KR101249950B1 - 이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비 및 이를 이용한 레이저 가공방법 - Google Patents

이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비 및 이를 이용한 레이저 가공방법 Download PDF

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Abstract

레이저 리프트 오프 장비(Laser lift off machine)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 빔을 이용한 가공이 이루어지는 가공영역에 배치되는 이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비에 관하여 개시한다.
본 발명은, 가공대상물인 웨이퍼를 로딩하여 고정하고 이송시키는 워크스테이지; 촬상되는 웨이퍼 이미지 형상이 왜곡되지 않도록 상기 워크스테이지에 수직방향으로 배치되는 인스펙션 카메라; 레이저빔을 방출하는 레이저빔 광원의 일측면에 경사지게 배치되어, 레이저가 조사되는 가공영역의 웨이퍼 가공과정 동영상을 취득하는 프로세스 촬영용 카메라; 및 상기 프로세스 촬영용 카메라의 동영상 취득에 필요한 조도를 제공하기 위하여, 상기 레이저 빔 광원 타 측면에 배치되어 상기 가공영역에 가시광을 공급하는 조명기; 를 포함하는 레이저 리프트 오프 장비를 제공한다.

Description

이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비 및 이를 이용한 레이저 가공방법 {LASER LIFT OFF MACHINE HAVING CAMERA DEVICE AND LASER LIFT OFF METHOD USING THE SAME}
본 발명은 레이저 리프트 오프 장비(Laser lift off machine)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 빔을 이용한 가공이 이루어지는 가공영역에 배치되는 이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비에 관한 것이다.
최근 들어 엑시머 레이저(Eximaer Laser) 빔의 안정성과 출력이 향상됨에 따라 반도체 물질을 가공하는 공정으로까지 그 사용 범위가 넓어지고 있다. 특히, 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)와 같은 소자를 형성하기 위하여, 레이저빔을 이용하여 기판 위의 박막을 분리하는 공정이 많이 이루어지는데, 이러한 공정에 사용되는 대표적인 장비를 레이저 리프트 오프(Laser Life Off : LLO) 장비라고 한다.
레이저 리프트 오프 공정은 레이저빔의 조사 방식에 따라 스캔(Scan) 조사방식과, 펄스(Pulse) 조사 방식으로 나눌 수 있다.
스캔 조사방식은 여러 개의 레이저빔을 일정 간격으로 오버랩시켜 레이저를 조사하는 방식이다. 이러한 스캔 조사방식은 기판의 전면에 레이저빔을 조사하므로 생산성이 우수하다는 장점이 있다. 하지만 하부층이 열적 데미지를 받을 수 있으며 오버랩 부분에는 줄무늬 형태의 균열 또는 결함이 발생하는 문제점이 있다.
펄스 조사방식은 셀(Cell)과 모양 및 크기가 같도록 가공된 레이저빔을 각 셀에 한 번씩 조사하는 방식으로, 박막과 기판 사이의 결합에너지보다 큰 에너지를 가지는 레이저빔을 조사하여 박막과 기판을 서로 분리한다. 이러한 방식은 하부층에 열적 데미지를 주지 않으며, 각 셀당 한 번씩 레이저를 조사하므로 오버랩에 의한 결함이 발생되지 않는다는 장점이 있다.
한편, 펄스 조사방식의 경우 각 셀당 한 번씩 레이저빔을 조사하므로, 한 번 조사되는 레이저빔의 에너지 크기에 따라 박막과 기판의 분리 여부가 크게 좌우된다.
본 발명의 목적은 레이저 가공영역에서 웨이퍼의 이미지를 정확하게 취득하여, 웨이퍼와 레이저 빔이 정확하게 정렬될 수 있도록 하는 이미지 취득 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 가공 과정의 동영상을 취득하여 레이저 가공 과정을 모니터링 할 수 있도록 하는 이미지 취득 장치를 제공함에 있다.
