JP6776840B2 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

電子装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6776840B2
JP6776840B2 JP2016226044A JP2016226044A JP6776840B2 JP 6776840 B2 JP6776840 B2 JP 6776840B2 JP 2016226044 A JP2016226044 A JP 2016226044A JP 2016226044 A JP2016226044 A JP 2016226044A JP 6776840 B2 JP6776840 B2 JP 6776840B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin molded
molded body
wiring
bent portion
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016226044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018085377A (ja
JP2018085377A5 (ja
Inventor
若浩 川井
若浩 川井
徹也 桂川
徹也 桂川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2016226044A priority Critical patent/JP6776840B2/ja
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Priority to EP17871776.5A priority patent/EP3544392B1/en
Priority to PCT/JP2017/033675 priority patent/WO2018092407A1/ja
Priority to CN201780060052.XA priority patent/CN109792836B/zh
Priority to US16/336,923 priority patent/US11004699B2/en
Priority to TW106133028A priority patent/TWI660650B/zh
Publication of JP2018085377A publication Critical patent/JP2018085377A/ja
Publication of JP2018085377A5 publication Critical patent/JP2018085377A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6776840B2 publication Critical patent/JP6776840B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • H01L21/566Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5387Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0277Bendability or stretchability details
    • H05K1/028Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/24011Deposited, e.g. MCM-D type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24101Connecting bonding areas at the same height
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24153Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/24195Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/245Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251Disposition
    • H01L2224/2512Layout
    • H01L2224/25175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385Assembly of a plurality of insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/148Arrangements of two or more hingeably connected rigid printed circuit boards, i.e. connected by flexible means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0191Using tape or non-metallic foil in a process, e.g. during filling of a hole with conductive paste
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1316Moulded encapsulation of mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
    • H05K2203/1469Circuit made after mounting or encapsulation of the components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本技術は、一部が屈曲可能である電子装置およびその製造方法に関する。
近年、携帯機器等における超小型化の要求の高まりによって、電子部品を搭載したリジッド型の基板を固定する場所が限られている。そのため、同一平面上に配置されていない複数のリジッド型の基板を接続するために屈曲可能なフレキシブル型の基板を用いる技術が知られている。
図11は、リジッド型の基板とフレキシブル型の基板とを組み合わせた電子装置の例を示す図である。図11に示される電子装置は、リジッド型の基板70,75とフレキシブル型の基板80とを備える。
