JP2016518785A - 保持電圧を低減したフリップフロップ - Google Patents
保持電圧を低減したフリップフロップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016518785A JP2016518785A JP2016507576A JP2016507576A JP2016518785A JP 2016518785 A JP2016518785 A JP 2016518785A JP 2016507576 A JP2016507576 A JP 2016507576A JP 2016507576 A JP2016507576 A JP 2016507576A JP 2016518785 A JP2016518785 A JP 2016518785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- flop
- flip
- output
- master stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356008—Bistable circuits ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; storing the actual state when the supply voltage fails
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/3562—Bistable circuits of the master-slave type
- H03K3/35625—Bistable circuits of the master-slave type using complementary field-effect transistors
Abstract
Description
[0001]本出願は、2013年4月12日に出願された米国非仮特許出願第13/862,015号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
以下に、出願当初の特許請求の範囲を付記する。
[C1]
クロック信号におよび制御信号に応答するNOR論理ゲートと、
フリップフロップのマスタ段と、
前記フリップフロップのスレーブ段と、前記スレーブ段は前記マスタ段に応答し、
前記NOR論理ゲートに応答し、前記クロック信号の遅延バージョンを出力するように構成されたインバータと
を備える回路であって、
ここにおいて、前記NOR論理ゲートの出力および前記クロック信号の前記遅延バージョンは、前記フリップフロップの前記マスタ段におよび前記スレーブ段に供給され、
ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、回路。
[C2]
前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、C1に記載の回路。
[C3]
前記マスタ段は前記制御信号に応答し、ここにおいて、前記スレーブ段は前記制御信号から分離されている、C1に記載の回路。
[C4]
前記NOR論理ゲートの前記出力は、マルチプルのフリップフロップ回路に供給されるように構成される、C1に記載の回路。
[C5]
前記スレーブ段がインバータを備え、ここにおいて、前記インバータの入力部は、2つの直列結合されたプルアップトランジスタに結合される、C1に記載の回路。
[C6]
前記インバータの前記入力部は、2つの直列結合されたプルダウントランジスタにさらに結合され、ここにおいて、前記2つの直列結合されたプルアップトランジスタの幅は、前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅よりも大きい、C5に記載の回路。
[C7]
前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの前記幅は、製作ルールによって許容される最小幅にほぼ等しい、C6に記載の回路。
[C8]
前記制御信号はセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をセットモードの間セットするために前記セット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記セットモードの間セットするように構成される、C1に記載の回路。
[C9]
フリップフロップのマスタ段と、
前記フリップフロップのスレーブ段と、前記フリップフロップは前記マスタ段に応答し、
を備える回路であって、
ここにおいて、前記フリップフロップは単一の電力ドメインにあり、ここにおいて、前記マスタ段は、保持動作モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の入力部に供給するように構成される、回路。
[C10]
前記マスタ段は、前記マスタ段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、C9に記載の回路。
[C11]
前記ハイインピーダンス出力は、前記マスタ段のトリ−ステート要素を介して生成され、ここにおいて、前記トリ−ステート要素は、保持動作モード制御信号に応答する、C10に記載の回路。
[C12]
前記フリップフロップは、通常動作モードの間、前記単一の電力ドメインの供給電圧によって電力を供給され、ここにおいて、前記供給電圧は、前記保持動作モードの間、前記単一の電力ドメインの保持電圧まで下げられる、C10に記載の回路。
[C13]
前記フリップフロップは、わずか2つのトランスミッションゲートしか備えない、C10に記載の回路。
[C14]
クロック信号の選択的にゲート制御された反転バージョンをNOR論理ゲートの出力部で生成するために、前記NOR論理ゲートの第1の入力部のクロック信号を、前記NOR論理ゲートの第2の入力部の制御信号で選択的にゲート制御することと、
前記クロック信号の選択的にゲート制御されたバージョンを生成することと、
前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンおよび前記クロック信号の前記選択的にゲート制御されたバージョンを、フリップフロップのマスタ段におよび前記フリップフロップのスレーブ段に供給することと、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、
を備える方法。
[C15]
前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、C14に記載の方法。
[C16]
前記スレーブ段は、前記リセット信号から分離されている、C15に記載の方法。
[C17]
前記NOR論理ゲートの前記出力は、マルチプルのフリップフロップ回路に供給されるように構成される、C14に記載の方法。
[C18]
前記スレーブ段は、インバータを備え、ここにおいて、前記インバータの入力部は、2つの直列結合されたプルアップトランジスタに結合される、C14に記載の方法。
[C19]
前記インバータは、前記スレーブ段の出力を生成するように構成される、C18に記載の方法。
[C20]
前記インバータは、2つの直列結合されたプルダウントランジスタにさらに結合され、前記2つの直列結合されたプルアップトランジスタの幅は、前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅よりも大きい、C18に記載の方法。
[C21]
前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅は、製作ルールによって許容される最小幅にほぼ等しい、C20に記載の方法。
[C22]
前記スレーブ段で、前記マスタ段の出力を受信することと、
