JP2016225535A - ウエーハの生成方法 - Google Patents

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    • H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]

Abstract

【課題】 インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。
【解決手段】 六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を表面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、集光点とインゴットとを相対的に移動してレーザービームを表面に照射し、表面に平行な改質層及び改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物をインゴットから剥離して六方晶単結晶ウエーハを生成するウエーハ剥離ステップとを含む。集光スポットの直径をｄ、隣接するレーザービームの集光スポットの間隔をｘとすると、−０．３≦（ｄ−ｘ）／ｄ≦０．５となる範囲でレーザービームを照射して改質層を形成する。
【選択図】図９

Description

本発明は、六方晶単結晶インゴットをウエーハ状にスライスするウエーハの生成方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の各種デバイスは、シリコン等を素材としたウエーハの表面に機能層を積層し、この機能層に複数の分割予定ラインによって区画された領域に形成される。そして、切削装置、レーザー加工装置等の加工装置によってウエーハの分割予定ラインに加工が施され、ウエーハが個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
また、パワーデバイス又はＬＥＤ、ＬＤ等の光デバイスは、ＳｉＣ、ＧａＮ等の六方晶単結晶を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され、積層された機能層に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画されて形成される。
デバイスが形成されるウエーハは、一般的にインゴットをワイヤーソーでスライスして生成され、スライスされたウエーハの表裏面を研磨して鏡面に仕上げられる（例えば、特開２０００−９４２２１号公報参照）。
このワイヤーソーでは、直径約１００〜３００μｍのピアノ線等の一本のワイヤーを通常二〜四本の間隔補助ローラー上に設けられた多数の溝に巻き付けて、一定ピッチで互いに平行に配置してワイヤーを一定方向又は双方向に走行させて、インゴットを複数のウエーハにスライスする。
しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、表裏面を研磨してウエーハを生成すると、インゴットの７０〜８０％が捨てられることになり、不経済であるという問題がある。特に、ＳｉＣ、ＧａＮ等の六方晶単結晶インゴットはモース硬度が高く、ワイヤーソーでの切断が困難であり相当な時間がかかり生産性が悪く、効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
これらの問題を解決するために、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を六方晶単結晶インゴットの内部に位置づけて照射し、切断予定面に改質層及びクラックを形成し、外力を付与してウエーハを改質層及びクラックが形成された切断予定面に沿って割断して、インゴットからウエーハを分離する技術が特開２０１３−４９１６１号公報に記載されている。
この公開公報に記載された技術では、パルスレーザービームの第一の照射点と該第一の照射点に最も近い第二の照射点とが所定位置となるように、パルスレーザービームの集光点を切断予定面に沿って螺旋状に照射するか、又は直線状に照射して、非常に高密度な改質層及びクラックをインゴットの切断予定面に形成している。
特開２０００−９４２２１号公報 特開２０１３−４９１６１号公報
しかし、特許文献２記載のインゴットの切断方法では、レーザービームの照射方法はインゴットに対して螺旋状又は直線状であり、直線状の場合レーザービームを走査する方向は何ら規定されていない。
特許文献２に記載されたインゴットの切断方法では、レーザービームの第一の照射点と該第一の照射点に最も近い第二の照射点との間のピッチを１μｍ〜１０μｍに設定している。このピッチは、改質層から生じた割れがｃ面に沿って伸びるピッチである。
このようにレーザービームを照射する際のピッチが非常に小さいため、レーザービームの照射方法が螺旋状であっても又は直線状であっても、非常に小さなピッチ間隔でレーザービームを照射する必要があり、生産性の向上が十分図られていないという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。
本発明によると、第一の面と該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第一の面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動して該レーザービームを該第一の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離して六方晶単結晶ウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を備え、該分離起点形成ステップは、該第一の面の垂線に対して該ｃ軸がオフ角分傾き、該第一の面と該ｃ面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップと、該オフ角が形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップと、を含み、該改質層形成ステップにおいて、レーザービームの集光スポットの直径をｄとし互いに隣接する集光スポットの間隔をｘとすると、−０．３≦（ｄ−ｘ）／ｄ≦０．５となる範囲でレーザービームが照射されることを特徴とするウエーハの生成方法が提供される。
