JP2016096529A - 表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016096529A JP2016096529A JP2015011588A JP2015011588A JP2016096529A JP 2016096529 A JP2016096529 A JP 2016096529A JP 2015011588 A JP2015011588 A JP 2015011588A JP 2015011588 A JP2015011588 A JP 2015011588A JP 2016096529 A JP2016096529 A JP 2016096529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- saw
- acoustic wave
- surface acoustic
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 145
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6479—Capacitively coupled SAW resonator filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善する表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタは、基板の上に形成される第１の金属層と、前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設される。
【選択図】 図４
【解決手段】本発明による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタは、基板の上に形成される第１の金属層と、前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設される。
【選択図】 図４
Description
本発明は、表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタに取り付けられるキャパシタと、これを備える表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びこれを製造するための方法に関する。
表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、電磁波ではなく、物理的な特性を有する表面弾性波（ＳＡＷ）を用いて信号を送信し、信号の送信中に不要な信号を除去する役割を果たすデバイスである。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、テレビ（ＴＶ）、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）などの映像信号処理、音声信号処理などに用いられるが、最近、移動通信の発達に伴い、移動通信端末に幅広く用いられている。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、移動通信端末の小型軽量化に伴い、誘電体デュプレクサの表面弾性波（ＳＡＷ）デュプレクサ化が進んでおり、フリップチップ工法を用いた小型化が進んでいる。
一方、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、メモリ素子であるＤＲＡＭメモリ（ＤＲＡＭ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）や埋め込み型ＤＲＡＭメモリ（ＤＲＡＭ）又は論理素子であるＲＦＩＤ（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）素子などにおいて情報保存の役割を果たす重要な装置である。メモリ素子において、キャパシタは、その内部に所定量以上の電荷を蓄積して０又は１を区別させて素子に所望の動作を行わせる。半導体産業において、チップのコスト節減及び低電力化、小型化が同時に実現可能な５０ナノサイズ以下に超高度に集積化された素子を製造する技術の開発が非常に重要であるが、このために、データを保存する役割を果たすキャパシタに素子を動作させるのに十分な静電容量を持たせる技術が何よりも重要である。
図１（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、図１（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照すると、一般に、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタには、上部電極２３及び下部電極２１が多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）により形成され、上部電極２３と下部電極２１との間に誘電体２２が形成されるキャパシタ２０が適用される。しかしながら、セルの面積が狭くなるにつれて、所望のセルキャパシタンスが得られ難い。そこで、上部電極２３と誘電体２２との間に形成される低誘電層の形成を防止すべく、上部電極２３の代わりにＴｉＮなどの金属電極を使用し、誘電体２２に高い誘電率を持たせるためにＡｌ３Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体薄膜を適用したキャパシタ２０が商用化されている。
図２（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す回路図であり、図２（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される他のキャパシタを概略的に示す断面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照すると、櫛形電極（ＩＤＴ）１０が形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに櫛形電極（ＩＤＴ）キャパシタ３０が適用されることもある。櫛形電極（ＩＤＴ）キャパシタ３０は、基板３１の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）１０と同じ金属により形成される第１の金属層３２が積層されてなる。
しかしながら、このような従来のキャパシタ（２０、３０）が適用されたデュプレクサ表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、理想的な低域遮断特性を有さないという問題がある。
本発明は上記従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善するところにある。
また、本発明の他の目的は、従来の工程に他の工程を追加しなくても表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性が改善可能なキャパシタを実現するところにある。
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタは、基板の上に形成される第１の金属層と、前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設されることを特徴とする。
好ましくは、前記第１の金属層は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）と同じ物質により形成され、例えば、前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される。一方、前記第２の金属層は、前記第１の金属層とは異なる金属物質により形成され、例えば、前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成される。
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）と、前記基板の上に形成される第１の金属層と、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に形成され、前記第１の金属層と全部又は一部が重なり合う第２の金属層と、を有することを特徴とする。
好ましくは、前記表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、前記パッドは、前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成される。また、好ましくは、前記第２の金属層は、前記パッドと同じ物質により形成される。
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法は、基板の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタの第１の金属層を形成するステップと、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の上部にパッド及び第２の金属層を形成するステップと、を含み、前記第２の金属層は、前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成されることを特徴とする。
好ましくは、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、同じ金属物質により形成され、例えば、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される。
また、好ましくは、前記パッド及び前記第２の金属層は、同じ金属物質により形成され、前記パッド及び前記第２の金属層を形成する金属物質は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層を形成する金属物質とは異なる。例えば、前記パッド及び前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成される。