リジッド型の基板70には、配線72a,72bが形成され、当該配線72a,72bに接続された電子部品71が搭載される。リジッド型の基板75には、配線77a〜77cが形成され、当該配線77a〜77cに接続された電子部品76a,76bが搭載される。フレキシブル型の基板80に形成された導電層81は、導電性接着層90aにより基板70の配線72bに接続されるとともに、導電性接着層90bにより基板75の配線77aに接続される。これにより、基板70,75が屈曲可能なフレキシブル型の基板80により電気的に接続される。
しかしながら、図11に示す電子装置では、リジッド型の基板70,75は、フレキシブル型の基板80との接続のための端子部が必要となり、基板面積が大型化する。また、組み立て工数の増加により製造コストが増える。
そこで、特開平6−177490号公報(特許文献1)には、フレキシブル配線板の上下からリジッ配線板接着層を介して挟着することにより、フレキシブル配線板とリジッ配線板とを一体化したプリント配線板が開示されている。特開平6−177490号公報に記載の技術では、フレキシブル配線板とリジッ配線板とを、スルーホールなどの層間回路配線を用いることで接続することができる。これにより、フレキシブル型の基板との接続のために端子部を設ける必要がなく、基板面積の大型化を防止できる。
特開平6−177490号公報
しかしながら、特開平6−177490号公報に記載の技術では、フレキシブル配線板の上下からリジッ配線板で挟むため、プリント配線基板が厚くなるという問題が生じる。さらに、プリント配線基板の上に電子部品が半田等により搭載されるため、さらに電子部品の分だけ厚くなる。
また、リジッ配線板とフレキシブル基板との多層化のために積層プレス等の工程や大型の装置を必要とするため、製造コストが高くなってしまう問題がある。
本発明は、上記従来技術の問題点に着目してなされたもので、屈曲可能な屈曲部を備えるとともに、小型化および薄型化が可能な電子装置を提供するとともに、当該電子装置の製造コストを抑制した製造方法を提供することを目的としている。
ある局面に従うと、電子装置は、電子部品と、電子部品を埋設して固定する樹脂成形体と、樹脂成形体に連接する屈曲可能な屈曲部とを備える。
好ましくは、屈曲部は、樹脂によって樹脂成形体と一体に成形される。もしくは、樹脂成形体は、屈曲部の一部を埋設して支持してもよい。
好ましくは、樹脂成形体の表面は、電子部品を露出させる露出面を含む。屈曲部の表面は、露出面と連続する連続面を含む。電子装置は、さらに、露出面と連続面との上に形成され、電子部品に接続する配線を備える。
たとえば、配線は、電子部品から連続面の上まで連続して形成される。もしくは、配線は、露出面の上に形成され、電子部品に接続する第1配線と、連続面の上に予め形成され、第1配線に接続する第2配線とを含んでもよい。
屈曲部の材料の破断時の伸び率は、樹脂成形体の材料の破断時の伸び率よりも大きい。たとえば、屈曲部は、破断時の伸び率が300%以上の樹脂により形成されてもよい。樹脂成形体は、破断時の伸び率が150%以下の樹脂により形成されてもよい。樹脂成形体はフィラーを含んでもよい。
別の局面に従うと、電子装置の製造方法は、電子部品をシートに貼り付ける工程と、シートを成形型内に配置し、成形型内に樹脂を充填させることにより、電子部品が埋設された樹脂成形体と、樹脂成形体よりも薄い屈曲可能な屈曲部とを一体成形する工程と、シートを樹脂成形体から剥離することにより露出する、樹脂成形体におけるシートに接していたシート接合面と、屈曲部におけるシート接合面に連続する連続面とに、配線を形成する工程とを備える。
さらに別の局面に従うと、電子装置の製造方法は、電子部品をシートに貼り付ける工程と、シートを2種類の成形型内に順に配置し、二色成形法により、電子部品が埋設された樹脂成形体と、樹脂成形体に連接する屈曲可能な屈曲部とを一体に成形する工程と、シートを樹脂成形体から剥離することにより露出する、樹脂成形体におけるシートに接していたシート接合面と、屈曲部におけるシート接合面に連続する連続面とに、配線を形成する工程とを備える。
さらに別の局面に従うと、電子装置の製造方法は、電子部品と、屈曲可能な屈曲部とをシートに貼り付ける工程と、シートを成形型内に配置し、成形型内に樹脂を充填させることにより、電子部品と屈曲部の一部とが埋設された樹脂成形体を成形する工程と、シートを樹脂成形体から剥離することにより露出する、樹脂成形体におけるシートに接していたシート接合面に第1配線を形成する工程とを備える。
好ましくは、屈曲部の表面は、シート接合面に連続する連続面を含む。第1配線を形成する工程において、連続面にも第1配線を形成する。
もしくは、屈曲部の表面に第2配線が予め形成されていてもよい。そして、貼り付ける工程において、第2配線がシートに対向するように屈曲部をシートに貼り付け、第1配線を形成する工程において、第2配線に接続するように第1配線を形成してもよい。
本開示によれば、屈曲可能な屈曲部を備えるとともに、小型化および薄型化が可能な電子装置を実現できる。
実施の形態1に係る電子装置の概略的な構成を示す平面図である。 図1のX−X線に沿った矢視断面図である。 実施の形態1に係る電子装置の製造方法を説明する図である。 実施の形態2に係る電子装置の概略的な構成を示す平面図である。 図4のX−X線に沿った矢視断面図である。 実施の形態4に係る電子装置の概略的な構成を示す平面図である。 図6のX−X線に沿った矢視断面図である。 実施の形態4に係る電子装置の製造方法を説明する図である。 実施の形態5に係る電子装置の概略的な構成を示す平面図である。 図9のXI−XI線に沿った矢視断面図である。 リジッド型の基板とフレキシブル型の基板とを組み合わせた電子装置の例を示す図である。
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中の同一または相当部分については、同一符号を付してその説明は繰返さない。
<実施の形態1>
(電子装置の構成)
図1および図2を参照して、実施の形態1に係る電子装置100の概略的な構成について説明する。図1は、実施の形態1に係る電子装置100の概略的な構成を示す平面図である。図2は、図1のX−X線に沿った矢視断面図である。
電子装置100は、ウエアラブル携帯機器などの携帯用電子機器や小型センサなどの各種の電子機器に組み込まれ、電子機器の主要なまたは補助的な機能を担う。ウエアラブル携帯機器としては、たとえば、衣服に装着され、体の表面温度を計測する計測機器や、腕に巻き付けられ、脈拍や血圧等を計測する計測機器などがある。
図1および図2に示されるように、電子装置100は、電子回路が形成される本体部10と、屈曲可能な屈曲部20と、配線30(30a〜30h)とを備える。本体部10は、樹脂成形体11と、電子部品12(12a〜12e)とを含む。
樹脂成形体11は、略板状であり、ポリカーボネイト(PC)またはアクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)等の樹脂からなる。なお、樹脂成形体11の形状は、特に限定されるものではなく、電子装置100の形状に合わせて適宜設計すればよい。樹脂成形体11の材質は、他の種類の樹脂(たとえば、ポリプロピレン(PP)やエラストマなど)であってもよい。
