JP2007254185A - レーザスクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】１回のレーザ照射に必要なレーザ光強度を低く抑えたスクライブが可能となるレ
ーザスクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器を提供する。
【解決手段】基板３４の片面に膜３５を形成する。レーザ光３６を膜３５の近傍に集光し
て、改質部３７を形成する。改質部３７は中心にクラック部３８が形成され、その周囲に
光吸収部３９が形成される。集光レンズ８と基板３４とを相対移動して１層目の改質部３
７を形成する。１層目の改質部３７の光吸収部３９にレーザ光３６を集光して２層目の改
質部３７を形成する。順次繰り返し、改質部３７の面を形成する。改質部３７の面に沿っ
て、基板３４の厚み方向に局所的な力を加えて基板３４を分断する。
【選択図】図３

Description

本発明は、レーザスクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器に
関するものである。

光透過性のある基板を切断するためにレーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（
以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている
。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集
光し、集光点におけるピークパワー密度が１×１０⁸（Ｗ／ｃｍ²）以上にする。これによ
り、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。

また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部ある
いはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピ
ークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ
）をＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、
ピークパワー密度がおよそ１×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、改質部の大きさは、およそ１
００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、およ
そ２５０μｍである。

特開２００２−１９２３７０号公報

しかしながら、加工対象物の厚みが、改質部の大きさよりも相当に厚い場合は、改質部
を切断予定ラインを形成した後に、加工対象物を破断面が変形することなく割ることは困
難である。外部応力を加えたときに改質領域を起点としたクラックの成長方向がずれて切
断予定ラインに沿って割れず外形不良が生じるという課題がある。このような課題を改善
するには、加工対象物の厚みに対応して、改質領域が厚み方向に連続するように、繰り返
してレーザ光を照射する方法が考えられるが、レーザ光を照射する加工時間が長くなり生
産性が低下するという課題を有している。
レーザ光は、レーザ光の強度を高くするために、レーザ媒質にエネルギーを供給しパル
ス発光している。従来は、高いレーザ強度のレーザ光を照射しないと改質領域が形成でき
ない為、パルス発光の間隔を短くできず、加工速度を上げることができなかった。

本発明は、上記課題を考慮してなされたものであり、レーザ光の走査速度を速めるため
に、１回のレーザ照射に必要なレーザ光強度を低く抑えたスクライブが可能となるレーザ
スクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器を提供することを目的
とする。

上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ方法では、基板の一面に膜を形
成する膜形成工程と、基板に対して透過性を有するレーザ光を、基板の膜が形成された面
と反対側の面から、膜の近傍に集光するように照射して、基板の切断予定面に沿って、基
板に改質部を形成する第１改質部形成工程と、を含むことを特徴とする。

これによれば、膜形成工程において、基板の一面には膜が形成される。次に、第１改質
部形成工程において、基板の膜が形成された面と逆側の面からレーザ光を膜の近傍に集光
するように照射する。レーザ光は基板を透過して膜を照射する。照射された膜は、レーザ
光のエネルギーを吸収して発熱する。発熱する膜の熱が基板に伝わり、基板が溶融もしく
は基板の組織構造が変化して、レーザ光を吸収し易くなる。レーザ光を吸収し易くなった
領域にレーザ光が集光され多光子吸収が生ずる。多光子吸収が生じた領域には、改質部が
形成される。従って、基板の一面に膜を形成しない場合に比べて、低いレーザ光強度で改
質部を形成することができる。

本発明のレーザスクライブ方法では、膜形成工程と第１改質部形成工程とが同時に実施
されることを特徴とする。

これによれば、膜形成工程と第１改質部形成工程とが同時に行なわれる。例えば、基板
に膜材料を塗布して膜を形成する塗布装置と、基板にレーザ光を照射して改質部を形成す
るスクライブ装置が一体化した複合装置を製造する。この複合装置により、膜形成工程と
第１改質部形成工程とを同時に行なうことができる。膜形成工程と第１改質部形成工程と
を別々に行なう場合に比べて、同時に行なった方が、製造に要する時間を短くすることが
できるので、生産性良く製造することができる。

本発明のレーザスクライブ方法では、膜形成工程では、基板と対向する位置に膜形成部
材を形成し、基板を透過して膜形成部材にレーザ光を照射して、膜形成部材を蒸発又は飛
散させて基板に膜を形成することを特徴とする。

これによれば、基板と対向する位置に膜形成部材が配置される。基板を通して膜形成部
材にレーザ光を照射する。レーザ光が照射された膜形成部材は蒸発又は飛散して基板に膜
を形成する。形成された膜の近傍に集光するようにレーザ光を照射することで、レーザ光
が集光する場所に改質部が形成され、改質部の一部にクラック部が形成される。レーザ光
は基板の膜が形成される端面の近傍に集光するように照射し、基板を透過したレーザ光が
膜形成材料に照射することで、膜の形成に用いたレーザ光を用いて改質部を形成すること
ができる。従って、基板と対向する位置に膜形成材料を配置して、レーザ光を照射するこ
とで、膜の形成と膜の近傍に改質部を形成することができる。その結果、レーザ光強度が
低いときにも改質部を形成することができる。

上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ方法では、基板に対して透過性
を有するレーザ光を、基板の内部に集光して照射して、クラック部と光吸収部とを有する
改質部を、基板の切断予定面に沿って形成する第１改質部形成工程と、第１改質部形成工
程で形成された光吸収部にレーザ光を照射して、改質部の近傍に新たに改質部を、基板の
切断予定面に沿って形成し、基板の厚み方向に改質部を繰り返し形成し、改質部を複数形
成する第２改質部形成工程と、を含むことを特徴とする。

これによれば、第１改質部形成工程において、基板の内部にレーザを集光して照射して
改質部を形成する。改質部の中央には複数のクラックが含まれるクラック部が形成され、
クラック部の周囲には、レーザ光を吸収し易い光吸収部が基板の切断予定面に沿って形成
される。次に、第１改質部形成工程で形成された光吸収部に、第２改質部形成工程でレー
ザ光を集光して改質部を形成する。新たに形成された改質部の光吸収部にレーザ光が集光
する場所を移動して改質部を複数形成する。つまり、最初に改質部を形成し、次は、最初
の改質部の光吸収部にレーザ光を集光して新たに改質部を形成する。従って、改質部の光
吸収部にレーザ光を集光するときのレーザ光は、光吸収部がない基板に集光するときに比
べて低いレーザ光強度で改質部を形成できる。その結果、レーザ光強度が低いときにも改
質部を形成することができる。