本発明に係る表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びその製造方法によれば、表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善することができるという効果がある。
また、本発明は、従来の工程に他の工程を追加しなくても表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性が改善可能なキャパシタを実現することができるという効果がある。
本発明の上述した目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は、以下の詳細な説明により一層明らかになる。
本発明の実施形態について説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又はパターンの「上／上部」に又は「下／下部」に形成されるという記載は、直接的に又は他の層を介して形成される場合をいずれも含む。各層の「上／上部」又は「下／下部」は、図面を基準として設定する。
図３（ａ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、図３（ｂ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照すると、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００に適用されるキャパシタ１２０は、大きく、第１の金属層１２１と、絶縁層１２２及び第２の金属層１２３を備え、第１の金属層１２１が下部電極となり、且つ、第２の金属層１２３が上部電極となって、第１の金属層１２１と第２の金属層１２３との間に形成される絶縁層１２２に電荷を蓄積する。本発明のキャパシタ１２０は、キャパシタ１２０の酸化膜の厚さを減少するために、下部電極の界面に低誘電層が形成されることを防止すべく、下部電極も金属物質により形成される金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）タイプのキャパシタである。従来は、上部電極及び下部電極が多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）により形成されるか、あるいは、上部電極又は下部電極のうちのいずれか一方が金属層により形成されたが、本発明においては、上部電極及び下部電極が両方とも金属層により形成される。
図４は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。図４に示すように、本発明の一実施形態によるキャパシタ１２０は、基板１０１に形成されて一方の電極をなす第１の金属層１２１と、第１の金属層１２１の上部に形成される絶縁層１２２及び絶縁層１２２の上部に形成されて他方の電極をなす第２の金属層１２３を備える。このとき、第１の金属層１２１は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と同じ金属により形成され、第２の金属層１２３は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０と同じ金属により形成される。
図５は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す断面図である。本発明のキャパシタ１２０は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及びパッド１３０が形成されるときに同時に形成される。基板１０１に表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０が形成されるときに同時にキャパシタ１２０の第１の金属層１２１が形成されるので、工程を追加しなくてもキャパシタ１２０の第１の金属層１２１を形成することができる。
櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１の上部には絶縁層１２２が形成されるが、このときの絶縁層１２２は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００において櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の熱膨張による周波数の変化を防止する役割を果たし、キャパシタ１２０に電荷を蓄積する役割も果たす。
このような絶縁層１２２の上部には、第２の金属層１２３が形成される。第２の金属層１２３は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０が形成されるときに同時に形成される。第２の金属層１２３は表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０が形成されるときに同時に形成されるので、工程を追加しなくてもキャパシタ１２０の第２の金属層１２３を形成することができる。
第１の金属層１２１は、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と同じ物質により形成される。このとき、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１は、銅（Ｃｕ）により形成されることが好ましい。第２の金属層１２３は、パッド１３０と同じ物質により形成される。このとき、第２の金属層１２３及びパッド１３０は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることが好ましい。また、絶縁層１２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体により形成されるが、ＳｉＯ２により形成されることが好ましい。
本発明のキャパシタ１２０は、基板１０１の上部に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の上部に形成される絶縁層１２２及び絶縁層１２２の上部に形成されるパッド１３０を備える表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに形成されることが好ましい。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタのうち櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の上部に絶縁層１２２が形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタを温度補償式（ＴＣ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ）の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタと称するが、このような温度補償式（ＴＣ）の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに形成される絶縁層１２２がキャパシタ１２０の電荷を蓄積する誘電体の役割を果たす。
図６は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造工程を概略的に説明するためのフローチャートである。図６に示すように、本発明の一実施形態による両方の電極が金属層により形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタのキャパシタの製造方法は、基板１０１の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及びキャパシタ１２０の第１の金属層１２１を形成するステップ（Ｓ２１０）と、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１の上部に絶縁層１２２を形成するステップ（Ｓ２２０）及び絶縁層１２２の上部にパッド１３０及び第２の金属層１２３を形成するステップ（Ｓ２３０）を含む。このとき、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１は、銅（Ｃｕ）により形成されることが好ましく、パッド１３０及び第２の金属層１２３は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）のうちのいずれか一方により形成されることが好ましい。
このように、本発明が属する技術分野における当業者であれば、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更することなく他の具体的な形態にて実施可能であるということが理解できる筈である。よって、上述した実施形態はあらゆる面において例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。
１０、１１０ 櫛形電極（ＩＤＴ）
２０、３０、１２０ キャパシタ
２１ 下部電極
２２ 誘電体
２３ 上部電極
３１、１０１ 基板
３２、１２１ 第１の金属層
１００ 表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ
１２２ 絶縁層
１２３ 第２の金属層
１３０ パッド
２０、３０、１２０ キャパシタ
２１ 下部電極
２２ 誘電体
２３ 上部電極
３１、１０１ 基板
３２、１２１ 第１の金属層
１００ 表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ
１２２ 絶縁層
１２３ 第２の金属層
１３０ パッド
Claims (14)
- 基板の上に形成される第１の金属層と、
前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、