樹脂成形体11は、その内部に電子部品12(12a〜12e)を埋設することで、電子部品12を固定する。樹脂成形体11は、上面11aから電子部品12が露出するように、電子部品12を埋設している。
電子部品12(12a〜12e)は、チップ型コンデンサ、チップ型抵抗、IC(Integrated Circuit)等の電子部品である。電子部品12の数および種類は、特に限定されるものではない。
電子部品12a〜12eにおける樹脂成形体11から露出する表面には、それぞれ電極13a〜13eが形成されている。
屈曲部20は、樹脂成形体11に連接し、屈曲可能である。具体的には、屈曲部20は、樹脂成形体11と同じ材質で構成され、樹脂成形体11と一体成形される。屈曲部20は、樹脂成形体11よりも屈曲性が高くなるように、樹脂成形体11の厚みt2(たとえば、3mm)よりも薄い厚みt1(たとえば、0.2mm)を有する。
屈曲部20の表面は、樹脂成形体11の上面11aと連続する連続面20aを含む。ここで、2つの面が「連続する」とは、当該2つの面の間の段差が、その上に形成される配線が切断しない程度に小さいことを意味する。具体的には、屈曲部20の連続面20aは、樹脂成形体11の上面11aと同一平面上にある。
配線30(30a〜30h)は、樹脂成形体11の上面11aおよび屈曲部20の連続面20aの少なくとも上面11aの上に形成され、電子部品12a〜12eの電極13a〜13eのいずれかに接続する。
具体的には、配線30a〜30cは、樹脂成形体11の上面11aおよび屈曲部20の連続面20aの両方の上に形成され、それぞれ電子部品12eの電極13e,電子部品12dの電極13d,電子部品12bの電極13bから連続面20aの上まで連続して形成される。
配線30d〜30hは、樹脂成形体11の上面11aの上に形成される。配線30dは、電子部品12aの電極13aおよび電子部品12bの電極13bに接続される。配線30eは、電子部品12aの電極13aおよび電子部品12cの電極13cに接続される。配線30fは、電子部品12cの電極13cおよび電子部品12dの電極13dに接続される。配線30gは、電子部品12aの電極13aおよび電子部品12dの電極13dに接続される。配線30hは、電子部品12dの電極13dおよび電子部品12eの電極13eに接続される。
配線30は、たとえばインクジェット印刷法を用いて銀(Ag)インクを噴射することにより、容易に形成することができる。インクジェット印刷法は、インクをノズルから噴射し、粒子状のインクを噴射対象面上に堆積させる印刷方式である。
上述したように、樹脂成形体11の上面11aと屈曲部20の連続面20aとは連続しているため、配線30は、インクジェット印刷法を用いて銀(Ag)インクを噴射することにより、容易に形成される。
(電子装置の製造方法)
次に、図3を参照して、実施の形態1に係る電子装置100の製造方法の一例について説明する。図3は、電子装置100の製造方法を説明する図である。図3(a)〜(d)には、それぞれ電子装置100を製造するための第1〜第4工程を説明するための図が示される。図3(a)において、左側が平面図、右側が側面図を示している。図3(b)には断面図が示される。図3(c)(d)において、左側が平面図、右側が平面図におけるX−X線に沿った矢視断面図を示している。
(第1工程)
図3(a)に示されるように、まず、電子部品12a〜12eを、長方形状の仮固定シート200に接着剤(図示せず)により貼り付けて仮固定する。このとき、電子部品12a〜12eは、電極13a〜13eが形成された面が仮固定シート200に接するように貼り付けられる。
仮固定シート200の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)等を用いることができる。仮固定シート200は、後述する理由により、紫外線を透過し、かつ柔軟性を有している材料からなっていることが好ましい。
仮固定は、例えば、仮固定シート200の片方の面に塗布した、例えば紫外線硬化型の接着剤(図示せず)を用いて行うことができる。例えば、厚み50μmのPET製の仮固定シート200に、紫外線硬化型の接着剤を2〜3μmの厚さで塗布する。この塗布は、インクジェット印刷法などの方法を用いて行なえばよい。その後、電子部品12a〜12eを、それぞれ設定された位置に設置する。そして、仮固定シート200の電子部品12a〜12eが仮固定されていない面から、例えば3000mJ/cmの強度の紫外線を照射することにより、接着剤を硬化して、電子部品12a〜12eを仮固定シート200に仮固定する。
(第2工程)
次に、図3(b)に示されるように、電子部品12a〜12eが仮固定された仮固定シート200を、第1型210と第2型220とを組み合わせることにより構成される成形型の内部に設置する。
第1型210における第2型220と対向する面には、仮固定シート200と同形状の凹部211が形成されており、当該凹部211に仮固定シート200を嵌め込む。これにより、仮固定シート200における電子部品12a〜12eが貼り付けられた面は、第2型220と対向する。
また、凹部211の深さは、仮固定シート200の厚みと同じである。そのため、仮固定シート200における電子部品12が仮固定された面と、第1型210の凹部211が形成されていない部分における第2型220と対向する面とは同一平面上に存在する。
第2型220における第1型210と対向する面は、第1型210の凹部211に対向する部分に深さt2の空間221を形成するとともに、第1型210の凹部211と対向しない部分に深さt1の空間222を形成するような形状を有する。空間221と空間222とは連通している。
そして、第1型210と第2型220とを組み合わせることにより構成される成形型の内部の空間221,222に樹脂材を射出して、樹脂の射出成形を行なう。
射出成形を行う条件は、樹脂に応じて適宜選択されればよく、例えば、ポリカーボネート(PC)を用いる場合には、射出樹脂温度270℃、射出圧力100MPaで射出成形を行う。
射出成形する樹脂は、多様な樹脂材料を採用することができる。ただし、エラストマなどのゴム弾性を有する材料を用いれば、屈曲部20がより柔軟に変形可能となる。また、射出成形を行う条件は、特に限定されるものではない。
(第3工程)
図3(c)に示されるように、第2工程の射出成形により得られた構造体230を成形型から取り出す。構造体230は、成形型の空間221と同一形状(厚みt2)を有する樹脂成形体11と、成形型の空間222と同一形状(厚みt1)を有する屈曲部20とを備える。
そして、構造体230から仮固定シート200を剥離する。これにより、樹脂成形体11における仮固定シート200に接していたシート接合面(上面11aに対応)から電子部品12a〜12eの表面が露出する。