前記マスタ段の前記出力に応答し、およびリセット信号に応答して、前記スレーブ段の前記出力を、NAND論理ゲートを介して、選択的にリセットすることと
をさらに含む、C14に記載の方法。
[C23]
前記NAND論理ゲートは、動作モードの間インバータとして機能するように、およびリセットモードの間リセット機能を実行するように構成される、C22に記載の方法。
[C24]
前記制御信号はセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をセットモードの間セットするために前記セット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記セットモードの間セットするように構成される、C14に記載の方法。
[C25]
動作モードの間、フリップフロップのマスタ段の出力を前記フリップフロップのスレーブ段の入力部に供給することと、ここにおいて、前記フリップフロップが単一の電力ドメインであり、
保持モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の前記入力部に供給することと
を備える方法。
[C26]
前記マスタ段は、前記マスタ段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、C25に記載の方法。
[C27]
前記ハイインピーダンス出力は、前記マスタ段のトリ−ステート要素を介して生成され、前記トリ−ステート要素は、保持動作モード制御信号に応答する、C25に記載の方法。
[C28]
前記フリップフロップは、通常動作モードの間、前記単一の電力ドメインの供給電圧によって電力を供給されるように構成され、ここにおいて、前記供給電圧は、前記保持動作モードの間、保持電圧まで下げられる、C25に記載の方法。
[C29]
前記フリップフロップは、わずか2つのトランスミッションゲートしか備えない、C25に記載の方法。
[C30]
クロック信号および制御信号に応答して論理演算を実行するための手段と、
データを記憶するための第1の手段と、
前記データを記憶するための第1の手段に応答してデータを記憶するための第2の手段と、
前記論理演算を実行するための手段に応答して反転させるための手段と、ここにおいて、前記反転させるための手段は、前記クロック信号の遅延バージョンを出力するように構成される、
を備える回路であって、
ここにおいて、前記論理演算を実行するための手段の出力および前記クロック信号の前記遅延バージョンは、前記データを記憶するための第1の手段におよび前記データを記憶するための第2の手段に供給され、
ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第2の手段を制御するために前記制御信号に応答する、回路。
[C31]
前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第1の手段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第2の手段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、C30に記載の回路。
[C32]
データを記憶するための第1の手段と、
前記データを記憶するための第1の手段に応答してデータを記憶するための第2の手段と
を備える回路であって、
ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段および前記データを記憶するための第2の手段は、単一の電力ドメインにあり、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、保持動作モードの間、前記データを記憶するための第2の手段の入力部に高インピーダンス出力を供給するように構成される、回路。
[C33]
前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第1の手段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、C32に記載の回路。
[C34]
クロック信号の選択的にゲート制御された反転バージョンをNOR論理ゲートの出力部で生成するために、前記NOR論理ゲートの第1の入力部のクロック信号を、前記NOR論理ゲートの第2の入力部の制御信号で選択的にゲート制御することと、
前記クロック信号の選択的にゲート制御されたバージョンを前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンからインバータを介して生成することと、
前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンおよび前記クロック信号の前記選択的にゲート制御されたバージョンを、フリップフロップのマスタ段におよび前記フリップフロップのスレーブ段に供給することと、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、
を備える動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
[C35]
通常モードの間、フリップフロップのマスタ段の出力を前記フリップフロップのスレーブ段の入力部に供給することと、ここにおいて、前記フリップフロップが単一の電力ドメインであり、
保持動作モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の前記入力部に供給することと
を備える動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
Claims (35)
- クロック信号におよび制御信号に応答するNOR論理ゲートと、
フリップフロップのマスタ段と、
前記フリップフロップのスレーブ段と、前記スレーブ段は前記マスタ段に応答し、
前記NOR論理ゲートに応答し、前記クロック信号の遅延バージョンを出力するように構成されたインバータと
を備える回路であって、
ここにおいて、前記NOR論理ゲートの出力および前記クロック信号の前記遅延バージョンは、前記フリップフロップの前記マスタ段におよび前記スレーブ段に供給され、
ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、回路。 - 前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、請求項1に記載の回路。
- 前記マスタ段は前記制御信号に応答し、ここにおいて、前記スレーブ段は前記制御信号から分離されている、請求項1に記載の回路。
- 前記NOR論理ゲートの前記出力は、マルチプルのフリップフロップ回路に供給されるように構成される、請求項1に記載の回路。
- 前記スレーブ段がインバータを備え、ここにおいて、前記インバータの入力部は、2つの直列結合されたプルアップトランジスタに結合される、請求項1に記載の回路。
- 前記インバータの前記入力部は、2つの直列結合されたプルダウントランジスタにさらに結合され、ここにおいて、前記2つの直列結合されたプルアップトランジスタの幅は、前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅よりも大きい、請求項5に記載の回路。
- 前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの前記幅は、製作ルールによって許容される最小幅にほぼ等しい、請求項6に記載の回路。
- 前記制御信号はセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をセットモードの間セットするために前記セット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記セットモードの間セットするように構成される、請求項1に記載の回路。
