JP2016540310A - 非導電性ミラーを有する不透明な白色コーティング - Google Patents

Abstract

静電容量式センサのための不透明カバーが提供される。カバーは、透明な基板と、透明な基板の少なくとも１つの部分上に配設された、白色顔料を含む、少なくとも１つの白色コーティング層と、を含む。カバーはまた、少なくとも１つの白色コーティング層上に配設された非導電性ミラー構造を含む。非導電性ミラー構造は、第２の屈折率を有する第２の誘電体層を介挿した第１の屈折率を有する複数の第１の誘電体層を含む。第１の誘電体層及び第２の誘電体層の誘電率はしきい値未満である。

Description

本明細書で説明する実施形態は、概して、薄くて不透明な非導電性白色コーティング積層体を有する、電子装置に関する。より詳細には、実施形態は、非導電性ミラー層を有する、薄くて不透明な白色コーティング積層体を組み込んだ電子装置に関する。

（関連出願の相互参照）
本特許協力条約特許出願は、２０１３年９月５日に出願され、「Ｏｐａｑｕｅ Ｗｈｉｔｅ Ｃｏａｔｉｎｇ ｗｉｔｈ Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍｉｒｒｏｒ」と題する米国特許非仮出願第１４／０１９，３５２号に対する優先権を主張するものであり、その内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。

多くのポータブルデジタル装置は、グラフィカル情報をユーザ又はビューアに提供するために、少なくとも１つのディスプレイスクリーンを組み込んでいる。ディスプレイスクリーンは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むことができる。そのような装置はまた、ＬＣＤの上に重なり、典型的には、ＬＣＤを越えて延びるカバーガラスの下に配置された１つ以上のセンサを含むことができる。一例として、これらのセンサは、静電容量式センサであり得る。

装置はまた、ディスプレイスクリーンの外側（例えば、アクティブ表示領域の外側）であるがカバーガラスの下に、白色コーティング領域などの不透明領域を組み込むことができる。不透明領域は、カバーガラス又はサファイアの下に、白色インクのような不透明インクを含むことができる。装置はまた、ボタンを組み込むことができ、それは、ユーザが装置に入力を提供することを可能にする１つの非限定的かつ非排他的な方法である。ボタンは、機械的スイッチとして実装される時には、あるいは、機械的スイッチを組み込んでいる時には、しばしば、不透明領域内に配置される。ボタンが「ソフト」ボタンである時、例えば、ソフトボタンの表面に加えられる接触及び／又は力を感知する非移動要素である時にも同じことが当てはまり得る。

ボタンの下には、静電容量式指紋センサ又は静電容量式タッチセンサなどのセンサが配置され得る。一般に、白色インクは、センサを敏感にするのに十分に薄いが、同時に、センサを隠して不透明領域の色調にマッチするように光学的に不透明でなければならない。

良好な視覚特性を有する白色インクは、適切な光学濃度を得るために、高い割合の酸化チタン（ＴｉＯ₂）などの顔料を含むことができる。しかしながら、ＴｉＯ₂顔料の誘電率は、典型的には、比較的高く、特に白色コーティング厚が増大した時に、インク層の下に配置された静電容量センサの動作に影響を及ぼし得る。更に、インク層の相対的厚は、センサと、ボタンの上の指など、センサが感知しようとする対象物との間の距離を増大し得る。一般に、静電容量式センサの感度は、センサと感知される対象物との間の距離の二乗に反比例して変動し、したがって、比較的小さい距離の変化が、センサ性能に対して大きい影響を有することがある。更に、黒色インク又は塗料中の粒子、ボイド及び汚染は、センサの性能に影響を及ぼすことがあり、センサ読み取りにおける機能的エラーを引き起こすことがある。これらの問題は、ボタンを着色するために使用されるインク層の厚さが増大するにつれて大きくなる。したがって、より薄く、非導電性の（又は導電性が低い）白色インクが有用であり得る。

本明細書に説明する実施形態は、カバーガラス又はサファイアの下の静電容量式センサなどの高感度センサを見えなくする、薄い不透明な非導電性白色コーティング積層体を提供することができる。センサは、カバーガラス又はサファイアに接触した時に、非常にクリーンな信号を提供することができる。薄い不透明な白色コーティング積層体は、光を反射する非導電性ミラー構造を含むことができ、白色コーティングの厚さを低減するのを補助することができ、それにより、センサは、カバーガラス又はサファイア上での、例えば、ディスプレイエリアの外側のカバーガラス上に配置されたボタン上での任意の接触に対してより敏感になり得、より厚い白色コーティングよりもクリーンな信号を発生させる。また、ミラー構造の誘電率は比較的低く、静電容量式センサの性能を改善するのを補助する。白色コーティングは極めて薄く、厚さは約２０μｍ〜２５μｍの範囲である。

一実施形態では、静電容量式センサのための不透明カバーが提供される。カバーは、透明な基板と、透明な基板の少なくとも１つの部分上に配設された、白色顔料を含む、少なくとも１つの白色コーティング層と、を含む。カバーはまた、少なくとも１つの白色コーティング層上に配設された非導電性ミラー構造を含む。非導電性ミラー構造は、第２の屈折率を有する第２の誘電体層を介挿した第１の屈折率を有する複数の第１の誘電体層を含む。第１の誘電体層及び第２の誘電体層の誘電率はしきい値未満である。

別の実施形態では、基板上に白色コーティング積層体を形成するための方法が提供される。方法は、コーティングされた基板を形成するために、透明な基板の少なくとも一部分上に少なくとも１つの白色コーティング層を適用するステップを含む。方法はまた、コーティングされた基板上に非導電性ミラー構造を形成するステップであって、ミラー構造の誘電率がしきい値未満である、ステップを含む。方法は更に、ミラー構造にキャパシタセンサを取り付けるステップを含む。

追加の実施形態及び特徴部は、部分的には以下の説明に記載され、また、部分的には、明細書を検討すると当業者に明らかになり、あるいは、本明細書で論じた実施形態の実施によって習得されるであろう。明細書の残りの部分、及び本開示の一部をなす図面を参照すると、特定の実施形態の性質及び利点の更なる理解が実現されるであろう。

