JP2016066664A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 青色光を発光する発光素子と、前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収し、緑色光を発光する量子ドットと、その組成が下記一般式(1)で表され、前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収して赤色光を発光するKSF蛍光体およびその組成が下記一般式(2)で表され、前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収して赤色光を発光するMGF蛍光体の少なくとも一方と、を含むことを特徴とする発光装置である。
A2[M1-aMn4+ aF6] (1)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
【選択図】図1
Description
緑色蛍光体と赤色蛍光体を含まずに、発光素子が発光した青色光を吸収し、緑色光を発光する緑色量子ドットと、発光素子が発光した青色光を吸収し、赤色光を発光する赤色量子ドットとを含む発光装置が知られている。また、特許文献1は、黄緑色蛍光体と赤色量子ドットを含む発光装置を開示している。
特に従来の緑色蛍光体および黄緑色蛍光体はその発光ピークがブロードであったため、緑色量子ドットを用いることによりこれらの効果をより顕著に得ることができる。
一方、ディスプレイおよび照明装置等の多くの用途では、より少ない電力消費でより明るい光を発することができる、すなわち、より発光効率の高い発光装置が求められている。
A2[M1-aMn4+ aF6] (1)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2満足する。)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
(式中x、y、z、a、b、cは、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5を満足し、MtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがあることに留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。さらに、例えば符号「10A」のように、数字とアルファベットから成る符号により示される部材は、特段の断りがない事項については、例えば符号「10」のように同じ数字を有しアルファベットを有しない符号により示される部材および同じ数字と異なるアルファベットを有する符号により示される部材と同じ構成を有してよい。
以下に本発明の複数の実施形態に係る発光装置について詳述する。
図1は、本発明の実施形態1にかかる発光装置100の概略断面図である。発光装置100は、青色光を発光する発光素子1と、発光素子1が発する青色光の一部を吸収し、緑色光を発光する緑色量子ドット24と、発光素子1の発する青色光の一部を吸収し、赤色光を発光する赤色蛍光体14を含んでいる。赤色蛍光体14は、詳細を後述する、KSF蛍光体およびMGF蛍光体の少なくとも一方である。
実施形態1では、発光素子1に対して、赤色蛍光体14の方が、緑色量子ドット24より近くに位置している。
なお、図1に示す実施形態では、赤色蛍光体14は、封止樹脂12内に均一に分散しているが、赤色蛍光体の分散配置の形態はこれに限定されるものではない。赤色蛍光体14は、例えば、発光素子1の近傍において、高い密度で配置されている等、封止樹脂12内の一部において、より高い密度で配置されてよい。このような配置として、赤色蛍光体の分散密度が、封止樹脂の上部で小さく、封止樹脂12底部(発光素子1の直上を含む)で高くなっている、所謂、沈降配置がある。沈降配置は、例えば、赤色蛍光体14を均一に分散させた、硬化前の封止樹脂12を樹脂パッケージ3のキャビティに充填した後、封止樹脂12を未硬化のままで所定の時間放置し、封止樹脂12内の赤色蛍光体14が重力により移動し、その分布が封止樹脂12の底部において高くなってから、封止樹脂12を硬化させることで形成できる。遠心力により沈降させてもよい。
この光の取り出し効率向上については、後述の実施形態2の構成を説明した後に、詳細を説明する。
発光素子パッケージ10の上面から出射した青色光の多くは、緑色量子ドット含有層20の下面から内部に進入する。緑色量子ドット含有層20の下面から内部に進入した青色光の一部は、緑色量子ドット含有層20の透光性材料22を透過した後、緑色量子ドット含有層20上面より外側に出て行く。緑色量子ドット含有層20の下面から内部に進入した青色光の別の一部は、緑色量子ドット24に吸収され、緑色量子ドット24が緑色光を発光する。緑色量子ドット24が発した緑色光の多くは、透光性材料22の内部を進み、緑色量子ドット含有層20上面より外側に出て行く。この結果、緑色量子ドット含有層20上面の外側では、青色光と赤色光と緑色光が混ざり白色光を得ることができる。
しかし、これに限定されるものではなく、緑色量子ドット含有層20と封止樹脂12(または樹脂パッケージ3)とは接触していてもよい。この場合、発光素子パッケージ10から出射した光が、より多く緑色量子ドット含有層20に進入し、取り出し効率を更に高くすることが可能となる。また、緑色量子ドット含有層20と封止樹脂12(または樹脂パッケージ3)とは接触していても発光素子1と緑色量子ドット24とはある程度、距離がはなれているため、緑色量子ドット24の熱劣化を抑制する効果を得ることができる。
また、図1に示す実施形態では、樹脂パッケージ3を含む発光素子パッケージ10を用いているがこれに限定されるものではない。発光素子パッケージ10に代えて、樹脂パッケージを用いずに、発光素子1の表面に、赤色蛍光体14を含む蛍光体層を形成した、所謂、パッケージレスの形態であってもよい。
1)発光素子
発光素子1は、青色光(発光ピーク波長が435〜465nmの範囲内である)を発光する限り、既知の任意の発光素子であってよく、青色LEDチップであってよい。発光素子1は、半導体積層体を備えてよく、窒化物半導体積層体を備えることが好ましい。半導体積層体(好ましくは窒化物半導体積層体)は、順に、第1半導体層(例えば、n型半導体層)、発光層および第2半導体層(例えば、p型半導体層)を有してよい。
好ましい窒化物半導体材料として、具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いてよい。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で既知のものを用いてよい。
赤色蛍光体14は、KSF蛍光体およびMGF蛍光体の少なくとも一方である。KSF蛍光体およびMGF蛍光体は、緑色光をほとんど吸収せず、従って2次吸収をほとんど生じないという利点を有する。また、発光ピークの半値幅が35nm以下、好ましくは10nm以下と小さいことを特徴とする。以下に、KSF蛍光体およびMGF蛍光体について詳述する。
KSF蛍光体は、その発光波長のピークが610〜650nmの範囲にある赤色蛍光体である。その組成は、下記一般式(1)に表される。
A2[M1-aMn4+ aF6] (1)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2満足する。)
なお、このKSF蛍光体については、本願出願人が先に特許出願した特願2014−122887号を参照してよい。
MGFは深赤色の蛍光を発する赤色蛍光体である。すなわち、その発光波長のピークがKSF蛍光体よりも長波長側の650nm以上であり、Mn4+で付活された蛍光体である。組成式の一例として3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn4+で表される。MGF蛍光体の半値幅は、15nm以上35nm以下である。
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
(式中x、y、z、a、b、cは、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5を満足し、MtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)