本発明のレーザスクライブ方法では、第１改質部形成工程で形成された光吸収部にレー
ザ光を照射して、改質部の近傍に新たに改質部を、基板の切断予定面に沿って形成し、基
板の厚み方向に改質部を繰り返し形成し、改質部を複数形成する第２改質部形成工程と、
を含むことを特徴とする。

これによれば、第１改質部形成工程において、膜が形成された基板の膜の近傍にレーザ
光を集光して改質部を、切断予定面に沿って形成する。次に、第２改質部形成工程におい
て、第１改質部形成工程で形成した改質部の光吸収部に、レーザ光を集光して改質層を切
断予定面に沿って形成する。厚み方向に改質部を形成してスクライブする。従って、第１
改質部形成工程と第２改質部形成工程とにおいて、レーザ光強度が低いときにも改質部を
形成することができる。

本発明のレーザスクライブ方法では、基板は複数の基板が接着され積層されて形成され
ていることを特徴とする。

これによれば、基板は複数の基板が接着され、積層されて形成されていることから、レ
ーザ光が接着剤の層を通過する毎に、レーザ光が吸収されてレーザ光強度が低下する。上
述のスクライブ方法では、レーザ光強度が低いときにも改質部を形成することができる為
、接着剤の層を通過したレーザ光を用いて改質部を形成することができる。

上記課題を解決するために、本発明の表示装置の製造方法では、膜が形成された基板を
切断予定面に沿って切断する表示装置の製造方法であって、基板を切断予定面に対応する
領域に膜を形成する膜形成工程と、基板に対して透過性を有するレーザ光を、基板の膜が
形成された面と反対側の面から、膜の近傍に集光するように照射して、基板に改質部を切
断予定面に沿って形成する第１改質部形成工程と、第１改質部形成工程で形成された改質
部の一部である光吸収部にレーザ光を照射して、改質部の近傍に新たに改質部を切断予定
面に沿って形成し、基板の厚み方向に改質部を繰り返し形成する第２改質部形成工程と、
基板に外力を加えて、基板を改質部で分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。

これによれば、表示装置は基板を備えている。膜形成工程において、基板の切断予定面
に対応する領域に膜を形成する。次に、第１改質部形成工程において、膜の近傍にレーザ
光を集光して改質部を形成する為、レーザ光強度が低いときにも改質部を形成することが
できる。次に、第２改質部形成工程において、光吸収部にレーザ光を照射して改質部を形
成する為、レーザ光強度が低いときにも改質部を形成することができる。次に、分割工程
で基板を分割することで、表示装置が分割される。従って、レーザ光強度が低いときにも
改質部を形成してスクライブすることができる。

本発明の表示装置の製造方法では、膜は、遮光膜であることを特徴とする。

これによれば、表示装置の基板に形成される膜は、遮光膜であることから、遮光膜を形
成するときに切断予定面に形成する膜を同時に形成することができる。従って、切断予定
面に形成する膜を、遮光膜を形成する工程とは別の工程で形成する場合と比べて、少ない
工程で形成することができる。その結果、生産性良く表示装置を製造することができる。

本発明の表示装置の製造方法では、膜は、電極膜であることを特徴とする。

これによれば、表示装置の基板に形成される膜は、電極膜であることから、電極膜を形
成するときに切断予定面に形成する膜を同時に形成することができる。従って、切断予定
面に形成する膜を、電極膜を形成する工程とは別の工程で形成する場合と比べて、少ない
工程で形成することができる。その結果、生産性良く表示装置を製造することができる。

上記課題を解決するために、本発明の基板は、上述のレーザスクライブ方法を用いてス
クライブし、分断して製造されたことを特徴とする。

これによれば、基板は上述のレーザスクライブ方法を用いて製造されたことから、レー
ザ光強度が低いときにも改質部を形成してスクライブされ、分断された基板とすることが
できる。

上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上述のレーザスクライブ方法又は、
上述の表示装置の製造方法を、用いて製造されたことを特徴とする。

これによれば、表示装置は基板を備え、基板を上述のスクライブ方法を用いて製造する
ときは、レーザ光強度が低いときにも基板に改質部を形成してスクライブできる。従って
、表示装置は、レーザ光強度が低いときにも基板に改質部を形成してスクライブできる基
板を備えた表示装置とすることができる。
表示装置が、上述の表示装置の製造方法を用いて製造するときにも、レーザ光強度が低
いときにも改質部を形成してスクライブできる。従って、表示装置は、レーザ光強度が低
いときにも改質部を形成してスクライブできる基板を備えた表示装置とすることができる
。

上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述の表示装置を備えたことを特徴
とする。

これによれば、電子機器は表示装置を備え、当該表示装置は、レーザ光強度が低いとき
にも改質部を形成してスクライブできる基板を備えている。従って、この電子機器は、レ
ーザ光強度が低いときにも改質部を形成してスクライブできる基板を備えた表示装置を備
えた電子機器とすることができる。

以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材
毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るレーザスクライブ方法について図１〜図４に従って説明
する。

最初にレーザ照射装置について説明する。図１は、レーザ照射装置の構成を示す概略図
である。
図１に示すように、レーザ照射装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射さ
れたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的
に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。

レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改
質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、Ｌ
Ｄ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：
３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用した。パルス
幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パル
スのレーザ光を出射する発光条件を採用した。

光学経路部３はダイクロイックミラー６を備えている。ダイクロイックミラー６は、レ
ーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ダイクロイックミラー
６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ダ
イクロイックミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光レンズ８が配置され
ている。テーブル部４にはワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワー
ク９に照射されるようになっている。

集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レン
ズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向に移動させて
、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナ
ットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のス
テップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステッ
プ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、
レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動
するようになっている。

集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ダイ
クロイックミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮
像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Charge Coupled Device）
が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過
してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを
通してワーク９を撮像することが可能となっている。

テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６
が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸
スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となって
いる。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のス
テップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だ
け、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。

Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール
１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７
と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。

Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上
面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置する
と、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面の所定の位置に位置決めされ
固定されるようになっている。

制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部
に図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメ
モリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置１の動作を制御するも
のである。
メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５
、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステー
ジ制御装置３０と接続されている。

入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置で
あり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力さ
れる各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装
置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況
を確認して操作するようになっている。

レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、
出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により
制御される。
レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レン
ズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レ
ンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸
７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送
信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。

画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えて
いる。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、
レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画
像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のス
テージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の面に焦点が合うとき
に、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、
ぼやけた画像となる。

集光レンズ８を光軸７の方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集
光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定
することが可能となる。

撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、
集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集
光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板
を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２
の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成す
る。２枚の基板の接触部と改質部の距離を測定することでオフセット距離を計測すること
ができる。

集光レンズ８を光軸７方向に移動して、ワーク９の光学経路部３側の面に撮像装置１２
の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動
距離を演算し、演算した移動距離と同じ距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法で
ワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。

ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と
移動制御を行なう。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが
内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸
スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸ス
ライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示
される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スラ
イド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライ
ド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。

レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置２９
がワーク９の面の光軸方向の位置を検出する。レンズ制御装置２８がレーザ光を集光する
光軸方向の位置を制御する。ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワ
ーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ
光を集光して照射することが可能となっている。

ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光
されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料で
あっても、材料の吸収バンドギャップＥｇよりも光子のエネルギーｈνが非常に大きいと
き、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス
幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせ
ると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起さ
れた領域が形成される。

本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化し
た結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼び、クラック部の周囲に形成さ
れ、レーザ光を吸収し易い構造に変化した領域を光吸収部と呼ぶ。

このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光
の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レー
ザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ダイクロイックミラー６や集光レンズ８のような
光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従っ
て、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望まし
い。

（レーザスクライブ方法）
次に本発明のレーザスクライブ方法について図２〜図４にて説明する。図２は、レーザ
スクライブ方法のフローチャートであり、図３及び図４はレーザスクライブ方法を説明す
る図である。

図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は膜形成工程に相当し、基板に膜を形成
する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、第１改質部形成工程に
相当し、基板の内部に１層目の改質部を形成する工程である。次にステップＳ３に移行す
る。ステップＳ３は、第２改質部形成工程に相当し、２層目以降の改質部を形成する工程
である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は、分断工程に相当し、ワーク９を
分断する工程である。

次に、図３及び図４を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に
説明する。
図３（ａ）はステップＳ１に対応する図である。図３（ａ）に示すように、基板３４に
膜３５を形成する。基板３４はレーザ光の透過性を有する材料であれば良く、本実施形態
では石英ガラスを採用した。膜３５の材質は、レーザ光を照射したときに基板３４の材質
よりもレーザ光を吸収して変質し易い材質であれば良く、本実施形態では、アルミニウム
を採用した。アルミニウムの膜３５を形成する方法としては、蒸着法やスパッタ法などの
公知の方法にて形成することができるので、説明を省略する。

図３（ｂ）及び（ｃ）はステップＳ２に対応する図である。
図３（ｂ）は、基板３４を膜３５が形成された側の面から見た図である。図３（ｂ）に
示すように、基板３４を切断する予定の面を切断予定面３４ａとする。切断予定面３４ａ
に沿って、レーザ光を照射してスクライブを進めていく。
図３（ｃ）に示すように、基板３４の膜３５が形成されていない面からレーザ光３６を
基板３４の内部に照射する。集光レンズ８によりレーザ光３６を膜３５の近傍に集光させ
て照射する。レーザ光は基板３４を透過して、膜３５を照射する。照射された膜３５の近
傍はレーザ光を吸収し易くなり改質部３７を形成する。改質部３７の中央部で最もレーザ
光が集光した領域には複数のクラックからなるクラック部３８が形成される。クラック部
３８の周囲には光吸収部３９が形成される。

基板３４に膜３５が形成されていない場合には、改質部３７を形成するのにレーザ光源
２から、およそ１５０μＪ／パルスのレーザ光を出射する必要があった。一方、基板３４
に膜３５が形成されている場合には、レーザ光源２から、およそ６０μＪ／パルスのレー
ザ光を出射して改質部３７を形成できることが確認されている。つまり、基板３４に膜３
５が形成されていない場合に比べて、膜３５が形成されている場合の方が低いエネルギー
のレーザ光３６で改質部３７を形成することができる。

その理由としては、次のように考えられる。膜３５にレーザ光３６が照射されたとき、
膜３５はレーザ光のエネルギーを吸収して発熱する。発熱する膜３５の熱が基板３４に伝
わり、基板３４が溶融もしくは基板３４の組織構造が変化して、レーザ光を吸収し易くな
る。レーザ光を吸収し易くなった領域にレーザ光が集光され多光子吸収が生ずる。多光子
吸収が生じた領域に改質部３７が形成される。

基板３４と集光レンズ８とを相対的に移動し、改質部３７を配列して形成する。
図３（ｄ）に示すように、その結果、基板３４の内部で膜３５の近傍に改質部３７が配
列して形成される。

図３（ｅ）はステップＳ３に対応する図である。図３（ｅ）に示すように、集光レンズ
８によりレーザ光３６をステップ２で形成した光吸収部３９に集光する。集光されたレー
ザ光を光吸収部３９に照射することで、多光子吸収が生じて改質部３７が形成される。
光吸収部３９でない領域に集光して、改質部３７を形成する場合、レーザ光源２から、
およそ１５０μＪ／パルスのレーザ光を出射する必要があった。一方、光吸収部３９の領
域に集光して、改質部３７を形成する場合には、レーザ光源２から、およそ６０μＪ／パ
ルスのレーザ光を出射して改質部３７を形成できることが確認されている。従って、低い
レーザ光強度で改質部３７を形成することができる。

図３（ｆ）に示すように、その結果、ステップＳ２で形成された改質部３７の集光レン
ズ８側に改質部３７を配列して形成される。

図４（ａ）に示すように、ステップＳ３で形成した改質部３７の光吸収部３９に、レー
ザ光３６を集光して、改質部３７を形成する。基板３４と集光レンズ８とを相対的に移動
し、改質部３７を配列して形成する。
図４（ｂ）に示すように、その結果、基板３４の切断予定面３４ａの全面に渡って改質
部３７が形成される。
図４（ｃ）に示すように、改質部３７の中央にはクラック部３８が形成されることから
、基板３４の切断する予定の面の全面に渡ってクラック部３８が配列される。

図４（ｄ）はステップＳ４に対応する図である。図４（ｄ）に示すように、基板３４を
弾性のある台４０の上に配置する。基板３４の内部に配列して形成されたクラック部３８
と対応する基板３４上の位置に加圧部材４１を配置し、加圧部材４１を基板３４方向に押
圧する。基板３４は加圧部材４１に押圧された場所が台４０に沈み込み、膜３５の形成さ
れた面に張力が作用する。クラック部３８は張力がかかり、クラックを起点として破断が
進行し分断される。
図４（ｅ）に示すように、その結果、基板３４はクラック部３８で分断され、二つに分
割される。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、膜形成工程において、基板３４の一面に膜３５が形成され
ている。次に、第１改質部形成工程において、基板３４の膜３５が形成された面と逆側の
面からレーザ光３６を膜３５の近傍に集光するように照射している。レーザ光３６は基板
３４を透過して膜に照射される。照射された膜３５は、レーザ光３６のエネルギーを吸収
して発熱する。発熱する膜３５の熱が基板３４に伝わり、基板３４が溶融もしくは基板３
４の組織構造が変化して、レーザ光３６を吸収し易くなる。レーザ光３６を吸収し易くな
った領域にレーザ光３６が集光され多光子吸収が生ずる。多光子吸収が生じた領域には、
改質部３７が形成される。従って、基板の一面に膜３５を形成しない場合に比べて、低い
レーザ光強度で改質部を形成することができる。

（２）本実施形態によれば、第１改質部形成工程において、基板３４の内部にレーザ光
３６を集光して照射し、改質部３７を形成している。改質部３７の中央には複数のクラッ
クが含まれるクラック部３８が形成され、クラック部３８の周囲には、レーザ光３６を吸
収し易い光吸収部３９が形成される。次に、第１改質部形成工程で形成された光吸収部３
９に、第２改質部形成工程でレーザ光３６を集光して改質部３７を形成している。従って
、改質部３７の光吸収部３９にレーザ光を集光するときのレーザ光３６は、光吸収部３９
がない基板３４に集光するときに比べて低いレーザ光強度で改質部３７を形成できる。そ
の結果、レーザ光強度が低いときにも改質部を形成することができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るレーザスクライブ方法について図５のフローチャ
ートと図６のレーザスクライブ方法を説明する図を用いて説明する。
尚、本実施形態において、前記第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図２に示したステップＳ１の膜形成
工程と、ステップＳ２の第１改質部形成工程が同時に行なわれる点にある。

図５のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は、膜及び第１改質部形成工程に相当
し、基板の１面に膜を形成しつつ、基板の内部に１層目の改質部を形成する工程である。
次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は、第２改質部形成工程に相当し、２層
目以降の改質部を形成する工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３
は、分断工程に相当し、基板を分断する工程である。

次に、図６を用いて、図５に示したステップＳ１１の製造方法を詳細に説明する。ステ
ップＳ１２及びステップＳ１３は、第１の実施形態におけるステップＳ３及びステップＳ
４と同じ製造方法であるので、説明を省略する。

図６（ａ）〜（ｃ）はステップＳ１１に対応する図である。
図６（ａ）に示すように、膜形成部材４４が配置され、膜形成部材４４の上に支持台４
５が配置されている。膜形成部材４４は鉄を含む金属で構成され、支持台４５は膜形成部
材４４に固定されている。支持台４５の上に基板４６が配置される。基板４６を切断する
予定の仮想線である切断予定面と膜形成部材４４との間には支持台４５が配置されず空間
となっている。基板４６は石英ガラスで形成されており、レーザ光が透過する。膜形成部
材４４の逆側から基板４６にレーザ光を照射するとき、レーザ光が基板４６を通過して、
支持台４５と干渉することなく、膜形成部材４４を照射するようになっている。

図６（ｂ）に示すように、基板４６対して膜形成部材４４の逆側に位置する集光レンズ
８からレーザ光３６を基板４６に照射する。レーザ光３６は基板４６を透過して膜形成部
材４４を照射する。レーザ光３６を膜形成部材４４に照射するとき、膜形成部材４４を構
成する分子又は原子の一部は、照射されたレーザ光３６により励起され、膜形成部材４４
から離脱する。離脱した分子又は原子は空中を飛翔し基板４６に付着して膜４７を形成す
る。

集光レンズ８によりレーザ光３６が膜４７の近傍に集光され、照射されている。レーザ
光は基板４６を透過して、膜４７を照射する。レーザ光を照射された膜４７の近傍では、
基板４６がレーザ光を吸収し易くなり、改質部４８が形成される。改質部４８の中央部で
最もレーザ光が集光した領域には複数のクラックからなるクラック部４９が形成される。
クラック部４９の周囲には光吸収部５０が形成される。

基板４６と集光レンズ８とを相対的に移動し、改質部４８を連続して形成する。
図６（ｃ）に示すように、その結果、基板４６の内部で膜４７の近傍に改質部４８が配
列して形成される。

上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の（１）及び（２）の効果に加
えて以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、膜及び第１改質部形成工程において、膜形成部材４４にレ
ーザ光３６を照射して、膜形成部材４４を構成する分子又は原子を基板４６に付着させて
膜４７を形成する。膜４７の近傍にレーザ光３６を集光して、改質部４８を形成する。
第１の実施形態における膜形成工程と第１改質部形成工程とが、本実施形態では、膜及
び第１改質部形成工程において、同時に行なわれる。膜形成工程と第１改質部形成工程と
を別々に行なう場合に比べて、同時に行なった方が、製造に要する時間を短くすることが
できるので、生産性良く製造することができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について図７〜図１３に
従って説明する。

（液晶表示装置）
最初に液晶表示装置について説明する。図７は、液晶表示装置の模式平面図であり、図
８は、図７の液晶表示装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。