本開示の実施形態に係る電子装置の斜視図である。 本開示の第１の実施形態に係る不透明領域の断面概略図である。 本開示の第２の実施形態に係る不透明領域の断面概略図である。 本開示の第３の実施形態に係る不透明領域の断面概略図である。 本開示の第４の実施形態に係る不透明領域の断面概略図である。 本開示の実施形態に係る、指紋又は指接触を感知するための静電容量式センサを含む図である。 本開示の実施形態に係る、ディスプレイカバーを製造するためのステップを示すフローチャートである。 本開示の実施形態に係る金属ブロックを示す図である。 本開示の実施形態に係る、基板又はコーティングされた基板に白色インク層を適用するためのステップを示すフローチャートである。 本開示の実施形態に係る、キャリアフィルムの積層体、白色インク／接着剤層、及びガラス若しくはサファイア基板を示す図である。 本開示の実施形態に係る、物理蒸着（ＰＶＤ）を含む堆積システムに関する簡単なシステム図である。 ジルコニア酸化物（ＺｒＯ₂）／スズ（Ｓｎ）を含む光吸収積層体を有する白色コーティングの断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。 本開示の実施形態に係るダイコーティング装置を示す図である。

以下に説明する図面とあわせて以下の詳細な説明を参照すると、本開示が理解できよう。説明を明快にするために、種々の図面中の特定の要素は、一定の縮尺で描かれているわけではなく、概略的に又は概念的に表されていることがある、あるいは、実施形態の特定の物理的構成に正確に対応していないことがある。

本開示は、白色インク又はコーティング層と、静電容量式センサなどの高感度センサとの間のミラー構造を提供する。白色インク層は、カバーガラスなどの、ガラス又はサファイアの上側表面の下に配置され得、静電容量式センサを視界から隠すことができる。白色インク層は、酸化チタン（ＴｉＯ₂）などの白色顔料を含み得る。ミラー構造は、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）層を介挿したシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）層の第１の積層体を含み得る。ＳｉＯ₂とＮｂ₂Ｏ₅の誘電率は両方とも、ＴｉＯ₂の誘電率と比較して、比較的低い。更に、ＳｉＯ₂の屈折率は、Ｎｂ₂Ｏ₅の屈折率とは異なる。

第１の積層体は、鏡のように作用し、幅広い範囲の可視光における光を反射する。第１の積層体は、誘電率が比較的低く、非導電性である。カバーガラスを通した入射光を反射すること及び／又は散乱させることによって、第１の積層体は、白色インク層の厚さを低減するのを補助することができ、それにより、白色インク層は、静電容量式センサがカバーガラス又はサファイア上の指接触を、例えば、カバーガラスの一部であるボタン上での接触を感知することを依然として可能にしながら、下の静電容量式センサを見えなくするのに十分に薄くなり得る。「カバーガラス」は、本明細書で使用される場合、電子ディスプレイ上の透明なカバー又は層だけでなく、電子装置中に組み込まれ、その上に配置される、センサ又はセンサ積層体の上に重なった又はその上方の任意の透明材料を包含する。マウス、ボタン、スイッチなどの入力要素の上側表面は、カバーガラスの一例であり得る。

ミラー構造は、スズ層を介挿したシリコン酸化物層の第２の積層体を含み得る。第２の積層体は、第１の積層体又は誘電体ミラーを通過し得る入射光を更に吸収する絶縁層のように作用し得る。スズの光吸収率は比較的高いので、第２の積層体は光吸収要素としてスズを含む。いくつかの実施形態では、スズは、酸化銅（ＣｕＯ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、あるいは非導電性の別の光吸収材料により置換され得る。シリコン酸化物は、誘電率が比較的低い絶縁体であり、したがって、ＴｉＯ₂などの誘電率が比較的高い絶縁体と比較して、静電容量式センサの性能を改善するのを補助する。

ミラー構造は、物理蒸着（ＰＶＤ）又は他の堆積技術によって形成され得る。カバーガラス又はサファイア上に白色インク層を適用するための方法は、とりわけ、熱転写を含み得る。

白色インク層の下にミラー構造を含むことによって、白色インク層は、２０μｍ〜２５μｍ程度の薄さに形成され得、それは、約５０％のＴｉＯ₂を加えた白色コーティングの従来の４０〜５０μｍ厚の約１／２である。積層体中のセンサを隠すために、及び／又は、ミラー構造を有する不透明なカバーガラスについて適切な光学濃度を達成するために、例えば、少なくとも３以上の光学濃度を有するために、２０μｍ以上の厚さが要求され得る。厚さが約２５μｍ以下であると、静電容量式センサの性能を改善するのを補助し得る。更に、より薄い白色コーティングは、ＴｉＯ₂の量を、したがって、誘電率が比較的高い積層体中の材料の量を低減することもできる。白色コーティングを薄くすること、及び高誘電材料の量を低減することにより、静電容量式センサの有効範囲及び／又は信号品質を高めることができる。

図１は、本開示の実施形態に係る電子装置の斜視図を示している。電子装置１００は、ユーザに情報を表示するように動作可能な装置エンクロージャの（又は装置エンクロージャの一部を形成する）表面上にディスプレイ１０２を含むことができる。ディスプレイ１０２はまた、タッチ感知式であり得る。

ディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、プラズマディスプレイなどであり得る。

電子装置１００は、カバー又はウィンドウとしてハード基板を利用する種々の装置のうちのいずれかであり得る。種々の装置は、携帯電話、タブレットコンピュータ、ノートブックコンピュータ、計器ウィンドウ、機器スクリーンなどを含み得る。電子装置１００は、ディスプレイ１０２を覆うトップカバー１１２と、任意選択的に、ディスプレイ１０２を取り囲んでいる不透明領域１０４とを含むことができる。不透明領域１０４において、カバー１１２は、白色コーティング又は黒色コーティングなどの不透明コーティングで部分的にコーティングされる。カバー１１２は、ディスプレイ１０２を見るための透明なウィンドウ（例えば、ガラス基板又はサファイア基板）を有することができる。