- フリップフロップのマスタ段と、
前記フリップフロップのスレーブ段と、前記フリップフロップは前記マスタ段に応答し、
を備える回路であって、
ここにおいて、前記フリップフロップは単一の電力ドメインにあり、ここにおいて、前記マスタ段は、保持動作モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の入力部に供給するように構成される、回路。 - 前記マスタ段は、前記マスタ段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、請求項9に記載の回路。
- 前記ハイインピーダンス出力は、前記マスタ段のトリ−ステート要素を介して生成され、ここにおいて、前記トリ−ステート要素は、保持動作モード制御信号に応答する、請求項10に記載の回路。
- 前記フリップフロップは、通常動作モードの間、前記単一の電力ドメインの供給電圧によって電力を供給され、ここにおいて、前記供給電圧は、前記保持動作モードの間、前記単一の電力ドメインの保持電圧まで下げられる、請求項10に記載の回路。
- 前記フリップフロップは、わずか2つのトランスミッションゲートしか備えない、請求項10に記載の回路。
- クロック信号の選択的にゲート制御された反転バージョンをNOR論理ゲートの出力部で生成するために、前記NOR論理ゲートの第1の入力部のクロック信号を、前記NOR論理ゲートの第2の入力部の制御信号で選択的にゲート制御することと、
前記クロック信号の選択的にゲート制御されたバージョンを生成することと、
前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンおよび前記クロック信号の前記選択的にゲート制御されたバージョンを、フリップフロップのマスタ段におよび前記フリップフロップのスレーブ段に供給することと、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、
を備える方法。 - 前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、請求項14に記載の方法。
- 前記スレーブ段は、前記リセット信号から分離されている、請求項15に記載の方法。
- 前記NOR論理ゲートの前記出力は、マルチプルのフリップフロップ回路に供給されるように構成される、請求項14に記載の方法。
- 前記スレーブ段は、インバータを備え、ここにおいて、前記インバータの入力部は、2つの直列結合されたプルアップトランジスタに結合される、請求項14に記載の方法。
- 前記インバータは、前記スレーブ段の出力を生成するように構成される、請求項18に記載の方法。
- 前記インバータは、2つの直列結合されたプルダウントランジスタにさらに結合され、前記2つの直列結合されたプルアップトランジスタの幅は、前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅よりも大きい、請求項18に記載の方法。
- 前記2つの直列結合されたプルダウントランジスタの幅は、製作ルールによって許容される最小幅にほぼ等しい、請求項20に記載の方法。
- 前記スレーブ段で、前記マスタ段の出力を受信することと、
前記マスタ段の前記出力に応答し、およびリセット信号に応答して、前記スレーブ段の前記出力を、NAND論理ゲートを介して、選択的にリセットすることと
をさらに含む、請求項14に記載の方法。 - 前記NAND論理ゲートは、動作モードの間インバータとして機能するように、およびリセットモードの間リセット機能を実行するように構成される、請求項22に記載の方法。
- 前記制御信号はセット信号を含み、ここにおいて、前記マスタ段は、前記マスタ段をセットモードの間セットするために前記セット信号に応答し、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を前記セットモードの間セットするように構成される、請求項14に記載の方法。
- 動作モードの間、フリップフロップのマスタ段の出力を前記フリップフロップのスレーブ段の入力部に供給することと、ここにおいて、前記フリップフロップが単一の電力ドメインであり、
保持モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の前記入力部に供給することと
を備える方法。 - 前記マスタ段は、前記マスタ段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、請求項25に記載の方法。
- 前記ハイインピーダンス出力は、前記マスタ段のトリ−ステート要素を介して生成され、前記トリ−ステート要素は、保持動作モード制御信号に応答する、請求項25に記載の方法。
- 前記フリップフロップは、通常動作モードの間、前記単一の電力ドメインの供給電圧によって電力を供給されるように構成され、ここにおいて、前記供給電圧は、前記保持動作モードの間、保持電圧まで下げられる、請求項25に記載の方法。
- 前記フリップフロップは、わずか2つのトランスミッションゲートしか備えない、請求項25に記載の方法。
- クロック信号および制御信号に応答して論理演算を実行するための手段と、
データを記憶するための第1の手段と、
前記データを記憶するための第1の手段に応答してデータを記憶するための第2の手段と、
前記論理演算を実行するための手段に応答して反転させるための手段と、ここにおいて、前記反転させるための手段は、前記クロック信号の遅延バージョンを出力するように構成される、
を備える回路であって、
ここにおいて、前記論理演算を実行するための手段の出力および前記クロック信号の前記遅延バージョンは、前記データを記憶するための第1の手段におよび前記データを記憶するための第2の手段に供給され、
ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第2の手段を制御するために前記制御信号に応答する、回路。 - 前記制御信号はリセット信号を含み、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第1の手段をリセットモードの間リセットするために前記リセット信号に応答し、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第2の手段を前記リセットモードの間リセットするように構成される、請求項30に記載の回路。
- データを記憶するための第1の手段と、
前記データを記憶するための第1の手段に応答してデータを記憶するための第2の手段と
を備える回路であって、
ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段および前記データを記憶するための第2の手段は、単一の電力ドメインにあり、ここにおいて、前記データを記憶するための第1の手段は、保持動作モードの間、前記データを記憶するための第2の手段の入力部に高インピーダンス出力を供給するように構成される、回路。 - 前記データを記憶するための第1の手段は、前記データを記憶するための第1の手段の状態ノードを電源からおよび接地から電気的に分離することによって、前記ハイインピーダンス出力を供給するように構成される、請求項32に記載の回路。
- クロック信号の選択的にゲート制御された反転バージョンをNOR論理ゲートの出力部で生成するために、前記NOR論理ゲートの第1の入力部のクロック信号を、前記NOR論理ゲートの第2の入力部の制御信号で選択的にゲート制御することと、
前記クロック信号の選択的にゲート制御されたバージョンを前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンからインバータを介して生成することと、
