JP2016031351A - 半導体素子の検査回路および検査方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、DUTのスイッチング試験を行う検査回路および検査方法について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4のアバランシェ試験を行うものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4の短絡試験を行うものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4をIGBT素子およびダイオード素子で構成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3 保護素子
4 DUT(検査対象としての半導体素子)
Claims (5)
- ゲート電極を有し、前記ゲート電極にハイレベルおよびローレベルのゲート信号(Vdg)が印加されることによってオン、オフが制御されるスイッチング素子を有する検査対象としての半導体素子(4)を検査する半導体素子の検査回路において、
前記半導体素子と当該半導体素子に接続される電源(1)との間には、ゲート電極を有し、前記ゲート電極にハイレベルおよびローレベルのゲート信号(Vhg)が印加されることによってオン、オフが制御され、前記スイッチング素子よりも破壊耐量が大きいスイッチング素子を有する保護素子(3)が配置されており、
前記保護素子は、前記半導体素子のゲート電極にローレベルのゲート信号が印加されて当該半導体素子をオフする際、前記半導体素子のゲート電極にローレベルのゲート信号が印加されてから所定期間経過後に当該保護素子のゲート電極にローレベルのゲート信号が印加されることによって前記電源と前記半導体素子との接続を遮断することを特徴とする半導体素子の検査回路。 - 前記半導体素子および前記保護素子は、前記ゲート電極と共に、コレクタ電極およびエミッタ電極を有するIGBT素子を有しており、
前記保護素子は、前記半導体素子のゲート電極にローレベルのゲート信号が印加されてから前記半導体素子に流れる電流が減少し始める時点において、ゲート電極−エミッタ電極間の電圧をVhgeとし、当該保護素子におけるミラー期間の電圧をVhgthmとしたとき、Vhge−Vhgthm≧0.5[V]とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の検査回路。 - 前記半導体素子および前記保護素子は、前記ゲート電極と共に、コレクタ電極およびエミッタ電極を有するIGBT素子を有しており、
前記保護素子は、前記半導体素子のゲート電極にハイレベルのゲート信号が印加されてから前記半導体素子に電流が流れ始める時点において、ゲート電極−エミッタ電極間の電圧をVhgeとし、当該保護素子におけるMOSゲートの閾値電圧をVhgthとしたとき、Vhge−Vhgth≧0.2[V]とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の検査回路。 - 前記半導体素子および前記保護素子と並列となるようにコンデンサ(6)が配置されており、
前記保護素子は、前記半導体素子と前記コンデンサとの間に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体素子の検査回路。 - ゲート電極を有し、前記ゲート電極にハイレベルおよびローレベルのゲート信号(Vdg)が印加されることによってオン、オフが制御されるスイッチング素子を有する検査対象としての半導体素子(4)を検査する半導体素子の検査方法において、
前記半導体素子と当該半導体素子に接続される電源(1)との間に、ゲート電極を有し、前記ゲート電極にハイレベルおよびローレベルのゲート信号(Vhg)が印加されることによってオン、オフが制御され、前記スイッチング素子よりも破壊耐量が大きいスイッチング素子を有する保護素子(3)を配置し、
前記半導体素子のゲート電極にローレベルのゲート信号を印加して当該半導体素子をオフする際、前記半導体素子にローレベルのゲート信号を印加してから所定期間経過後に前記保護素子にローレベルの電圧を印加することによって前記電源と前記半導体素子との接続を遮断することを特徴とする半導体素子の検査方法。
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