図１に示すように、不透明領域１０４は、ディスプレイ１０２又はアクティブ領域の外側である。不透明領域１０４は、電子装置の動作を制御するための入力機構として、ボタン１０８を含むことができる。１つの静電容量式センサ又はより多くのセンサが、ボタン１０８の下に配置され得る。ボタン１０８の下面とセンサの上面との間に、不透明インク層及び／又は接着剤が配置され得る。接着剤は、ボタンにセンサを接着することができる。不透明領域１０４は、白又は黒でも、あるいは任意の他の色でもよい。

センサは、ボタン１０８上での指接触を感知し、電圧信号を発生させることができる。センサはまた、カバー１１２の一部分を通して指紋を容量感知することができる。例えばボタン上で、ユーザからの接触を電子装置が容量感知した時には、装置は、接触が感知された位置の、その下の、又はその近くの静電容量式センサをアクティブ化することができる。いくつかの実施形態では、接触位置に対応する静電容量式センサだけをアクティブ化することができ、他の静電容量式センサは非アクティブのままである。

トップカバー１１２は、筐体１１０により支持されている。筐体１１０は、ポリマー材料（例えば、プラスチック）、金属（例えば、アルミニウム、鉄鋼など）、アモルファスガラス材料、複合材料、並びにこれらの組み合わせが挙げられるが、これらには限定されない、種々の様々な材料から形成され得る。

図２は、本開示の第１の実施形態に係る不透明領域１０４の断面概略図を示している。図１の矢印Ａ−Ａに沿った断面であり得る。積層体２００は、積層体の最上部のカバーガラス又はカバーサファイアなどのカバー基板２０２と、カバーガラスの下の白色コーティング層２０４（白色顔料副層２０４Ａ〜Ｄを含むことができる）とを含む。積層体２００はまた、白色コーティング層２０４の下に灰色インク層２０６を含む。積層体２００は更に、積層体の最下部に静電容量式センサ２０８を含む。白色インクの光透過率は一般的に高いが、灰色インクの光透過率は一般的に低いので、灰色インク層２０６は、ほとんどの光を吸収する。異なる実施形態は、図示されたよりも多くの、又はそれよりも少ない白色顔料副層を有し得ることを了解されたい。

白色コーティング層は、少なくとも３以上の光学濃度を提供するために、少なくとも約４０〜５０μｍ厚であり得、それにより、カバー基板２０２の下の静電容量式センサ２０８を隠すことができる。このようにコーティング厚を大きくすると、センサ２０８の有効性が著しく低減されることがある。

図３は、本開示の第２の実施形態に係る不透明領域１０４の断面概略図を示している。積層体３００は、最上部にあるカバー基板２０２と、カバーガラスの下の白色インク層３０４とを含む。白色インク層３０４は、複数の副層（図示せず）を含み得る。積層体３００はまた、スズ層３０６Ｂなどの光吸収層３０６Ｂを介挿した１つ以上の誘電体層（例えばシリコン酸化物層）３０６Ａを含む、非導電性光吸収積層体３０６を含む。非導電性光吸収積層体３０６は、図２に示した灰色インク層２０６と置換することができる。積層体３００は更に、非導電性光吸収積層体３０６の最下部に取り付けられた静電容量式センサ２０８を含む。

一般に、スズは、可視波長に関して高い光吸収率を有する。より厚い非導電性層／誘電体層（例えばＳＩＯ₂層）３０６Ａを介挿した薄いスズ（Ｓｎ）層３０６Ｂを使用することによって、不透明度が高い超高抵抗コーティングが達成され得る。スズは通常、導電性である。しかしながら、スズ層の厚さが約１００ｎｍ未満で保たれる時には、スズは非導電性になる。スズは、そのような厚さでは、ある程度の粒状構造を（又は完全に粒状構造を）を含むことができ、したがって、非導電性となり得る。

特定の実施形態では、非導電性光吸収積層体３０６は、６個のスズ層３０６Ｂを介挿した７個のシリコン酸化物層３０６Ａ層を、あるいはより一般的に言うと、Ｎ−１個のスズ層を介挿したＮ個のシリコン酸化物層を含み得る。図３に示すように、最上部のシリコン酸化物層３０６Ａは、白色インク層３０４に取り付けられるか、又はそれに隣接し、最下部のシリコン酸化物層３０６Ａは、静電容量式センサ２０８に取り付けられるか、それに隣接するか、又はその近くにある。いくつかの実施形態では、１つのシリコン酸化物層の厚さは、別のシリコン酸化物層の厚さとは異なり得る。同様に、１つのスズ層の厚さは、別のスズ層の厚さとは異なり得る。特定の実施形態では、シリコン酸化物層のそれぞれ又はスズ層のそれぞれは、実質的に同じ厚さを有する。白色インク層３０４は、白色インク又は顔料副層２０４Ａ〜Ｄを含むことができ、最上部のカバー基板２０２から静電容量式センサを見えなくするために、約４０〜５０μｍの厚さを有し得る。

いくつかの実施形態では、非導電性光吸収積層体３０６は、６個のスズ層３０６Ｂを介挿した７個のジルコニア酸化物（ＺｒＯ₂）層３０６Ａを含むことができる。ＺｒＯ₂の恩恵のうちの１つは、ＺｒＯ₂の酸素透過性が非常に良好であるということである。非常に良好な酸素透過性の理由は、高多孔質ミクロ構造に起因する。図１２は、ジルコニア酸化物（ＺｒＯ₂）／スズ（Ｓｎ）を含む光吸収積層体を有する白色コーティングの断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。ＺｒＯ₂／Ｓｎ １２０４は、白色インク１２０２の上の多孔質構造を示す。良好な酸素透過性は、電子装置の使用中、ＵＶ光に起因する退色を最小限に抑えるのを補助する。

特定の実施形態では、スズ層は、スズ層が非導電性になるように約１５ｎｍ厚であり得る。最上部のＺｒＯ₂層及び最下部のＺｒＯ₂層は、酸素透過性を高めるために、光吸収積層体３０６の中間のＺｉＯ₂層よりも厚くなり得る。光吸収積層体３０６の総厚が約１０７０ｎｍ厚となるように、最上部及び最下部のＺｒＯ₂層は１００ｎｍ厚となり得、中間のＺｒＯ₂層は約３０ｎｍ厚となり得る。当業者には、これらの層の厚さが変動し得ることが了解されよう。