前記クロック信号の前記選択的にゲート制御された反転バージョンおよび前記クロック信号の前記選択的にゲート制御されたバージョンを、フリップフロップのマスタ段におよび前記フリップフロップのスレーブ段に供給することと、ここにおいて、前記マスタ段は、前記スレーブ段を制御するために前記制御信号に応答する、
を備える動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。 - 通常モードの間、フリップフロップのマスタ段の出力を前記フリップフロップのスレーブ段の入力部に供給することと、ここにおいて、前記フリップフロップが単一の電力ドメインであり、
保持動作モードの間、ハイインピーダンス出力を前記スレーブ段の前記入力部に供給することと
を備える動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/862,015 | 2013-04-12 | ||
US13/862,015 US9673786B2 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | Flip-flop with reduced retention voltage |
PCT/US2014/033051 WO2014168838A2 (en) | 2013-04-12 | 2014-04-04 | A flip-flop with reduced retention voltage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016518785A true JP2016518785A (ja) | 2016-06-23 |
JP2016518785A5 JP2016518785A5 (ja) | 2017-08-31 |
Family
ID=50631117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507576A Pending JP2016518785A (ja) | 2013-04-12 | 2014-04-04 | 保持電圧を低減したフリップフロップ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9673786B2 (ja) |
EP (1) | EP2984756A2 (ja) |
JP (1) | JP2016518785A (ja) |
KR (1) | KR20150143603A (ja) |
CN (1) | CN105122646B (ja) |
WO (1) | WO2014168838A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017516397A (ja) * | 2014-05-02 | 2017-06-15 | クアルコム,インコーポレイテッド | 分散型ワイヤレスローカルエリアネットワークドライバモデルを使用してワイヤレス通信を管理するための技法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9270257B2 (en) * | 2013-08-13 | 2016-02-23 | Texas Instruments Incorporated | Dual-port positive level sensitive reset data retention latch |
KR102280526B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2021-07-21 | 삼성전자주식회사 | 저전력 작은-면적 고속 마스터-슬레이브 플립-플롭 회로와, 이를 포함하는 장치들 |
US9641160B2 (en) * | 2015-03-02 | 2017-05-02 | Intel Corporation | Common N-well state retention flip-flop |
KR102216807B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2021-02-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 회로 |
WO2017147895A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Qualcomm Incorporated | Low-area low clock-power flip-flop |
US10394471B2 (en) | 2016-08-24 | 2019-08-27 | Qualcomm Incorporated | Adaptive power regulation methods and systems |
US9990984B1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-05 | Qualcomm Incorporated | Pulse-stretcher clock generator circuit for high speed memory subsystems |
US10262723B2 (en) | 2017-05-25 | 2019-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for improving scan hold-time violation and low voltage operation in sequential circuit |
US11152347B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-10-19 | Qualcomm Incorporated | Cell circuits formed in circuit cells employing offset gate cut areas in a non-active area for routing transistor gate cross-connections |
CN112385145A (zh) * | 2019-06-04 | 2021-02-19 | 小龙知识产权控股有限责任公司 | 低功率触发器电路 |
US11171659B1 (en) * | 2021-01-05 | 2021-11-09 | Micron Technology, Inc. | Techniques for reliable clock speed change and associated circuits and methods |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711526A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Nec Corp | Latch circuit |
JPS6179318A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Fujitsu Ltd | フリツプフロツプ回路 |
JPS61144121A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Nec Corp | 分周回路 |
JPS6318814A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Nec Corp | フリツプフロツプ回路 |
JPH06104701A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | フリップフロップ回路 |