仮固定シート200がPETフィルムである場合、第2工程時の熱変化によって仮固定シート200が大きく変形しているため、仮固定シート200を構造体230から容易に分離することができる。
なお、第2工程において、第1型210の凹部211に仮固定シート200を嵌め込んだとき、仮固定シート200における電子部品12が仮固定された面と、第1型210における第2型220と対向する面とは同一平面上に存在する。そのため、屈曲部20において第1型210に接していた部分の表面は、樹脂成形体11の上面11aに連続するとともに、上面11aと同一平面上にある連続面20aとなる。
(第4工程)
図3(d)に示されるように、第3工程の後、樹脂成形体11の上面11aと屈曲部20の連続面20aとの上に所定パターンの配線30(30a〜30h)を形成する。
配線30の形成は、インクジェット印刷法等によって導電材料(例えば、銀インク等)を噴霧する方法、エアロゾルを用いる方法、またはディスペンサを用いる方法等を用いて行うことができる。
配線30は、適宜選択した方法を用いて、容易かつ回路設計の自由度を高く形成することができ、各電子部品12a〜12eは、半田付け等することなく簡便に電気的に接続することができる。さらに言えば、工業的には、各電子部品12a〜12eの位置が決定してから、各電子部品12a〜12eを結線することができるため、例えばプリント基板に電子部品を位置合わせする場合よりも、正確かつ容易に各電子部品12a〜12eを電気的に接続することができる。
これにより、電子部品12と樹脂成形体11とを含む本体部10と、屈曲部20と、配線30とを備えた電子装置100の作製が完了する。
(利点)
以上のように、電子装置100は、電子部品12と、電子部品12を埋設して固定する樹脂成形体11と、樹脂成形体11に連接する屈曲可能な屈曲部20とを備える。
樹脂成形体11は、電子部品12を埋設して固定することにより、電子部品が搭載される基板として機能する。これにより、従来のリジッド型の基板の上面に電子部品が半田等により搭載される場合に比べて、電子装置100を小型化および薄型化できる。
さらに、屈曲部20が樹脂成形体11に連接されるため、フレキシブル配線板を上下からリジッ配線板で挟む場合(特開平6−177490号公報参照)に比べて、電子装置100を小型化および薄型化することができる。
屈曲部20は樹脂成形体11と一体に成形される。これにより、屈曲部20と樹脂成形体11との間に機械的な負荷が加わる接続点が存在しないため、樹脂成形体11と屈曲部20の接続信頼性が高くなる。また、比較的高価なフレキシブル基板を別部材として使用する必要がないため、部品コストを低減できる。
樹脂成形体11の表面は、電子部品12を露出させる上面(露出面)11aを含む。屈曲部20の表面は、上面11aと連続する連続面20aを含む。電子装置100は、上面11aと連続面20aとの上に形成され、電子部品12に接続する配線30を備える。これにより、屈曲部と樹脂成形体11とを電気的に接続するための端子部が不要となり、より小型化することができる。
電子装置100は、以下の(1)〜(3)の工程により製造される。
(1)電子部品12を仮固定シート200に貼り付ける工程。
(2)仮固定シート200を成形型(第1型210および第2型220)内に配置し、成形型内に樹脂を充填させることにより、電子部品12が埋設された樹脂成形体11と、樹脂成形体11よりも薄い屈曲可能な屈曲部20とを一体成形する工程。
(3)仮固定シート200を樹脂成形体11から剥離することにより露出する、樹脂成形体11における仮固定シート200に接していた上面(シート接合面)11aと、屈曲部20における上面11aに連続する連続面20aとに、配線30を形成する工程。
上記の製造方法により、本体部10と屈曲部20との電気的な接続は、樹脂成形体11の上面11aと屈曲部20の連続面20aとの上に配線30を形成することにより達成される。このように、従来のようなフレキシブル型の基板をリジッド型の基板に接続するための複雑な工程が不要となるとともに、接着剤等の部材も不要となる。そのため、電子装置100の製造コストを低減できる。
<実施の形態2>
本発明の実施の形態2に係る電子装置は、実施の形態1の電子装置100の変形例であり、電子部品と樹脂成形体とを含む本体部を複数備える。
図4は、実施の形態2に係る電子装置100Aの概略的な構成を示す平面図である。図5は、図4のX−X線に沿った矢視断面図である。
図4および図5に示されるように、電子装置100Aは、本体部40と配線30i〜30kとを備える点で実施の形態1の電子装置100と相違する。
本体部40は、屈曲部20における本体部10に接続されている端部と反対側の端部に接続される。本体部40は、樹脂成形体41と、電子部品42(42a〜42c)とを含む。
樹脂成形体41は、略板状であり、樹脂成形体11および屈曲部20と同じ樹脂により樹脂成形体11および屈曲部20と一体成形される。
樹脂成形体41は、その内部に電子部品42(42a〜42c)を埋設することで、電子部品42を固定する。樹脂成形体41は、上面41aから電子部品42が露出するように、電子部品42を埋設している。
樹脂成形体41の上面41aは、屈曲部20の連続面20aと連続しており、樹脂成形体11の上面11aおよび連続面20aと同一平面上にある。
電子部品42(42a〜42c)は、チップ型コンデンサ、チップ型抵抗、IC(Integrated Circuit)等の電子部品である。電子部品42の数および種類は、特に限定されるものではない。
電子部品42a〜42cにおける樹脂成形体41から露出する表面には、それぞれ電極43a〜43cが形成されている。
配線30i〜30kは、樹脂成形体41の上面41aに形成され、電子部品42a〜42cの電極43a〜43cに接続する。
また、本実施の形態2において、屈曲部20の連続面20aに形成される配線30a〜30cは、樹脂成形体41の上面41aにまで延長される。配線30aは、電子部品42bの電極43bに接続する。配線30b、30cは、電子部品42cの電極43cに接続する。
電子装置100Aは、実施の形態1と同様の方法により製造される。具体的には、実施の形態1において説明した第1工程において、電子部品12が仮固定された仮固定シート200とは別に、電子部品42が仮固定された仮固定シートを準備する。第2工程において、電子部品12が仮固定された仮固定シート200と、電子部品42が仮固定された仮固定シートとを成形型の内部に設置し、成形型の内部に樹脂材を射出して、樹脂の射出成形を行なう。これにより、樹脂成形体11,41および屈曲部20を一体成形する。その後、第4工程において、樹脂成形体11の上面11aおよび樹脂成形体41の上面41aと、上面11a,41aに連続する屈曲部20の連続面20aとの上に、配線30(30a〜30k)を形成すればよい。
