JP2016004951A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サファイア屑の発生を回避しつつもクラックの伸展を促進させる。【解決手段】基板５の第一主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、基板５の第一主面と反対側の第二主面側から、該基板５内の厚さ方向における第一集光位置３１にレーザ光を照射することで改質領域を形成する第一レーザ照射工程と、改質領域内であって、第一集光位置３１と異なる第二集光位置３２にレーザ光を照射する第二レーザ照射工程と、ウエハを割断して、半導体発光素子毎に個片化する工程とを含む。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、具体的には、ウエハ内部にレーザ光を照射して、ウエハをチップ化する半導体発光素子の製造方法に関する。

半導体発光素子は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、半導体素子である発光素子は球切れ等の心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（Light Emitting Diode：以下「ＬＥＤ」ともいう。）、レーザダイオード（Laser Diode：以下「ＬＤ」ともいう。）等の半導体発光素子は、各種の光源として利用されている。特に近年は、蛍光灯に代わる照明用の光源として、より低消費電力で長寿命の次世代照明として注目を集めており、更なる発光出力の向上及び発光効率の改善が求められている。

このような半導体発光素子は、サファイア基板上に半導体層をエピタキシャル成長させた後、チップ毎に分割する。従来、基板上に半導体層が積層されたウエハは、ダイサ、スクライバ、レーザスクライバ等によってチップ化されている。半導体層に窒化物半導体を用いる場合は、通常、サファイア基板が成長基板として用いられている。

サファイア基板を有するウエハの割断方法としては、サファイア基板の裏面側からフェムト秒パルスレーザを用いてレーザ光を照射させ、サファイア基板の内部に改質領域を生じさせ、改質領域から割り溝やクラックを生じさせて、割断を行う方法が提案されている（例えば特許文献１〜２）。

しかしながら、基板によってはクラックが比較的伸展しにくく、レーザ光の照射後、クラックが伸展するまでに待ち時間が必要になることがあった。待ち時間が長時間に及ぶと、製造のタクトタイムが長くなり、生産効率に悪影響を及ぼす。

特開２００６−２４５０４３号公報 特開２００８−９８４６５号公報

本発明は、従来のこのような問題点を解消するためになされたものである。本発明の主な目的は、クラックの伸展を促進させることができる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の一の側面に係る半導体発光素子の製造方法によれば、基板の第一主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、前記基板の第一主面と反対側の第二主面側から、該基板内の厚さ方向における第一集光位置にレーザ光を照射することで改質領域を形成する第一レーザ照射工程と、前記改質領域内であって、前記第一集光位置と異なる第二集光位置にレーザ光を照射する第二レーザ照射工程と、前記ウエハを割断して、半導体発光素子毎に個片化する工程とを含むことができる。

本発明によれば、クラックの伸展を促進して割断を早期に行うことが可能となり、製造時のタクトタイムを短縮できる効果が得られる。

本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子を示す断面図である。 ウエハから半導体発光素子チップを割断する様子を示す模式断面図である。 基板の裏面側からレーザ光を第一集光位置に照射する状態を示す模式断面図である。 本願発明者らが試験した、サファイア基板の裏面側の表面付近にレーザ光を照射したサファイア基板の割断面を示す顕微鏡写真である。 本願発明者らが試験した、サファイア基板にレーザ光を照射して改質領域が裏面に達しているブレイクラインが生じている状態を示す写真である。 図６Ａは基板の裏面側から第１走査目のレーザ光を第一集光位置に照射する状態を示す模式断面図、図６Ｂは図６Ａの拡大模式断面図、図６Ｃは図６Ｂの状態で第２走査のレーザ光を第二集光位置に照射する状態を示す模式断面図、図６Ｄは図６Ｃの後、クラックが走る状態を示す模式断面図である。 本発明の実施の形態に係るレーザ光の照射で形成された改質領域を示す割断面のＳＥＭ写真である。 基板中のレーザ光の走査方向を示す模式平面図である。 図９Ａは実施の形態２に係る第１走査目のレーザ照射を第三集光位置に照射した状態を示す模式断面図、図９Ｂは図９Ａの状態で第２走査目のレーザ照射を第一集光位置に照射した状態を示す模式断面図、図９Ｃは図９Ｂの状態で第３走査目のレーザ照射を第二集光位置に照射した状態を示す模式断面図である。 図９Ａ〜図９Ｃに示す手順でレーザ照射を３回行ったサファイア基板の断面を示すＳＥＭ写真である。 サファイア基板に対してレーザ光の集光位置を変化させて試作したサンプルの結果を示す表である。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について説明する。
（半導体発光素子１０）