본 발명은, 가공대상물인 웨이퍼를 로딩하여 고정하고 이송시키는 워크스테이지; 촬상되는 웨이퍼 이미지 형상이 왜곡되지 않도록 상기 워크스테이지에 수직방향으로 배치되는 인스펙션 카메라; 레이저빔을 방출하는 레이저빔 광원의 일측면에 경사지게 배치되어, 레이저가 조사되는 가공영역의 웨이퍼 가공과정 동영상을 취득하는 프로세스 촬영용 카메라; 및 상기 프로세스 촬영용 카메라의 동영상 취득에 필요한 조도를 제공하기 위하여, 상기 레이저 빔 광원 타 측면에 배치되어 상기 가공영역에 가시광을 공급하는 조명기; 를 포함하는 레이저 리프트 오프 장비를 제공한다.
상기 인스펙션 카메라에서 취득된 이미지를 전달받고, 상기 워크스테이지 제어신호를 발생하는 제어부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제어부는 상기 인스펙션 카메라에서 전달받은 이미지를 처리하여, 미리 설정된 기준값과 비교하고, 그 차이값에 해당하는 제어신호를 발생하여 상기 워크스테이지를 정렬하도록 하면 더욱 바람직하다.
이 때, 상기 제어부는 상기 인스펙션 카메라에서 전달받은 이미지에서 상기 웨이퍼에 표시된 얼라인 마크를 식별하여, 상기 얼라인 마크의 좌표 및 각도를 기준값과 비교할 수 있다.
그리고, 상기 프로세스 촬영용 카메라는 촬영되는 영상을 모니터를 통해 실시간으로 출력하며, 촬영되는 영상으로 동영상 파일을 생성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 웨이퍼에 배열된 복수개의 칩에 각각 아이디를 부여하고, 상기 프로세스 촬영용 카메라는 동영상 취득시, 동영상 파일에 가공중인 칩의 아이디를 인덱스 태그로 표시하면 더욱 바람직하다.
그리고, 본 발명은, (a) 워크스테이지에 로딩된 웨이퍼의 이미지를 인스펙션 카메라로 취득하는 단계; (b) 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼의 위치를 확인하고 워크스테이지를 이송시켜 웨이퍼를 정렬하는 단계; 및 (c) 워크스테이지를 이송하며 웨이퍼에 배열된 칩에 순차적으로 레이저 펄스를 조사하는 레이저 가공단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서 프로세스 촬영용 카메라를 이용하여 가공과정의 동영상을 취득하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 (b) 단계는 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 배열된 칩의 외곽선 위치정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하여 웨이퍼를 정렬하거나,
상기 (b) 단계는 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 형성된 얼라인 마크의 위치정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하여 웨이퍼를 정렬하도록 할 수 있다.
한 편, 상기 (c) 단계는 상기 취득된 동영상으로 동영상 파일을 생성하되, 가공되는 칩의 아이디를 동영상 파일에 태그로 표시하는 것이 바람직하다.
본 발명은 레이저 리프트 오프 장비에서 칩 이미지를 취득하여 칩과 가공용 레이저 빔이 정교하게 정렬될 수 있도록 함으로써 가공 정밀도를 향상시키는 효과를 가져온다.
또한, 본 발명은 레이저 가공이 이루어지는 과정의 동영상을 취득하되, 각각의 칩의 아이디를 인덱스 테그로 동영상 파일에 기록함으로써 각 칩의 가공 과정을 손쉽게 찾아볼 수 있도록 하는 효과도 가져온다.
따라서, 가공 불량이 발생한 경우 그 칩의 가공 과정의 동영상을 분석함으로써 불량 발생의 원인을 규명하고 공정과 설비를 개선함에 있어 도움을 주게 된다.