図７及び図８において、本実施形態の液晶表示装置６１は、対をなす基板としてのＴＦ
Ｔアレイ基板６２と対向基板６３とが光硬化性の封止材であるシール材６４によって貼り
合わされ、このシール材６４によって区画される領域内に封入された液晶６５からなる液
晶層を狭持している。シール材６４は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成さ
れている。

シール材６４の形成領域の内側で対向基板６３の液晶６５側の面には、遮光性材料で配
線を隠すための周辺見切り６６が形成されている。シール材６４の外側の領域には、デー
タ線駆動回路６７及び実装端子６８がＴＦＴアレイ基板６２の辺６２ａ（図中下側の辺）
に沿って形成されており、この辺６２ａに隣接する辺６２ｂ及び辺６２ｃ（図中左右の辺
）に沿って走査線駆動回路６９が形成されている。ＴＦＴアレイ基板６２の残る辺６２ｄ
（図中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路６９の間を接続するための配線７０が設け
られている。また、対向基板６３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板６
２と対向基板６３との間で電気的導通をとるための基板間導通材７１が配設されている。

また、液晶表示装置６１はカラー表示用として構成しており、対向基板６３において、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂが保護膜ととも
に形成されている。カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂの各フィルタ素子の間には、
遮光膜７３が形成されており、カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂを通過しない光は
遮光膜７３が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２
Ｂの保護膜のＴＦＴアレイ基板６２側には電極膜としての対向電極７４と配向膜７５とが
配置されている。

液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化す
る性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロー
ルして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。そ
れにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の
３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィ
ルタの色を色光として透過する。なお、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィル
タには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作によ
り、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、
画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。

このような構造を有する液晶表示装置６１の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ
行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号を
スイッチングするＴＦＴ（スイッチング素子）が形成されている。画素信号を供給するデ
ータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走
査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に
画素電極７６が電気的に接続されている。画素電極７６はカラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ
，７２Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴ
のゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される
。

画素電極７６は、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が
各画素の画素電極７６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極７６に
供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図８に示す対向基板６３の対向電極７
４との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶６５の光透過量が変化する。
液晶表示装置６１はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２
Ｂを透過する光を液晶６５からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御
することで、液晶表示装置６１はカラー画像を表示することができる。

画素電極７６の対向基板６３側には配向膜７７が配置されている。配向膜７５と配向膜
７７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜７５と配向膜７７との間に充
填された液晶６５は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。

ＴＦＴアレイ基板６２の対向基板６３側の面には、外周を取り囲む様に電極膜としての
切断補助膜７８が配置されている。切断補助膜７８は、実装端子６８と同じ材料で構成さ
れ、実装端子６８を形成する工程で同時に形成される。

対向基板６３のＴＦＴアレイ基板６２側の面には、外周を取り囲む様に遮光膜７３が配
置されている。この遮光膜７３は、カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂの間に形成さ
れる遮光膜７３と同じ材料で、同じ工程で形成される。

図９は液晶表示装置の要部模式断面図である。図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板６
２は第１の基板８２を備えている。第１の基板８２の液晶６５と反対側の面には偏光フィ
ルム８３が配置されている。第１の基板８２の液晶６５側の面には、ゲート電極８４と絶
縁膜８５が配置されている。ゲート電極８４の液晶６５側の面には、絶縁膜８５が配置さ
れている。そして、絶縁膜８５の液晶６５側の面でゲート電極８４と対向する領域には、
ＴＦＴ８６が配置されている。絶縁膜８５上で、ＴＦＴ８６の両側には、ソース電極８７
とドレイン電極８８が配置され、ゲート電極８４に電圧が印加されたとき、ソース電極８
７からドレイン電極８８へ電流が流れるようになっている。ＴＦＴ８６、ソース電極８７
、ドレイン電極８８の周囲及び液晶６５側の面には絶縁膜８９が配置され、絶縁膜８９の
液晶６５側の面は平坦に形成されている。絶縁膜８９の液晶６５側の面には画素電極７６
が配置され、画素電極７６はドレイン電極８８とコンタクトホール９０を介して電気的に
接続されている。画素電極７６の液晶６５側の面には配向膜７７が形成され、液晶６５が
画素電極７６に対して傾斜して配向される。

対向基板６３は第２の基板９３を備えている。第２の基板９３の液晶６５と反対側の面
には、偏光フィルム９４が配置されている。第２の基板９３の液晶６５側の面には、カラ
ーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂと遮光膜７３が配置され、カラーフィルタ７２Ｒ，７
２Ｇ，７２Ｂからは液晶６５を通過した光線が通過し、遮光膜７３は光線を遮断するよう
になっている。カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂと遮光膜７３の液晶６５側の面に
は対向電極７４が配置され、対向電極７４の液晶６５側の面には配向膜７５が形成され、
液晶６５が対向電極７４に対して傾斜して配向されている。画素電極７６と対向電極７４
との間に電圧を印加すると、印加した電圧に対応して液晶６５の傾きが変化し、偏光フィ
ルム８３と液晶６５と偏光フィルム９４とを通過する光透過量が変化するようになってい
る。

図１０は液晶表示装置の要部模式平面図である。図１０に示すように、画素電極７６の
一角にＴＦＴ８６が配置されている。ＴＦＴ８６のゲート電極８４とゲート配線９５が電
気的に接続され、ＴＦＴ８６のソース電極８７とソース配線９６が電気的に接続されてい
る。遮光膜７３はＴＦＴ８６とゲート配線９５とソース配線９６とを遮蔽し、対向基板６
３側から照射される光を吸収し、ＴＦＴ８６とゲート配線９５とソース配線９６に照射さ
れないようになっている。

（液晶表示パネルマザー基板）
次に、液晶表示装置６１が区画形成されたマザー基板１００について説明する。図１１
は液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図である。図１１（ａ）は、対
向基板側から見た平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略
断面図である。

図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、マザー基板１００は、素子マザー基板１０１と
対向マザー基板１０２とが接着されている。素子マザー基板１０１には、１つの液晶表示
装置６１のＴＦＴアレイ基板６２に相当する素子基板区画６２ｅが複数区画形成されてい
る。対向マザー基板１０２には、１つの液晶表示装置６１の対向基板６３に相当する対向
基板区画６３ａが複数区画形成されている。素子マザー基板１０１と対向マザー基板１０
２とは、素子基板区画６２ｅと対向基板区画６３ａとの位置関係が、液晶表示装置６１に
おけるＴＦＴアレイ基板６２と対向基板６３との位置関係となるように、シール材６４に
よって貼り合わされている。シール材６４によって囲まれた素子マザー基板１０１と対向
マザー基板１０２との隙間には、液晶６５が充填されている。

