JP2016127223A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016127223A5
JP2016127223A5 JP2015002047A JP2015002047A JP2016127223A5 JP 2016127223 A5 JP2016127223 A5 JP 2016127223A5 JP 2015002047 A JP2015002047 A JP 2015002047A JP 2015002047 A JP2015002047 A JP 2015002047A JP 2016127223 A5 JP2016127223 A5 JP 2016127223A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
forming
electronic device
aln initial
epitaxial substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015002047A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6261523B2 (ja
JP2016127223A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2015002047A external-priority patent/JP6261523B2/ja
Priority to JP2015002047A priority Critical patent/JP6261523B2/ja
Priority to US15/538,500 priority patent/US10115589B2/en
Priority to KR1020177018664A priority patent/KR20170101932A/ko
Priority to CN201580072647.8A priority patent/CN107112242B/zh
Priority to PCT/JP2015/006313 priority patent/WO2016110906A1/ja
Priority to TW104144060A priority patent/TWI624879B/zh
Publication of JP2016127223A publication Critical patent/JP2016127223A/ja
Publication of JP2016127223A5 publication Critical patent/JP2016127223A5/ja
Publication of JP6261523B2 publication Critical patent/JP6261523B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015002047A 2015-01-08 2015-01-08 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法 Active JP6261523B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015002047A JP6261523B2 (ja) 2015-01-08 2015-01-08 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法
PCT/JP2015/006313 WO2016110906A1 (ja) 2015-01-08 2015-12-18 電子デバイス用エピタキシャル基板、電子デバイス、電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法
KR1020177018664A KR20170101932A (ko) 2015-01-08 2015-12-18 전자 디바이스용 에피택셜 기판, 전자 디바이스, 전자 디바이스용 에피택셜 기판의 제조 방법, 그리고 전자 디바이스의 제조 방법
CN201580072647.8A CN107112242B (zh) 2015-01-08 2015-12-18 电子器件用外延基板、电子器件、电子器件用外延基板的制造方法及电子器件的制造方法
US15/538,500 US10115589B2 (en) 2015-01-08 2015-12-18 Epitaxial substrate for electronic devices, electronic device, method for producing the epitaxial substrate for electronic devices, and method for producing the electronic device
TW104144060A TWI624879B (zh) 2015-01-08 2015-12-28 Epitaxial substrate for electronic component, electronic component, method for producing epitaxial substrate for electronic component, and method for manufacturing electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015002047A JP6261523B2 (ja) 2015-01-08 2015-01-08 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016127223A JP2016127223A (ja) 2016-07-11
JP2016127223A5 true JP2016127223A5 (enExample) 2016-09-08
JP6261523B2 JP6261523B2 (ja) 2018-01-17

Family

ID=56355636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015002047A Active JP6261523B2 (ja) 2015-01-08 2015-01-08 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10115589B2 (enExample)
JP (1) JP6261523B2 (enExample)
KR (1) KR20170101932A (enExample)
CN (1) CN107112242B (enExample)
TW (1) TWI624879B (enExample)
WO (1) WO2016110906A1 (enExample)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6239017B2 (ja) * 2015-03-31 2017-11-29 クアーズテック株式会社 窒化物半導体基板
TWI645454B (zh) * 2017-03-31 2018-12-21 環球晶圓股份有限公司 磊晶基板及其製造方法
CN111373513B (zh) 2017-11-20 2023-10-13 罗姆股份有限公司 半导体装置
JP2019125737A (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 株式会社サイオクス 窒化物半導体エピタキシャル基板
US11515408B2 (en) 2020-03-02 2022-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rough buffer layer for group III-V devices on silicon
CN114080692A (zh) * 2021-04-02 2022-02-22 英诺赛科(苏州)科技有限公司 三族氮基半导体晶圆

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078613A (ja) * 2006-08-24 2008-04-03 Rohm Co Ltd 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子
JP4677499B2 (ja) * 2008-12-15 2011-04-27 Dowaエレクトロニクス株式会社 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法
JP2011023677A (ja) * 2009-07-21 2011-02-03 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法
WO2011016304A1 (ja) 2009-08-07 2011-02-10 日本碍子株式会社 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
JP5378128B2 (ja) 2009-09-18 2013-12-25 Dowaエレクトロニクス株式会社 電子デバイス用エピタキシャル基板およびiii族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板
JP5625336B2 (ja) 2009-11-30 2014-11-19 サンケン電気株式会社 半導体装置
WO2011161975A1 (ja) * 2010-06-25 2011-12-29 Dowaエレクトロニクス株式会社 エピタキシャル成長基板及び半導体装置、エピタキシャル成長方法
KR101820327B1 (ko) * 2010-08-07 2018-01-19 티피케이 홀딩 컴퍼니 리미티드 표면 매립 첨가제를 가진 디바이스 콤포넌트 및 이와 관련된 제조 방법
JP5891650B2 (ja) 2011-08-18 2016-03-23 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP6035721B2 (ja) * 2011-09-27 2016-11-30 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6130995B2 (ja) * 2012-02-20 2017-05-17 サンケン電気株式会社 エピタキシャル基板及び半導体装置
JP6152700B2 (ja) * 2013-05-23 2017-06-28 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
TWI523222B (zh) * 2013-10-14 2016-02-21 國立交通大學 含氮化鎵之半導體結構
KR102145205B1 (ko) * 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
US9337023B1 (en) * 2014-12-15 2016-05-10 Texas Instruments Incorporated Buffer stack for group IIIA-N devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016127223A5 (enExample)
JP2013030476A5 (ja) 発光装置
JP2017005282A5 (enExample)
JP2014197664A5 (ja) 半導体装置
JP2014236105A5 (enExample)
JP2016021562A5 (enExample)
JP2015084417A5 (enExample)
JP2014082512A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014225656A5 (enExample)
JP2014007388A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013038399A5 (ja) 半導体装置
JP2012134467A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014131025A5 (enExample)
JP2015078076A5 (ja) n型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス
JP2015065233A5 (enExample)
JPWO2020008296A5 (ja) 半導体装置
GB2529589A (en) Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer
JP2012231100A5 (enExample)
JP2015511407A5 (enExample)
JP2013093561A5 (ja) 酸化物半導体膜
JP2013008938A5 (enExample)
JP2014522113A5 (enExample)
JP2014175446A5 (enExample)
MY178501A (en) Metal board, and substrate-type thin-film solar cell and top-emission-type organic el element using same
WO2015189701A3 (en) Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors