JP2016219748A - 発光装置および画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置(10)は、青色光を発する発光素子(11)と、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体(12)を含む第1波長変換部材(17)と、量子ドット蛍光体(13)を含む第2波長変換部材(19)とを備え、第1波長変換部材と第2波長変換部材とは空間的に分離されている。
【選択図】図1
Description
実施形態1について、図1〜図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、量子ドット蛍光体の劣化を抑制することのできる発光装置について説明する。
図1は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。図1に示すように、発光装置10は、青色光を発する発光素子11と、第1波長変換部材17と、第2波長変換部材19とを備える。
発光素子11は、励起光として青色光を発する発光素子である。発光素子11としては、後述のMn4+賦活フッ素錯体蛍光体12および量子ドット蛍光体13に吸収されて蛍光を生じさせるような一次光(青色光)を発するものであれば、特に限定されない。発光素子11として、例えば窒化ガリウム(GaN)系半導体を用いることができる。
上述した通り、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12は、発光素子11が発する青色光により励起されて赤色光を発する蛍光体である。Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12の発光スペクトルの半値幅は、10nm以下である。
上記一般式(A)において、MIはLi、Na、K、RbおよびCsのうち少なくとも1種のアルカリ金属元素を含む。MIIはGe、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含む。また、hの値の範囲は、0.001≦h≦0.1である。
上記一般式(B)において、MIIIはMg、Ca、SrおよびBaのうち少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を含む。MIIはGe、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含む。また、0.001≦h≦0.1である。
特許文献1および2に記載されている半導体発光装置より緑色の色再現域を広げるために、緑色蛍光体として量子ドット蛍光体を用いる構成が考えられる。量子ドット蛍光体は、量子ドットの粒径を揃えることにより、発光スペクトルの半値幅を理論的には15nm程度まで狭くすることが可能である。また、半値幅が40nm以下程度の狭線幅の緑色蛍光体は、すでに実現されている。
第1分散材16は、第1波長変換部材17において、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12を分散させる分散材である。第1分散材16の材質は、特に限定されないが、メチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シルセスキオキサン系UV硬化樹脂などの樹脂材料を、製造プロセス時の温度が低温であるため好ましく用いることができる。
第2分散材18は、第2波長変換部材19において、量子ドット蛍光体13を分散させる分散材である。第2分散材18の材質は、特に限定されないが、メチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シルセスキオキサン系UV硬化樹脂などの樹脂材料を、製造プロセス時の温度が低温であるため好ましく用いることができる。
Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12は、強い青色光で励起されると、波長を変換する時のエネルギーロス、すなわちストークスロスによる発熱などにより、表面から微量のフッ素を生じる。Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12から生じたフッ素は、フッ素ガスまたはフッ素生成物となる。フッ素生成物の例としては、フッ素が水分と反応することで生じるフッ化水素酸が挙げられる。
Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12の製造例を、図2を参照して説明する。図2は、以下の製造例R1により製造されたMn4+賦活フッ素錯体蛍光体12の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
上記の一般式(A)において、MIがKであり、MIIがSiであり、h=0.06であるMn4+賦活フッ素錯体蛍光体12を、以下の手順により調製した。
量子ドット蛍光体13の製造例を、図3を参照して説明する。図3は、以下の製造例QD1−1により製造された量子ドット蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
まず、CdSeコアを合成した。3mlのトリオクチルホスフィン(TOP)に、1mmolのセレン化トリオクチルホスフィン(TOPSe)、および1mmolのジメチルカドミウムを不活性雰囲気中で混合し、混合溶液を得た。
(実施例D1)
上記の製造例にて製造したMn4+賦活フッ素錯体蛍光体12および量子ドット蛍光体13を用いて、図1に示す発光装置10の具体例としての実施例D1を以下に示す。
図5は、別の実施例D2としての発光装置10Aの構成を示す断面図である。図5に示すように、発光装置10Aは、第2波長変換部材19の、第1波長変換部材17と対向する面に、ガラス板(遮断層)50を備える。したがって、第1波長変換部材17と第2波長変換部材19とは、空間20およびガラス板50を隔てて離隔されている。
図6は、さらに別の実施例D3としての発光装置10Bの構成を示す断面図である。図6に示すように、発光装置10Bは、ガラス板50に加えて、第2ガラス板61と、ガラススペーサ62とを備える。
図7は、比較例D1としての発光装置10Cの構成を示す断面図である。図7に示すように、発光装置10Cは、単一の波長変換部材17Aを備える。波長変換部材17Aにおいては、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体12および量子ドット蛍光体13が、ともに第1分散材16に分散されている。
図8は、比較例D2としての発光装置10Dの構成を示す断面図である。図8に示すように、発光装置10Dにおいては、図7に示した発光装置10Cの、第1分散材16の表面が、アクリル系樹脂((株)日本触媒製:アクリビュア(登録商標))で構成された透明樹脂層70で覆われている。
上記実施例D1〜D3、比較例D1および比較例D2により得られた発光装置について、信頼性を評価するための実験を行った。上記実施例D1〜D3、比較例D1および比較例D2の発光装置を、50mAの駆動電流で最大500時間駆動し、光束が駆動開始時の値の80%になるまでの時間(以下、光束減衰時間と記す。)を測定した。
本発明の他の実施形態について、図10〜図12に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、実施形態1に係る発光装置を備える画像表示装置について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図10の(a)は、本実施形態に係る画像表示装置100の分解斜視図である。図10の(b)は、図10の(a)に示されている画像表示装置100が備える液晶表示装置120aの分解斜視図である。図11は、画像表示装置100が備えるカラーフィルタの透過スペクトルを示すグラフである。
図10の(b)に示すように、液晶表示部120を構成する液晶表示装置120aは、偏光板121と、透明導電膜123a(薄膜トランジスタ122を有する)と、配向膜124aと、液晶層125と、配向膜124bと、上部薄膜電極123bと、色画素を表示するためのカラーフィルタ126と、上部偏光板127とが順次積層されている。
(実施例DIS1)
実施例DIS1は、図10の(a)に示した構成の画像表示装置100の具体例である。図12の(a)は、実施例DIS1の画像表示装置100の、白色点の色温度、CIE1931色度座標での白色点、赤色点、緑色点、青色点の色度座標、およびAdobeRGBカバー率を示す表である。図12の(b)は、実施例DIS1の画像表示装置100の色域と、AdobeRGBの色域とを比較するグラフである。
実施形態3について説明する。実施形態3は、実施形態1で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、発光素子11以外については発光装置10と同じであるため、説明を省略する。
実施形態4について説明する。実施形態4は、実施形態1で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、量子ドット蛍光体13以外については発光装置10と同じであるため、説明を省略する。
本発明の態様1に係る発光装置(10)は、青色光を発する発光素子(11)と、上記青色光によって励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体(12)を含む第1波長変換部材(17)と、上記青色光によって励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体(13)を含む第2波長変換部材(19)とを備え、上記第1波長変換部材と上記第2波長変換部材とは空間的に分離されている。
〔本発明の別の表現〕
なお、本発明は、以下のようにも表現できる。
11 発光素子
12 Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体
13 量子ドット蛍光体
17 第1波長変換部材
19 第2波長変換部材
100 画像表示装置
Claims (19)
- 青色光を発する発光素子と、
上記青色光によって励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体を含む第1波長変換部材と、
上記青色光によって励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体を含む第2波長変換部材とを備え、
上記第1波長変換部材と上記第2波長変換部材とは空間的に分離されていることを特徴とする発光装置。 - 上記発光素子と上記第2波長変換部材との間の距離は、上記発光素子と上記第1波長変換部材との間の距離より大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記発光素子は、上記第1波長変換部材の内部に封止されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 上記第2波長変換部材の、上記第1波長変換部材と対向する面に、遮断層を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は、520nm以上かつ540nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記量子ドット蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、25nm以上であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、10nm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記第1波長変換部材において上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体を分散させる分散材は、メチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シルセスキオキサン系UV硬化樹脂のいずれかを含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記第1波長変換部材において上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体を分散させる分散材は、メチル系シリコーン樹脂を含むことを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 上記第2波長変換部材において上記量子ドット蛍光体を分散させる分散材は、フェニル系シリコーン樹脂、アクリル系樹脂、シルセスキオキサン系UV硬化樹脂のいずれかを含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記第2波長変換部材において上記量子ドット蛍光体を分散させる分散材は、アクリル系樹脂を含むことを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 上記量子ドット蛍光体は、CdSe、CdS、CdTe、InP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN、またはCuInGaSeのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、下記一般式
MI2(MII1−hMnh)F6で表され、
上記一般式において、MIは、Li、Na、K、RbおよびCsのうち少なくとも1種のアルカリ金属元素を含み、
MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、
hは、0.001以上かつ0.1以下であることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の発光装置。 - 上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、K2(Si1−hMnh)F6であることを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
- 上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、下記一般式
MIII(MII1−hMnh)F6で表され、
上記一般式において、MIIIは、Mg、Ca、SrおよびBaのうち少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を含み、
MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、
hは、0.001以上かつ0.1以下であることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の発光装置。 - 上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、Ba(Si1−hMnh)F6であることを特徴とする請求項15に記載の発光装置。
- 上記青色光のピーク波長は、420nm以上かつ480nm以下であることを特徴とする請求項1から16のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上記青色光のピーク波長は、440nm以上かつ460nm以下であることを特徴とする請求項17に記載の発光装置。
- 請求項1から18のいずれか1項に記載の発光装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
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