上記の構成によれば、複数の本体部10,40間に屈曲可能な屈曲部20が配置される。そのため、本体部10と本体部40との設置個所が同一平面上ではない場合であっても、屈曲部20により本体部10の電子回路と本体部40の電子回路とを電気的に接続された状態を確保しながら、電子装置100Aを電子機器に組み込むことができる。
<実施の形態3>
本発明の実施の形態3に係る電子装置は、実施の形態1の電子装置100または実施の形態2の電子装置100Aの変形例であり、屈曲部20と本体部10の樹脂成形体11および本体部40の樹脂成形体41との材質が異なる。
たとえば、本体部10の樹脂成形体11および本体部40の樹脂成形体41には、ポリカーボネイト(PC)またはアクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)等の破断時の伸び率が150%以下の樹脂材を用いることが好ましい。なお、破断時の伸び率とは、JIS K 7162に従って引張試験を行なったときに、試験前における試験片に対する破断時の試験片の伸び率を示す。
これにより、本体部10,40が変形しにくくなるため、本体部10,40を定位置に固定しやすくなる。
これに対し、屈曲部20には、破断時の伸び率が580%であるポリウレタン(PU)または破断時の伸び率が300%であるポリアミド(PA)等の破断時の伸び率が300%以上の樹脂材を用いることが好ましい。
これにより、電子装置100,100Aが組み込まれる電子機器の他の構成や本体部10,40が設置される位置に従って、必要に応じて屈曲部20を伸ばした状態で電子装置100,100Aを電子機器に組み込むことができる。その結果、電子機器の内部構成の個体ばらつきや、内部構成の多少の設計変更があったとしても、電子装置100,100Aを電子機器に組み込みやすくなる。
衣服(たとえば下着)に搭載され、体の表面温度を計測する計測機器に組み込まれる電子装置100Aの場合、屈曲部20は、人間の関節に近い位置に設置される。これにより、破断時の伸び率が300%以上の樹脂材を用いて形成された屈曲部20は、衣服を着た人の動きに合わせて伸縮することができる。
温度センサーを電子部品12として含む本体部10は、人間の関節から離れた比較的安定した位置に設置される。本体部10の樹脂成形体11は、人間の表面に接触したときに、当該人間への刺激を低減するためにある程度の弾力性を有することが好ましい。樹脂成形体11を形成する樹脂材は、本体部10の設置個所に応じて、破断時の伸び率が150%以下の樹脂材から適宜選択される。
また、屈曲部20と本体部10の樹脂成形体11および本体部40の樹脂成形体41との樹脂材を同一にする場合であっても、樹脂成形体11および樹脂成形体41を構成する樹脂材にはフィラー(たとえば、ガラスフィラー、カーボンフィラー)を複合させることが好ましい。これにより、本体部10,40の強度を上げることができる。特に、強度を効率的に上げるには、ガラスフィラーを複合させることが好ましい。
屈曲部20と本体部10の樹脂成形体11および本体部40の樹脂成形体41との材質を異ならせる方法としては、従来公知の二色成形法等を用いればよい。
二色成形法は、異なる樹脂同士、あるいは異素材同士を組み合わせて一体に成形を行なう方法である。具体的には、第1成形型を用いて樹脂成形体11を成形した後、第2成形型を用いて屈曲部20を成形することにより、樹脂成形体11と屈曲部20とを一体に成形する。もしくは、第1成形型を用いて屈曲部20を成形した後、第2成形型を用いて樹脂成形体11を成形することにより、樹脂成形体11と屈曲部20とを一体に成形してもよい。
屈曲部20として破断時の伸び率が高い材質を用いる場合、屈曲部20は、樹脂成形体11と同じ厚みを有していてもよい。
<実施の形態4>
上記の実施の形態1〜3では屈曲部20を樹脂材の射出成形により成形したが、実施の形態4に係る電子装置は、フレキシブル基板を屈曲部として用いる。
(電子装置の構成)
図6および図7を参照して、実施の形態4に係る電子装置100Bの構成を説明する。図6は、実施の形態4に係る電子装置100Bの概略的な構成を示す平面図である。図7は、図6のX−X線に沿った矢視断面図である。
図6および図7に示されるように、電子装置100Bは、本体部10の代わりに本体部50を備え、屈曲部20の代わりに屈曲部60を備える点で実施の形態1の電子装置100と相違する。
屈曲部60は、ポリイミド(PI)またはポリエチレンテレフタレート(PET)等により構成されたフィルム上のフレキシブル基板である。屈曲部60の形状は、特に限定されるものではないが、たとえば矩形状である。屈曲部60の厚みは、特に限定されるものではないが、たとえば50μmである。
本体部50は、樹脂成形体11の代わりに樹脂成形体51を備える点で実施の形態1の本体部10と相違する。
樹脂成形体51は、略板状であり、ポリカーボネイト(PC)またはアクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)等の樹脂からなる。なお、樹脂成形体51の形状は、特に限定されるものではなく、電子装置100Bの形状に合わせて適宜設計すればよい。樹脂成形体51の材質は、他の種類の樹脂(たとえば、ポリプロピレン(PP)やエラストマなど)であってもよい。
樹脂成形体51は、樹脂成形体11と同様に、その内部に電子部品12(12a〜12e)を埋設することで、電子部品12を固定する。樹脂成形体51は、上面51aから電子部品12が露出するように、電子部品12を埋設する。
さらに、樹脂成形体51は、屈曲部60の一部を埋設することで、屈曲部60を支持する。これにより、屈曲部60は樹脂成形体51に連接する。図6および図7に示す例では、樹脂成形体51は、矩形状の屈曲部60の一方の短辺を含む端部を埋設して支持する。樹脂成形体51は、その上面51aと屈曲部60の表面の一部(連続面60a)とが連続するように、屈曲部60を支持する。具体的には、上面51aと屈曲部60の連続面60aとが同一平面上にあるように、樹脂成形体51は屈曲部60を支持する。
配線30(30a〜30h)は、実施の形態1と同様に、樹脂成形体51の上面51aおよび屈曲部60の連続面60aの少なくとも一方の上に形成され、電子部品12a〜12eのいずれかに接続する。
(電子装置の製造方法)
次に、図8を参照して、実施の形態4に係る電子装置100Bの製造方法の一例について説明する。図8は、電子装置100Bの製造方法を説明する図である。図8(a)〜(d)には、それぞれ電子装置100Bを製造するための第1〜第4工程を説明するための図が示される。図8(a)において、左側が平面図、右側が側面図を示している。図8(b)には断面図が示される。図8(c)(d)において、左側が平面図、右側が平面図におけるX−X線に沿った矢視断面図を示している。
(第1工程)