マザー基板１００から液晶表示装置６１を切出すために切断する予定の面をそれぞれ、
切断予定面としてのＨ素子切断面１０４、Ｖ素子切断面１０６、Ｈ対向切断面１０７、Ｖ
対向切断面１０８と表記する。Ｈ素子切断面１０４は、二点鎖線で示した素子マザー基板
１０１の切断面であり、図１１（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面
１０６は、二点鎖線で示した素子マザー基板１０１の切断面であり、図１１（ａ）のＹ軸
方向に延在する切断面である。Ｈ対向切断面１０７は、一点鎖線で示した対向マザー基板
１０２の切断面であり、図１１（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面
１０８は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０２の切断面であり、図１１（ａ）のＹ軸
方向に延在する切断面である。図１１に示した、１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃは、それ
ぞれＨ素子切断面１０４であり、１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃは、それぞれＶ素子切断
面１０６であり、１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ，１０７ｅは、それぞれＨ対
向切断面１０７であり、１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ，１０８ｅは、それぞ
れＶ対向切断面１０８である。

（基板の分断方法）
次に上述した液晶表示装置６１における基板の分断方法について図１２〜図１４にて説
明する。図１２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図１３及び図１４は基板の
分断方法を説明する図である。

図１２のフローチャートにおいて、ステップＳ２１は対向基板の第１改質部形成工程に
相当し、対向基板の内部に１層目の改質部を形成する工程である。次にステップＳ２２に
移行する。ステップＳ２２は、対向基板の第２改質部形成工程に相当し、対向基板の内部
に２層目以降の改質部を形成する工程である。ステップＳ２３は、ＴＦＴアレイ基板の第
１改質部形成工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板の内部に１層目の改質部を形成する工程で
ある。次にステップＳ２４に移行する。ステップＳ２４は、ＴＦＴアレイ基板の第２改質
部形成工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板の内部に２層目以降の改質部を形成する工程であ
る。次にステップＳ２５に移行する。ステップＳ２５は、対向基板の分断工程に相当し、
対向基板を改質部に沿って分断する工程である。次にステップＳ２６に移行する。ステッ
プＳ２６は、ＴＦＴアレイ基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板を改質部に沿って
分断する工程である。

次に、図１３及び図１４を用いて、図１２に示したステップと対応させて、製造方法を
詳細に説明する。図１１に示すマザー基板１００において、切断する面は多く存在するが
、その中でＨ素子切断面１０４とＨ対向切断面１０７との切断面の例を説明する。Ｖ素子
切断面１０６とＶ対向切断面１０８との切断面も同様の方法にて切断が可能である。

図１３（ａ）はステップＳ２１に対応する図である。図１３（ａ）に示すように、対向
マザー基板１０２には遮光膜７３が形成されている。対向マザー基板１０２の遮光膜７３
が形成されていない面からレーザ光３６を対向マザー基板１０２の内部に照射する。集光
レンズ８によりレーザ光３６を遮光膜７３の近傍に集光して照射する。レーザ光は対向マ
ザー基板１０２を透過して、遮光膜７３を照射する。照射された遮光膜７３の近傍はレー
ザ光を吸収し易くなり改質部１０９を形成する。改質部１０９の中央部で最もレーザ光が
集光した領域には複数のクラックからなるクラック部が形成される。クラック部の周囲に
は光吸収部が形成される。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ対向切断面１０
７とＶ対向切断面１０８との切断面に対して１層目の改質部１０９を形成する。

図１３（ｂ）はステップＳ２２に対応する図である。図１３（ｂ）に示すように、対向
マザー基板１０２と集光レンズ８とを相対的に移動し、改質部１０９の光吸収部にレーザ
光を集光して、改質部１０９を連続して形成する。改質部１０９は対向マザー基板１０２
の厚み方向に連続して形成するとともに、対向マザー基板１０２の平面方向にも連続して
改質部１０９を形成する。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ対向切断面１０
７とＶ対向切断面１０８との切断面に対して２層目以降の改質部１０９を形成する。

図１３（ｃ）はステップＳ２３に対応する図である。図１３（ｃ）に示すように、マザ
ー基板１００を反転して、素子マザー基板１０１が集光レンズ８側になるように配置する
。素子マザー基板１０１は、配線７０と実装端子６８との間に切断補助膜７８が形成され
ている。切断補助膜７８はＨ素子切断面１０４に沿って形成されている。素子マザー基板
１０１の切断補助膜７８が形成されていない面からレーザ光３６を素子マザー基板１０１
の内部に照射する。集光レンズ８によりレーザ光３６を切断補助膜７８の近傍に集光して
照射する。レーザ光は素子マザー基板１０１を透過して、切断補助膜７８を照射する。照
射された切断補助膜７８の近傍はレーザ光を吸収し易くなり、改質部１１０を形成する。
改質部１１０の中央部で最もレーザ光が集光した領域には複数のクラックからなるクラッ
ク部が形成される。クラック部の周囲には光吸収部が形成される。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ素子切断面１０
４とＶ素子切断面１０６との切断面に対して１層目の改質部１０９を形成する。

図１４（ａ）はステップＳ２４に対応する図である。図１４（ａ）に示すように、素子
マザー基板１０１と集光レンズ８とを相対的に移動し、改質部１１０の光吸収部にレーザ
光を集光して、改質部１１０を連続して形成する。改質部１１０は素子マザー基板１０１
の厚み方向に連続して形成するとともに、素子マザー基板１０１の平面方向にも連続して
改質部１１０を形成する。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ素子切断面１０
４とＶ素子切断面１０６との切断面に対して２層目以降の改質部１０９を形成する。