まず、本発明の実施の形態１に係る製造方法により得られる半導体発光素子１０の概略を説明する。

図１に、半導体発光素子１０の断面を示す。図１に示すように、半導体発光素子１０は、基板５の一方の主面である第一主面５ａ上に、半導体構造１１として窒化物半導体層が積層されてなる。具体的には、半導体発光素子１０は、対向する一対の主面を有する基板５の第一主面５ａである表面側に、第一半導体層６であるｎ型半導体層、活性層８、第二半導体層７であるｐ型半導体層を順に備える半導体構造１１が積層されている。また、ｎ型半導体層にはｎ側パッド電極３Ａが電気的に接続され、ｐ型半導体層にはｐ側パッド電極３Ｂが電気的に接続されている。半導体発光素子１０は、ｎ側パッド電極３Ａ及びｐ側パッド電極３Ｂを介して、外部より電力が供給されると、活性層８から光を放出し、図１における第二主面５ｂから、主に光が取り出される。すなわち図１の半導体発光素子１０では、電極３Ａ、３Ｂの形成面側（図１の上側）を主な光取り出し面１８となる。活性層８は、発光層に相当する。活性層８が発する光の中心波長は、例えば３６０ｎｍ〜６５０ｎｍとする。

また、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の上に透光性導電層１３がそれぞれ形成され、透光性導電層１３上にｎ側パッド電極３Ａおよびｐ側パッド電極３Ｂが形成される。さらに、ｎ側パッド電極３Ａ及びｐ側パッド電極３Ｂの所定の表面のみが露出され、他の部分は絶縁性の保護膜１４で被覆される。

図１に示すように、基板５が絶縁性基板であれば、第一主面５ａ側（半導体構造１１の上面側）に、ｎ側パッド電極、ｐ側パッド電極が設けられる。
（半導体発光素子の製造方法）

以下、図を参照しながら半導体発光素子１０の製造方法について説明する。
（ウエハ準備工程）

まず、基板５の第一主面５ａ上に半導体構造１１が設けられたウエハを準備する。

基板５は、半導体構造１１を成長させることができる基板であれば、大きさや厚さ等は特に限定されない。基板５としては、例えばサファイアを用いることができる。上述の通りサファイアはクラックが伸展しにくい材料であるが、本実施の形態に係る方法であれば、サファイア基板であってもクラックを伸展させることができる。以下の例では、サファイア基板について説明する。また、サファイア基板の厚さは、例えば５０μｍ〜２ｍｍ程度とすることができる。サファイア基板は、半導体構造１１及び電極を形成するまでは２００μｍ〜２ｍｍ程度の厚さとし、その後、研磨等により５０〜２００μｍ、好ましくは１００〜２００μｍ程度に薄膜化してもよい。

サファイア基板５の第一主面５ａ上に成長させる半導体構造１１としては、例えばサファイア基板５側から、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層がこの順に積層された構造が、出力、効率上好ましいが、それに限定されずその他の発光構造でも良い。

半導体構造１１としては、例えば窒化物半導体を用いることができる。窒化物半導体による発光は、可視光域の短波長域、近紫外域、若しくはそれより短波長域であるため、半導体構造１１からの光と光変換部材（蛍光体等）とを組み合わせることで白色光を容易に得ることができる。あるいはこれに限定されずに、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＰ系等の半導体でも良い。基板５としてサファイア基板を選択する場合は、窒化物半導体からなる半導体構造１１を成長させることが容易である。

これらの半導体層の成長方法としては、特に限定されないが、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等、半導体の成長方法として知られている全ての方法を好適に用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性良く成長させることができるので好ましい。なお、半導体層側に、必要に応じて破断溝を形成してもよい。
（割断工程）

サファイア基板上に半導体構造１１を成長させた後、図２に示すようにサファイア基板５を割断してチップＣＰに個片化する。割断工程においては、サファイア基板５の内側に、レーザ光ＬＢを照射して部分的に脆化させることにより改質させる。この様子を図３の模式断面図に示す。