本発明のウエーハの生成方法によると、インゴットの第一の面とｃ面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して、直線状の改質層をインゴット内部に形成すると共に、該オフ角が形成される方向にインデックスした後該オフ角が形成される方向に直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成するステップを繰り返すので、改質層は第一の面から所定深さに形成されると共に、改質層の両側にｃ面に沿ってクラックが伝播することで、一つの改質層と隣接する改質層とがクラックによって連結し、分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を六方晶単結晶インゴットから容易に剥離して、六方晶単結晶ウエーハを生成することができる。
レーザービームの移動する方向をオフ角が形成される方向に直交する方向に設定し、さらにレーザービームの集光スポットの直径と隣接する集光スポット間の間隔を最適範囲に設定したために、改質層の両側からｃ面に沿って伝播して形成されるクラックが非常に長く伸長するため、インデックス量を大きくとることができ、生産性の向上を十分図ることができると共に、捨てられるインゴットの量を十分軽減でき３０％前後に抑えることができる。
本発明のウエーハの生成方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。 レーザービーム発生ユニットのブロック図である。 図３（Ａ）は六方晶単結晶インゴットの斜視図、図３（Ｂ）はその正面図である。 分離起点形成ステップを説明する斜視図である。 六方晶単結晶インゴットの平面図である。 改質層形成ステップを説明する模式的断面図である。 改質層形成ステップを説明する模式的平面図である。 隣接する集光スポットのオーバーラップ率の関係を示す模式図である。 インゴットに形成する改質層と隣接する集光スポットのオーバーラップ率との関係を示す模式的平面図である。 インゴットに形成されるクラックの長さとオーバーラップ率との関係を示すグラフである。 ウエーハ剥離ステップを説明する斜視図である。 生成された六方晶単結晶ウエーハの斜視図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明のウエーハの生成方法を実施するのに適したレーザー加工装置２の斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第一スライドブロック６を含んでいる。
第一スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り機構１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、即ちＸ軸方向に移動される。
第一スライドブロック６上には第二スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。即ち、第二スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り機構２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し送り方向、即ちＹ軸方向に移動される。
第二スライドブロック１６上には支持テーブル２６が搭載されている。支持テーブル２６は加工送り機構１２及び割り出し送り機構２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向方向に移動可能であると共に、第二スライドブロック１６中に収容されたモータにより回転される。
静止基台４にはコラム２８が立設されており、このコラム２８にレーザービーム照射機構（レーザービーム照射手段）３０が取り付けられている。レーザービーム照射機構３０は、ケーシング３２中に収容された図２に示すレーザービーム発生ユニット３４と、ケーシング３２の先端に取り付けられた集光器（レーザーヘッド）３６とから構成される。ケーシング３２の先端には集光器３６とＸ軸方向に整列して顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニット３８が取り付けられている。
レーザービーム発生ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器４０と、繰り替え周波数設定手段４２と、パルス幅調整手段４４と、パワー調整手段４６とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器４０はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器４０から出射されるレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
レーザービーム発生ユニット３４のパワー調整手段４６により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器３６のミラー４８により反射され、更に集光レンズ５０により支持テーブル２６に固定された被加工物である六方晶単結晶インゴット１１の内部に集光点を位置づけられて照射される。
図３（Ａ）を参照すると、加工対象物である六方晶単結晶インゴット１１の斜視図が示されている。図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示した六方晶単結晶インゴット１１の正面図である。六方晶単結晶インゴット（以下、単にインゴットと略称することがある）１１は、ＳｉＣ単結晶インゴット、又はＧａＮ単結晶インゴットから構成される。
インゴット１１は、第一の面（上面）１１ａと第一の面１１ａと反対側の第二の面（裏面）１１ｂを有している。インゴット１１の表面１１ａは、レーザービームの照射面となるため鏡面に研磨されている。
インゴット１１は、第一のオリエンテーションフラット１３と、第一のオリエンテーションフラット１３に直交する第二のオリエンテーションフラット１５を有している。第一のオリエンテーションフラット１３の長さは第二のオリエンテーションフラット１５の長さより長く形成されている。
インゴット１１は、表面１１ａの垂線１７に対して第二のオリエンテーションフラット１５方向にオフ角α傾斜したｃ軸１９とｃ軸１９に直交するｃ面２１を有している。ｃ面２１はインゴット１１の表面１１ａに対してオフ角α傾斜している。一般的に、六方晶単結晶インゴット１１では、短い第二のオリエンテーションフラット１５の伸長方向に直交する方向がｃ軸の傾斜方向である。
ｃ面２１はインゴット１１中にインゴット１１の分子レベルで無数に設定される。本実施形態では、オフ角αは４°に設定されている。しかし、オフ角αは４°に限定されるものではなく、例えば１°〜６°の範囲で自由に設定してインゴット１１を製造することができる。
図１を再び参照すると、静止基台４の左側にはコラム５２が固定されており、このコラム５２にはコラム５２に形成された開口５３を介して押さえ機構５４が上下方向に移動可能に搭載されている。