緑色量子ドット24は、半導体材料、例えば、II−VI族、III−V族またはIV−VI族等の化合物半導体、より具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSxSe1−x/ZnS、GaP等のナノサイズの粒子が挙げられる。緑色量子ドット24は、例えば、1〜20nmの粒径(平均粒径)を有する。緑色量子ドット24は、例えば、その発光波長のピークが510〜560nmの範囲にある緑色光を発光する。緑色量子ドット24の発光ピークの半値幅は40nm以下、好ましくは30nm以下と小さい。
緑色量子ドットは、例えばPMMA(ポリメタクリル酸メチル)のような樹脂等で表面修飾または安定化してもよい。この場合、粒径とは、表面修飾および安定化のために付した樹脂等の部分を含まない、半導体材料より成るコア部分の粒径を意味する。
透光性材料22は、青色光、緑色光および赤色光を透過させることができる。透光性材料は、発光素子1から出射され透光性材料22に入射した光のうち、好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上、80%以上または90%以上を透過する。
好ましい透光性材料22として、高歪点ガラス、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)、硼珪酸ガラス(Na2O・B2O3・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)、無アルカリガラスを例示することができる。あるいは、ポリメチルメタクリレート(ポリメタクリル酸メチル,PMMA)やポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリスチレン(PS)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、環状非晶質ポリオレフィン、多官能アクリレート、多官能ポリオレフィン、不飽和ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂に例示される有機ポリマー(高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する)を挙げることができる。
封止樹脂12は、青色光および赤色光を透過させることができ、好ましくは緑色光も透過させることができる。透光性材料は、発光素子1から出射され透光性材料22に入射した光のうち、好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上、80%以上または90%以上を透過する。
好ましい封止樹脂12として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂またはこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を挙げることができる。なかでもシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。
樹脂パッケージ3は任意の種類の樹脂により構成されてよい。好ましい樹脂として、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂の少なくとも1種以上含む熱可塑性樹脂、または、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、これらの樹脂を少なくとも1種以上含む熱硬化性樹脂などを例示できる。樹脂パッケージ3は、好ましくは白色の樹脂より成る。封止樹脂12の内部を進む光のうち、樹脂パッケージ3に達した光をより多く反射できるからである。
図2は、本発明の実施形態2にかかる発光装置100Aの概略断面図である。上述の発光装置100では、封止樹脂12が赤色蛍光体14を含んでいた。しかし、発光装置100Aでは、封止樹脂12が赤色蛍光体14を含むことに代えて、透光性材料22が赤色蛍光体14を含んでいる。従って、透光性材料22の内部には、赤色蛍光体14と緑色量子ドット24が配置されており、これにより、発光素子1に対して、赤色蛍光体14と緑色量子ドット24が概ね同じ距離に位置することとなる。
図3は、発光装置100の利点を説明するための模式断面図であり、図3(a)は、赤色蛍光体14が封止樹脂12の内部に配置されている実施形態を示す模式断面図であり、図3(b)は、赤色蛍光体14が透光性材料22の内部に配置されている実施形態を示す模式断面図である。上述したように、赤色蛍光体14の粒径は20〜50μmであり、緑色量子ドット24の粒径は2〜10nmであり、粒径に2桁程度の大きな違いがある。
図3(a)、(b)は、この粒径の違いに基づく発光装置100の利点をより明確に示すことを目的とした模式図であり、図1および図2に比べると、赤色蛍光体14と緑色量子ドット24の粒径の違いをより明確に示している。
発光装置100Aの緑色量子ドット含有層20Aは、上述のように赤色蛍光体14と緑色量子ドット24の両方を含んでいる。赤色蛍光体14は、緑色量子ドット24に比べると熱による劣化が少ないものの、このような、構成を取ることで、赤色蛍光体14についても発光素子1の発熱が伝わるのを抑制することができ、赤色蛍光体14の劣化をより確実に抑制できる。
また、赤色蛍光体14と緑色量子ドット24とを透光性材料22の内部に配置するため、波長変換材料を配置するのが透光性材料22だけで済み、封止樹脂12に赤色蛍光体14を配置しなくて済むため、製造工程が簡便になる。
図4は、本発明の実施形態3に係る発光装置100Bを用いた液晶ディスプレイ200を示す概略断面図である。発光装置100Bは、発光素子パッケージ10と、緑色量子ドット含有層20と、発光素子パッケージ10と緑色量子ドット含有層20との間に配置された導光板52とを含む。
図4に示す実施形態では、発光素子パッケージ10の封止樹脂12と、緑色量子ドット含有層20との間に導光板52が配置されている。より詳細には、封止樹脂12が導光板52の1つの側面に対向して配置され、緑色量子ドット含有層20が導光板52の上面に対向して配置されている。図4に示す実施形態では発光素子パッケージ10は、トップビュー型であるが、これに限定されるわけではなく、上述のサイドビュー型等の他の形態を有してよい。
緑色量子ドット含有層20は、導光板52の上面に接触して配置されてもよく、また導光板52から離間して配置されてもよい。
発光素子1が発光した青色光の一部は、封止樹脂12から出てくる。また発光素子1が発光した青色光の一部は、封止樹脂12内に配置された赤色蛍光体14に吸収され、赤色蛍光体14から赤色光が発光され、この赤色光は封止樹脂12から出てくる。すなわち、発光素子パッケージ10からは、青色光と赤色光が混じった紫色光が出射し、この紫色光(青色光+赤色光)は導光板52を介して、緑色量子ドット含有層20に進入する。緑色量子ドット含有層20に入った青色光の一部は、緑色量子ドット24に吸収され、緑色量子ドット24は緑色光を発光する。この結果、緑色量子ドット含有層20の上面からは、青色光と緑色光と赤色光が混じった白色光が出射し、この白色光は下部偏光フィルム53Aに入る。下部偏光フィルム53Aに入った白色光(青色光+緑色光+赤色光)の一部は、下部偏光フィルム53Aを通過し、液晶セル54に進入する。液晶セル54に入った白色光の一部は、液晶セル54を通過して、カラーフィルタアレイ55に到達する。
上述のように赤色蛍光体14が発する赤色光および緑色量子ドット24が発する緑色光は、その発光ピークの半値幅が狭く、よって色純度が高い。また、より多くの光が赤色カラーフィルタ部55Aおよび緑色カラーフィルタ部55Bを通過できるため効率を向上させることができる。
3 樹脂パッケージ
10、10A 発光素子パッケージ
12 封止樹脂
14 赤色蛍光体
20、20A、 緑色量子ドット含有層
22 透光性材料
24、24X、24Y 緑色量子ドット
51 反射板
52 導光板
53A 下部偏光フィルム
53B 上部偏光フィルム
54 液晶セル
55 カラーフィルタアレイ
55A 赤色カラーフィルタ部
55B 緑色カラーフィルタ緑
55C 青色カラーフィルタ部
100、100A、100B 発光装置
114、114A 赤色光
124、124A 緑色光
200 液晶ディスプレイ
Claims (7)
- 青色光を発光する発光素子と、