を有し、
前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。 - 前記第１の金属層は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）と同じ物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
- 前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
- 前記第２の金属層は、前記第１の金属層とは異なる金属物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
- 前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項４に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
- 基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）と、
前記基板の上に形成される第１の金属層と、
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上部に形成され、前記第１の金属層と全部又は一部が重なり合う第２の金属層と、
を有することを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。 - 前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、
前記パッドは、前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成されることを特徴とする請求項６に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。 - 前記第２の金属層は、前記パッドと同じ物質により形成されることを特徴とする請求項７に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。
- 基板の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタの第１の金属層を形成するステップと、
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の上部にパッド及び第２の金属層を形成するステップと、
を含み、
前記第２の金属層は、前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。 - 前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、同じ金属物質により形成されることを特徴とする請求項９に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
- 前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
- 前記パッド及び前記第２の金属層は、同じ金属物質により形成されることを特徴とする請求項９に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
- 前記パッド及び前記第２の金属層を形成する金属物質は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層を形成する金属物質とは異なることを特徴とする請求項１２に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
- 前記パッド及び前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項１２に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140158049A KR101700840B1 (ko) | 2014-11-13 | 2014-11-13 | Saw 필터용 커패시터, saw 필터 및 그 제조 방법 |
| KR10-2014-0158049 | 2014-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016096529A true JP2016096529A (ja) | 2016-05-26 |
| JP6254960B2 JP6254960B2 (ja) | 2017-12-27 |
Family
ID=55962316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015011588A Expired - Fee Related JP6254960B2 (ja) | 2014-11-13 | 2015-01-23 | 表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9654084B2 (ja) |
| JP (1) | JP6254960B2 (ja) |
| KR (1) | KR101700840B1 (ja) |
| CN (1) | CN105845667A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6632481B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2020-01-22 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| US10476481B2 (en) * | 2016-08-08 | 2019-11-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filtering circuitry including capacitor |
| CN107966883B (zh) * | 2017-11-17 | 2020-02-21 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法及声表面波滤波器 |
| US10886893B2 (en) * | 2019-02-21 | 2021-01-05 | Qorvo Us, Inc. | Reduced-size guided-surface acoustic wave (SAW) devices |
| KR102713250B1 (ko) * | 2019-03-21 | 2024-10-04 | (주)와이솔 | Saw 필터 |
| JP2023525331A (ja) * | 2020-05-13 | 2023-06-15 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 被覆層および遮蔽層を伴うフィルタ |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04168762A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Nikko Kyodo Co Ltd | コンデンサおよびそれを含む集積回路 |
| JPH06244235A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH08306862A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路用静電容量素子とその製造方法 |
| JPH1141055A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JPH11330904A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| JP2001189421A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-07-10 | Fr Telecom | ハイブリッド誘電体を備えた集積キャパシタ |
| JP2002299997A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ |
| JP2005278131A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗフィルタ回路 |
| JP2010512077A (ja) * | 2006-12-05 | 2010-04-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 整合が改善されたｄｍｓフィルタ |
| JPWO2009096563A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2011-05-26 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637721A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-11 | Murata Mfg Co Ltd | Surface wave resonator |
| JPH0682783B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | 容量およびその製造方法 |
| JPH02177712A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子およびその共振周波数の調整方法 |
| US5215546A (en) * | 1990-09-04 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for SAW device passivation |