図8(a)に示されるように、まず、電子部品12a〜12eと屈曲部60とを、仮固定シート200に接着剤により貼り付けて仮固定する。このとき、電子部品12a〜12eは、電極13a〜13eが形成された面が仮固定シート200に接するように貼り付けられる。屈曲部60は、その一部のみが仮固定シート200に貼り付けられる。仮固定シート200への電子部品12a〜12eと屈曲部60との仮固定の方法は、実施の形態1の第1工程と同じであるため、詳細な説明を省略する。
(第2工程)
次に、図8(b)に示されるように、電子部品12a〜12eおよび屈曲部60が仮固定された仮固定シート200を、第1型210と第2型220とを組み合わせることにより構成される成形型の内部に設置する。
実施の形態1と同様に、第1型210に形成された凹部211に仮固定シート200を嵌め込む。このとき、屈曲部60は、空間222の略全域に収容されるとともに、その一部が空間221に突き出している。
そして、第1型210と第2型220とを組み合わせることにより構成される成形型の内部の空間221に樹脂材を射出して、樹脂の射出成形を行なう。射出成形を行う条件は、実施の形態1の第2工程と同じである。
(第3工程)
図8(c)に示されるように、第2工程の射出成形により得られた構造体240を成形型から取り出す。構造体240は、電子部品12a〜12eを埋設するとともに、成形型の空間221と同一形状を有する樹脂成形体51と、樹脂成形体51に一部が埋設された屈曲部60とを備える。
そして、構造体240から仮固定シート200を剥離する。これにより、樹脂成形体51の上面51aから電子部品12a〜12eの表面が露出する。また、屈曲部60において仮固定シート200に貼り付けられていた連続面60aは、樹脂成形体51の上面51aと同一平面上となり、上面51aと連続する。
(第4工程)
図8(d)に示されるように、第3工程の後、樹脂成形体51の上面51aと屈曲部60の連続面60aとの上に所定パターンの配線30(30a〜30h)を形成する。配線30の形成方法は、実施の形態1の第4工程と同じである。
これにより、電子部品12と樹脂成形体51とを含む本体部50と、樹脂成形体51により支持された屈曲部60と、配線30とを備えた電子装置100Bの作製が完了する。
(利点)
実施の形態3の電子装置100Bでは、樹脂成形体51は、屈曲部60の一部を埋設して支持する。これにより、接着剤等で接着する場合に比べて、屈曲部60と樹脂成形体51との接続の信頼性が高くなる。
電子装置100Bは、以下の(1)〜(3)の工程により製造される。
(1)電子部品12と、屈曲可能な屈曲部60とを仮固定シート200に貼り付ける工程。
(2)仮固定シート200を成形型(第1型210と第2型220とを組み合わせた型)内に配置し、成形型内に樹脂を充填させることにより、電子部品12と屈曲部60の一部とが埋設された樹脂成形体51を成形する工程。
(3)仮固定シート200を樹脂成形体51から剥離することにより露出する、樹脂成形体51における仮固定シート200に接していた上面(シート接合面)51aに配線(第1配線)30を形成する工程。
これにより、屈曲部60を備えた電子装置100Bを容易に製造することができる。そのため、電子装置100Bの製造コストを低減できる。
配線30は、屈曲部60における、樹脂成形体51の上面51aに連続する連続面60aにも形成される。これにより、本体部50と屈曲部60との電気的な接続は、樹脂成形体51の上面51aと屈曲部60の連続面60aとの上に配線30を形成することにより達成される。このように、従来のようなフレキシブル型の基板をリジッド型の基板に接続するための複雑な工程が不要となるとともに、接着剤等の部材も不要となる。そのため、電子装置100Bの製造コストを低減できる。
<実施の形態5>
本発明の実施の形態5に係る電子装置は、実施の形態4の電子装置100Bの変形例であり、フレキシブル基板である屈曲部60に予め配線が形成されている。
図9は、実施の形態5に係る電子装置100Cの概略的な構成を示す平面図である。図10は、図9のXI−XI線に沿った矢視断面図である。
図9および図10に示されるように、電子装置100Cは、本体部50と、屈曲部60と、配線(第1配線)30(30d〜30h,30m,30n,30p)とを備えている。屈曲部60において、樹脂成形体51の上面51aに連続する連続面60aには、配線(第2配線)61(61a〜61c)が予め形成されている。
配線61は、たとえば12μm程度の厚みを有する銅により形成される。もしくは、配線61は、銅の代わりにアルミ等により形成されてもよい。
配線30mは、屈曲部60に形成された配線61aと電子部品12bと接続するように形成される。配線30nは、屈曲部60に形成された配線61bと電子部品12dと接続するように形成される。配線30pは、屈曲部60に形成された配線61cと電子部品12eと接続するように形成される。
これにより、既に配線が形成されたフレキシブル基板を屈曲部60として用いることができる。
電子装置100Cは、上記の実施の形態4の電子装置100Bと同様の製造方法(図8参照)により製造される。ただし、図8に示す第1工程において、屈曲部60は、配線61が仮固定シート200に対向するように(接するように)、仮固定シート200に貼り付けられる。これにより、樹脂の射出成形後に、配線61は、樹脂成形体51における仮固定シート200に接していた上面(シート接合面)51aと同一平面上となる。その結果、配線30を形成する際に、配線30の一部を容易に配線61に接続させることができる。このように、フレキシブル基板である屈曲部60の配線61と、樹脂成形体51上に形成される配線30とを容易に接続させることができる。すなわち、従来のようなフレキシブル型の基板をリジッド型の基板に接続するための複雑な工程が不要となるとともに、接着剤等の部材も不要となる。そのため、電子装置100Cの製造コストを低減できる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10,40,50 本体部、11,41,51 樹脂成形体、11a,41a,51a
上面、12(12a〜12e),42(42a〜42c),71,76a,76b 電子部品、13a〜13e,43a〜43c 電極、20,60 屈曲部、20a,60a 連続面、30(30a〜30p),61(61a〜61c),72a,72b,77a,77c 配線、70,75,80 基板、81 導電層、90a,90b 導電性接着層、100,100A,100B,100C 電子装置、200 仮固定シート、210 第1型、211 凹部、220 第2型、221,222 空間、230,240 構造体。

Claims (11)

  1. 電子部品と、
    前記電子部品を埋設して固定する樹脂成形体と、
    前記樹脂成形体に連接する屈曲可能な屈曲部とを備える電子装置であって、
    前記樹脂成形体は、前記屈曲部の一部を埋設して支持し、
    前記樹脂成形体の表面は、前記電子部品を露出させる露出面を含み、
    前記屈曲部の表面は、前記露出面と連続する連続面を含み、
    前記電子装置は、さらに、