前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収し、緑色光を発光する量子ドットと、
その組成が下記一般式(1)で表され、前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収して赤色光を発光するKSF蛍光体およびその組成が下記一般式(2)で表され、前記発光素子の発光する青色光の一部を吸収して赤色光を発光するMGF蛍光体の少なくとも一方と、
を含むことを特徴とする発光装置。
A2[M1-aMn4+ aF6] (1)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2満足する。)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
(式中x、y、z、a、b、cは、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5を満足し、MtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)
- 前記発光素子を覆う封止樹脂と、
透光性材料と前記量子ドットとを含み、前記封止樹脂の外側に配置された量子ドット含有層と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記封止樹脂が前記KSF蛍光体を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記量子ドット含有層が、シートであり、かつ前記封止樹脂から離間していることを特徴とする請求項2または3に記載の発光装置。
- 前記封止樹脂と前記量子ドット含有層の間に導光板が配置されていることを特徴とする請求項3または4に記載の発光装置。
- 前記封止樹脂が前記導光板の1つの側面に対向して配置され、前記量子ドット含有層が前記導光板の上面に対向して配置されていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 前記KSF蛍光体が前記量子ドット含有層に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219748A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP2018178116A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム |
WO2019035307A1 (ja) * | 2017-08-17 | 2019-02-21 | ソニー株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
JP2019061230A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-04-18 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 量子ドットに基づいて色変換する発光装置、および、その製造方法 |
JP2019519100A (ja) * | 2016-05-09 | 2019-07-04 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料 |
WO2019216333A1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Jnc株式会社 | 発光デバイス及び発光デバイスの製造方法 |
US10879434B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-12-29 | Maven Optronics Co., Ltd. | Quantum dot-based color-converted light emitting device and method for manufacturing the same |
US11643595B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Wavelength conversion member, light-emitting device, and image display device |
KR102640478B1 (ko) * | 2023-07-04 | 2024-02-27 | 주식회사 바이더엠 | 퀀텀닷 활성화 구조로 광효율 및 연색성이 향상된 파장변환 led모듈 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10230022B2 (en) | 2014-03-13 | 2019-03-12 | General Electric Company | Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots |
JP6622187B2 (ja) | 2014-04-08 | 2019-12-18 | Nsマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材、導光装置、並びに表示装置 |
JP6428089B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10490711B2 (en) * | 2014-10-07 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US20160349431A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Backlight module and liquid crystal display device |
US20170125650A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Nanoco Technologies Ltd. | Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor |
KR20170082187A (ko) * | 2016-01-05 | 2017-07-14 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광장치 및 디스플레이 장치 |
US10681777B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-06-09 | Infineon Technologies Ag | Light emitter devices, optical filter structures and methods for forming light emitter devices and optical filter structures |
KR20180011398A (ko) * | 2016-07-21 | 2018-02-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN106125398A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-16 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种新型量子点液晶背光源 |
KR102605472B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2023-11-23 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
WO2018066240A1 (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 東レ株式会社 | 光源ユニット、ならびにそれを用いたディスプレイおよび照明装置 |
CN106653969B (zh) * | 2016-11-18 | 2018-11-13 | 南昌航空大学 | 梯度合金量子点的制备及该量子点在qled器件的应用 |
JP2018137321A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP6964421B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-11-10 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
CN106898679A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-06-27 | 华南理工大学 | 一种量子点led背光器件及其制备方法 |
CN108807699B (zh) * | 2017-04-26 | 2021-02-02 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 透明显示膜 |
CN107123727B (zh) * | 2017-05-15 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种低工作温度的量子点白光led及其制备方法 |
US20180341055A1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | Intematix Corporation | Color Liquid Crystal Displays and Display Backlights |
CN108943933B (zh) * | 2017-05-26 | 2022-11-22 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 光学膜、窗膜和抬头显示设备 |
US10483441B2 (en) * | 2017-06-09 | 2019-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same |
TWI702362B (zh) | 2017-07-13 | 2020-08-21 | 東貝光電科技股份有限公司 | Led發光裝置 |
KR102452484B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈 |
CN108011020B (zh) * | 2018-01-12 | 2020-02-07 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种量子点膜片及背光源模组 |
CN110867505B (zh) * | 2018-08-27 | 2023-06-27 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法 |
JP7161100B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TW202017209A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-05-01 | 隆達電子股份有限公司 | 具提升量子點信賴性的發光二極體封裝 |
US10976609B2 (en) * | 2019-04-26 | 2021-04-13 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Lighting device and liquid crystal display apparatus |
CN112038465A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-04 | 贵溪市清亮照明科技有限公司 | 一种去蓝光led芯片 |
KR102649594B1 (ko) * | 2020-12-24 | 2024-03-20 | 주식회사 티온테크 | 색변환 시트 및 이를 포함한 표시 장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001026777A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-30 | General Asahi:Kk | 赤色蓄光型蛍光体 |
JP2007224233A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置 |
WO2007100824A2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Lumination, Llc | Red line emitting phosphors for use in led applications |
JP2008202044A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 深赤色蛍光体およびその製造方法 |
JP2009212508A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、バックライトおよびカラー画像表示装置 |
JP2009231273A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Seiko Instruments Inc | 照明装置及びこれを備える表示装置 |
CN103681990A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led封装件及其制作方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7411211B1 (en) | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
DE10036940A1 (de) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Lumineszenz-Konversions-LED |
JP4077170B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2008-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2004004261A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sony Corp | 表示装置用フィルターおよび表示装置 |
JP4197109B2 (ja) | 2002-08-06 | 2008-12-17 | 静雄 藤田 | 照明装置 |
CN1894799A (zh) * | 2003-09-05 | 2007-01-10 | 点度量技术有限公司 | 具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法 |
JP2005228996A (ja) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
US20070241657A1 (en) | 2004-08-02 | 2007-10-18 | Lumination, Llc | White light apparatus with enhanced color contrast |
JP2011151419A (ja) * | 2005-05-30 | 2011-08-04 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
CN100517781C (zh) * | 2005-05-30 | 2009-07-22 | 夏普株式会社 | 发光器件及其制造方法 |
JP2007049114A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
WO2007002234A1 (en) * | 2005-06-23 | 2007-01-04 | Rensselaer Polytechnic Institute | Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials |
KR100665221B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 장치 |
JP4661608B2 (ja) | 2006-01-24 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 |