図１４（ｂ）はステップＳ２５に対応する図である。図１４（ｂ）に示すように、マザ
ー基板１００を弾性のある台４０の上に配置する。対向マザー基板１０２の内部に配列し
て形成された改質部１０９と対向する素子マザー基板１０１上の位置に加圧部材４１を配
置し、加圧部材４１をマザー基板１００に押圧する。対向マザー基板１０２は加圧部材４
１に押圧された場所が台４０に沈み込み、対向マザー基板１０２の台４０と接した面に張
力が作用する。改質部１０９の内部に形成されたクラック部に張力がかかり、クラックか
ら破断が進行し分断される。その結果、対向マザー基板１０２は改質部１０９で分断され
る。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ対向切断面１０
７とＶ対向切断面１０８との切断面に対して改質部１０９を分断する。

図１４（ｃ）はステップＳ２６に対応する図である。図１４（ｃ）に示すように、マザ
ー基板１００を弾性のある台４０の上に配置する。このとき、マザー基板１００を反転し
て、素子マザー基板１０１が台４０と接するように配置する。素子マザー基板１０１の内
部に配列して形成された改質部１１０と対向する対向マザー基板１０２上の位置に加圧部
材４１を配置し、加圧部材４１をマザー基板１００に押圧する。素子マザー基板１０１は
加圧部材４１に押圧された場所が台４０に沈み込み、素子マザー基板１０１の台４０と接
した面に張力が作用する。改質部１１０の内部に形成されたクラック部に張力がかかり、
クラックから破断が進行し分断される。その結果、素子マザー基板１０１は改質部１１０
で分断される。
このステップでは、マザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ素子切断面１０
４とＶ素子切断面１０６との切断面に対して改質部１１０を分断する。

以上のステップでマザー基板１００における、全ての図１１に示すＨ対向切断面１０７
、Ｖ対向切断面１０８、Ｈ素子切断面１０４、Ｖ素子切断面１０６の切断面に対して、改
質部１０９，１１０が分断される。そして、個々の液晶表示装置６１が分離される。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０
２のＨ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮光膜７３を形成する。
次に、対向基板の第１改質部形成工程において、遮光膜７３の近傍にレーザ光を集光して
改質部１０９を形成する。Ｈ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮
光膜７３がない場合に比べて、遮光膜７３があるときは、低いレーザ光強度で改質部１０
９を形成することができる。

（２）本実施形態によれば、対向電極７４を形成する工程において、素子マザー基板１
０１のＨ素子切断面１０４とＶ素子切断面１０６に対応する領域に切断補助膜７８を形成
する。次に、ＴＦＴアレイ基板の第１改質部形成工程において、切断補助膜７８の近傍に
レーザ光を集光して改質部１１０を形成する。Ｈ素子切断面１０４とＶ素子切断面１０６
に対応する領域に切断補助膜７８がない場合に比べて、切断補助膜７８があるときは、低
いレーザ光強度で改質部１１０を形成することができる。

（３）本実施形態によれば、対向基板の第２改質部形成工程において、改質部１０９の
光吸収部にレーザ光を集光させて、新たに改質部１０９を形成している。改質部１０９で
ない場所に集光して改質部１０９を形成する場合に比べて低いレーザ光強度で改質部１０
９を形成することができる。

（４）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板の第２改質部形成工程において、改質部
１１０の光吸収部にレーザ光を集光させて、新たに改質部１１０を形成している。改質部
１１０でない場所に集光して改質部１１０を形成する場合に比べて低いレーザ光強度で改
質部１１０を形成することができる。

（５）本実施形態によれば、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０
２のＨ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域にも遮光膜７３を形成して
いる。Ｈ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に膜を形成する工程を遮
光膜７３を形成する工程とは別に行なう場合に比べて、工程数を減らすことができる為、
生産性よく製造することができる。

（６）本実施形態によれば、対向電極７４を形成する工程において、素子マザー基板１
０１のＨ素子切断面１０４とＶ素子切断面１０６に対応する領域に切断補助膜７８を形成
している。Ｈ素子切断面１０４とＶ素子切断面１０６に対応する領域に切断補助膜７８を
形成する工程を対向電極７４を形成する工程とは別に行なう場合に比べて、工程数を減ら
すことができる為、生産性よく製造することができる。

（第４の実施形態）
次に、上記の第３の実施形態の液晶表示装置６１を備えた電子機器について説明する。
図１５は、パーソナルコンピュータに液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図であ
る。図１５に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ１１４の本体は情報
を表示する表示装置１１５を備えている。この表示装置１１５に、第３の実施形態により
製造された液晶表示装置６１が配設されている。パーソナルコンピュータ１１４に配置さ
れている表示装置１１５は、上記の実施形態により製造された、低いレーザ光強度でスク
ライブして分割された液晶表示装置６１を搭載しているので、表示部に低いレーザ光強度
でスクライブして分割された液晶表示装置６１を備えた電子機器となる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加える
ことも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
第1の実施形態では、レーザ内部スクライブする加工対象物として、基板３４に石英ガ
ラスを用いた場合で説明したが、レーザ光の透過性を有する材料に適用することができる
。例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪
酸ガラス、ＯＡ−１０（登録商標）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の
耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。

（変形例２）
第1の実施形態では、基板３４に形成する膜３５の材質は、レーザ光を照射したとき、
基板３４よりもレーザ光を吸収して変質し易い材質ならば良い。実施形態１ではアルミニ
ウムを用いた場合で説明したが、他の材料に適用することができる。例えば、アルミニウ
ムの他に、銅、銀、鉄等の金属や合金、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの有機材料、
シリコンなどの無機材料等を挙げることができる。

（変形例３）
第１の実施形態では、低いレーザ強度のレーザ光でも改質部３７が形成できることから
、２枚以上基板が接着剤で接着された基板に対して、接着剤を通過したレーザ光を用いて
改質部３７を形成しても良い。２枚以上基板が接着剤で接着された基板において、基板に
実装された素子により、レーザ光が照射可能な面が限定されている場合にも、レーザ光を
用いてスクライブすることができる。

（変形例４）
第２の実施形態では、膜形成部材４４に鉄を含む金属を用いたが、膜形成部材４４の材
質は、レーザ光を照射したとき、基板４６よりもレーザ光を吸収して変質し易い材質であ
れば用いることができる。実施形態２では鉄を含む金属を用いた場合で説明したが、他の
材料に適用することができる。例えば、鉄を含む金属の他に、銅、銀、アルミニウム等の
金属や合金、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの有機材料、シリコンなどの無機材料等
を挙げることができる。