図３に示すように、サファイア基板５の裏面側から、サファイア基板５の内側に向かって、フェムト秒レーザ等のレーザ加工機を用いてレーザ光ＬＢを照射する。レーザ光ＬＢを照射することで、レーザ光ＬＢの集光位置の周辺領域が改質されて改質領域２０が形成され、ここを起点にサファイア基板５の裏面側に向かってクラックＣＲが生じる。レーザ光ＬＢはパルスで照射する。レーザ光ＬＢをサファイア基板５の面内において走査することで、サファイア基板５の内部に複数の改質領域２０が形成され、それらが走査する方向に沿って帯状に連なる。このとき、改質領域２０からサファイア基板５の裏面側である第二主面５ｂに向かってクラックＣＲが形成される。そして、ウエハに押圧部材を押し当てる等、力を加えることにより、クラックＣＲをサファイア基板５の表面側である第一主面５ａ（半導体構造１１を積層したデバイス側）にも伸展させて、ウエハを割断する（ブレイク工程）。ここで本明細書において改質領域２０とは、基板５内であって、レーザ照射によって脆化された領域をいう。つまり、改質領域２０は、レーザ照射直後に空隙が生じる領域であり、ウエハの割断後に観察すると、他の領域と比較して細かな凹凸が形成されている領域である。

ウエハを精度よく割断するためには、レーザ光の照射により伸展するクラックがサファイア基板の第２主面に達するまで待ってから、ブレイク工程に進めることが好ましい。しかし、例えばサファイア基板を厚膜化した場合や基板の裏面近傍に圧縮応力が付加される場合など、割断しにくい条件となる場合には、レーザ光を第１走査した後、クラックが伸展するまでに多大な待ち時間が必要になることがある。例えば従来ではクラック伸展に要する時間が数分程度であったものが、２４時間以上となることがあった。このようにクラックが伸展するまでの待ち時間が長時間に及ぶと、製造のタクトタイムが長くなり、生産効率に悪影響を及ぼす。

この問題を解決するために、本願発明者らはレーザ光の集光位置をサファイア基板５の裏面側である第二主面５ｂに近づけることで、クラックの伸展時間を短縮する方法を検討した。この様子を、図４に示す。図４は、割断後の基板５の側面を光学顕微鏡で撮影した写真である。この図においてサファイア基板の厚さは約１５０μｍである。しかしながらこの方法では、レーザ照射によってサファイア基板５の内部に形成される改質領域２０がサファイア基板５の表面まで達し、基板屑が発生するという問題があった。この様子を、図５に示す。図５は、ウエハをサファイア基板５の裏面側から光学顕微鏡で撮影した写真である。この写真から、改質領域２０がサファイア基板５の裏面側に達してしまうと、割断ラインががたがたになっていることが確認できる。また上述した図４の拡大図からも、基板の欠けが発生している様子が確認できる。

また、従来はレーザ照射で形成された改質領域内を集光位置と設定しレーザ光を照射しても、レーザ光が改質領域内の不均一な媒質（粗面）によって分散されてしまうため、集光が妨げられ、効果が無いと理解されてきた。

このような状況において、本願発明者らは鋭意研究の結果、レーザ照射の第１走査で形成された改質領域内を集光位置とした第２走査のレーザ光を敢えて照射することで、この第２走査目のレーザ照射では新しく改質領域は形成されないと思われるものの、クラックの伸展が促進されることを見出した。この手順を実施の形態１に係る方法として、図６Ａ〜図６Ｄの模式断面図に示す。まず図６Ａに示すように、基板５の表面（第一主面５ａ側）上に半導体構造１１を成長させたウエハを準備した状態で、この基板５の裏面（第二主面５ｂ）側から、基板５内の厚さ方向、すなわち基板５の内部であって基板５の深さ方向における第一集光位置３１に第１走査目のレーザ光ＬＢ１を照射する。このときレーザ光ＬＢ１が第１集光位置３１に集光されるよう、レーザ光ＬＢ１の集光位置を調整する。レーザ光ＬＢ１が集光された部分の周辺には改質領域２０が形成され、レーザ光ＬＢ１を水平方向に走査することで、帯状の改質領域２０が形成される。この第一レーザ照射工程によって、図６Ｂの拡大断面図に示すように、帯状に改質領域２０が形成される。次に図６Ｃに示すように、この改質領域２０内であって、基板５の厚さ方向において第一集光位置３１と異なる第二集光位置３２に第２走査目のレーザ光ＬＢ２を照射する。この第二レーザ照射工程によって、クラックＣＲの伸展が促進され、基板５の第２主面５ｂにまでクラックＣＲが伸展する時間を短縮することができる。このようにすれば、ウエハを割断して半導体発光素子毎に個片化する工程を短時間で行える。

