JP2016018948A5 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置及び電子機器に関する。
本発明に係る半導体装置は、アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたデータ線と、を備え、前記ゲート電極と当該ゲート電極と隣り合う他のゲート電極との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
また、前記ゲート電極は、走査線の一部を構成することを特徴とする。
また、アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するデータ線と、前記データ線上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、を備え、前記データ線と当該データ線と隣り合う他のデータ線との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
また、前記ゲート電極は、走査線の一部を構成することを特徴とする。
また、アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するデータ線と、前記データ線上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、を備え、前記データ線と当該データ線と隣り合う他のデータ線との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
Claims (6)
- アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられたデータ線と、を備え、
前記ゲート電極と当該ゲート電極と隣り合う他のゲート電極との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、走査線の一部を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するデータ線と、
前記データ線上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、を備え、
前記データ線と当該データ線と隣り合う他のデータ線との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
- 請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
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