KR100946015B1 (ko) * | 2007-01-02 | 2010-03-09 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 lcd 백라이트용 광원모듈 |
EP3045965B1 (en) * | 2008-02-07 | 2020-05-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Red emitting fluoride phosphor activated by mn4+ |
JP2009289829A (ja) | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
KR100982990B1 (ko) * | 2008-09-03 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 파장변환플레이트 및 이를 이용한 발광장치 |
JP5682104B2 (ja) | 2008-09-05 | 2015-03-11 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
US10214686B2 (en) | 2008-12-30 | 2019-02-26 | Nanosys, Inc. | Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions |
US8343575B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-01-01 | Nanosys, Inc. | Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions |
KR101562022B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법 |
KR101631986B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2016-06-21 | 삼성전자주식회사 | 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
ES2713059T3 (es) * | 2010-04-09 | 2019-05-17 | Saint Augustin Canada Electric Inc | Célula solar de múltiples uniones de tensión adaptada |
EP2577734B1 (en) * | 2010-05-27 | 2019-11-13 | Merck Patent GmbH | Down conversion |
KR20110136676A (ko) * | 2010-06-14 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 양자점을 이용한 발광소자 패키지, 조광 장치 및 디스플레이 장치 |
US20110303940A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Hyo Jin Lee | Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and display apparatus |
JP5421205B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US8436527B2 (en) * | 2010-09-07 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
EP3839335A1 (en) | 2010-11-10 | 2021-06-23 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
JPWO2012132232A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US9412905B2 (en) * | 2011-04-01 | 2016-08-09 | Najing Technology Corporation Limited | White light emitting device |
KR20120115896A (ko) | 2011-04-11 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR101240781B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2013-03-11 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 유기 발광소자 |
JP2013033833A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Panasonic Corp | 波長変換膜及びそれを用いた発光装置並びに照明装置 |
GB201116517D0 (en) | 2011-09-23 | 2011-11-09 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle based light emitting materials |
JP2014079905A (ja) | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 波長変換部材の製造方法、及び発光装置の製造方法 |
JP2014080467A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体樹脂組成物、及びその製造方法、蛍光体樹脂成形体、及びその製造方法、並びに半導体発光装置 |
JP2014113515A (ja) | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン破砕片の分級装置および分級されたシリコン破砕片の製造方法 |
US9219886B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-12-22 | Emerson Electric Co. | Method and apparatus for analyzing image data generated during underground boring or inspection activities |
KR102062687B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2020-01-06 | 엘지전자 주식회사 | 양자점 복합 필름 및 이를 이용한 백라이트 유닛 |
JP2014177586A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Toshiba Corp | 蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置 |
JP5783302B2 (ja) | 2013-07-03 | 2015-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
JP6347154B2 (ja) | 2014-05-23 | 2018-06-27 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置およびカラーフィルタ |
JP6156440B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光装置 |
EP2988340B1 (en) | 2014-08-18 | 2017-10-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
JP6428089B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10490711B2 (en) * | 2014-10-07 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2014