JPH06140885A (ja) * | 1992-10-24 | 1994-05-20 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JPH1188140A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nec Corp | 低消費電力半導体集積回路 |
JP2002185309A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | データ保持回路および半導体装置並びに半導体装置の設計方法 |
JP2005167184A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
US20090058484A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Slave latch controlled retention flop with lower leakage and higher performance |
JP2010226083A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2012257209A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58210715A (ja) | 1982-05-31 | 1983-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | フリツプフロツプ回路 |
US4807266A (en) * | 1987-09-28 | 1989-02-21 | Compaq Computer Corporation | Circuit and method for performing equal duty cycle odd value clock division and clock synchronization |
US5015875A (en) | 1989-12-01 | 1991-05-14 | Motorola, Inc. | Toggle-free scan flip-flop |
US5719878A (en) * | 1995-12-04 | 1998-02-17 | Motorola Inc. | Scannable storage cell and method of operation |
US6573775B2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-06-03 | Integrated Device Technology, Inc. | Integrated circuit flip-flops that utilize master and slave latched sense amplifiers |
US6794914B2 (en) * | 2002-05-24 | 2004-09-21 | Qualcomm Incorporated | Non-volatile multi-threshold CMOS latch with leakage control |
KR101045295B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | Mtcmos 플립-플롭, 그를 포함하는 mtcmos회로, 및 그 생성 방법 |
US7138842B2 (en) * | 2005-04-01 | 2006-11-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flip-flop circuit having low power data retention |
US7123068B1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flip-flop circuit having low power data retention |
JP2006339948A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | パルスラッチ回路及び半導体集積回路 |
US7375567B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-05-20 | Texas Instruments Incorporated | Digital storage element architecture comprising dual scan clocks and preset functionality |
US20070085585A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Arm Limited | Data retention in operational and sleep modes |
US7868677B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-01-11 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Low power flip-flop circuit |
US7768331B1 (en) | 2007-01-30 | 2010-08-03 | Marvell International Ltd. | State-retentive master-slave flip flop to reduce standby leakage current |
JP2008219491A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nec Electronics Corp | マスタスレーブ型フリップフロップ回路およびラッチ回路 |
US7804669B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-09-28 | Qualcomm Incorporated | Stacked ESD protection circuit having reduced trigger voltage |
US7583121B2 (en) * | 2007-08-30 | 2009-09-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flip-flop having logic state retention during a power down mode and method therefor |
US8427214B2 (en) | 2010-06-03 | 2013-04-23 | Arm Limited | Clock state independent retention master-slave flip-flop |
-
2013
- 2013-04-12 US US13/862,015 patent/US9673786B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-04 EP EP14721175.9A patent/EP2984756A2/en not_active Withdrawn
- 2014-04-04 WO PCT/US2014/033051 patent/WO2014168838A2/en active Application Filing
- 2014-04-04 JP JP2016507576A patent/JP2016518785A/ja active Pending