도 1 내지 4는 수직형 LED 제조 공정들을 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 이미지 취득 장치 부분을 나타낸 사시도,
도 6은 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공 방법을 나타낸 공정순서도,
도 7은 웨이퍼 형성된 칩의 외곽선 이미지를 취득하여 웨이퍼를 정렬하는 방식을 설명하기 위한 도면,
도 8은 웨이퍼 형성된 얼라인 마크 이미지를 취득하여 웨이퍼를 정렬하는 방식을 설명하기 위한 도면임.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 이미지 취득 장치를 구비하는 레이저 리프트 오프 장비에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 장점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
또한, 도면에서 발명을 구성하는 구성요소들의 크기는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 구성요소가 다른 구성요소의 "내부에 존재하거나, 연결되어 설치된다"고 기재된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소와 접하여 설치될 수 있고, 소정의 이격거리를 두고 설치될 수도 있으며, 이격거리를 두고 설치되는 경우엔 상기 어떤 구성요소를 상기 다른 구성요소에 고정 내지 연결시키기 위한 제3의 수단에 대한 설명이 생략될 수도 있다.
도 1 내지 4는 수직형 LED 제조 공정들을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(20) 상에 통상의 반도체 공정 기술에 의해 GaN 버퍼층(31), N형의 GaN 층(32), 다중 양자 우물을 갖는 InGaN/GaN/AlGaInN 활성층(33), 및 P형 GaN 층(34)을 포함하는 일련의 에피층(30)이 순차적으로 형성된다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, RIE(Plasma Reactive Ion Etching) 방법 등을 사용하여 에피층(30)을 관통하는 다수의 트렌치(trench)(30b)가 형성된다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, GaN 계열의 층들(30a) 상에 도전성 지지층(40)이 형성된다. 이어서, 사파이어 기판(20)을 GaN 계열의 층들(30a)로부터 분리하기 위한 레이저 리프트-오프 공정이 수행된다. 도 3의 우측에 원으로 표시된 부분은 기판의 평면도를 나타낸 것으로 A로 표시한 부분은 레이저빔이 조사되는 영역을 나타낸 것이다.
레이저 리프트-오프 공정은 레이저빔을 단일 펄스 방식으로 사파이어 기판(20)을 통해 사파이어 기판(20)과 에피층(30a) 사이의 경계면에 조사함으로써 수행된다. 레이저 리프트-오프 공정을 수행할 경우, 레이저빔이 조사되는 사파이어 기판(20)과 에피층(30a) 사이의 경계면에서 높은 압력을 동반하는 충격파가 발생하게 된다. 이러한 충격파로 인해 조사되는 레이저빔 스팟의 에지부에 해당되는 에피층(30)에는 균열(fracture) 또는 결함(crack)이 발생될 수 있다. 이에, 레이저빔 스팟의 에지부가 트렌치(30b)에 위치하도록 정밀하게 조절할 경우, 레이저 리프트-오프 공정에서 발생되는 충격파를 트렌치(30b)를 통해 방출함으로서 에피층(30a)의 손상을 줄일 수 있다.
이와 같은 방식으로, 레이저빔 펄스가 사파이어 기판(20)과 에피층(30a) 사이의 경계면 전영역에 순차적으로 조사됨으로써 사파이어 기판(20)을 에피층(30a)으로부터 분리할 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 N형 GaN 층(32a) 상에 콘택층(50)이 형성된다. 콘택층(50)이 형성된 후에는, 다이싱(dicing) 공정을 통하여 각각의 개별 LED 소자로 분리된다. 다이싱 공정은 다양한 기계적 또는 화학적 방법을 통해 수행될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 이미지 취득 장치 부분을 나타낸 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비는 레이저 조사장치(100)의 주변에 설치된 이미지 취득 장치를 포함한다. 이미지 취득장치는 인스펙션 카메라(110)와, 프로세스 촬영용 카메라(120)와, 조명기(130)를 포함한다.
