JPH1141055A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JPH1141055A JPH1141055A JP9195555A JP19555597A JPH1141055A JP H1141055 A JPH1141055 A JP H1141055A JP 9195555 A JP9195555 A JP 9195555A JP 19555597 A JP19555597 A JP 19555597A JP H1141055 A JPH1141055 A JP H1141055A
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Abstract
を組み込み、特性の向上、小形化及びコストの低減化を
図ることができる弾性表面波フィルタを提供する。 【解決手段】 圧電基板10上に形成されるIDT11
と、このIDT11上に形成される薄膜酸化シリコン膜
15と、前記IDT11の一方に接続される入力導体パ
ターン膜13と、この入力導体パターン膜13に接続さ
れるとともに、前記薄膜酸化シリコン膜15の上部に接
続される入力導体パターン膜電極16と、前記IDT1
1のもう一方に接続されるGND導体パターン膜14
と、このGND導体パターン膜14に接続されるととも
に、前記薄膜酸化シリコン膜16の下部であって、前記
入力導体パターン膜電極16と少なくとも一部が対向す
るように配置されるGND導体パターン膜電極14とを
具備する。
Description
られる弾性表面波(SAW)チップに形成されるSAW
フィルタに係り、特に、そのSAWフィルタの薄膜構造
に関するものである。
は、IEEE TRANSACTIONS ON MI
CROWAVE THEORY AND TECHNI
QUES,VOL.36 No.6,1988年6月,
“Miniature SAWAntenna Dup
lexer for 800−MHz Portabl
e Telephone Used in Cellu
lar RadioSystems”に開示されるもの
がある。
構成を示す図である。この図に示すように、従来の構成
は、SAW共振子の直列腕1の1段目と2段目の間のA
点からSAW共振子の並列腕2が接続されており、SA
Wフィルタから線を引き出し、SAWフィルタチップ4
の外部にコンデンサ3を接続するようにしていた。
た従来のSAWフィルタでは、SAWフィルタチップ4
内のIDTの容量と浮遊容量以外に設計上、容量成分は
なく、直列腕1と並列腕2の交点A部分にコンデンサ3
を薄膜で形成し、容量成分を加え、帯域外減衰量等の特
性を改善することはできなかった。
場合は、外部に引き出し線を出し、外部でディスクリー
トのコンデンサ3に接続できるように、SAWフィルタ
チップ4内に電極接続用パッドを形成する必要がある。
IDTは普通、直列腕、並列腕一対で、1段のフィルタ
を構成することができるが、特性を得るため、複数段で
構成されている。
それぞれコンデンサ用の電極接続用パッドを設ける場
合、コンデンサ用の電極接続用パッドの面積がトータル
で大きくなる。その結果、チップサイズが大きくなる
か、又はサイズの限られたチップ内に電極接続用パッド
を設けることができない場合がある。SAWフィルタチ
ップの外部にコンデンサ3を取り付ける場合は、SMD
等の実装工程が必要となり、コストが高くなる。また、
コンデンサ3を取り付けるための配線やスペースが必要
となる。
のSAWフィルタに薄膜コンデンサを組み込み、特性の
向上、小形化及びコストの低減化を図ることができる弾
性表面波フィルタを提供することを目的とする。
成するために、 〔1〕弾性表面波フィルタにおいて、基板と、この基板
上に形成されるIDTと、このIDT上に形成される薄
膜酸化シリコン膜と、前記IDTの一方に接続される入
力導体パターン膜と、この入力導体パターン膜に接続さ
れるとともに、前記薄膜酸化シリコン膜の上部に接続さ
れる入力導体パターン膜電極と、前記IDTのもう一方
に接続されるGND導体パターン膜と、このGND導体
パターン膜に接続されるとともに、前記薄膜酸化シリコ
ン膜の下部であって、前記入力導体パターン膜電極と少
なくとも一部が対向するように配置されるGND導体パ
ターン膜電極とを設けるようにしたものである。
タにおいて、前記入力導体パターン膜電極と前記GND
導体パターン膜電極との対向面積を調整することによ
り、コンデンサの容量を調整可能にしたものである。 〔3〕上記〔1〕記載の弾性表面波フィルタにおいて、
前記入力導体パターン膜電極と前記GND導体パターン
膜電極とによって挟まれる薄膜酸化シリコン膜の膜厚を
調整することにより、コンデンサの容量を調整可能にし
たものである。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
実施例を示すSAWフィルタの構成図、図2は図1のA
−A′断面図、図3は図1のB−B′断面図、図4は図
1のC−C′断面図である。これらの図において、10
は圧電基板、11はIDT、12はGND導体パターン
膜電極、13は入力導体パターン膜、14はGND導体
パターン膜、15は酸化シリコン(SiO2 )膜、16
は入力導体パターン膜電極である。
10上に形成されるIDT11と、このIDT11上に
形成される薄膜酸化シリコン膜15と、前記IDT11
の一方に接続される入力導体パターン膜13と、この入
力導体パターン膜13に接続されるとともに、前記薄膜
酸化シリコン膜15の上部に接続される入力導体パター
ン膜電極16と、前記IDT11のもう一方に接続され
るGND導体パターン膜14と、このGND導体パター
ン膜14に接続されるとともに、前記薄膜酸化シリコン
膜16の下部であって、前記入力導体パターン膜電極1
