JP2016509332A5 - - Google Patents
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Description
様々な例示的な実施形態が、上述されている。これら及び他の実施形態は以下の「特許請求の範囲」に含まれる。
本発明の実施態様の一部を以下の項目[1]−[44]に記載する。
[項目1]
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上にレジストマトリックス材料でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、レジストマトリックス材料の1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させる工程と、
前記パターンを可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程と、
前記可剥性高分子層を固化又は硬化させる工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第1の領域において前記露出した導電性層を前記基板から除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
[項目2]
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
前記パターンを前記可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程は、前記1つ以上の第1の領域及び前記1つ以上の第2の領域を可剥性高分子層形成液体でオーバーコーティングすることを含む、項目1又は2に記載の方法。
[項目4]
前記可剥性高分子層形成液体は、前記1つ以上の第1の領域において前記露出した導電性層の50%〜99%と接触する、項目3に記載の方法。
[項目5]
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液、単量体、単量体溶液、及び高分子溶融体からなる群から選択される、項目3又は4に記載の方法。
[項目6]
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液を含み、オーバーコーティングする工程は、スロットコーティング、ロールコーティング、フラッドコーティング、ノッチバーコーティング、又は吹付けを含む、項目5に記載の方法。
[項目7]
前記可剥性高分子層形成液体は、10〜2,500cps(0.01〜2.5Pa・s)の粘度を有する、項目3〜6のいずれか一項に記載の方法。
[項目8]
前記可剥性高分子層形成液体は、PVAを含む、項目3〜7のいずれか一項に記載の方法。
[項目9]
前記可剥性高分子層形成液体は高分子溶融体を含み、オーバーコーティングする工程は熱圧縮積層を含む、項目5に記載の方法。
[項目10]
前記可剥性高分子層形成液体は、10,000〜100,000,000cps(10Pa・s〜100kPa・s)の粘度を有する、項目9に記載の方法。
[項目11]
前記可剥性高分子層形成液体は、降伏応力を有する、項目3に記載の方法。
[項目12]
前記可剥性高分子層形成液体は、100Pa未満の降伏応力を有する、項目3に記載の方法。
[項目13]
前記可剥性高分子層形成液体は、パターンをなして前記第1及び第2の領域の上に堆積される、項目3に記載の方法。
[項目14]
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、又はスクリーン印刷を用いて堆積される、項目13に記載の方法。
[項目15]
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、前記第1及び第2の領域の50%〜99%を被覆する、項目14に記載の方法。
[項目16]
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性材料を含有する、項目1に記載の方法。
[項目17]
前記可剥性高分子層は、2μm〜100μm厚である、項目1に記載の方法。
[項目18]
前記可剥性高分子層を除去した後、高透明性の被覆層を前記パターン化されたレジストマトリックス材料の上に適用する工程を含む、項目1に記載の方法。
[項目19]
前記レジストマトリックス材料は、50ナノメートル〜50マイクロメートルの厚さを有する、項目1に記載の方法。
[項目20]
前記レジストマトリックス材料は、1.40〜1.70の屈折率を有する、項目1に記載の方法。
[項目21]
リード形成導電性層を前記パターン化された導電性層の少なくとも一部分の上にコーティングする工程を更に含む、項目1〜20のいずれか一項に記載の方法。
[項目22]
前記リード形成導電性層をコーティングする前記工程は、前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がした後に行われる、項目21に記載の方法。
[項目23]
前記レジストマトリックス材料の前記パターンは相互接続パッドを含み、前記リード形成導電性層は、前記リード形成導電性層が前記パターン化された導電性層の露出した周囲に沿って前記パターン化された導電性層と接触した状態で、前記相互接続パッドの上にコーティングされる、項目21に記載の方法。
[項目24]
前記相互接続パッドは、前記露出した周囲の長さを増加させるようにパターン化される、項目23に記載の方法。
[項目25]
空所又は波形外縁部の少なくとも一方が、前記露出した周囲の長さを増加させるために使用される、項目24に記載の方法。
[項目26]
前記リード形成導電性層は、銀粒子を含んだインキである、項目21に記載の方法。
[項目27]
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上に可剥性高分子液体形成層でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、前記可剥性高分子液体形成層で被覆された1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記可剥性高分子液体形成層を固化又は硬化させて可剥性高分子層にする工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第2の領域において前記導電性層の一部分を除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
[項目28]
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目27に記載の方法。
[項目29]
前記可剥性高分子層を引き剥がす工程は、前記可剥性高分子層をライナーの感圧性接着剤表面と接触させ、次いで前記ライナーを前記基板から除去することを含む、項目27に記載の方法。