本実施形態のウエーハの生成方法では、図４に示すように、インゴット１１の第二のオリエンテーションフラット１５がＸ軸方向に整列するようにインゴット１１を支持テーブル２６上に例えばワックス又は接着剤で固定する。
即ち、図５に示すように、オフ角αが形成される方向Ｙ１、換言すると、インゴット１１の表面１１ａの垂線１７に対してｃ軸１９の表面１１ａとの交点１９ａが存在する方向に直交する方向、即ち矢印Ａ方向をＸ軸に合わせてインゴット１１を支持テーブル２６に固定する。
これにより、オフ角αが形成される方向に直交する方向Ａに沿ってレーザービームが走査される。換言すると、オフ角αが形成される方向Ｙ１に直交するＡ方向が支持テーブル２６の加工送り方向となる。
本発明のウエーハの生成方法では、集光器３６から出射されるレーザービームの走査方向を、インゴット１１のオフ角αが形成される方向Ｙ１に直交する矢印Ａ方向としたことが重要である。
即ち、本発明のウエーハの生成方法は、レーザービームの走査方向を上述したような方向に設定することにより、インゴット１１の内部に形成される改質層から伝播するクラックがｃ面２１に沿って非常に長く伸長することを見出した点に特徴がある。
本実施形態のウエーハの生成方法では、まず、支持テーブル２６に固定された六方晶単結晶インゴット１１に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍの波長）のレーザービームの集光点を第一の面（表面）１１ａから生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に、集光点と六方晶単結晶インゴット１１とを相対的に移動してレーザービームを表面１１ａに照射し、表面１１ａに平行な改質層２３及び改質層２３からｃ面２１に沿って伝播するクラック２５を形成して分離起点とする分離起点形成ステップを実施する。
この分離起点形成ステップは、表面１１ａの垂線１７に対してｃ軸１９がオフ角α分傾き、ｃ面２１と表面１１ａとにオフ角αが形成される方向、即ち、図５の矢印Ｙ１方向に直交する方向、即ちＡ方向にレーザービームの集光点を相対的に移動してインゴット１１の内部に改質層２３及び改質層２３からｃ面２１に沿って伝播するクラック２５を形成する改質層形成ステップと、図７及び図８に示すように、オフ角が形成される方向、即ちＹ軸方向に集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップとを含んでいる。
図６及び図７に示すように、改質層２３をＸ軸方向に直線状に形成すると、改質層２３の両側からｃ面２１に沿ってクラック２５が伝播して形成される。本実施形態のウエーハの生成方法では、直線状の改質層２３からｃ面方向に伝播して形成されるクラック２５の幅を計測し、集光点のインデックス量を設定するインデックス量設定ステップを含む。
インデックス量設定ステップにおいて、図６に示すように、直線状の改質層２３からｃ面方向に伝播して改質層２３の片側に形成されるクラック２５の幅をＷ１とした場合、インデックスすべき所定量Ｗ２は、Ｗ１以上２Ｗ１以下に設定される。
ここで、好ましい実施形態の、レーザー加工方法は以下のように設定される。
光源 ：Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：２５０〜４００μｍ
送り速度 ：１２０〜２６０ｎｍ／ｓ
上述したレーザー加工条件においては、図６において、改質層２３からｃ面に沿って伝播するクラック２５の幅Ｗ１が略２５０μｍに設定され、インデックス量Ｗ２が４００μｍに設定される。
しかし、レーザービームの平均出力は３．２Ｗに限定されるものではなく、本実施形態の加工方法では、平均出力を２Ｗ〜４．５Ｗに設定して良好な結果が得られた。平均出力２Ｗの場合、クラック２５の幅Ｗ１は略１００μｍとなり、平均出力４．５Ｗの場合には、クラック２５の幅Ｗ１は略３５０μｍとなった。
平均出力が２Ｗ未満の場合及び４．５Ｗより大きい場合には、インゴット１１の内部に良好な改質層２３を形成することができないため、照射するレーザービームの平均出力は２Ｗ〜４．５Ｗの範囲内が好ましく、本実施形態では平均出力３．２Ｗのレーザービームをインゴット１１に照射した。図６において、改質層２３を形成する集光点の表面１１ａからの深さＤ１は５００μｍに設定した。
次に、図８〜図１０を参照して、隣接するレーザービームの集光スポットの最適なオーバーラップ率の範囲について説明する。図８を参照すると、隣接する集光スポットのオーバーラップ率を示す模式図が示されている。
集光スポット３１の直径をｄ、隣接する集光スポット３１間の間隔をｘとすると、オーバーラップ率ＯＬは、（ｄ−ｘ）／ｄ×１００％で示される。ここで、隣接する集光スポット３１がオーバーラップしていない場合には、オーバーラップ率ＯＬはマイナスとなる。
図９を参照すると、本発明のウエーハの生成方法では、レーザービームをオフ角が形成される方向に直交するＸ軸方向に走査してインゴット１１の内部に改質層２３を形成する。次いで、オフ角が形成される方向に集光点３１をインデックス送りしてから、レーザービームをＸ軸方向に走査することにより、隣接する改質層２３を形成する。従って、Ｙ軸方向のクラック２５の長さが長い程、インデックス量を多くとることができる。
図１０を参照すると、オーバーラップ率を変化させた場合の改質層の長さとクラックの長さとの関係を示すグラフが示されている。改質層２３の長さはオーバーラップ率が大きく変化した場合にも、ほとんど一定である。然し、クラック２５の長さはオーバーラップ率の変化に応じて大きく変動しているのが見て取れる。
ここで、最適な集光スポット３１の直径をｄとすると、ｄ＝１．２２（λ／ＮＡ）の関係がある。よって、波長λ＝１０６４ｎｍ、集光レンズ５０の開口数ＮＡ＝０．４３とすると、最適な集光スポット３１の直径ｄは３．０μｍとなる。図１０のグラフは集光スポット径が３．０μｍの場合のオーバーラップ率を示している。
図１０のグラフからなるべく長いクラック２５を得るためには、オーバーラップ率が−３０％〜５０％範囲が適していることが見て取れる。従って、−０．３≦（ｄ−ｘ）／ｄ≦０．５となる。
所定量インデックス送りしながら、インゴット１１の全領域の深さＤ１の位置に複数の改質層２３及び改質層２３からｃ面２１に沿って伸びるクラック２５の形成が終了したならば、外力を付与して改質層２５及びクラック２３からなる分離起点から形成すべきウエーハの厚み相当する板状物を六方晶単結晶インゴット１１から分離して六方晶単結晶ウエーハ２７を生成するウエーハ剥離工程を実施する。
このウエーハ剥離工程は、例えば図１１に示すような押圧機構５４により実施する。押圧機構５４は、コラム５２内に内蔵された移動機構により上下方向に移動するヘッド５６と、ヘッド５６に対して、図１１（Ｂ）に示すように、矢印Ｒ方向に回転される押圧部材５８とを含んでいる。
