JP2016224437A - 入出力装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の画素電極、第2の画素電極、第1の共通電極、第2の共通電極、液晶、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、及びトランジスタを有する入出力装置である。第1の共通電極は、検知素子の一方の電極として機能する。第2の共通電極は、検知素子の他方の電極として機能する。トランジスタは、第1のゲート、第2のゲート、及び半導体層を有する。画素電極と、共通電極と、第2のゲートは、それぞれ異なる面上に位置する。第2のゲートは、半導体層に含まれる金属元素を1種類以上含む。好ましくは、第2のゲート、画素電極、及び共通電極が、半導体層に含まれる金属元素を1種類以上含む。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置について図1〜図16を用いて説明する。
図1(A)に、入出力装置300の上面図を示し、図1(B)に、図1(A)における一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図を示す。
図2(B)に、図2(A)とは異なる、隣り合う2つの画素の断面図を示す。図2(B)に示す2つの副画素はそれぞれ異なる画素が有する副画素である。また、この場合の図1(A)における一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図を、図3(A)に示す。
図4に、図1(B)及び図3(A)とは異なる、図1(A)における一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図を示す。
図5に、図1(B)、図3(A)、及び図4とは異なる、図1(A)における一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図を示す。
図6に、図1(B)、図3(A)、図4、及び図5とは異なる、図1(A)における一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図を示す。
図34に、上記各構成例とは異なる入出力装置の断面図を示す。本発明の一態様の入出力装置は、表示素子を支持する基板のみに、検知素子を構成する電極等を設けた構成(フルインセル型)のタッチパネルに限られない。図34に示す入出力装置のように、対向基板側に検知素子を構成する電極が設けられていてもよい。
入出力装置300が有する基板の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板として用いてもよい。なお、基板として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。また、基板211として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ、容量素子等を形成してもよい。
本発明の一態様の入出力装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。
酸化物半導体膜223は、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce、Sn、Mg、Nd、又はHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
酸化物半導体は、膜中の酸素欠損又は/及び膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体膜へ酸素欠損又は/及び不純物濃度が増加する処理、又は酸素欠損又は/及び不純物濃度が低減する処理を選択することによって、酸化物導電膜の有する抵抗率を制御することができる。
入出力装置が有する各絶縁膜、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。
トランジスタのゲート、ソース、ドレインのほか、入出力装置が有する各種配線及び電極等の導電膜には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いることができる。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、モリブデン膜上に銅膜を積層した二層構造、モリブデンとタングステンを含む合金膜上に銅膜を積層した二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。例えば、ソース電極225a及びドレイン電極225bを三層構造とする場合、一層目及び三層目には、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデンとタングステンを含む合金、モリブデンとジルコニウムを含む合金、又は窒化モリブデンでなる膜を形成し、2層目には、銅、アルミニウム、金又は銀、或いは銅とマンガンの合金等の低抵抗材料でなる膜を形成することが好ましい。なお、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。
接着層265としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、2液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、又はシロキサン結合を有する樹脂などを用いることができる。
接続体としては、例えば、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)又は異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色膜は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。着色膜に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光膜は、隣接する着色膜の間に設けられている。遮光膜としては、例えば、金属材料、顔料又は染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光膜は、駆動回路部など、表示部以外の領域にも設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
