JP2016519289A5 - - Google Patents

Description

図２は、試料スライド105とスライドの表面の一部の拡大図210を示すものである。試料スライド105の表面には複数のジルコン結晶粒202がある。実施形態においては、それぞれの結晶が平坦面204を有するように加工される。

Claims (7)

1. レーザアブレーション手順中に支持面上の試料上の結晶粒上でレーザを位置決めするための方法であって、
   スキャン配置プロセス中に試料に対して複数のレーザ予定位置を含むアブレーションパターンを設定し、
   前記スキャン配置プロセスでは、
   運動制御システムを用いてレーザスポットに対して前記試料を前記試料上の複数のレーザ予定位置に位置決めし、
   前記複数のレーザ予定位置のそれぞれに対して位置座標を保存し、
   前記複数のレーザ予定位置のそれぞれに対するカーネル画像を保存し、
   実験を開始し、
   前記実験を開始する際に、
   前記複数のレーザ予定位置のうち選択されたものの前記保存された座標に基づいて保存されたカーネル画像を用いて前記試料に対して前記レーザスポットを現在の位置に位置決めし、
   前記現在の位置の現在の画像を前記選択されたレーザ予定位置に対する前記保存されたカーネル画像と比較し、
   前記比較に基づいて位置誤差を決定し、
   前記位置誤差が許容範囲内にない場合に、前記運動制御システムを用いて前記位置誤差に基づいて前記試料に対して前記レーザスポットのオフセット移動を行って、前記位置誤差を補正し、前記比較と決定のステップを繰り返し、
   前記位置誤差が前記許容範囲内にある場合に、前記選択されたレーザ予定位置上にレーザビームを照射する
   方法。
2. 前記運動制御システムは開ループシステムであり、
   前記現在の位置は開ループを仮定した補正位置である、
   請求項１の方法。
3. 前記カーネル画像及び前記現在の画像を前記レーザに対して固定されたカメラにより撮影する、請求項１の方法。
4. 前記試料に対して前記レーザスポットを現在の位置に位置決めするステップは、基準ブランクをサンプリングした後に行われる、請求項１の方法。
5. 前記複数のレーザ予定位置のそれぞれに対するカーネル画像を保存するステップでは、さらに、前記カーネル画像をキャプチャする際に使用される照明レベル、ズームレベル、又はカメラ特性のうち少なくとも１つを保存する、請求項１の方法。
6. 前記試料上にキャリアガスを流し、
   前記レーザビームの照射により前記試料の材料を前記キャリアガス中に浮遊させ、
   前記キャリアガス中に浮遊した前記材料を分析する、
   請求項１の方法。
7. 前記試料はジルコン結晶を含む、請求項６の方法。