図１１（Ａ）に示すように、押圧機構５４を支持テーブル２６に固定されたインゴット１１の上方に位置づけ、図１１（Ｂ）に示すように、押圧部材５８がインゴット１１の表面１１ａに圧接するまでヘッド５６を下降する。
押圧部材５８をインゴット１１の表面１１ａに圧接した状態で、押圧部材５８を矢印Ｒ方向に回転すると、インゴット１１にはねじり応力が発生し、改質層２３及びクラック２５が形成された分離起点からインゴット１１が破断され、六方晶単結晶インゴット１１から図１２に示す六方晶単結晶ウエーハ２７を分離することができる。
ウエーハ２７をインゴット１１から分離後、ウエーハ２７の分離面及びインゴット１１の分離面を研磨して鏡面に加工するのが好ましい。
２ レーザー加工装置
１１ 六方晶単結晶インゴット
１１ａ 第一の面（表面）
１１ｂ 第二の面（裏面）
１３ 第一のオリエンテーションフラット
１５ 第二のオリエンテーションフラット
１７ 第一の面の垂線
１９ ｃ軸
２１ ｃ面
２３ 改質層
２５ クラック
２６ 支持テーブル
３０ レーザービーム照射ユニット
３１ 集光スポット
３６ 集光器（レーザーヘッド）
５４ 押圧機構
５６ ヘッド
５８ 押圧部材

Claims (2)

  1. 第一の面と該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
    六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第一の面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動して該レーザービームを該第一の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
    該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離して六方晶単結晶ウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を備え、
    該分離起点形成ステップは、該第一の面の垂線に対して該ｃ軸がオフ角分傾き、該第一の面と該ｃ面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップと、
    該オフ角が形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップと、を含み、
    該改質層形成ステップにおいて、レーザービームの集光スポットの直径をｄとし、互いに隣接する集光スポットの間隔をｘとすると、−０．３≦（ｄ−ｘ）／ｄ≦０．５となる範囲でレーザービームが照射されることを特徴とするウエーハの生成方法。
  2. 六方晶単結晶インゴットは、ＳｉＣインゴット、又はＧａＮインゴットから選択される請求項１記載のウエーハの生成方法。
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SG10201603714RA SG10201603714RA (en) 2015-06-02 2016-05-10 Wafer producing method
MYPI2016701705A MY188444A (en) 2015-06-02 2016-05-12 Wafer producing method
DE102016208958.7A DE102016208958A1 (de) 2015-06-02 2016-05-24 Wafer-Herstellungsverfahren
KR1020160063911A KR102459564B1 (ko) 2015-06-02 2016-05-25 웨이퍼의 생성 방법
US15/165,259 US10610973B2 (en) 2015-06-02 2016-05-26 Wafer producing method
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11854889B2 (en) 2018-05-24 2023-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6358940B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399914B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6456228B2 (ja) * 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) * 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6781639B2 (ja) * 2017-01-31 2020-11-04 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
DE102018001327A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Siltectra Gmbh Verfahren zum Erzeugen von kurzen unterkritischen Rissen in Festkörpern
JP7123652B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US11309191B2 (en) 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density
CN109894725B (zh) * 2018-11-30 2021-11-02 全讯射频科技(无锡)有限公司 一种等离子切割实现超窄切割道的工艺
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP2022025566A (ja) * 2020-07-29 2022-02-10 株式会社ディスコ Ｓｉ基板生成方法
TWI803019B (zh) * 2021-10-20 2023-05-21 國立中央大學 一種晶柱快速切片方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005095952A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
JP2005294325A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sharp Corp 基板製造方法及び基板製造装置
