JP2016042561A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１処理領域及び第２処理領域を有する処理室と、
   前記処理室内に回転自在に設けられて処理対象となる基板が載置される基板載置台と、
   前記基板が前記第１処理領域、前記第２処理領域を順に通過するように前記基板載置台を回転させる回転機構と、を備え、
   前記第１処理領域と前記第２処理領域とのうち、少なくとも一つの領域には、
   前記基板載置台の回転径方向に延びるライン状に形成された開口部を有し、前記開口部から前記少なくとも一つの領域内へのガス供給を行うライン状ガス供給部と、
   前記ライン状ガス供給部により供給されたガスの流路となる前記基板の表面上空間を所定間隔の隙間とするように、前記開口部の周囲にて前記基板と対向する前記処理室の天井面から前記基板の側に向けて突出する隙間保持部材と、
   が設けられている基板処理装置。
2. 前記処理室内には、前記第１処理領域と前記第２処理領域とを区画する区画部が設けられており、
   前記少なくとも一つの領域には、前記区画部と前記隙間保持部材との間に前記基板の表面と前記処理室の天井面とによって形成される空間であるガス排出領域が設けられている請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記隙間保持部の少なくとも一部は、前記基板載置台の回転周方向において前記ライン状ガス供給部よりも幅広に形成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記ガス排出領域は、前記開口部に対して前記基板載置台の回転方向の下流側に少なくとも配されている、請求項２記載の基板処理装置。
5. 前記ガス排出領域は、前記開口部に対して前記基板載置台の回転方向の下流側に配されており、上流側に配されていない、請求項２記載の基板処理装置。
6. 前記少なくとも一つの領域に、前記開口部が互いに隣り合うように複数設けられている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
7. 複数設けられた前記開口部は前記基板載置台の回転軸を中心にして放射状に配置されている、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記ライン状ガス供給部は、前記開口部よりもガス供給方向上流側に、前記基板載置台の回転径方向に延びるガス拡散空間としてのガスバッファ領域を有する、請求項１又は２記載の基板処理装置。
9. 前記処理室には、前記基板載置台の外周側に前記処理室内のガスを排気するガス排気系が接続されているとともに、
   前記基板載置台の回転中心側から外周側に向けて前記ガス排出領域内を流れる不活性ガスを供給する不活性ガス供給系が接続されている、請求項２記載の基板処理装置。
10. 前記隙間保持部材は、前記ライン状ガス供給部と隣接して設けられている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
11. 前記隙間保持部材は、前記処理室の天井面を構成する部材とは別の部材により形成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
12. 前記ライン状ガス供給部と前記隙間保持部材は一体として形成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
13. 第１処理領域及び第２処理領域を有する処理室内に設けられた基板載置台に基板を載置する基板載置工程と、
    前記第１処理領域を第１処理ガス雰囲気とし、前記第２処理領域を第２処理ガス雰囲気とした状態で、前記基板が前記第１処理領域、前記第２処理領域を順に通過するように前記基板載置台を回転させる基板処理工程と、を備え、
    前記基板処理工程では、前記第１処理領域と前記第２処理領域のうちの少なくとも一つの領域においては、前記基板載置台の回転径方向に延びるライン状に形成された開口部を有するライン状ガス供給部を構成するとともに、前記基板の表面上空間を所定間隔の隙間とするように前記開口部の周囲に前記基板と対向する前記処理室の天井面から前記基板の側に向けて突出する隙間保持部材を配しておき、前記隙間保持部材によって形成される隙間を前記開口部から供給されるガスの流路とした状態で、前記開口部から前記少なくとも一つの領域内へのガス供給を行う
    半導体装置の製造方法。