本開示において、灰色インク層２０６又は非導電性光吸収積層体３０６は、とりわけ、物理蒸着、化学蒸着、イオンビーム蒸着又はスパッタ蒸着などの堆積法によって製造され得る非導電性ミラー構造と置換され得る。ミラー構造は、白色コーティング又は白色コーティング層の厚さを、通常の厚さのほぼ半分まで、即ち約４０μｍ〜５０μｍから約２０μｍ〜２５μｍまで低減するのを補助し得る。白色コーティングの厚さの低減は、光学濃度が、積層体２００又は３００と同じように、ミラー構造のないより厚い白色コーティングと同じレベルで維持されるように、ミラー構造により光を散乱させること及び／又は反射することによって達成される。その結果、白色コーティングをより薄くすることができ、それにより、センサと感知された対象物との間の距離を低減することができる。

図４は、本開示の第３の実施形態に係る不透明領域１０４の断面概略図を示している。積層体４００は、積層体の最上部のカバー基板２０２と、カバーガラスの下の白色インク層４０４と、積層体の最下部の静電容量式センサ２０８とを含む。白色インク層４０４は、特定の実施形態では、副層４０４Ａ及び４０４Ｂを含むことができる。

積層体４００はまた、白色インク層４０４と静電容量式センサ２０８との間に配置される非導電性ミラー構造４０６を含む。ミラー構造４０６は、白色インク層４０４に入射光２１０を反射する及び／又は散乱させる光反射積層体４０６Ａを含む。反射積層体４０６Ａは、交互に配置された誘電材料の複数の層から形成され得、それらのうちの少なくともいくつかは異なる屈折率を有し得る。例えば、交互層を形成するために、それぞれ異なる屈折率を有する第１の誘電材料と第２の誘電材料とを互いに介挿することができる。ミラー構造４０６はまた、光反射積層体４０６Ａの下の非導電性光吸収積層体４０６Ｂを含むことができる。非導電性光吸収積層体４０６Ｂは、非導電性光吸収積層体３０６と同様であり得、光反射積層体４０６Ａを通過する光を吸収することができる。即ち、光反射積層体４０６Ａは、全ての入射光を完全には反射することができず、したがって、入射光の一部分が光吸収積層体４０６Ｂに衝突し得る。

ミラー構造４０６は、図２に示した灰色インク層２０６、又は図３に示したスズ層３０６Ｂを介挿したシリコン酸化物層３０６Ａの非導電性光吸収積層体３０６と置換することができる。

ミラー構造を有する薄膜化白色コーティングは、一般に、薄膜化白色コーティングに等価な光学濃度を有する典型的なＴｉＯ₂ベースの白色コーティングよりも少ないＴｉＯ₂を有し、したがって、比較すると、より低い実効誘電率を有する。薄膜化白色コーティング及びより低い実効誘電率は、センサが、はるかにクリアな信号を、即ち、信号対雑音比が大幅に改善された信号を提供する、及び／又はより長い距離にある対象物を感知するのを補助することができる。

図５は、本開示の第４の実施形態に係る不透明領域１０４の断面概略図を示している。積層体５００は、カバー基板２０２と、カバーガラスの下の白色コーティング副層で形成された白色インク層４０４とを含むことができる。積層体５００はまた、積層体の基部に又はそれに隣接して静電容量式センサ２０８を含む。積層体５００は更に、センサ２０８と白色インク層４０４との間にミラー構造４０６を含む。

ミラー構造４０６は、介挿された第１の誘電体層及び第２の誘電体層から形成された光反射積層体４０６Ａを含むことができる。第１の誘電体層は、第１の屈折率５０６Ａを有することができ、第２の誘電体層は、異なる第２の屈折率５０６Ｂを有することができる。第１の誘電体層及び第２の誘電体層は共に、比較的低い誘電率を有し得る。例えば、第１の誘電体層は、誘電率が比較的低い（例えば、約３．９の）ＳｉＯ₂から形成され得る。対照的に、典型的なＴｉＯ₂ベースの白色顔料の誘電率は、８６〜１７３である。更に、ＳｉＯ₂は、屈折率が約１．５の光拡散体である。また、ＳｉＯ₂は、一般的な電気絶縁体である。

第２の誘電体層は、約４２の比較的低い誘電率を有する酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）から形成され得る。Ｎｂ₂Ｏ₅もまた、電気絶縁体である。

更に、第１の誘電体層及び／又は第２の誘電体層は、約７．５の比較的低い誘電率と（例えばＳｉＯ₂の屈折率とＮｂ₂Ｏ₅との間の）約２の屈折率とを有するＳｉ₃Ｎ₄から形成され得る。ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄及びＮｂ₂Ｏ₅のそれぞれの誘電率は、酸化チタン（ＴｉＯ₂）の誘電率３よりも低いか、あるいは著しく低い。

ミラー構造４０６の反射率は、実施形態間で、例えば、２つの交互に配置された誘電体層の屈折率の相違に応じて、変動し得る。誘電体層の厚さは、光が反射され得る波長に影響を及ぼし得る。

誘電率が比較的低い、酸化物又は窒化物などの無機誘電体を使用することが有用であり得る。いくつかの実施形態では、薄いポリマーフィルムを使用することができる。超薄膜を形成するために、酸化物又は窒化物を真空技術によって堆積させることができる。

異なる屈折率を有する交互に配置された誘電体層で形成された光反射積層体４０６Ａは、一般に、交互に対置された誘電体層で反射した光の干渉に基づいて非導電性ミラーをとして機能する。特定の実施形態では、光反射積層体４０６Ａは、屈折率が比較的低いより厚い層を介挿した屈折率が薄い層を含み得る。

ミラー構造４０６はまた、光反射積層体４０６Ａの下に配置された非導電性光吸収積層体４０６Ｂを含むことができる。非導電性光吸収積層体４０６Ｂ、３０６は、スズ（Ｓｎ）層などの光吸収層３０６Ｂを介挿した、シリコン酸化物層などの複数の誘電体層３０６Ａを含むことができる。この構造は全般的に図３に示されている。前述したように、非導電性光吸収積層体４０６Ｂ、３０６は、光反射積層体４０６Ａを通過する少なくとも一部の光を吸収することができる。