- 2014-09-24 JP JP2014193509A patent/JP6428089B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-16 TW TW104130669A patent/TWI688125B/zh active
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- 2015-09-21 AU AU2015227547A patent/AU2015227547A1/en not_active Abandoned
- 2015-09-21 US US14/859,980 patent/US10074782B2/en active Active
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- 2015-09-22 CA CA2905129A patent/CA2905129C/en active Active
- 2015-09-22 EP EP15186267.9A patent/EP3000863B1/en active Active
-
2018
- 2018-08-09 US US16/059,709 patent/US10651349B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-21 US US16/854,791 patent/US11710807B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-24 AU AU2021201829A patent/AU2021201829B2/en active Active
-
2022
- 2022-05-06 KR KR1020220056117A patent/KR20220065732A/ko not_active IP Right Cessation
-
2023
- 2023-01-30 AU AU2023200469A patent/AU2023200469B2/en active Active
- 2023-05-23 US US18/322,195 patent/US20230299244A1/en active Pending
-
2024
- 2024-05-21 KR KR1020240065832A patent/KR20240078634A/ko active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001026777A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-30 | General Asahi:Kk | 赤色蓄光型蛍光体 |
JP2007224233A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置 |
WO2007100824A2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Lumination, Llc | Red line emitting phosphors for use in led applications |
JP2008202044A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 深赤色蛍光体およびその製造方法 |
JP2009212508A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、バックライトおよびカラー画像表示装置 |
JP2009231273A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Seiko Instruments Inc | 照明装置及びこれを備える表示装置 |
CN103681990A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led封装件及其制作方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9812617B2 (en) | 2015-05-26 | 2017-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and image display apparatus |
JP2016219748A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP2019519100A (ja) * | 2016-05-09 | 2019-07-04 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料 |
JP7012664B2 (ja) | 2016-05-09 | 2022-01-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料 |
JP2018178116A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム |
WO2019035307A1 (ja) * | 2017-08-17 | 2019-02-21 | ソニー株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
JPWO2019035307A1 (ja) * | 2017-08-17 | 2020-10-01 | ソニー株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
US11269245B2 (en) | 2017-08-17 | 2022-03-08 | Sony Corporation | Light source unit and projection display including a phosphor wheel |
JP7107319B2 (ja) | 2017-08-17 | 2022-07-27 | ソニーグループ株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
US10879434B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-12-29 | Maven Optronics Co., Ltd. | Quantum dot-based color-converted light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2019061230A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-04-18 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 量子ドットに基づいて色変換する発光装置、および、その製造方法 |
WO2019216333A1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Jnc株式会社 | 発光デバイス及び発光デバイスの製造方法 |
US11643595B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Wavelength conversion member, light-emitting device, and image display device |
KR102640478B1 (ko) * | 2023-07-04 | 2024-02-27 | 주식회사 바이더엠 | 퀀텀닷 활성화 구조로 광효율 및 연색성이 향상된 파장변환 led모듈 |
Also Published As
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---|---|---|
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JP7464893B2 (ja) | 発光装置 |
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