JP7303496B2 - 膜付き透明基板の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1のように、金属膜と誘電体膜からなるハーフミラーを有する観察系(膜付き透明基板)がある。近年、膜付き透明基板の光学特性の高性能化に伴い、膜付き透明基板を構成する膜の膜厚をより高精度に制御することが必要となった。
金属層形成工程S11においては、金属層2は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの物理蒸着法やメッキ法により形成することができる。1~30nmの膜厚の金属層2を高精度に膜厚を制御して形成するためには、スパッタリング法が好ましい。
まず、透明基板1を用意する。続いて、用意した透明基板1をスパッタリング装置にセットする。スパッタリング装置のターゲットとしては、金属または金属合金からなる金属ターゲットを用意する。金属層2として銀を用いた場合、銀合金としては、ユウロピウム、銅、カルシウム、プラセオジム、サマリウム、マグネシウム、テルビウム、ガドリウム、ネオジム、ランタン、セリウムのうち少なくとも1種以上を合計で2質量%以下含有し、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有するものが好ましい。
保護金属層形成工程S12において、保護金属層5は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの物理蒸着法により形成することができる。保護金属層5の厚みは2~15nmであることが好ましい。2~15nmの膜厚の保護金属層5を精度よく安定して形成するためには、スパッタリング法が好ましい。
金属層付き基板をスパッタリング装置にセットする。スパッタリング装置のターゲットとしては、珪素、アルミニウム、ジルコニウム等の金属ターゲットを用意する。珪素またはアルミニウムからなる金属ターゲットを用いることが好ましく、珪素からなる珪素ターゲットを用いることが特に好ましい。珪素ターゲットの導電性を高めるために10wt%を超えない範囲でアルミニウムやホウ素などの金属をドープしてもよい。
誘電体層4は、スパッタリング法により形成する。スパッタリング法により、誘電体層4を精度よく安定して形成できる。また、スパッタリング法の中でも、RAS(Radical Assisted Sputtering)法等の反応性スパッタリング法は、誘電体層4の成膜速度が速く生産性に優れるため、特に好ましい。
保護金属層付き基板をスパッタリング装置にセットする。スパッタリング装置のターゲットとしては、珪素、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウムなどの金属ターゲットを用いることができる。
(実施例1)
まず透明基板として、厚さ1.0mmの石英ガラス基板の上に、誘電体層として厚さ24.6nmの酸化ニオブ(Nb2O5)膜、厚さ31.2nmの酸化珪素(SiO2)膜、厚さ53.3nmのNb2O5膜及び厚さ10nmのSiO2膜を、順にスパッタリング法で形成した。スパッタリング法によるそれぞれの膜の形成には、ロードロック式反応性スパッタリング装置を用いた。
保護金属層形成工程を行わなかった以外は、実施例1と同様にして膜付き透明基板を作製した。
実施例1及び比較例1で得られた膜付き透明基板について、透過率(Transmittance)及び反射率(Reflectance)を、日立ハイテク社製、商品名「U-4000」にて測定した。また、吸収率(Absorptance)を、式(1)によって計算して求めた。
吸収率(%) = 100-透過率(%)-反射率(%) ・・・(1)
それぞれの透過・反射・吸収スペクトルを図4及び5に示す。
まず透明基板として、厚さ1.3mmの化学強化ガラス基板(日本電気硝子株式会社製、T2X-1)の上に、誘電体層として厚さ5.3nmのNb2O5膜、厚さ57.1nmのSiO2膜、厚さ21.8nmのNb2O5膜及び厚さ19.5nmのSiO2膜を、順にスパッタリング法で形成した。スパッタリング法によるそれぞれの膜の形成には、ロードロック式反応性スパッタリング装置を用いた。
まず透明基板として、厚さ1.3mmの化学強化ガラス基板(日本電気硝子株式会社製、T2X-1)の上に、誘電体層として厚さ8.7nmのNb2O5膜、厚さ53.2nmのSiO2膜及び厚さ25.1nmのNb2O5膜を、順にスパッタリング法で形成した。スパッタリング法によるそれぞれの膜の形成には、ロードロック式反応性スパッタリング装置を用いた。
まず透明基板として、厚さ1.3mmの化学強化ガラス基板(日本電気硝子株式会社製、T2X-1)の上に、誘電体層として厚さ13.2nmのNb2O5膜、厚さ32.7nmのSiO2膜、厚さ107.3nmのNb2O5膜及び厚さ30.2nmのSiO2膜を、順にスパッタリング法で形成した。スパッタリング法によるそれぞれの膜の形成には、ロードロック式反応性スパッタリング装置を用いた。
1a…第一主面
1b…第二主面
2…金属層
3…保護層
4…誘電体層
5…保護金属層
10…膜付き透明基板
Claims (6)
- 透明基板上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層の前記透明基板とは反対側に、前記金属層に接して保護金属層を形成する保護金属層形成工程と、
スパッタリング法により、前記保護金属層の前記透明基板とは反対側に、前記保護金属層に接して誘電体層を形成する誘電体層形成工程とを備え、
前記保護金属層が珪素から構成され、
前記金属層がスズからなり、
前記金属層の厚みが、1~30nmであり、
前記誘電体層形成工程において、前記保護金属層を反応させ、SiO 2 からなる保護層を形成する、
膜付き透明基板の製造方法。 - 前記保護金属層の厚さが2~15nmである、請求項1に記載の膜付き透明基板の製造方法。
- 前記スパッタリング法が、反応性スパッタリング法である、請求項1または2に記載の膜付き透明基板の製造方法。
- 前記金属層形成工程の前に、透明基板の上に酸化ケイ素や酸化アルミニウムから構成される保護酸化物層を形成し、前記金属層形成工程において、前記保護酸化物層に接して前記金属層を形成する、請求項1~3いずれかに記載の膜付き透明基板の製造方法。
- 前記膜付き透明基板の可視光の波長範囲(400nm~700nm)における平均吸収率が15~30%である、請求項1~4いずれかに記載の膜付き透明基板の製造方法。
- 前記膜付き透明基板の可視光の波長範囲(400nm~700nm)における各波長での吸収率の最大と最小の差が10%以下である、請求項1~5いずれかに記載の膜付き透明基板の製造方法。
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