    前記露出面と前記連続面との上に形成され、前記電子部品に接続する配線を備える、電子装置。
  2. 前記配線は、前記電子部品から前記連続面の上まで連続して形成される、請求項に記載の電子装置。
  3. 前記配線は、
    前記露出面の上に形成され、前記電子部品に接続する第1配線と、
    前記連続面の上に予め形成され、前記第1配線に接続する第2配線とを含む、請求項に記載の電子装置。
  4. 前記屈曲部の材料の破断時の伸び率は、前記樹脂成形体の材料の破断時の伸び率よりも大きい、請求項1からのいずれか1項に記載の電子装置。
  5. 前記屈曲部は、破断時の伸び率が300%以上の樹脂により形成される、請求項に記載の電子装置。
  6. 前記樹脂成形体は、破断時の伸び率が150%以下の樹脂により形成される、請求項に記載の電子装置。
  7. 前記樹脂成形体はフィラーを含む、請求項1からのいずれか1項に記載の電子装置。
  8. 電子部品をシートに貼り付ける工程と、
    前記シートを2種類の成形型内に順に配置し、二色成形法により、前記電子部品が埋設された樹脂成形体と、前記樹脂成形体に連接する屈曲可能な屈曲部とを一体に成形する工程と、
    前記シートを前記樹脂成形体から剥離することにより露出する、前記樹脂成形体における前記シートに接していたシート接合面と、前記屈曲部における前記シート接合面に連続する連続面とに、配線を形成する工程とを備える、電子装置の製造方法。
  9. 電子部品と、屈曲可能な屈曲部とをシートに貼り付ける工程と、
    前記シートを成形型内に配置し、前記成形型内に樹脂を充填させることにより、前記電子部品と前記屈曲部の一部とが埋設された樹脂成形体を成形する工程と、
    前記シートを前記樹脂成形体から剥離することにより露出する、前記樹脂成形体における前記シートに接していたシート接合面に第1配線を形成する工程とを備える、電子装置の製造方法。
  10. 前記屈曲部の表面は、前記シート接合面に連続する連続面を含み、
    前記第1配線を形成する工程において、前記連続面の上にも前記第1配線を形成する、請求項に記載の電子装置の製造方法。
  11. 前記屈曲部の表面に第2配線が予め形成されており、
    前記貼り付ける工程において、前記第2配線が前記シートに対向するように前記屈曲部を前記シートに貼り付け、
    前記第1配線を形成する工程において、前記第2配線に接続するように前記第1配線を形成する、請求項に記載の電子装置の製造方法。
JP2016226044A 2016-11-21 2016-11-21 電子装置およびその製造方法 Active JP6776840B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016226044A JP6776840B2 (ja) 2016-11-21 2016-11-21 電子装置およびその製造方法
PCT/JP2017/033675 WO2018092407A1 (ja) 2016-11-21 2017-09-19 電子装置およびその製造方法
CN201780060052.XA CN109792836B (zh) 2016-11-21 2017-09-19 电子装置及其制造方法
US16/336,923 US11004699B2 (en) 2016-11-21 2017-09-19 Electronic device and method for manufacturing the same
EP17871776.5A EP3544392B1 (en) 2016-11-21 2017-09-19 Electronic device and method for producing same
TW106133028A TWI660650B (zh) 2016-11-21 2017-09-27 電子裝置及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016226044A JP6776840B2 (ja) 2016-11-21 2016-11-21 電子装置およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018085377A JP2018085377A (ja) 2018-05-31
JP2018085377A5 JP2018085377A5 (ja) 2019-04-11
JP6776840B2 true JP6776840B2 (ja) 2020-10-28

Family

ID=62146455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016226044A Active JP6776840B2 (ja) 2016-11-21 2016-11-21 電子装置およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11004699B2 (ja)
EP (1) EP3544392B1 (ja)
JP (1) JP6776840B2 (ja)
CN (1) CN109792836B (ja)
TW (1) TWI660650B (ja)
WO (1) WO2018092407A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4247124A1 (en) * 2020-11-16 2023-09-20 Fujikura Ltd. Wiring board, and method for manufacturing wiring board

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04346490A (ja) 1991-05-24 1992-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント配線板の製造方法
JPH06177490A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板
JP4103653B2 (ja) * 2003-03-27 2008-06-18 株式会社デンソー Icカード
CN1802883A (zh) 2003-07-03 2006-07-12 株式会社日立制作所 组件装置及其制造方法
JP4602208B2 (ja) * 2004-12-15 2010-12-22 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造体及びその製造方法
US7759167B2 (en) * 2005-11-23 2010-07-20 Imec Method for embedding dies
JP4920288B2 (ja) 2005-12-23 2012-04-18 帝国通信工業株式会社 電子部品の回路基板への取付構造及び取付方法