6と少なくとも一部が対向するように配置されるGND
導体パターン膜電極14とを具備する。
入力導体パターン膜電極16とによって挟まれる対向部
分には薄膜コンデンサ形成部17が構成される。ここ
で、入力導体パターン膜13、GND導体パターン膜電
極12、IDT11、GND導体パターン膜電極16
は、それぞれ薄膜Alで形成され、入力導体パターン膜
電極16は薄膜Auで形成される。
量は、対向する入力導体パターン膜電極16とGND導
体パターン膜電極12との対向面積又は酸化シリコン
(SiO2 )膜15の膜厚で調整することができる。こ
のように、酸化シリコン(SiO2 )膜15は、IDT
11を覆い、また、薄膜コンデンサ形成のためGND導
体パターン膜電極16を覆うように形成される。また、
入力導体パターン膜13、GND導体パターン膜14は
これに必要な範囲で覆われる。
D18に接続されている。図5は本発明の実施例を示す
SAWフィルタの回路図である。この図に示すように、
SAW共振子の直列腕(IDT)21の1段目と2段目
の間のA点には、SAW共振子の並列腕(IDT)22
が接続されている。このIDT(並列腕)22と、並列
にコンデンサ23が形成される。
中定数で換算されるが、IDT22内の櫛歯の交差長と
対数と電極ピッチにより、集中定数換算のL,C値に制
約があり、従来は自由にL,Cを設定することはできな
かったが、本発明によれば、コンデンサ23を設けるこ
とができるとともに、そのC成分を自由に設定すること
ができる。
共振子の直列腕(IDT)21の1段目と2段目の間の
A点には、SAW共振子の並列腕(IDT)22が接続
され、このIDT(並列腕)22と並列にコンデンサ2
3が形成された第1段目のSAWフィルタに、更に、縦
接続(カスケード)に、直列腕31(IDT)の1段目
と2段目の間のC点にはSAW共振子の並列腕(ID
T)32が接続され、このIDT(並列腕)32と、並
列にコンデンサ33が形成された第2段目のSAWフィ
ルタを設けるようにすることができる。
るとともに、それぞれの段におけるコンデンサの容量C
を調整することができる。このように、本実施例によれ
ば、薄膜コンデンサをSAWチップ内のIDTに並列に
形成することにより、 帯域外の減衰量を大幅に大きくすることができる。
る。 集中定数を変えて通過域の周波数を可変に調整する
ことができる。 従来のようなコンデンサの外付けのための外部接続
用ワイヤボンディングのための電極が不要となる。 従来のような表面実装デバイス(SMD)用外部パ
ッドが不要となる。
MD)用の配線が不要となる。 上記、に起因して、SAWフィルタのサイズの
小形化、工程の簡素化を図ることができる。なお、本発
明は、以下のような利用形態を有することができる。 薄膜コンデンサを形成する部分は、回路上どの部分
でも挿入可能である。
列腕のどちらにも形成可能である。 薄膜コンデンサは複数配置することができる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
よれば、次のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、SAWチップ内の
SAWフィルタに薄膜コンデンサを組み込むことによ
り、SAWフィルタの特性の向上、小形化及びコストの
低減を図ることができる。
導体パターン膜電極とGND導体パターン膜電極との対
向面積を調整することにより、コンデンサの容量を調整
可能にし、帯域外の減衰量を大きくし、集中定数を変え
て通過域の周波数を可変にすることができる。 (3)請求項3記載の発明によれば、前記入力導体パタ
ーン膜電極とGND導体パターン膜電極とによって挟ま
れる薄膜酸化シリコン膜の膜厚を調整することにより、
コンデンサの容量を調整可能にし、帯域外の減衰量を大
きくし、集中定数を変えて通過域の周波数を可変にする
ことができる。
である。
である。
路図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】(a)基板と、(b)該基板上に形成され
るIDTと、(c)該IDT上に形成される薄膜酸化シ
リコン膜と、(d)前記IDTの一方に接続される入力
導体パターン膜と、(e)該入力導体パターン膜に接続
されるとともに、前記薄膜酸化シリコン膜の上部に接続
される入力導体パターン膜電極と、(f)前記IDTの
もう一方に接続されるGND導体パターン膜と、(g)
該GND導体パターン膜に接続されるとともに、前記薄
膜酸化シリコン膜の下部であって、前記入力導体パター
ン膜電極と少なくとも一部が対向するように配置される
GND導体パターン膜電極とを具備することを特徴とす
る弾性表面波フィルタ。 - 【請求項2】 請求項1記載の弾性表面波フィルタにお
いて、前記入力導体パターン膜電極と前記GND導体パ
ターン膜電極との対向面積を調整することによりコンデ
ンサの容量を調整可能にしたことを特徴とする弾性表面
波フィルタ。 - 【請求項3】 請求項1記載の弾性表面波フィルタにお
いて、前記入力導体パターン膜電極と前記GND導体パ
ターン膜電極とによって挟まれる薄膜酸化シリコン膜の
膜厚を調整することによりコンデンサの容量を調整可能
にしたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
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1997
- 1997-07-22 JP JP19555597A patent/JP3401408B2/ja not_active Expired - Fee Related
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