JP2011240363A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Oputo System:Kk ウェハ状基板の分割方法
WO2012108052A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
US20130089969A1 (en) * 2010-06-22 2013-04-11 Ralph Wagner Method for Slicing a Substrate Wafer
JP2013158778A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Shin Etsu Polymer Co Ltd 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223692A (en) 1991-09-23 1993-06-29 General Electric Company Method and apparatus for laser trepanning
FR2716303B1 (fr) 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
US5561544A (en) 1995-03-06 1996-10-01 Macken; John A. Laser scanning system with reflecting optics
TW350095B (en) 1995-11-21 1999-01-11 Daido Hoxan Inc Cutting method and apparatus for semiconductor materials
US6162705A (en) 1997-05-12 2000-12-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP4731050B2 (ja) 2001-06-15 2011-07-20 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
TWI261358B (en) 2002-01-28 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
US6992765B2 (en) 2002-10-11 2006-01-31 Intralase Corp. Method and system for determining the alignment of a surface of a material in relation to a laser beam
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
US7427555B2 (en) 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20040144301A1 (en) 2003-01-24 2004-07-29 Neudeck Philip G. Method for growth of bulk crystals by vapor phase epitaxy
JP2004343008A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
JP3998639B2 (ja) * 2004-01-13 2007-10-31 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
US20050217560A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
KR100854986B1 (ko) 2004-06-11 2008-08-28 쇼와 덴코 가부시키가이샤 화합물 반도체 소자 웨이퍼의 제조방법
JP2006108532A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2006187783A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006315017A (ja) 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
JP4809632B2 (ja) 2005-06-01 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4183093B2 (ja) 2005-09-12 2008-11-19 コバレントマテリアル株式会社 シリコンウエハの製造方法
WO2007055010A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US8835802B2 (en) 2006-01-24 2014-09-16 Stephen C. Baer Cleaving wafers from silicon crystals
JP2007329391A (ja) 2006-06-09 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
EP2009687B1 (en) 2007-06-29 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device
JP5011072B2 (ja) 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US8338218B2 (en) 2008-06-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
WO2010098186A1 (ja) * 2009-02-25 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP5446325B2 (ja) * 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
CN105023973A (zh) 2009-04-21 2015-11-04 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011165766A (ja) 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5558128B2 (ja) 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5370262B2 (ja) 2010-05-18 2013-12-18 豊田合成株式会社 半導体発光チップおよび基板の加工方法
