JP2016082048A5 - - Google Patents

Description

本発明に係る半導体装置は、下面が基板側に接合された半導体素子と、前記半導体素子の上面に接合されたリード端子と、前記半導体素子を前記リード端子における前記半導体素子に接合された部分とともに封止する封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の線膨張係数は、前記リード端子の線膨張係数と前記半導体素子の線膨張係数との中間値である。

本発明によれば、封止樹脂の線膨張係数は、リード端子の線膨張係数と半導体素子の線膨張係数との中間値であるため、封止樹脂と半導体素子との線膨張係数差が大きくなることを抑制でき、リード端子に応力が発生した場合に半導体素子に接続されている信号配線が切断されることを抑制することができる。以上より、半導体装置の高寿命および高信頼性を実現することが可能となる。

Claims (13)

1. 下面が基板側に接合された半導体素子と、
   前記半導体素子の上面に接合されたリード端子と、
   前記半導体素子を前記リード端子における前記半導体素子に接合された部分とともに封止する封止樹脂と、
   を備え、
   前記封止樹脂の線膨張係数は、前記リード端子の線膨張係数と前記半導体素子の線膨張係数との中間値である、半導体装置。
2. 下面が基板側に接合された半導体素子と、
   前記半導体素子の上面に接合され、長手方向の端部の形状が、上側部分よりも下側部分の長手方向の長さが短い段付き形状に形成されたリード端子と、
   前記半導体素子を前記リード端子の前記段付き形状の部分とともに封止する封止樹脂と、
   を備える、半導体装置。
3. 前記封止樹脂の線膨張係数は、前記リード端子の線膨張係数と前記半導体素子の線膨張係数との中間値である、請求項２記載の半導体装置。
4. 前記リード端子は、水平方向に延在する部分を有し、
   前記リード端子の前記水平方向に延在する部分は、前記半導体素子に接合されかつ平面視で直線的に延在する部分を含み、
   前記リード端子は、前記直線的に延在する部分を平面視において部分的に分断する凹部または凸部を備える、請求項２または請求項３記載の半導体装置。
5. 前記凹部または前記凸部は、前記リード端子の厚さ以上の幅および奥行きで構成される、請求項４記載の半導体装置。
6. 前記リード端子は、前記リード端子のうち前記凹部または前記凸部に連続する部分に、前記リード端子の厚さ以上の幅で構成されるスリットをさらに備える、請求項４または請求項５記載の半導体装置。
7. 前記リード端子は、前記凹部または前記凸部に対応する部分に、上向きに曲げられたベンド部をさらに備える、請求項４から６のいずれか１つに記載の半導体装置。
8. 前記リード端子は、前記半導体素子の前記上面のうち信号配線が接続される部分を除く全上面を覆うように形成される、請求項１から７のいずれか１つに記載の半導体装置。
9. 前記リード端子は、前記半導体素子の前記上面のうち信号配線が接続される部分に隣接する前記上面の側へ段付き状に凹んで設けられる凹み部をさらに備える、請求項８記載の半導体装置。
10. 前記リード端子のうち前記半導体素子に接続される部分の側面に濡れ性を向上させる表面処理が施される、請求項１から９のいずれか１つに記載の半導体装置。
11. 前記リード端子のうち前記半導体素子に接続される部分の側面を覆う端子カバーをさらに備える、請求項１から９のいずれか１つに記載の半導体装置。
12. 前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体素子である、請求項１から１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
13. 前記半導体装置は、車両のモータを制御するインバータまたは回生用のコンバータに使用される電力用半導体装置である、請求項１から１２のいずれか１つに記載の半導体装置。