인스펙션 카메라(110)는 고배율의 이미지를 취득하는 장치로, 웨이퍼(w)에 형성된 칩(c)의 이미지를 취득하여, 칩(c)의 위치를 확인한다. 여기서 칩(c)의 위치를 확인한다는 것은, 칩(c)의 수평좌표(x,y좌표)와 틀어진 각도를 확인한다는 것을 의미한다. 인스펙션 카메라(110)는 프로세스 촬영용 카메라(120)에 비하여 상대적으로 높은 배율이 요구된다. 이는 인스펙션 카메라(110)에서 취득된 이미지를 기준으로 칩의 위치를 확인하기 위한 것이기 때문이다. 프로세스 촬영용 카메라(120)의 경우 가공과정의 동영상을 취득해야 하므로 가공영역 전체를 촬영할 수 있도록 인스펙션 카메라(110)에 비하여 상대적으로 낮은 배율을 가지게 된다.
인스펙션 카메라(110)는 취득되는 이미지의 정확성을 확보하기 위하여, 다시말해 취득하는 이미지가 왜곡되지 않도록 하기 위하여, 웨이퍼(w)가 고정되는 워크스테이지(200)에 수직방향으로 배치된다. 인스펙션 카메라(110)가 워크스테이지(200)에 대하여 수직방향으로 배치되지 않을 경우 상이 왜곡되고, 이러한 경우 웨이퍼(w) 정렬에서 오차가 발생할 수 있다. 웨이퍼(w)의 정렬이라 함은 웨이퍼(w)가 가공시작 위치로 정렬되는 것을 의미한다.
인스펙션 카메라(110)는 제어부(미도시)에 연결된다. 제어부는 취득된 이미지로부터 칩(c)의 좌표값을 산출하게 된다. 또한 제어부는 워크스테이지(200)에 연결되어 워크스테이지(200)를 미리 설정된 가공경로를 따라 이송시킨다.
워크스테이지(200)는 평면방향을 기준으로 x축 방향 직선운동, y축 방향 직선운동, z축 방향 회전운동(θ각 조절)이 가능하도록 형성된다. 따라서, 제어부의 명령에 의하여 워크스테이지(200)의 위치가 조절된다.
프로세스 촬영용 카메라(120)는 레이저 가공이 이루어지는 과정의 동영상을 취득한다. 취득된 동영상은 별도의 모니터에 의하여 실시간으로 표시되며, 또한 동영상 파일로 기록된다.
그런데, 하나의 웨이퍼(w)에는 많은 수의 칩(c)들이 배열되어 있고 그 칩(c)들이 가공되는 동영상을 단순히 기록하는 것만으로는 가공되는 칩이 어떠한 칩인지 식별하기기 곤란하다.
따라서, 본 발명은 동영상 파일에 가공되는 칩의 아이디를 인덱스 테그로 기록하는 것을 특징으로 한다.
즉, 하나의 웨이퍼상에 배열된 칩에 각각의 아이디를 부여하고, 그 칩이 가공되는 과정의 동영상에 그 아이디를 인덱스 테그로 표시하는 것이다.
예를 들어 100개의 칩이 가공되고, 각각의 칩의 아이디가 1번부터 100번까지 부여되어 있다고 할 때, 각각의 칩의 가공시간에 해당하는 구간에 인덱스 테그로 아이디를 표시하는 것이다.
보다 상세하게 총 가공시간이 300초인데, 35번 칩에서 불량이 발생한 경우라면(35번 칩의 가공시간은 105초에서 108초 사이라고 가정) 인덱스 테그가 없는 경우 처음부터 동영상을 살펴보며 35번째 가공되는 칩을 검색해야겠지만, 인덱스 테그가 표시되어 있다면 35번 칩이 가공되는 구간의 시간(105초에서 108초 사이)에 인덱스 테테그로 35가 표시되어 있으므로, 인덱스 테그를 검색하여 쉽게 필요한 부분의 동영상을 찾아볼 수 있게 된다.
조명기(130)는 프로세스 촬영용 카메라(120)에 취득되는 동영상에 필요한 조도를 제공하기 위한 것이다. 조명기(130)는 가공부에 가시광을 공급하여 동영상 파일의 화질을 확보하게 해준다.