US8722516B2 (en) * 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
RU2459691C2 (ru) 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5875122B2 (ja) * 2011-02-10 2016-03-02 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP5860221B2 (ja) 2011-03-17 2016-02-16 株式会社ディスコ 非線形結晶基板のレーザー加工方法
JP5904720B2 (ja) 2011-05-12 2016-04-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5912287B2 (ja) 2011-05-19 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5912293B2 (ja) 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6002982B2 (ja) 2011-08-31 2016-10-05 株式会社フジシール パウチ容器
JP5878330B2 (ja) 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
US8747982B2 (en) 2011-12-28 2014-06-10 Sicrystal Aktiengesellschaft Production method for an SiC volume monocrystal with a homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a homogeneous lattice plane course
WO2013126927A2 (en) * 2012-02-26 2013-08-29 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6090998B2 (ja) 2013-01-31 2017-03-08 一般財団法人電力中央研究所 六方晶単結晶の製造方法、六方晶単結晶ウエハの製造方法
US9768343B2 (en) 2013-04-29 2017-09-19 OB Realty, LLC. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate
JP6341639B2 (ja) 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
US20150121960A1 (en) 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10144088B2 (en) * 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6390898B2 (ja) 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
KR20170067793A (ko) 2014-10-13 2017-06-16 에바나 테크놀로지스, 유에이비 스파이크형 형상의 손상 구조물 형성을 통한 기판 클리빙 또는 다이싱을 위한 레이저 가공 방법
US10307867B2 (en) 2014-11-05 2019-06-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser fiber array for singulating semiconductor wafers
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP5917677B1 (ja) 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005095952A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
JP2005294325A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sharp Corp 基板製造方法及び基板製造装置
JP2011240363A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Oputo System:Kk ウェハ状基板の分割方法
US20130089969A1 (en) * 2010-06-22 2013-04-11 Ralph Wagner Method for Slicing a Substrate Wafer
WO2012108052A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2013158778A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Shin Etsu Polymer Co Ltd 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10665458B2 (en) 2018-04-20 2020-05-26 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US11152211B2 (en) 2018-04-20 2021-10-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US11373859B2 (en) 2018-05-22 2022-06-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11823953B2 (en) 2018-05-22 2023-11-21 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US11854889B2 (en) 2018-05-24 2023-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10770351B2 (en) 2018-05-31 2020-09-08 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods

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