JPWO2012114930A1 - チューナブルフィルタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)は、本発明の第1の実施形態にかかるチューナブルフィルタの模式的平面図であり、(b)はその要部を示す模式的部分切欠き拡大断面図である。また、図2は、本実施形態のチューナブルフィルタの回路図である。
図5(a)〜(f)を参照して、第2の実施形態のチューナブルフィルタの製造方法を説明する。なお、第2の実施形態及び第3〜第5の実施形態では、第1の実施形態とほぼ同様の構造のチューナブルフィルタを製造した。但し、以下に述べるように、誘電体膜を有する可変コンデンサの形成方法において異なる。
第3の実施形態の製造方法を図6(a)〜(f)を参照して説明する。第3の実施形態では、図6(a)に示すように、625μmの厚みのシリコン単結晶(111)基板からなる転写用支持基板41を用いた。この転写用支持基板41は、表面に300nmの厚みの熱酸化膜41aを有する。この熱酸化膜41aが形成されている転写用支持基板41の上面に、剥離促進層として、厚み10nmのロジウム膜(Rh膜)42Aをスパッタリング法により成膜した。
第4の実施形態では、誘電体膜を成長させる基板を溶解することにより、誘電体膜を圧電基板側に転写する。
第5の実施形態では、転写法ではなく、誘電体膜12を圧電基板上において直接成膜した。なお、作製したチューナブルフィルタの構造は第1の実施形態と同様であるが、使用した材料及び各膜の厚み等が以下のとおり異なる。
2…入力端子
3…出力端子
4,5…接続点
6…圧電基板
7…IDT電極
8,9…反射器
10,10A…配線パターン
11…第1の電極
12,12A…誘電体膜
13…第2の電極
13A…Pt膜
21…転写用支持基板
21a…熱酸化膜
22…犠牲層
24…絶縁層
31…転写用支持基板
32…剥離層
41…転写用支持基板
41a…熱酸化膜
42,42A…Rh膜
51…転写用支持基板
51a…熱酸化膜
C1〜C5…可変コンデンサ
S1〜S3…直列腕共振子
P1,P2…並列腕共振子
Claims (12)
- 圧電材料からなる圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された弾性波共振子と、
前記圧電基板上に形成された可変コンデンサとを備え、
前記可変コンデンサが、圧電基板上に直接または間接に形成されており、印加電圧により静電容量が変化する誘電体膜と、前記誘電体膜に電界を印加し得るように設けられた第1の電極および第2の電極とを有する、チューナブルフィルタ。 - 前記誘電体膜が、バリウムストロンチウムチタネートからなる、請求項1に記載のチューナブルフィルタ。
- 前記誘電体膜が、前記圧電基板上に転写により形成された誘電体膜である、請求項1または2に記載のチューナブルフィルタ。
- 前記弾性波共振子が、弾性表面波共振子または圧電薄膜共振子である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のチューナブルフィルタ。
- 圧電基板を用意する工程と、
圧電基板上に弾性波共振子を形成する工程と、
前記圧電基板上に可変コンデンサを形成する工程とを備え、
前記可変コンデンサを形成する工程において、印加電圧により静電容量が変化する誘電体膜を圧電基板上に直接または間接に形成する工程と、前記誘電体膜に電界を印加し得るように第1の電極および第2の電極を形成する工程とを含む、チューナブルフィルタの製造方法。 - 前記誘電体膜の形成が転写法により行われる、請求項5に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記可変コンデンサを形成する工程が、転写用支持基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記転写用支持基板上に形成された誘電体膜を前記圧電基板上に転写する工程とを有する、請求項6に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記可変コンデンサを形成する工程が、前記転写用支持基板上に、除去可能な犠牲膜を形成する工程と、該犠牲膜上に前記誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を前記圧電基板に接合する工程と、接合後に前記犠牲膜を除去する工程とを有する、請求項6に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記可変コンデンサを形成する工程が、レーザー光を透過する転写用支持基板上に、該レーザー光を吸収して融解または揮発する変質層を形成する工程と、前記変質層上に前記誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を前記圧電基板に接合する工程と、接合後に、前記転写用支持基板側からレーザー光を照射して前記変質層を融解または揮発させる工程とを有する、請求項6に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記可変コンデンサを形成する工程が、後で除去可能な転写用支持基板上に前記誘電体膜を形成する工程と、該誘電体膜を前記圧電基板上に直接または間接に接合する工程と、接合後に、前記転写用支持基板を除去する工程とを有する、請求項6に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記可変コンデンサを形成する工程が、転写用支持基板上に、前記誘電体膜との剥離強度が、前記転写用支持基板に対する剥離強度よりも低い易剥離層を形成する工程と、前記易剥離層上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を前記圧電基板上に直接または間接に接合する工程と、前記転写用支持基板上に設けられた易剥離層と前記誘電体膜との間で剥離し、前記誘電体膜を前記圧電基板上に転写する工程とを有する、請求項6に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
- 前記圧電基板上に、特定方向に配向している配向膜を形成する工程をさらに備え、該配向膜上に前記誘電体膜を積層する、請求項5に記載のチューナブルフィルタの製造方法。
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