- 2014-04-04 CN CN201480020737.8A patent/CN105122646B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-04 KR KR1020157031990A patent/KR20150143603A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711526A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Nec Corp | Latch circuit |
JPS6179318A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Fujitsu Ltd | フリツプフロツプ回路 |
JPS61144121A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Nec Corp | 分周回路 |
JPS6318814A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Nec Corp | フリツプフロツプ回路 |
JPH06104701A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | フリップフロップ回路 |
JPH06140885A (ja) * | 1992-10-24 | 1994-05-20 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JPH1188140A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nec Corp | 低消費電力半導体集積回路 |
JP2002185309A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | データ保持回路および半導体装置並びに半導体装置の設計方法 |
JP2005167184A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
US20090058484A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Slave latch controlled retention flop with lower leakage and higher performance |
JP2010226083A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2012257209A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
湯山俊夫著, 「ディジタルIC回路の設計」, vol. 第2版, JPN6009010660, 10 January 1987 (1987-01-10), JP, pages 41 - 47, ISSN: 0003756421 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017516397A (ja) * | 2014-05-02 | 2017-06-15 | クアルコム,インコーポレイテッド | 分散型ワイヤレスローカルエリアネットワークドライバモデルを使用してワイヤレス通信を管理するための技法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014168838A2 (en) | 2014-10-16 |
CN105122646B (zh) | 2018-09-07 |
CN105122646A (zh) | 2015-12-02 |
US9673786B2 (en) | 2017-06-06 |
US20140306735A1 (en) | 2014-10-16 |
EP2984756A2 (en) | 2016-02-17 |
KR20150143603A (ko) | 2015-12-23 |
WO2014168838A3 (en) | 2014-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016518785A (ja) | 保持電圧を低減したフリップフロップ | |
US9336864B2 (en) | Silicon germanium read port for a static random access memory register file | |
US7902878B2 (en) | Clock gating system and method | |
US9785601B2 (en) | System and method for reducing cross coupling effects | |
KR101802882B1 (ko) | 저항성 메모리를 사용하는 기억을 갖는 메모리 셀 | |
JP6096991B2 (ja) | 感知遅延が低減され感知マージンが改善されたsramリードバッファ | |
US8760208B2 (en) | Latch with a feedback circuit | |
US10133285B2 (en) | Voltage droop control | |
US8928354B2 (en) | Clock-delayed domino logic circuit and devices including the same | |
JP2015149706A (ja) | 半導体回路及びその動作方法 | |
JP2016510201A (ja) | 信号比較電圧範囲を拡大するための回路および方法 | |
KR101773307B1 (ko) | 쿼드러처 분할기 | |
US10291211B2 (en) | Adaptive pulse generation circuits for clocking pulse latches with minimum hold time | |
KR20200077398A (ko) | 도미노 인에이블 선택을 구비한 저 전력 통합 클럭 게이팅 셀 | |
Razmdideh et al. | Two novel low power and very high speed pulse triggered flip‐flops | |
CN103617036B (zh) | 一种显示插件的方法、装置及终端设备 | |
US9276575B2 (en) | Low leakage state retention synchronizer | |
US10762953B2 (en) | Memory array with reduced circuitry | |
TW201519550A (zh) | 電源整合裝置及其電源控制方法 | |
US10109345B2 (en) | Write assist for memories with resistive bit lines | |
Kumar et al. | Analysis of Higher Stable 9T SRAM Cell for Ultra Low Power Devices | |
Manisha et al. | Design and Analysis of Modified Sense Amplifier-Based 6/3T SRAM Using CMOS 45 nm Technology | |
KR20190031824A (ko) | 메모리 장치 및 판독 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170306 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170724 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170724 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190305 |