| JP3390537B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| JPH08250659A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 薄膜キャパシタ |
| JPH09153758A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイス |
| JP2000209061A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
| JP2001016066A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2001267877A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2004364041A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| EP1986320B1 (en) * | 2006-02-13 | 2013-06-26 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Saw filter |
| EP2290817A4 (en) * | 2008-06-16 | 2011-08-24 | Murata Manufacturing Co | ELASTIC BORDER SHAFT |
| JP5418091B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-02-19 | パナソニック株式会社 | 弾性波フィルタ装置及びこれを用いたデュプレクサ及び電子機器 |
| FR2951025B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-23 | St Microelectronics Sa | Procede d'ajustement a la fabrication d'un circuit comprenant un element resonant |
| KR20100131964A (ko) | 2010-12-03 | 2010-12-16 | (주)와이솔 | Ｓａｗ 필터에 커패시터를 구현하는 방법과 이를 이용한 ｓａｗ 필터 |
-
2014
- 2014-11-13 KR KR1020140158049A patent/KR101700840B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-01-15 CN CN201510020746.3A patent/CN105845667A/zh active Pending
- 2015-01-21 US US14/601,538 patent/US9654084B2/en active Active
- 2015-01-23 JP JP2015011588A patent/JP6254960B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04168762A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Nikko Kyodo Co Ltd | コンデンサおよびそれを含む集積回路 |
| JPH06244235A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH08306862A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路用静電容量素子とその製造方法 |
| JPH1141055A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JPH11330904A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| JP2001189421A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-07-10 | Fr Telecom | ハイブリッド誘電体を備えた集積キャパシタ |
| JP2002299997A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ |
| JP2005278131A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗフィルタ回路 |
| JP2010512077A (ja) * | 2006-12-05 | 2010-04-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 整合が改善されたｄｍｓフィルタ |
| JPWO2009096563A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2011-05-26 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9654084B2 (en) | 2017-05-16 |
| KR101700840B1 (ko) | 2017-02-01 |
| CN105845667A (zh) | 2016-08-10 |
| KR20160057548A (ko) | 2016-05-24 |
| US20160141107A1 (en) | 2016-05-19 |
| JP6254960B2 (ja) | 2017-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6254960B2 (ja) | 表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ｓａｗ）フィルタ及びその製造方法 | |
| JP6063906B2 (ja) | 不揮発性メモリの製造方法 | |
| CN105074916B (zh) | 具有增强电容的金属-氧化物-金属(mom)电容器 | |
| US11677377B2 (en) | Multi-layer piezoelectric substrate with grounding structure | |
| US20080315276A1 (en) | Capacitor pair structure for increasing the match thereof | |
| TWI642165B (zh) | 直通矽穿孔連接之背面去耦合技術 | |
| US10044390B2 (en) | Glass substrate including passive-on-glass device and semiconductor die | |
| CN103907177A (zh) | 蚀刻停止层和电容器 | |
| KR102386522B1 (ko) | 기능성 금속 산화물 기반 마이크로전자 디바이스들 | |
| CN104425442A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN100446254C (zh) | 半导体电容 | |
| CN107170750B (zh) | 一种半导体元器件结构及其制作方法 | |
| JPH06181119A (ja) | Ｌｃ複合部品 | |
| CN103311181B (zh) | 改善金属层-绝缘介质层-金属层失配参数的方法 | |
| JP2006173175A (ja) | 半導体集積回路装置および製造方法 | |
| US10910305B2 (en) | Microelectronic devices designed with capacitive and enhanced inductive bumps | |
| JP2007027762A (ja) | インダクタを具備したパッケージングチップ | |
| US20240322791A1 (en) | Monolithic-integrated bulk acoustic wave (baw) resonator | |
| US20230112487A1 (en) | Interdigital transducer electrode for acoustic wave device with improved response | |
| WO2018182681A1 (en) | Engineered porosity using pillar and air gap structures for resonator isolation from bulk | |
| US20240007079A1 (en) | Packaged acoustic wave devices with multilayer piezoelectric substrate | |
| JP2024515666A (ja) | 電気音響デバイスにおけるキャパシタ処理のためのエッチングストップおよび保護層 | |
| KR20140035169A (ko) | 반도체 소자 | |
| CN103346081A (zh) | 一种消除金属层-绝缘层-金属层之钻蚀的方法 | |
| WO2017142554A1 (en) | Bypass a tunable capacitor of an antenna tuner |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160517 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161125 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20161222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6254960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |