって行うべきプロセスステップに応じて、制御装置は、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近隣のツール、全工場内に位置されたツール、メインコンピュータ、別の制御装置、または、ウェハのコンテナを半導体製造工場内のツール位置および／または装填ポートに／から導く材料輸送で使用されるツールの１つまたは複数と通信してよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板処理装置のアンプルを充填するための方法であって、
（ａ）前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
（ｂ）前記アンプルに前駆体を充填するステップであって、前記アンプルに前記前駆体を充填することが、少なくとも１つの他の基板処理操作と同時に行われる、ステップと、
（ｃ）前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
（ｄ）二次充填停止条件が満たされているか判断するステップと、
（ｅ）前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止するステップと、を含む方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するステップを含み、
前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、方法。
適用例３：
適用例２の方法であって、
アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる１回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるが、充填が再開されたときに前記累積充填時間が再スタートする、方法。
適用例４：
適用例１の方法であって、
前記閾値が、約５０秒〜９０秒の間である、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、
さらに、ステップ（ｅ）で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
適用例６：
適用例１の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成する前記センサが動作不良を起こしている、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、
前記アンプルに前記液体前駆体を提供するシステムが動作不良を起こしている、方法。
適用例８：
適用例１の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
適用例１０：
適用例９の方法であって、
堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
適用例１１：
適用例１の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、方法。
適用例１２：
適用例１の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
適用例１３：
適用例１の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作を含む、方法。
適用例１４：
適用例１の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、前記前駆体および／または基板の温度ソークを含む、方法。
適用例１５：
適用例１の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、ベース圧力への排気操作を含む、方法。
適用例１６：
基板処理装置のアンプルの充填を制御するための方法であって、
（ａ）前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が前記基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させるステップと、
（ｂ）アンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
（ｃ）前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に、前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
（ｄ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断するステップと、
（ｅ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止するステップと
を含む方法。
適用例１７：
適用例１６の方法であって、
前記閾値が、約３０００〜６０００の堆積サイクルを含む、方法。
適用例１８：
適用例１６の方法であって、
ステップ（ａ）での前記カウンタを始動させるステップが、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときに行われ、前記カウンタが、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続ける、方法。
適用例１９：
適用例１６の方法であって、
さらに、ステップ（ｅ）で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
適用例２０：
適用例１６の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。
適用例２１：
適用例１６の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
適用例２２：
適用例１６の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
適用例２３：
適用例１６の方法であって、
堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
適用例２４：
適用例１６の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
適用例２５：
適用例１６の方法であって、
前記アンプル充填条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および／または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、方法。
適用例２６：
前駆体補充システムであって、
前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
１つまたは複数の制御装置と、を備え、
前記１つまたは複数の制御装置が、
（ａ）前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させ、
（ｂ）アンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
（ｃ）前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
（ｄ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断し、
（ｅ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止する
ように構成される前駆体補充システム。
適用例２７：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記閾値が、約３０００〜６０００の堆積サイクルを含む、前駆体補充システム。
適用例２８：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときにステップ（ａ）で前記カウンタを始動させ、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続けるように構成される、前駆体補充システム。
適用例２９：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ（ｅ）で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、前駆体補充システム。
適用例３０：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、前駆体補充システム。
適用例３１：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、前駆体補充システム。
適用例３２：
適用例２６の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および／または前記基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、前駆体補充システム。
適用例３３：
適用例２６の基板処理装置であって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、基板処理装置。
適用例３４：
前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
１つまたは複数の制御装置と、を備える前駆体補充システムであって、
前記１つまたは複数の制御装置が、
（ａ）前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
（ｂ）少なくとも１つの他の基板処理操作と同時に、前記アンプルに前記前駆体を充填する処理を行い、
（ｃ）前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
（ｄ）二次充填停止条件が満たされているか判断し、
（ｅ）前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止する
ように構成される前駆体補充システム。
適用例３５：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するように構成され、
前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、基板処理装置。
適用例３６：
前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる１回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるように構成される請求項３５の基板処理装置。
適用例３７：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記閾値が、約５０秒〜９０秒の間である、基板処理装置。
適用例３８：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ（ｅ）で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、基板処理装置。
適用例３９：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、基板処理装置。
適用例４０：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、基板処理装置。
適用例４１：
適用例３４の基板処理装置であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、前記前駆体および／または基板の温度ソークを含む、基板処理装置。
適用例４２：
適用例３４の基板処理装置であって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される
請求項３４の基板処理装置。

Claims (42)

  1. 基板処理装置のアンプルを充填するための方法であって、
    （ａ）前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
    （ｂ）前記アンプルに前駆体を充填するステップであって、前記アンプルに前記前駆体を充填することが、少なくとも１つの他の基板処理操作と同時に行われる、ステップと、