非導電性光吸収積層体４０６Ｂ、３０６中のスズの厚さは、スズ層が非導電性であることを保証するために、約１００ｎｍ未満に保たれ得る。スズ層は、典型的には、連続構造ではなく粒状構造である。非導電性光吸収積層体４０６Ｂ、３０６は、特定の実施形態では、灰色インク層２０６を擬態し得る。

更に、スズの厚さが１００ｎｍ未満である時（例えば、４０ｎｍ厚のスズ層が使用される場合）、スズの電気抵抗率は、１０⁶Ωｃｍよりも大きく、ＳｉＯ₂の電気抵抗率よりも依然としてはるかに低い。したがって、ＳｉＯ₂を含むことにより、非導電性光吸収積層体４０６Ｂの電気抵抗率を増大させることができる。

代替実施形態では、他の材料が、光吸収層中のスズと置換し得る。例えば、酸化銅（ＣｕＯ）は一般に、良好な光吸収品質を有し、非導電性層を形成することができるか、又は非導電性層の一部として使用され得る。また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を光吸収層として使用することができ、酸化亜鉛は同様に良好な抵抗率を有する。

代替実施形態では、層中のＳｉＯ₂は、Ｓｉ₃Ｎ₄などの窒化ケイ素、又は他の酸化物により置換され得る。本明細書に記載される層中で使用される材料の電気抵抗率は変動し得る。例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄の電気抵抗率は一般に、１０¹⁴Ωｃｍであり、ＳｉＯ₂の電気抵抗率１０¹⁶Ωｃｍのよりも低い。

ミラー構造４０６中の層５０６Ａ〜Ｂ及び３０６Ａ〜Ｂのそれぞれの厚さは変動し得る。ある実施形態では、１つのＳＩＯ₂層又はＮｂ₂Ｏ₅層の厚さは、別のＳｉＯ₂層又はＮｂ₂Ｏ₅層の厚さとは異なり得る。例示的な実施形態では、ＳｉＯ₂層のそれぞれ及び／又はＮｂ₂Ｏ₅層のそれぞれの厚さは、実質的に同じである。光反射積層体４０６Ａ及び／又は非導電性光吸収積層体４０６Ｂの層厚は、特定の光反射率、波長範囲、光吸収率、電気抵抗率など、目標の光特性及び電気的特性を達成するように選択され得る。また、そのような特性は、ＳｉＯ₂層５０６Ａ、Ｎｂ₂Ｏ₅層５０６Ｂ、スズ層３０６Ａ及び／又はＳｉＯ₂層３０６Ｂなどの層の厚さ若しくは材料、又は数を変動させることによって制御され得る。いくつかの実施形態では、積層体５００は、少なくとも３の光学濃度、及び／又は積層体５００が本質的に非導電性であるのに十分な高さの電気抵抗を達成することができる。

当業者には、ミラー構造４０６について他の光学積層体を使用してもよいことが了解されよう。例えば、ミラー構造４０６は、非導電性真空メタライゼーション（ＮＣＶＭ）フィルムを含むことができる。

カバー基板２０２は、光学的に透明であり得、ガラス、化学強化ガラス、サファイア、プラスチックなどの種々の材料から形成され得る。一般に、サファイアは、異方性であり得、静電容量式センサの動作を促進することができる。

種々の実施形態では、ボタン及び／又はカバー基板は、平坦でも、曲線状でも、円形でも、正方形でも、及び／又は矩形でもよい。当業者には、ボタン及び／又はカバー基板の形状及び／又は寸法が変動し得ることが了解されよう。

次に、静電容量式センサの動作について簡単に論じる。静電容量式センサは、ユーザの付属物（又は、スタイラスなどの好適な対象物）がセンサに接近した時又は接触した時の容量の変化を検出する。静電容量式センサ２０８からカバー基板２０２を越えて延びるフリンジ電界がある。付属物がフリンジ場に入ると電気的環境は変化し、一部の電界は、静電容量式センサの終端接続ではなくアースにシャントされる。その結果、静電容量式センサ２０８の容量が減少し、その減少を検出することができる。

図６は、本開示の実施形態に係る、指紋及び／又は接触（若しくはニアタッチ）を感知するための例示的な静電容量式センサの図を示している。静電容量式センサは、単に一例として意図されるものであり、（容量式であるか否かにかかわらず）他のセンサを種々の実施形態において使用できることを了解されたい。例えば、光学センサ、焦電センサ、静電容量式スワイプセンサ、超音波センサ、及び他のセンサを異なる実施形態において使用することができ、したがって、図６に関して記載した静電容量式センサの考察は一例にすぎないことが意図される。

静電容量式センサ２０８は、センシティブな電子装置及び／又はデータへのセキュアなアクセスを提供するために使用され得る。図６に示すように、静電容量式センサ２０８は、静電容量式感知素子６０２のアレイと駆動リング６０４とを含むことができる。静電容量式感知素子６０２は、指紋画像の比較的小さい領域に関するデータ又は他の情報を含むことができる。一般に、静電容量式センサ２０８は、静電容量式センサ２０８のそれぞれの静電容量式感知素子６０２により容量を測定することによって、指紋の画像を判定するために使用され得る。

静電容量式感知素子６０２のアレイの電圧は、直接的には駆動又は変調されないが、代わりに、駆動増幅器６０６により駆動リング６０４が変調される。次に、この変調は指６０８を励起し、駆動リング６０４の変調と共に指６０８の電圧が変わるので、駆動リング６０４が変調されるにつれて、それぞれの静電容量式感知素子６０２における電圧及び／又は電荷が変動する。

静電容量式センサの場合、駆動リング６０４に印加される電圧は制限され得る。一般に、電圧は、４ボルト（ピーク間）のしきい値を超えない。指６０８を励起するためのこのしきい値を電圧が上回った場合、人には、その電圧が指のピリピリ感又は不快な感覚として検知され得る。ピリピリ感を感知することができる正確な電圧は人によって変動し得るが、一般的には、４ボルトピークツーピーク電圧が、それを超えると不快な感覚が顕著であるしきい値であると考えられる。