次に、本発明の一態様の入出力装置の動作方法の例などを示す。
次に、本発明の一態様の入出力装置が有する検知素子の上面構成例について、図9〜図11を用いて説明する。
次に、本発明の一態様の入出力装置が有する画素の上面構成例について、図12〜図14を用いて説明する。
次に、本発明の一態様の入出力装置と、ICと、を有するタッチパネルモジュールについて、図15及び図16を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の作製方法について図17〜図21を用いて説明する。本実施の形態では、トランジスタの作製方法を主に説明する。なお、各層の材料については、実施の形態1の記載を参照することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタについて図22〜図25を用いて説明する。なお、各層の材料については、実施の形態1の記載を参照することができる。
図22(A)は、トランジスタ270の上面図であり、図22(B)は、図22(A)に示す一点鎖線A1−A2間の断面図であり、図22(C)は、一点鎖線B1−B2間の断面図である。なお、一点鎖線A1−A2方向をチャネル長方向、一点鎖線B1−B2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
図23(A)、(B)は、図22(B)、(C)に示すトランジスタ270の変形例の断面図である。また、図23(C)、(D)は、図22(B)、(C)に示すトランジスタ270の変形例の断面図である。
本実施の形態では、酸化物半導体について図26〜30を用いて説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
<CACの構成>
以下では、本発明の一態様に用いることができるCAC(Cloud Aligned Complementary)−OSの構成について説明する。
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る9個の試料について説明する。各試料は、酸化物半導体を成膜する際の基板温度、及び酸素ガス流量比が異なる条件で作製する。なお、試料は、それぞれ、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。
本項目では、9個の試料に対し、XRD測定を行った結果について説明する。なお、XRD装置として、Bruker社製D8 ADVANCEを用いた。また、条件は、Out−of−plane法によるθ/2θスキャンにて、走査範囲を15deg.乃至50deg.、ステップ幅を0.02deg.、走査速度を3.0deg./分とした。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料を、HAADF(High−Angle Annular Dark Field)−STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)によって観察、及び解析した結果について説明する(以下、HAADF−STEMによって取得した像は、TEM像ともいう。)。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料に、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで、電子線回折パターンを取得した結果について説明する。
本項目では、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray spectroscopy)を用い、EDXマッピングを取得し、評価することによって、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、EDX測定には、元素分析装置として日本電子株式会社製エネルギー分散型X線分析装置JED−2300Tを用いる。なお、試料から放出されたX線の検出にはSiドリフト検出器を用いる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を有するタッチパネルモジュール及び電子機器について、図31〜図33を用いて説明する。
56a 導電膜
56b 導電膜
57a 補助配線
57b 補助配線
58 導電膜
60 画素
60a 副画素
60b 副画素
60c 副画素
106 絶縁膜
107 絶縁膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
141 開口
142 開口
193 ターゲット
194 プラズマ
201a トランジスタ
201b トランジスタ
201c トランジスタ
203 トランジスタ
203a トランジスタ
203b トランジスタ
205a 接続部
205b 接続部
207 液晶素子
207a 液晶素子
207b 液晶素子
211 基板
213 絶縁膜
215 絶縁膜
217 絶縁膜
218 絶縁膜
219 絶縁膜
221 ゲート電極
223 酸化物半導体膜
225a ソース電極
225b ドレイン電極
226 導電膜
227 酸化物導電膜
227a 酸化物半導体膜
231 導電膜
233 導電膜
235 導電膜
241 着色膜
243 遮光膜
245 絶縁膜
247 スペーサ
249 液晶
251 導電膜
252 導電膜
253 絶縁膜
254 導電膜
255 導電膜
257 接続体
259 FPC
261 基板
265 接着層
267 接続体
268 IC
269 FPC
270 トランジスタ
270A トランジスタ
270B トランジスタ
273 画素
275 導電膜
277 領域
300 入出力装置
301 表示部
302 走査線駆動回路
303 画素
502 基板
504 導電膜
506 絶縁膜
507 絶縁膜
508 酸化物半導体膜
508a 酸化物半導体膜
508b 酸化物半導体膜
508c 酸化物半導体膜
511a 酸化物半導体膜