図７に、本発明の実施の形態１における製造方法で改質領域２０が形成されたウエハの割断後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。図７では、第一レーザ照射工程における第一集光位置３１へのレーザ照射（第１走査目）により第一集光位置３１の周辺に形成された改質領域２０内に、第二レーザ照射工程における第二集光位置３２へのレーザ照射（第２走査目）を行っている。ここで、帯状の改質領域２０の幅は第一レーザ照射工程のみを行った場合と同程度であることから、第二レーザ照射工程における第二集光位置３２へレーザ照射を行った領域には、第一レーザ照射工程で形成されるような改質領域２０は形成されておらず、新たな改質領域の形成には至っていないと推測される。また半導体発光素子の基板５の側面には、基板５の厚さ方向において、第一レーザ照射工程で形成された改質領域２０の半分よりも基板の第２主面５ｂ側に、滑らかな窪み４０が形成されていることが確認できる。窪み４０の形状は、基板５の厚さ方向に長く伸びた形状のほか、基板５の厚さ方向に２つの窪みが並んだ形状もある。

このように、従来は効果が無いと理解されてきた、改質領域内へのレーザ光の照射によってクラックの伸展が促進される理由は明らかでないが、改質領域内でレーザ光の集光が妨げられ、改質領域を生成する効果は得られないまでも、レーザの熱エネルギー等の印加によって、サファイア基板内部でクラックの伸展を妨げている圧縮応力が開放されているものと推測される。

第２走査目のレーザ照射では改質領域を形成させることを目的とせず、クラックの伸展を促進することで、基板５の裏面にクラックが伸展するまでの待ち時間を短縮化して割断を早期に行うことが可能となり、製造時のタクトタイムを短縮できる。またこの方法であれば、第２走査目のレーザ照射では改質領域が生成あるいは拡張されないと考えられる。

さらに、レーザ光の走査を基板の厚さ方向において、基板の裏面近傍に照射することなく、クラックの伸展を促進することが可能となり、基板屑の発生を回避できる。また基板の割れや欠けを低減して、歩留まりの向上にも寄与できる。改質領域と基板の裏面との距離は１０μｍ以上が好ましい。なお第２走査目のレーザ光を走査するときの第二集光位置３２は、第一集光位置３１よりも基板５の第二主面５ｂ（裏面）側に偏心又はオフセットさせることが好ましい。これによって一層基板５の裏面側へのクラックの伸展を促進させることができる。例えば、第二集光位置３２を、第一集光位置３１から５μｍ以上離間させる。

レーザ光ＬＢの水平面内における走査方向は、ウエハを分割すべきライン（仮想的な分割予定線）に沿って行う。一例として、具体的には、図８の平面図に示すように、ウエハのオリエンテーションフラット面ＯＦ（例えばサファイアのａ面）に対して略垂直な方向を１次方向、略水平な方向を２次方向とする。まず、ウエハの２次方向に対して第１走査と第２走査を行う。次いで、ウエハの１次方向に第１走査と第２走査を行う。

改質領域２０の幅は、サファイア基板５の厚み方向における幅を意味し、レーザ光ＬＢの照射幅すなわちスポット径によって決定される。スポット径は、レーザ光の出力やデフォーカス量等によって調整できる。ここでは、改質領域２０の幅を１５μｍ〜３５μｍ以内としている。これによって、レーザ光が照射された改質領域で光の吸収を抑制し、半導体発光素子の光出力を高めることができる。
（レーザ光ＬＢ）