[項目30]
パターン化された透明導電体を有するタッチスクリーンの構成要素であって、
透明基板と、
前記基板の主表面上のパターン化された導電性層と、
前記パターン化された導電性層に付着されたパターン化されたレジストマトリックス材料層であって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料が波状頂面を有する、パターン化されたレジストマトリックス材料層と、
前記波状頂面及び前記透明基板の前記主表面の上に適用された高透明性接着剤層と、を備える、構成要素。
[項目31]
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性のワニスである、項目30に記載の構成要素。
[項目32]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、50ナノメートル〜50マイクロメートルの厚さを有する、項目30又は31に記載の構成要素。
[項目33]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、1.40〜1.70の屈折率を有する、項目30〜32のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目34]
前記パターン化された導電性層は、複数の導電性回路トレースから構成され、前記導電性回路トレースの少なくとも第1の部分は、前記導電性回路トレースの少なくとも第2の部分から電気的に絶縁されている、項目30〜33のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目35]
前記複数の導電性回路トレースは、複数の金属ナノワイヤから構成される、項目34に記載の構成要素。
[項目36]
前記複数の導電性回路トレースは、配列パターン又は格子パターンをなして配置されている、項目34又は35に記載の構成要素。
[項目37]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、少なくとも1マイクロメートルかつ10,000マイクロメートル以下の間隙をおいて、隣接する導電性回路トレースから分離されている、項目34〜36のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目38]
前記間隙は、少なくとも30マイクロメートルかつ300マイクロメートル以下である、項目37に記載の構成要素。
[項目39]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、1マイクロメートル〜1,000マイクロメートルの幅を有する、項目34〜38のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目40]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、10マイクロメートル〜100マイクロメートルの幅を有する、項目39に記載の構成要素。
[項目41]
前記パターン化された導電性層上の前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、複数の半球状隆起部から構成され、個々の半球状隆起部はそれぞれ、前記複数の導電性回路トレースから選択された、単一の対応する導電性回路トレースを実質的に被覆し、それによって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料の前記波状頂面を形成する、項目34〜40のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目42]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料層は、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間の粘着力によって前記パターン化された導電性層に付着され、任意選択により、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層の屈折率に対して0.05以下の屈折率差を示す高透明性接着剤が、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間に配置される、項目30〜41のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目43]
項目30〜42のいずれか一項に記載の構成要素を組み込んだ、タッチスクリーン装置。
[項目44]
携帯電話、電子ブック、タブレットコンピュータ、コンピュータディスプレイ、又はテレビディスプレイからなる群から選択される、項目43に記載のタッチスクリーン装置。
本発明の実施態様の一部を以下の項目[1]−[44]に記載する。
[項目1]
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上にレジストマトリックス材料でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、レジストマトリックス材料の1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させる工程と、
前記パターンを可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程と、
前記可剥性高分子層を固化又は硬化させる工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第1の領域において前記露出した導電性層を前記基板から除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
[項目2]
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
前記パターンを前記可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程は、前記1つ以上の第1の領域及び前記1つ以上の第2の領域を可剥性高分子層形成液体でオーバーコーティングすることを含む、項目1又は2に記載の方法。
[項目4]
前記可剥性高分子層形成液体は、前記1つ以上の第1の領域において前記露出した導電性層の50%〜99%と接触する、項目3に記載の方法。
[項目5]
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液、単量体、単量体溶液、及び高分子溶融体からなる群から選択される、項目3又は4に記載の方法。
[項目6]
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液を含み、オーバーコーティングする工程は、スロットコーティング、ロールコーティング、フラッドコーティング、ノッチバーコーティング、又は吹付けを含む、項目5に記載の方法。