駆動リングの電圧は、ユーザ知覚を回避するために制限され得るので、センサの上に重なっている、いかなる誘電体の厚さも制限される。一般に、センサ２０８と指６０８との間のキャパシタンスは、センサと指との間の間隔の増大、又はセンサと指との間の誘電体層若しくは積層体の厚さの増大と共に減少する。例えば、指がセンサ２０８から離れた時には、センサと指との間に、より低いキャパシタンスが発生され得、したがって、下にある静電容量式感知素子６０２上でより低い電圧信号が生成される。対照的に、指がセンサ２０８に近づいた時には、センサと指との間に、より高いキャパシタンスが発生され得、したがって、下にある静電容量式感知素子上でより高い電圧信号が生成される。キャパシタンスが低減されると、指紋画像は、ぼやけたようになり得る。上記で論じたように、白色コーティング厚を低減し、ミラー構造４０６を採用することによって、センサの性能を向上させることができる。

図７は、本開示の実施形態に係る、白色コーティングと、白色コーティングの下にセンサとを含むディスプレイカバーを製造するためのステップを示すフローチャートである。方法７００は、動作７０２で開始し、透明なカバー基板２０２の少なくとも１つの部分に白色コーティングを適用する。例えば、白色コーティング又は層は、ボタン１０４又はディスプレイエリアの外側の他の領域に適用され得る。

方法７００は、コーティングされた基板上にミラー構造４０６を形成する動作である動作７０６を継続する。コーティング方法として、とりわけ、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）及び／又はイオンビームアシスト蒸着（ＩＢＡＤ）が挙げられるが、これらに限定されるものでない。方法７００は更に、動作７１０に示すように、透明なカバー基板からミラー構造４０６の反対側に静電容量式センサ２０８を取り付ける動作を含むことができる。

白色コーティングを適用し、カバーガラス又はサファイア基板上にミラー構造を形成するための種々の技術について以下に説明する。
ガラス基板上に白色コーティングを適用するためのプロセス

白色コーティング２０４、３０４又は４０４は、種々の方法に従ってガラス基板に適用され得る。

一実施形態では、シルクスクリーンが使用される。シルクスクリーンは、基板上にインク又は印刷可能材料を転写する布メッシュを含む。スキージストローク中、シルクスクリーン全体にわたって充填ブレード又はスキージを動かし、毛管作用によって転写するように布メッシュの開口部へとインクを圧入する。シルクスクリーン法は、メッシュに起因して、コーティング厚の均一性に関する問題を有し得る。例えば、それは、キャパシタセンサ２０８の性能に影響を及ぼし得る約１μｍの高低差を発生させ得る。

別の実施形態では、スリットコーティングプロセスが使用され得る。スリットコーティングは、基板上に落下する流体の連続的なカーテンを作成するプロセスである。基板上の一様な皮膜を保証するために、カーテンを通して基板を一定速度でコンベヤベルト上で移送する。カーテンは、金属ブロックなどの保持タンクの基部においてスリットを使用することによって作成され、それにより、液体が基板上に落下することが可能になる。

図８は、本開示の実施形態に係る、スリットコーティングにおいて使用するのに好適な金属ブロックを示している。図示のように、金属ブロック８０２は、液体状の白色インク又は白色顔料などのリザーバ材料８０４を含むことができる。金属ブロック８０２はまた、底部にスリット８０６を含む。スリット８０６は、動いている基板上にコーティングを形成するために、白色インク８０４が通過することを可能にする。

別の実施形態では、白色インクを堆積させるために熱転写法が使用され得る。詳細には、熱転写法は、キャリアフィルムを使用してキャリアフィルム上に白色インクを延ばし、加熱し、その後、ガラス又はサファイア基板からキャリアフィルムを剥離することによって、ガラス又はサファイア基板に白色インクを適用する。

図９は、本開示の実施形態に係る、基板又はコーティングされた基板に白色インク層を適用するためのステップを示すフローチャートである。方法９００は、動作９０２において、ポリエチレン（テレフタル酸塩）（ＰＥＴ）フィルムなどの可撓性のポリマーフィルムであり得るキャリアフィルム上に白色インク副層を延ばすことで開始し得る。動作９０６は、キャリアフィルムを白色インク層と共にガラス又はサファイア基板２０２に付着させることと、白色インク層が基板２０２に接着するように、加熱し、基板２０２に対してキャリアフィルムに圧力を印加することとを含む。特定の実施形態では、接着剤内に白色インク又は顔料が包理され得る。

方法９００は、動作９１０において、コーティングされた基板を形成するために、加熱された基板をキャリアフィルムと共に冷却することと、その後、動作９１４において、コーティングされたガラス基板からキャリアフィルムを剥離することに続き得る。

図１０は、本開示の実施形態に係る、キャリアフィルム１００２の積層体、第１の白色インク／接着剤副層４０４Ａ、及びカバー基板２０２を示す図である。図９に関して開示した方法を繰り返すことによって、追加の白色コーティング副層４０４Ｂが、コーティングされたカバー基板に白色コーティング副層４０４Ａと共に適用され得る。このようにすることで、実質的に均質かつ均一な不透明薄膜を提供することができる。

特定の実施形態において、白色コーティング副層４０４Ａ〜Ｂ及び２０４Ａ〜Ｄのそれぞれは、約１０μｍ厚であり得る。したがって、熱転写動作は、白色コーティング４０４Ａ、４０４Ｂの２つの副層を含む約２０μｍ〜２５μｍの白色コーティング４０４を提供することができる。そのような薄い白色コーティング４０４は、少なくとも３以上の光学濃度を有することができ、また、センサ２０８の性能に対する影響を最小限に抑えることができる。同様に、熱転写法は、白色コーティング２０４Ａ〜Ｄの４つの副層を含む約４０μｍ〜５０μｍの白色コーティング２０４を提供することができる。

図１３は、本開示の実施形態に係るダイコーティング装置を示している。ダイコーティング装置１３００は、スリットダイ１３０２と、転写ローラー１３０４と、ＰＥＴフィルムなどのキャリアフィルム１３０８とを含む。スリットダイは、転写ローラー１３０４に向かってスリット開口部１３０６を有し、それにより、転写ローラーが回転すると、キャリアフィルム１３０８にインクが転写する。図示のとおり、白色インクは、インク流圧力によってスリットダイ１３０２の投入開口部１３１０へと圧入され、転写ローラー１３０４上のキャリアフィルム１３０８に転写するようにスリット開口部１３０６から出力される。次いで、均一な白色インクの層でキャリアフィルム１３０８がコーティングされ、転写ローラー１３０４は、一定の送り速度で回転することができる。