도 6은 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공 방법을 나타낸 공정순서도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공방법은 (a) 워크스테이지에 로딩된 웨이퍼의 이미지를 인스펙션 카메라로 취득하는 단계(S-61)와, (b) 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼의 위치를 확인하고 워크스테이지를 이송시켜 웨이퍼를 정렬하는 단계(S-62)와, (c) 워크스테이지를 이송하며 웨이퍼에 배열된 칩에 순차적으로 레이저 펄스를 조사하는 레이저 가공단계(S-63);를 포함하며, 상기 (c) 단계(S-63)에서 프로세스 촬영용 카메라를 이용하여 가공과정의 동영상을 취득하는 것을 특징으로 한다.
상기 (b) 단계(S-62)는 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 배열된 칩의 외곽선 위치 정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하는 방식으로 이루어지거나,
이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 형성된 얼라인 마크의 위치정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하여 웨이퍼를 정렬하는 방식으로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 (c) 단계는, 상기 취득된 동영상으로 동영상 파일을 생성하되, 가공되는 칩의 아이디를 동영상 파일에 인덱스 태그로 표시하는 것이 바람직하다.
도 7은 웨이퍼 형성된 칩의 외곽선 이미지를 취득하여 웨이퍼를 정렬하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도면의 좌측(7a)은 인스펙션 카메라에서 취득된 이미지를 나타낸 것이고, 도면의 우측(7b)은 칩의 외곽선 이미지를 기준위치와 정렬하는 과정을 개념적으로 나타낸 것이다. C는 칩의 외곽선 이미지를 좌표화하여 표시한 것이며, S는 칩이 정렬되어야 하는 기준위치를 나타낸 것이다.
인스펙션 카메라에서는 칩의 이미지를 취득하게 되는데, 취득된 이미지에서 칩의 외곽선에 관한 정보를 이미지 프로세싱을 통해서 취득하게 된다. 여기서 취득된 정보는 칩의 외곽선에 해당하는 사각형의 좌표와 각도에 관한 정보가 된다.
이 정보(C)를 칩의 기준위치 정보(S)와 비교하여, 좌표의 차이값(dx, dy)과 각도의 차이값(dθ)을 얻게 된다. 제어부는 취득된 오차 정보(dx, dy, dθ)로부터 그 오차를 보상할 수 있는 양만큼 워크스테이지(도 6의 200)를 이동시키게 된다.
구체적으로 살펴보면, 먼저 C1과 같이 θ각을 보정한 후 x축 방향과 y축 방향의 보정을 수행하는 것이 바람직하다. 먼저 워크스테이지를 dθ 각만큼 회전하여 각도 보정을 수행한다. 후, 각도 보정후 x축 좌표와, y축 좌표의 차이값(dx, dy)를 보정해야 한다. 웨이퍼는 워크스테이지의 회전중심에 관하여 회전하게 되므로, 각도 보정에 의하여 추가적으로 x좌표값과 y좌표값이 변화하기 때문이다.
도시한 바와 같이, dx값과 dy값은 dθ값을 보정한 후 검출하는 것이다.
도 8은 웨이퍼 형성된 얼라인 마크 이미지를 취득하여 웨이퍼를 정렬하는 방식을 설명하기 위한 도면이다. 도면의 좌측(8a)은 인스펙션 카메라에서 취득된 이미지를 나타낸 것이고, 도면의 우측(8b)은 얼라인 마크를 기준위치와 정렬하는 과정을 개념적으로 나타낸 것이다.