[項目7]
前記可剥性高分子層形成液体は、10〜2,500cps(0.01〜2.5Pa・s)の粘度を有する、項目3〜6のいずれか一項に記載の方法。
[項目8]
前記可剥性高分子層形成液体は、PVAを含む、項目3〜7のいずれか一項に記載の方法。
[項目9]
前記可剥性高分子層形成液体は高分子溶融体を含み、オーバーコーティングする工程は熱圧縮積層を含む、項目5に記載の方法。
[項目10]
前記可剥性高分子層形成液体は、10,000〜100,000,000cps(10Pa・s〜100kPa・s)の粘度を有する、項目9に記載の方法。
[項目11]
前記可剥性高分子層形成液体は、降伏応力を有する、項目3に記載の方法。
[項目12]
前記可剥性高分子層形成液体は、100Pa未満の降伏応力を有する、項目3に記載の方法。
[項目13]
前記可剥性高分子層形成液体は、パターンをなして前記第1及び第2の領域の上に堆積される、項目3に記載の方法。
[項目14]
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、又はスクリーン印刷を用いて堆積される、項目13に記載の方法。
[項目15]
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、前記第1及び第2の領域の50%〜99%を被覆する、項目14に記載の方法。
[項目16]
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性材料を含有する、項目1に記載の方法。
[項目17]
前記可剥性高分子層は、2μm〜100μm厚である、項目1に記載の方法。
[項目18]
前記可剥性高分子層を除去した後、高透明性の被覆層を前記パターン化されたレジストマトリックス材料の上に適用する工程を含む、項目1に記載の方法。
[項目19]
前記レジストマトリックス材料は、50ナノメートル〜50マイクロメートルの厚さを有する、項目1に記載の方法。
[項目20]
前記レジストマトリックス材料は、1.40〜1.70の屈折率を有する、項目1に記載の方法。
[項目21]
リード形成導電性層を前記パターン化された導電性層の少なくとも一部分の上にコーティングする工程を更に含む、項目1〜20のいずれか一項に記載の方法。
[項目22]
前記リード形成導電性層をコーティングする前記工程は、前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がした後に行われる、項目21に記載の方法。
[項目23]
前記レジストマトリックス材料の前記パターンは相互接続パッドを含み、前記リード形成導電性層は、前記リード形成導電性層が前記パターン化された導電性層の露出した周囲に沿って前記パターン化された導電性層と接触した状態で、前記相互接続パッドの上にコーティングされる、項目21に記載の方法。
[項目24]
前記相互接続パッドは、前記露出した周囲の長さを増加させるようにパターン化される、項目23に記載の方法。
[項目25]
空所又は波形外縁部の少なくとも一方が、前記露出した周囲の長さを増加させるために使用される、項目24に記載の方法。
[項目26]
前記リード形成導電性層は、銀粒子を含んだインキである、項目21に記載の方法。
[項目27]
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上に可剥性高分子液体形成層でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、前記可剥性高分子液体形成層で被覆された1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記可剥性高分子液体形成層を固化又は硬化させて可剥性高分子層にする工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第2の領域において前記導電性層の一部分を除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
[項目28]
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目27に記載の方法。
[項目29]
前記可剥性高分子層を引き剥がす工程は、前記可剥性高分子層をライナーの感圧性接着剤表面と接触させ、次いで前記ライナーを前記基板から除去することを含む、項目27に記載の方法。
[項目30]
パターン化された透明導電体を有するタッチスクリーンの構成要素であって、
透明基板と、
前記基板の主表面上のパターン化された導電性層と、
前記パターン化された導電性層に付着されたパターン化されたレジストマトリックス材料層であって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料が波状頂面を有する、パターン化されたレジストマトリックス材料層と、
前記波状頂面及び前記透明基板の前記主表面の上に適用された高透明性接着剤層と、を備える、構成要素。
[項目31]
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性のワニスである、項目30に記載の構成要素。
[項目32]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、50ナノメートル〜50マイクロメートルの厚さを有する、項目30又は31に記載の構成要素。
[項目33]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、1.40〜1.70の屈折率を有する、項目30〜32のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目34]
前記パターン化された導電性層は、複数の導電性回路トレースから構成され、前記導電性回路トレースの少なくとも第1の部分は、前記導電性回路トレースの少なくとも第2の部分から電気的に絶縁されている、項目30〜33のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目35]
前記複数の導電性回路トレースは、複数の金属ナノワイヤから構成される、項目34に記載の構成要素。
[項目36]
前記複数の導電性回路トレースは、配列パターン又は格子パターンをなして配置されている、項目34又は35に記載の構成要素。
[項目37]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、少なくとも1マイクロメートルかつ10,000マイクロメートル以下の間隙をおいて、隣接する導電性回路トレースから分離されている、項目34〜36のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目38]