コーティング厚は、とりわけ、転写ローラー１３０４からスリット開口部１３０６までの距離、インク流圧力、転写ローラー１３０４の送り速度及びインク粘度を含むいくつかの主要な因子により制御され得る。形成されたコーティング厚は、薄くなり得、例えば、２０μｍ以下であり得る。ダイコーティングプロセスの恩恵のうちの１つは、白色コーティングが非常に均一な厚さを有することができるということである。

更に別の実施形態では、白色インクを堆積させるためにスピンコーティングが使用され得る。スピンコーティングは、平坦な基板上に均一の薄膜を堆積させるために使用される手順である。一般に、基板の中心に少量のコーティング材料を適用する。次いで、遠心力によってコーティング材料を広げるために、基板を高速で回転させる。このスピンコーティング法は、１０μｎｍ未満の厚さの薄膜を作成することができる。したがって、図２〜図５に開示したように、より多くの白色コーティング副層を堆積させて白色コーティングを形成することができる。
ミラー構造を製造するためのプロセス

本明細書で論じるミラー構造４０６の種々の層を、様々な方法で基板２０２上に形成する、又は堆積させることができる。例えば、堆積技術として、わずかに異なる構造を有する層をそれぞれが生成することができる、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ及び／又はＩＢＡＤを挙げることができる。これらの異なる構造は、とりわけ、ミラー構造の電気的性質及び／又は光学的性質に影響を及ぼし得る。コーティング材料の堆積は、大気、基板及びチャンバの温度、追加のエネルギーイオンの圧力、存在、比率、タイプ及びエネルギー、コーティング材料の堆積率及び状態を含む特定の条件、最終構造に全て寄与するもの全て、種々の材料特性に影響を及ぼし得る組成及び密度と共に、プロセスにより変動する。

図１１は、本開示の実施形態に係るＰＶＤシステムについての簡単なシステム図である。堆積システム１１００は、基板２０２に表面処理を適用することができる。この特定の例において、堆積システム１１００は種々のコーティング材料１１０８（例えば、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｓｎ及びＮｂ₂Ｏ₅）を保持する１つ以上のリザーバ１１１０を含む。リザーバ１１１０内の酸化、ウェッティング、及び／又は汚染を低減させるために、不活性ガス１１１２（例えば、アルゴン又は窒素）がパージ又は加圧送り管１１１４を通してガス源１１１６によって供給され得る。

設計に応じて、リザーバ１１１０は、リザーバ１１１０から供給システム１１２０へ材料１１０８を配送するように構成され得る１つ以上の配送管１１２２によって真空チャンバ１１１８に結合され得る。供給システム１１２０は、典型的には、図２に示すように、基板２０２上への堆積のための蒸発又は堆積ユニット１１２６へと材料１１０８を向けるために、管、ポンプ、バルブ及び他の構成要素の好適な組み合わせを利用する。図１１の特定な構成では、堆積ユニット１１２６は、ＣＶＤ構成要素又はＰＶＤ構成要素の形態で提供される。代替として、スパッタリング、電子ビーム堆積若しくは電子ビーム蒸着、ＩＢＡＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はこのようなプロセスの組み合わせが例として挙げられる他のプロセス及び構成要素を利用して、基板２０２を処理することができる。

いくつかの実施形態では、堆積システム１１００はまた、チャンバ１１１８を真空チャンバ、又は他の化学蒸着環境若しくは物理蒸着環境として動作させるために、圧力、温度、及び湿度を制御する。堆積システム１１００はまた、表面コーティングプロセスの特定の温度を、例えば、約１００℃〜約１５０℃、又は約１００℃〜約１７０℃に維持し得る。また、基板２０２をチャンバ１１１８から除去する前に制御されたプロセスで大気に暴露するために、コーティングプロセスの間又は後のいずれかに、空気がチャンバ１１１８内に提供され得る。

一般に、供給システム１１２０及び堆積ユニット１１２６は、選択量の材料（例えば、ＳｉＯ₂、Ｓｎ及びＮｂ₂Ｏ₅）を特定の順序及び組み合わせで基板２０２上に堆積させるように制御される。

再び図１を参照すると、不透明領域１０４（ボタン１０８、又は静電容量式センサの上に重なっているカバーガラスの別の領域を省く）は、比較的より厚い白色コーティングを形成するために、従来のプリント法を使用することができる。ボタン１０８（又は他の領域）の下において、白色コーティング厚を不透明領域１０４の白色コーティング厚の約１／２まで低減させるのを補助するために、ミラー構造が使用され得る。いくつかの実施形態では、ミラー構造は、不透明領域１０４全体の下で使用され得る。

いくつかの実施形態を説明してきたが、当業者には、本開示の趣旨から逸脱することなく、種々の変更形態、代替的構造及び等価物が使用できることが認識されよう。更に、本明細書に開示した実施形態を不必要に不明瞭にすることを回避するために、複数のよく知られているプロセス及び要素については説明していない。そのため、上記説明は、本文書の範囲を制限するものとして解釈すべきでない。

当業者には、本開示の実施形態は、制限ではなく例として教示することが了解されよう。したがって、以上の説明に含まれる、又は添付の図面に示される事項は、限定的な意味にではなく、例示的なものとして解釈すべきである。以下特許請求の範囲は、本明細書で説明する全ての包括的かつ特定の機能、並びに、本発明の方法及びシステムの、文言の問題としてそこに含まれ得る範囲の全ての記述を網羅することを意図するものである。

Claims (34)