511b 酸化物導電膜
512a 導電膜
512b 導電膜
514 絶縁膜
516 絶縁膜
518 絶縁膜
519 絶縁膜
552a 開口部
552b 開口部
552c 開口部
3501 配線
3502 配線
3503 トランジスタ
3504 液晶素子
3510 配線
3510_1 配線
3510_2 配線
3511 配線
3515_1 ブロック
3515_2 ブロック
3516 ブロック
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
6500 タッチパネルモジュール
6501 回路ユニット
6502 信号線駆動回路
6503 センサ駆動回路
6504 検出回路
6505 タイミングコントローラ
6506 画像処理回路
6510 タッチパネル
6511 表示部
6512 入力部
6513 走査線駆動回路
6520 IC
6530 IC
6531 基板
6532 対向基板
6533 FPC
6534 PCB
6540 CPU
8000 タッチパネルモジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (13)
- 第1の画素電極、第2の画素電極、第1の共通電極、第2の共通電極、液晶、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、及びトランジスタを有し、
前記第1の共通電極は、検知素子の一方の電極として機能し、
前記第2の共通電極は、前記検知素子の他方の電極として機能し、
前記トランジスタは、第1のゲート、第2のゲート、及び半導体層を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第2のゲートは、酸化物導電体を有し、
前記酸化物導電体は、前記酸化物半導体に含まれる金属元素を一種類以上有し、
前記第1のゲート上に、前記半導体層を有し、
前記半導体層上に、前記第2のゲートを有し、
前記第2のゲート上に、前記第1の絶縁膜を有し、
前記第1の絶縁膜上に、前記第1の画素電極、前記第2の画素電極、前記第1の共通電極、及び前記第2の共通電極を有し、
前記第1の画素電極及び前記第1の共通電極は、前記第2の絶縁膜を介して互いに重なる部分を有し、
前記第2の画素電極及び前記第2の共通電極は、前記第2の絶縁膜を介して互いに重なる部分を有し、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極、前記第1の共通電極、及び前記第2の共通電極上に、前記液晶を有し、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極とは、同一面上に離間して位置し、
前記第1の共通電極と前記第2の共通電極とは、同一面上に離間して位置する、入出力装置。 - 請求項1において、
前記トランジスタを2つ有し、
2つの前記トランジスタのうち、1つでは、ソース又はドレインが、前記第1の画素電極と電気的に接続され、もう1つでは、ソース又はドレインが、前記第2の画素電極と電気的に接続される、入出力装置。 - 請求項1において、
前記トランジスタは、駆動回路部に位置する、入出力装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第2のゲートは、前記第1のゲートと電気的に接続される、入出力装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極上に、前記第2の絶縁膜を有し、
前記第2の絶縁膜上に、前記第1の共通電極及び前記第2の共通電極を有する、入出力装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極、前記第1の共通電極、及び前記第2の共通電極は、それぞれ、前記酸化物半導体に含まれる金属元素を一種類以上有する、入出力装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記酸化物半導体、前記酸化物導電体、前記第1の画素電極、前記第2の画素電極、前記第1の共通電極、及び前記第2の共通電極は、それぞれ、インジウムを含む酸化物を有する、入出力装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項において、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極、前記第1の共通電極、及び前記第2の共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有する、入出力装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、
前記酸化物半導体及び前記酸化物導電体は、それぞれ、In−M1−Zn酸化物(M1はAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn又はHf)を有する、入出力装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一項において、
前記第1の絶縁膜と前記第1の共通電極の間に、第1の導電膜を有し、
前記第1の導電膜の抵抗率は、前記第1の共通電極の抵抗率よりも低く、
前記第1の導電膜は、前記第1の共通電極と電気的に接続される、入出力装置。 - 請求項10において、
前記第1の絶縁膜と前記第2の共通電極の間に、第2の導電膜を有し、
前記第2の導電膜の抵抗率は、前記第2の共通電極の抵抗率よりも低く、
前記第2の導電膜は、前記第2の共通電極と電気的に接続され、
前記第1の導電膜と前記第2の導電膜は、同一面上に離間して位置する、入出力装置。 - 請求項11において、
遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜と、前記液晶を介して重なる部分を有する、入出力装置。 - 請求項1乃至12のいずれか一項に記載の入出力装置と、
アンテナ、バッテリ、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器。
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