도면에서 a는 웨이퍼가 로딩된 상태의 얼라인 마크의 위치를 표시한 것이고, S는 얼라인 마크의 기준위치를 나타낸 것이며, a1은 각도 보정이 된 후의 얼라인 마크의 위치를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼에 얼라인 마크(a)가 표시되어 있을 수 있다. 이러한 경우 인스펙션 카메라는 취득된 이미지로부터 얼라인 마크(a)의 좌표와 각도를 확인하고, 기준위치와 취득된 위치를 확인하여 오차 정보(dx, dy, dθ)를 취득하고 보정하게 된다. 도시한 실시예의 경우 십자형의 얼라인 마크를 사용하였으나, 점으로 표시된 복수개의 얼라인 마크를 사용할 수도 있으며, 그 밖에 다른 형태의 얼라인 마크를 사용할 수도 있다.
얼라인 마크를 사용하는 경우나, 칩의 외곽 형상을 이용하는 경우의 원리는 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 : 레이저 조사장치
110 : 인스펙션 카메라
120 : 프로세스 촬영용 카메라
130 : 조명기
200 : 워크스테이지

Claims (12)

  1. 가공대상물인 웨이퍼를 로딩하여 고정하고 이송시키는 워크스테이지;
    촬상되는 웨이퍼 이미지 형상이 왜곡되지 않도록 상기 워크스테이지에 수직방향으로 배치되는 인스펙션 카메라;
    레이저빔을 방출하는 레이저빔 광원의 일측면에 경사지게 배치되어, 레이저가 조사되는 가공영역의 웨이퍼 가공과정 동영상을 취득하는 프로세스 촬영용 카메라; 및
    상기 레이저 빔 광원 타 측면에 배치되어 상기 가공영역에 가시광을 공급하는 조명기; 를 포함하며,
    상기 프로세스 촬영용 카메라는,
    촬영되는 영상을 모니터를 통해 실시간으로 출력하며, 촬영되는 영상으로 동영상 파일을 생성하되,
    상기 웨이퍼에 배열된 복수개의 칩에 각각 아이디를 부여하고, 상기 프로세스 촬영용 카메라는 동영상 취득시, 동영상 파일에 가공중인 칩의 아이디를 인덱스 태그로 표시하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인스펙션 카메라에서 취득된 이미지를 전달받고, 상기 워크스테이지 제어신호를 발생하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 인스펙션 카메라에서 전달받은 이미지를 처리하여, 미리 설정된 기준값과 비교하고, 그 차이값에 해당하는 제어신호를 발생하여 상기 워크스테이지를 정렬하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 인스펙션 카메라에서 전달받은 이미지에서 상기 웨이퍼에 표시된 얼라인 마크를 식별하여, 상기 얼라인 마크의 좌표 및 각도를 기준값과 비교하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부에서 발생하는 제어신호는 x축 제어신호, y축 제어신호 및 θ각 제어신호인 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 인스펙션 카메라는,
    상기 프로세스 촬영용 카메라보다 높은 배율을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  9. (a) 워크스테이지에 로딩된 웨이퍼의 이미지를 인스펙션 카메라로 취득하는 단계;
    (b) 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼의 위치를 확인하고 워크스테이지를 이송시켜 웨이퍼를 정렬하는 단계; 및
    (c) 워크스테이지를 이송하며 웨이퍼에 배열된 칩에 순차적으로 레이저 펄스를 조사하는 레이저 가공단계;를 포함하며,
    상기 (c) 단계에서 프로세스 촬영용 카메라를 이용하여 가공과정의 동영상을 취득하되,
    상기 (c) 단계는, 상기 취득된 동영상으로 동영상 파일을 생성하되, 가공되는 칩의 아이디를 동영상 파일에 태그로 표시하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 배열된 칩의 외곽선 위치정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하여 웨이퍼를 정렬하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공 방법.
  11. 제 9 항에 있어서
    상기 (b) 단계는 이미지 프로세싱을 통해 웨이퍼에 형성된 얼라인 마크의 위치정보를 취득하여, 기준위치와 비교한 후, 오차값에 해당하는 변위만큼 워크스테이지를 x축 방향, y축 방향, θ각 방향으로 조절하여 웨이퍼를 정렬하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 레이저 가공 방법.
  12. 삭제
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