1. 静電容量式センサのための不透明カバーであって、前記カバーは、
   透明な基板と、
   前記透明な基板の少なくとも１つの部分上に配設された、白色顔料を含む、少なくとも１つの白色コーティング層と、
   前記少なくとも１つの白色コーティング層上に配設された非導電性ミラー構造であって、前記非導電性ミラー構造が、第２の屈折率を有する第２の誘電体層を介挿した第１の屈折率を有する第１の複数の第１の誘電体層を含み、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層の誘電率がしきい値未満である、非導電性ミラー構造と、
   を備える、静電容量式センサのための不透明カバー。
2. 前記非導電性ミラー構造が、第３の誘電体層を介挿した第２の複数の光吸収層を含み、前記第３の誘電体層の誘電率が前記しきい値未満である、請求項１に記載の不透明カバー。
3. 前記光吸収層が、スズ、酸化銅及び酸化亜鉛からなる群から選択される材料を含む、請求項２に記載の不透明カバー。
4. 前記スズ層が非導電性であるように、前記スズ層の厚さが１００ｎｍ以下である、請求項３に記載の不透明カバー。
5. 前記第３の誘電体層が、シリコン酸化物、窒化ケイ素及び酸化ニオブからなる群から選択される材料を含む、請求項２に記載の不透明カバー。
6. 前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層のそれぞれが、シリコン酸化物、窒化ケイ素及び酸化ニオブからなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の不透明カバー。
7. 前記第１の誘電体層がシリコン酸化物を含み、前記第２の誘電体層が酸化ニオブを含む、請求項１に記載の不透明カバー。
8. 前記非導電性ミラー構造が、１３個の酸化ニオブ層を介挿した１３個のシリコン酸化物層の第１の積層体を含む、請求項１に記載の不透明カバー。
9. １３個の酸化ニオブ層を介挿した１３個のシリコン酸化物層の前記第１の積層体の総厚が約２．０μｍである、請求項８に記載の不透明カバー。
10. 前記非導電性ミラー構造が、６個のスズ層を介挿した７個のシリコン酸化物層の第２の積層体を含む、請求項８に記載の不透明カバー。
11. ６個のスズ層を介挿した７個のシリコン酸化物層の前記第２の積層体の総厚が約１．２μｍである、請求項１０に記載の不透明カバー。
12. 前記非導電性ミラー構造が、６個のスズ層を介挿した７個のジルコニア酸化物層の第２の積層体を含む、請求項８に記載の不透明カバー。
13. ６個のスズ層を介挿した７個のジルコニア酸化物層の前記第２の積層体の総厚が約１．１μｍである、請求項１０に記載の不透明カバー。
14. 前記透明な基板が、サファイア又はガラスを含む、請求項１に記載の不透明カバー。
15. 前記白色コーティング層が、酸化チタンを含む、請求項１に記載の不透明カバー。
16. 前記白色コーティング層の厚さが、２０μｍ〜２５μｍの範囲である、請求項１に記載の不透明カバー。
17. 前記不透明カバーの光学濃度が、少なくとも３以上である、請求項１に記載の不透明カバー。
18. 前記センサは、前記透明な基板を通して前記センサが見えないように、前記ミラー構造に取り付けられるように構成される、請求項１に記載の不透明カバー。
19. 基板上に白色コーティング積層体を形成する方法であって、前記方法が、
    コーティングされた基板を形成するために、透明な基板の少なくとも一部分上に少なくとも１つの白色コーティング層を適用するステップと、
    前記コーティングされた基板上に非導電性ミラー構造を形成するステップであって、前記ミラー構造の誘電率がしきい値未満である、形成するステップと、
    前記ミラー構造にキャパシタセンサを取り付けるステップと、
    を含む、基板上に白色コーティング積層体を形成するための方法。
20. 前記少なくとも１つの白色コーティング層の厚さが、２０μｍ〜２５μｍの範囲である、請求項１９に記載の方法。
21. 基板の少なくとも一部分上に少なくとも１つの白色コーティング層を適用するステップが、
    キャリアフィルム上に白色顔料の層を延ばすステップであって、前記白色顔料が接着剤内に包理されている、ステップと、
    前記基板を加熱し、前記基板に対して前記キャリアフィルムに圧力を印加することによって、前記基板上に前記白色顔料の層を付着させるステップと、
    コーティングされた基板を形成するために、前記加熱された基板を前記キャリアフィルムと共に冷却するステップと、
    前記コーティングされた基板から前記キャリアフィルムを剥離するステップと、
    を含む、請求項１９に記載の方法。
22. 前記コーティングされた基板上に非導電性ミラー構造を形成するステップが、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）及びイオンビームアシスト蒸着（ＩＢＡＤ）からなる群から選択される方法である、請求項１９に記載の方法。
23. 前記非導電性ミラー構造が、第２の屈折率を有する第２の誘電体層を介挿した第１の屈折率を有する第１の複数の第１の誘電体層を含み、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層の誘電率がしきい値未満である、請求項１９に記載の方法。
24. 前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層のそれぞれが、シリコン酸化物、窒化ケイ素及び酸化ニオブからなる群から選択される材料を含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記非導電性ミラー構造が、第３の誘電体層を介挿した第２の複数の光吸収層を含み、前記第３の誘電体層の誘電率が前記しきい値未満である、請求項２３に記載の方法。
26. 前記光吸収層が、スズ、酸化銅及び酸化亜鉛からなる群から選択される材料を含む、請求項２５に記載の方法。
27. 前記スズ層が非導電性であるように、前記スズ層の厚さが１００ｎｍ以下である、請求項２６に記載の不透明カバー。
28. 前記第３の誘電体層が、シリコン酸化物、窒化ケイ素及び酸化ニオブからなる群から選択される材料を含む、請求項２５に記載の不透明カバー。
29. 前記非導電性ミラー構造が、１３個の酸化ニオブ層を介挿した１３個のシリコン酸化物層の第１の積層体を含む、請求項１９に記載の方法。
30. １３個の酸化ニオブ層を介挿した１３個のシリコン酸化物層の前記第１の積層体の総厚が約２．０μｍである、請求項２３に記載の方法。
31. 前記非導電性ミラー構造が、６個のスズ層を介挿した７個のシリコン酸化物層の第２の積層体を含む、請求項２３に記載の方法。
32. ６個のスズ層を介挿した７個のシリコン酸化物層の前記第２の積層体の総厚が約１．２μｍである、請求項３１に記載の方法。
33. 前記透明な基板が、サファイア又はガラスを含む、請求項１９に記載の方法。
34. 前記白色コーティング積層体の光学濃度が、少なくとも３以上である、請求項１９に記載の方法。