レーザ光ＬＢを照射するレーザ光源は、パルスレーザを発生するレーザ、多光子吸収を起こさせることができる連続波レーザ等、種々のものを用いることができる。なかでも、フェムト秒レーザ、ピコ秒レーザ等のパルスレーザを発生させるものが好ましい。また、その波長は特に限定されるものではなく、例えば８００〜１１００ｎｍの範囲に中心波長を持つレーザを使用することができる。具体的には、チタンサファイアレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ₄レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ等、種々のものを利用することができる。レーザ光ＬＢのパルス幅としては、４００〜７００ｆｓｅｃであるものを用いることができる。実施の形態１では中心波長を８００ｎｍとするフェムト秒レーザを用いている。高出力のフェムト秒パルスレーザは、効率よくサファイア基板の内部に集光できるので、基板の改質に好適に利用できる。

なお、半導体構造１１を成長させた後で、第一及び第二レーザ照射工程の前に、基板５の厚みを薄くする工程を含むことが好ましい。基板５の厚みを薄くするには、基板５を第２主面５ｂ（裏面）側から研磨及び／又は研削する。このとき、加工方法によっては、基板の裏面近傍に圧縮応力が付加される等によってクラックの伸展が妨げられる場合があると考えられるが、この場合であっても、本実施形態の方法を用いればクラックの伸展を促進することが可能である。

以上の本実施形態の方法で得られる半導体発光素子は、図１に示すように、基板５と、基板の第一主面５ａ上に積層された半導体構造１１とを備える半導体発光素子であって、基板５は、その側面に基板５の厚さ方向において、第一主面５ａと反対側の第二主面５ｂ側に偏心して改質領域が形成されている。
（実施の形態２）

以上の例では、レーザ光の照射を２回行う例を説明したが、３回以上とすることもできる。例えば、第一レーザ照射工程の前に、レーザ光を第三集光位置に照射する第三レーザ照射工程を含めてもよい。これによってさらに基板の第１主面側へのクラックの伸展を促進することができる。このような例を実施の形態２として、図９Ａ〜図９Ｃの模式断面図に示す。まず図９Ａの例では、第三レーザ照射工程として第１走査目のレーザ光ＬＢ’１を第三集光位置３３に照射し、第二改質領域２２を形成している。続いて図９Ｂに示すように、第一レーザ照射工程として第２走査目のレーザ光ＬＢ’２を第一集光位置３１に照射し、第一改質領域２０’を形成している。さらに図９Ｃに示すように、第二レーザ照射工程として第３走査目のレーザ光ＬＢ’３を第二集光位置３２に照射している。図１０に、このようにして３回のレーザ照射を行った基板５の割断後のウエハ側面の写真の例を示す。

ここで、第三レーザ照射工程で生成される第二改質領域２２が、続く第一レーザ照射工程で生成される第一改質領域２０’と重複しないように、第三集光位置３３と第一集光位置３１とを設定することが好ましい。このように、複数の改質領域を基板の厚さ方向に離間させて設けることでさらに基板の厚さ方向におけるクラックの伸展を促進させることができるため、基板の割断を行い易くできる。特に、割断すべき基板５の厚さが厚い場合には有利となる。例えば、厚さ２００μｍ〜２５０μｍのサファイア基板であっても割断することができる。

またこの例では、第三集光位置３３を、第一集光位置３１よりも基板５の表面側、すなわち第一主面５ａ側に位置させている。このようにすることで基板５の裏面側に基板屑が発生することを回避できる。
（実験例）

次に本発明の有用性を確認するため、サファイア基板５に対してレーザ光の集光位置を様々に変化させて評価を行った。この評価結果を図１１の表に示す。この評価に使用したウエハは、サファイア基板５上に、ＧａＮ系半導体構造が積層されており、サファイア基板として、厚さ１５０μｍのものを用いた。次いでサファイア基板５の裏面側からレーザ照射を２回行った。本実験例では第１走査目と第２走査目のレーザ出力Ｐ_oを固定し、第２走査目のレーザ光の第二集光位置３２を、サファイア基板５の裏面から３０μｍとし、第一集光位置３１の裏面からの距離を変化させ評価を行った。さらにレーザ光の走査速度を３００ｍｍ／ｓとした。レーザ光を走査する方向は、オリフラ面に対して、まず略平行な方向から行い、次いで略垂直な方向から行った。レーザ加工機としては、波長が８００ｎｍでパルス幅が５５０ｆｓｅｃのフェムト秒パルスレーザを用いた。