    （ｃ）前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
    （ｄ）二次充填停止条件が満たされているか判断するステップと、
    （ｅ）前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止するステップと、を含む方法。
  2. 請求項１に記載の方法であって、
    さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するステップを含み、
    前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、方法。
  3. 請求項２に記載の方法であって、
    アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる１回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるが、充填が再開されたときに前記累積充填時間が再スタートする、方法。
  4. 請求項２に記載の方法であって、
    前記閾値が、約５０秒〜９０秒の間である、方法。
  5. 請求項１に記載の方法であって、
    さらに、ステップ（ｅ）で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
  6. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。
  7. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプルに前記液体前駆体を提供するシステムが動作不良を起こしている、方法。
  8. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
  9. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
  10. 請求項９に記載の方法であって、
    堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
  11. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、方法。
  12. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
  13. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作を含む、方法。
  14. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、前記前駆体および／または基板の温度ソークを含む、方法。
  15. 請求項１に記載の方法であって、
    前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、ベース圧力への排気操作を含む、方法。
  16. 基板処理装置のアンプルの充填を制御するための方法であって、
    （ａ）前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が前記基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させるステップと、
    （ｂ）アンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
    （ｃ）液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に、前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
    （ｄ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断するステップと、
    （ｅ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止するステップと
    を含む方法。
  17. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記閾値が、約３０００〜６０００の堆積サイクルを含む、方法。
  18. 請求項１６に記載の方法であって、
    ステップ（ａ）での前記カウンタを始動させるステップが、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときに行われ、前記カウンタが、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続ける、方法。
  19. 請求項１６に記載の方法であって、
    さらに、ステップ（ｅ）で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
  20. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。
  21. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
  22. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
  23. 請求項１６に記載の方法であって、
    堆積操作のシーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
  24. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
  25. 請求項１６に記載の方法であって、
    前記アンプル充填開始条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および／または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、方法。
  26. 前駆体補充システムであって、
    前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
    １つまたは複数の制御装置と、を備え、
    前記１つまたは複数の制御装置が、
    （ａ）前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させ、
    （ｂ）アンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
    （ｃ）前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
    （ｄ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断し、
    （ｅ）前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止する
    ように構成される前駆体補充システム。
  27. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記閾値が、約３０００〜６０００の堆積サイクルを含む、前駆体補充システム。
  28. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときにステップ（ａ）で前記カウンタを始動させ、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続けるように構成される、前駆体補充システム。
  29. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ（ｅ）で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、前駆体補充システム。
  30. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、前駆体補充システム。
  31. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、前駆体補充システム。
  32. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    前記アンプル充填開始条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる１つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および／または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、前駆体補充システム。
  33. 請求項２６に記載の前駆体補充システムであって、
    さらに、
    堆積チャンバと、
    前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
    前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、前駆体補充システム。
  34. 前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
    １つまたは複数の制御装置と、を備える基板処理装置であって、
    前記１つまたは複数の制御装置が、
    （ａ）前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
    （ｂ）少なくとも１つの他の基板処理操作と同時に、前記アンプルに前記前駆体を充填する処理を行い、
    （ｃ）前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
    （ｄ）二次充填停止条件が満たされているか判断し、
    （ｅ）前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止する
    ように構成される基板処理装置。
  35. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するように構成され、
    前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、基板処理装置。
  36. 前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる１回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるように構成される請求項３５に記載の基板処理装置。
  37. 請求項３５に記載の基板処理装置であって、
    前記閾値が、約５０秒〜９０秒の間である、基板処理装置。
  38. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    前記１つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ（ｅ）で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、基板処理装置。
  39. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、基板処理装置。
  40. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、基板処理装置。
  41. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも１つの他の基板処理操作が、前記前駆体および／または基板の温度ソークを含む、基板処理装置。
  42. 請求項３４に記載の基板処理装置であって、
    さらに、
    堆積チャンバと、
    前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
    前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、基板処理装置。
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