DE102006055576A1 (de) * 2006-11-21 2008-05-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines dehnbaren Schaltungsträgers und dehnbarer Schaltungsträger
JP5089184B2 (ja) * 2007-01-30 2012-12-05 ローム株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2009071234A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Denso Corp 半導体装置
JP2009147010A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Ricoh Co Ltd 配線構造体
TWI355220B (en) * 2008-07-14 2011-12-21 Unimicron Technology Corp Circuit board structure
JP5374975B2 (ja) 2008-09-03 2013-12-25 住友電気工業株式会社 シール構造および電子機器
CN102282661A (zh) * 2009-01-27 2011-12-14 松下电工株式会社 半导体芯片的安装方法、使用该方法获得的半导体装置以及半导体芯片的连接方法与表面设有布线的立体结构物及其制法
JP5251845B2 (ja) * 2009-11-26 2013-07-31 株式会社安川電機 半導体装置の製造方法
US8929085B2 (en) * 2011-09-30 2015-01-06 Apple Inc. Flexible electronic devices
JP5386567B2 (ja) * 2011-11-15 2014-01-15 株式会社フジクラ 撮像素子チップの実装方法、内視鏡の組立方法、撮像モジュール及び内視鏡
EP2869549B1 (en) * 2012-06-29 2018-08-08 Sony Corporation Camera module and electronic device
JP5743040B2 (ja) 2013-05-13 2015-07-01 株式会社村田製作所 フレキシブル回路基板、および、フレキシブル回路基板の製造方法
JP6354285B2 (ja) * 2014-04-22 2018-07-11 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法
US20150359099A1 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Apple Inc. Low area over-head connectivity solutions to sip module
JP6385234B2 (ja) * 2014-10-16 2018-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置
US9778688B2 (en) 2014-11-12 2017-10-03 Intel Corporation Flexible system-in-package solutions for wearable devices
JP2016111037A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 東レ株式会社 太陽電池裏面保護用シート、およびそれを用いた太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
US20200035511A1 (en) 2020-01-30
US11004699B2 (en) 2021-05-11
EP3544392B1 (en) 2021-08-11
EP3544392A4 (en) 2020-01-29
CN109792836A (zh) 2019-05-21
TWI660650B (zh) 2019-05-21
EP3544392A1 (en) 2019-09-25
CN109792836B (zh) 2021-10-15
JP2018085377A (ja) 2018-05-31
WO2018092407A1 (ja) 2018-05-24
TW201820943A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922932B2 (en) Resin structure having electronic component embedded therein, and method for manufacturing said structure
JP5151025B2 (ja) フレキシブル回路基板
CN108627079A (zh) 检测装置
JP2018120989A (ja) 樹脂構造体およびその製造方法
JP6776840B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
WO2019098029A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP7003478B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2007538394A (ja) プリント基板、製造方法および電子デバイス
KR100919300B1 (ko) 접촉 센서 모듈 및 그 제조 방법
JP2018085377A5 (ja)
WO2018092408A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
CN110024493B (zh) 电子装置及其制造方法
WO2018163516A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2007019380A (ja) 回路配線モジュール及び回路配線モジュールの製造方法
CN113169215A (zh) 柔性面板及柔性面板制作方法
CN113543454A (zh) 电路板组件的制备方法以及电路板组件

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190228

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200921

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6776840

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150