前記間隙は、少なくとも30マイクロメートルかつ300マイクロメートル以下である、項目37に記載の構成要素。
[項目39]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、1マイクロメートル〜1,000マイクロメートルの幅を有する、項目34〜38のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目40]
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、10マイクロメートル〜100マイクロメートルの幅を有する、項目39に記載の構成要素。
[項目41]
前記パターン化された導電性層上の前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、複数の半球状隆起部から構成され、個々の半球状隆起部はそれぞれ、前記複数の導電性回路トレースから選択された、単一の対応する導電性回路トレースを実質的に被覆し、それによって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料の前記波状頂面を形成する、項目34〜40のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目42]
前記パターン化されたレジストマトリックス材料層は、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間の粘着力によって前記パターン化された導電性層に付着され、任意選択により、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層の屈折率に対して0.05以下の屈折率差を示す高透明性接着剤が、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間に配置される、項目30〜41のいずれか一項に記載の構成要素。
[項目43]
項目30〜42のいずれか一項に記載の構成要素を組み込んだ、タッチスクリーン装置。
[項目44]
携帯電話、電子ブック、タブレットコンピュータ、コンピュータディスプレイ、又はテレビディスプレイからなる群から選択される、項目43に記載のタッチスクリーン装置。
Claims (10)
- 基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程であって、任意に、前記導電性層は、ナノワイヤを含む、工程と、
前記導電性層上にレジストマトリックス材料でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、レジストマトリックス材料の1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させる工程と、
前記パターンを可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程と、
前記可剥性高分子層を固化又は硬化させる工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第1の領域において前記露出した導電性層を前記基板から除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。 - 前記パターンを前記可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程は、前記1つ以上の第1の領域及び前記1つ以上の第2の領域を可剥性高分子層形成液体でオーバーコーティングすることを含み、前記可剥性高分子層形成液体は、降伏応力を示す、請求項1に記載の方法。
- 前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液、単量体、単量体溶液、及び高分子溶融体からなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記可剥性高分子層形成液体は、10〜2,500cps(0.01〜2.5Pa・s)の粘度を有する、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記可剥性高分子層形成液体は高分子溶融体を含み、オーバーコーティングする工程は熱圧縮積層を含み、任意に、前記可剥性高分子層形成液体は、10,000〜100,000,000cps(10Pa・s〜100kPa・s)の粘度を有する、又は降伏応力を有する、請求項3に記載の方法。
- 前記可剥性高分子層を除去した後、高透明性の被覆層を前記パターン化されたレジストマトリックス材料の上に適用する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上に可剥性高分子液体形成層でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の1つ以上の第1の領域と、前記可剥性高分子液体形成層で被覆された1つ以上の第2の領域とを生成する工程と、
前記可剥性高分子液体形成層を固化又は硬化させて可剥性高分子層にする工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記1つ以上の第2の領域において前記導電性層の一部分を除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。 - パターン化された透明導電体を有するタッチスクリーンの構成要素であって、
透明基板と、
前記基板の主表面上のパターン化された導電性層と、
前記パターン化された導電性層に付着されたパターン化されたレジストマトリックス材料層であって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料が波状頂面を有する、パターン化されたレジストマトリックス材料層と、
前記波状頂面及び前記透明基板の前記主表面の上に適用された高透明性接着剤層と、を備え、任意に、前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性のワニスである、構成要素。 - 前記パターン化された導電性層は、複数の導電性回路トレースから構成され、前記導電性回路トレースの少なくとも第1の部分は、前記導電性回路トレースの少なくとも第2の部分から電気的に絶縁されており、任意に、前記複数の導電性回路トレースは、複数の金属ナノワイヤから構成される、請求項8に記載の構成要素。
- 携帯電話、電子ブック、タブレットコンピュータ、コンピュータディスプレイ、又はテレビディスプレイからなる群から選択される、タッチスクリーン装置であって、請求項8又は9に記載の構成要素を組み込んだ、タッチスクリーン装置。
Applications Claiming Priority (7)
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