以上の条件で、第１走査目のレーザ光の集光位置である第一集光位置３１とレーザ出力Ｐ_oとを変化させ、サファイア基板５の第二主面５ｂ側におけるクラックの伸展具合を確認した。第一集光位置３１は、サファイア基板５の裏面からの深さで示している。評価方法としては、基板５の裏面にまで短時間でクラックが達しているサンプルは“◎”、“◎”のサンプルには劣るが基板５の裏面にまで短時間でクラックが達しているサンプルは“○”、基板５の裏面にまでクラックが達するのに数時間以上を要したサンプルについては“×”とする。ダイスの外観の評価は目視で行った。

図１１から明らかなように、まず第一集光位置３１については、第１走査目と第２走査目とを同じ深さとした場合（サンプル１）はクラックが裏面にまで伸展されるまでに長時間かかった。一方、基板５の裏面側から３４μｍ〜４６μｍの範囲にレーザ光の集光位置を設定したサンプル、すなわち第１集光位置３１とは異なる位置であって、第１走査目のレーザ照射によって形成された改質領域２０内に第２走査目の第２集光位置３２が位置していると考えられるサンプルについては、クラックが効率よく伸展されていることが確認できた。

このように、本発明の実験例によれば、クラックの伸展を促進し、基板５の割断を容易に行うことができるので半導体発光素子の製造効率を高められる。さらにサファイア基板５の割断を容易に行えるようにすることで、サファイア基板５を厚くした半導体発光素子にも対応が可能となる。特にサファイア基板５を厚くすることで、光の取り出し効率を高める効果が得られるため、このような高出力の半導体発光素子を高い製造効率で得ることができると考えられる。また、改質領域を大きくすることなく割断が可能となる。

なお以上の例では、基板の裏面側、すなわち第二主面５ｂ側からレーザ光を照射する例を説明したが、半導体構造を成長させた第一主面５ａ側からレーザ光を照射して割断することも可能である。

以上、本発明の実施の形態及び／又は実験例を図面に基づいて説明した。ただし、上述した実施の形態乃至実験例、変形例等は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明は上記例に特定されない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略している。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。

本発明の製造方法で得られる半導体発光素子は、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、バックライト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ等に用いるＬＥＤ、レーザ素子等の半導体発光素子のみならず、半導体発光素子の製造に広範囲に利用することができる。

３…電極；３Ａ…ｎ側パッド電極；３Ｂ…ｐ側パッド電極
５…基板
５ａ…第一主面
５ｂ…第二主面
６…第１半導体層
７…第２半導体層
８…活性層
１０…半導体発光素子
１１…半導体構造
１３…透光性導電層
１４…保護膜
１８…光取り出し面
２０…改質領域
２０’…第一改質領域
２２…第二改質領域
３１…第一集光位置
３２…第二集光位置
３３…第三集光位置
４０…窪み
ＬＢ…レーザ光
ＬＢ１、ＬＢ’１…第１走査目のレーザ光
ＬＢ２、ＬＢ’２…第２走査目のレーザ光
ＬＢ’３…第３走査目のレーザ光
ＣＰ…チップ
ＣＲ…クラック
ＯＦ…オリエンテーションフラット面

Claims (5)

1. 半導体発光素子の製造方法であって、
   基板の第一主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、
   前記基板の第一主面と反対側の第二主面側から、該基板内の厚さ方向における第一集光位置にレーザ光を照射することで改質領域を形成する第一レーザ照射工程と、
   前記改質領域内であって、前記基板の厚さ方向において前記第一集光位置と異なる第二集光位置にレーザ光を照射する第二レーザ照射工程と、
   前記ウエハを割断して、半導体発光素子毎に個片化する工程と
   を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
   前記第二集光位置が、前記第一集光位置よりも第二主面側にあることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
   前記第二集光位置を、前記第一集光位置から５μｍ以上離間させてなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
   前記第一レーザ照射工程及び前記第二レーザ照射工程における前記レーザ光の照射が、フェムト秒レーザによって行われてなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一に記載の半導体発光素子の製造方法であって、さらに
   前記第一レーザ照射工程の前に、前記第一集光位置よりも第一主面側の第三集光位置に、レーザ光を照射する第三レーザ照射工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。