（変形例５）
第２の実施形態では、膜形成部材４４にレーザ光を照射して膜４７を形成したが、膜４
７の材料を塗布しつつ、基板４６にレーザ光を集光して改質部４８を形成しても良い。例
えば、基板４６に対して集光レンズ８と逆側にノズルを配置し、膜４７の材料としてのレ
ジストを吐出して塗布しつつ、基板４６にレーザ光を集光して改質部４８を形成しても良
い。後工程で膜４７を除去したいとき、除去し易い膜４７をつけることができる。

（変形例６）
第３の実施形態では、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０２のＨ
対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮光膜７３を形成している。当
該遮光膜７３の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成している。遮光膜７３の代
わりにカラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂを用いても良い。カラーフィルタ７２Ｒ，
７２Ｇ，７２Ｂを形成する工程において、対向マザー基板１０２のＨ対向切断面１０７と
Ｖ対向切断面１０８に対応する領域にカラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂを形成する
。当該カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂの近傍にレーザ光を集光して改質部１０９
を形成しても良い。第３の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例７）
第３の実施形態では、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０２のＨ
対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮光膜７３を形成している。当
該遮光膜７３の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成している。遮光膜７３の代
わりに対向電極７４を用いても良い。対向電極７４を形成する工程において、対向マザー
基板１０２のＨ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に対向電極７４を
形成する。当該対向電極７４の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成しても良い
。第３の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例８）
第３の実施形態では、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０２のＨ
対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮光膜７３を形成している。当
該遮光膜７３の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成している。遮光膜７３の代
わりに配向膜７５を用いても良い。配向膜７５を形成する工程において、対向マザー基板
１０２のＨ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に配向膜７５を形成す
る。当該配向膜７５の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成しても良い。第３の
実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例９）
第３の実施形態では、遮光膜７３を形成する工程において、対向マザー基板１０２のＨ
対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対応する領域に遮光膜７３を形成している。当
該遮光膜７３の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成している。遮光膜７３の代
わりにカラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂの保護膜を用いても良い。保護膜を形成す
る工程において、対向マザー基板１０２のＨ対向切断面１０７とＶ対向切断面１０８に対
応する領域に保護膜を形成する。保護膜の近傍にレーザ光を集光して改質部１０９を形成
しても良い。第３の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例１０）前記第４の実施形態で、電気光学装置としての液晶表示装置６１をパー
ソナルコンピュータ１１４の表示部に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブッ
ク、携帯電話、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓
、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の
電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、表示部に
低いレーザ光強度でスクライブして分割された液晶表示装置６１を備えた電子機器を提供
することができる。

第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を示す概略図。 レーザスクライブ方法のフローチャート。 レーザスクライブ方法を説明する図。 レーザスクライブ方法を説明する図。 第２の実施形態に係るレーザスクライブ方法のフローチャート。 レーザスクライブ方法を説明する図。 第３の実施形態に係る液晶表示装置の模式平面図。 液晶表示装置の模式断面図。 液晶表示装置の要部模式断面図。 液晶表示装置の要部模式平面図。 液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図。 基板の分断方法のフローチャート。 基板の分断方法を説明する図。 基板の分断方法を説明する図。 第４の実施形態に係るパーソナルコンピュータを示す概略斜視図。

符号の説明

３４，４６…基板、３４ａ…切断予定面、３５，４７…膜、３６…レーザ光、３７…改
質部、３９，５０…光吸収部、４８，１０９，１１０…改質部、７３…遮光膜、７４…電
極膜としての対向電極、７８…電極膜としての切断補助膜、１０１…基板としての素子マ
ザー基板、１０２…基板としての対向マザー基板、１０４…切断予定線としてのＨ素子切
断面、１０６…切断予定線としてのＶ素子切断面、１０７…切断予定線としてのＨ対向切
断面、１０８…切断予定線としてのＶ対向切断面、１１４…電子機器としてのパーソナル
コンピュータ。

Claims (12)

1. 基板の一面に膜を形成する膜形成工程と、
   前記基板に対して透過性を有するレーザ光を、前記基板の膜が形成された面と反対側の
   面から、前記膜の近傍に集光するように照射して、前記基板の切断予定面に沿って、前記
   基板に改質部を形成する第１改質部形成工程と、
   を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
2. 請求項１に記載のレーザスクライブ方法であって、
   前記膜形成工程と前記第１改質部形成工程とが同時に実施されることを特徴とするレー
   ザスクライブ方法。
3. 請求項２に記載のレーザスクライブ方法であって、
   前記膜形成工程では、前記基板と対向する位置に膜形成部材を形成し、
   前記基板を透過して膜形成部材にレーザ光を照射して、膜形成部材を蒸発又は飛散させ
   て前記基板に前記膜を形成することを特徴とするレーザスクライブ方法。
4. 基板に対して透過性を有するレーザ光を、前記基板の内部に集光して照射して、クラッ
   ク部と光吸収部とを有する改質部を、前記基板の切断予定面に沿って形成する第１改質部
   形成工程と、
   前記第１改質部形成工程で形成された光吸収部にレーザ光を照射して、前記改質部の近
   傍に新たに前記改質部を、前記基板の切断予定面に沿って形成し、基板の厚み方向に前記
   改質部を繰り返し形成し、改質部を複数形成する第２改質部形成工程と、
   を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
5. 請求項１に記載のレーザスクライブ方法であって、
   前記第１改質部形成工程で形成された光吸収部にレーザ光を照射して、前記改質部の近
   傍に新たに前記改質部を、前記基板の切断予定面に沿って形成し、基板の厚み方向に前記
   改質部を繰り返し形成し、改質部を複数形成する第２改質部形成工程と、
   を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法であって、
   前記基板は複数の基板が接着され積層されて形成されていることを特徴とするレーザス
   クライブ方法。
7. 膜が形成された基板を切断予定面に沿って切断する表示装置の製造方法であって、
   前記基板を切断予定面に対応する領域に前記膜を形成する膜形成工程と、
   前記基板に対して透過性を有するレーザ光を、前記基板の前記膜が形成された面と反対
   側の面から、前記膜の近傍に集光するように照射して、前記基板に改質部を切断予定面に
   沿って形成する第１改質部形成工程と、
   前記第１改質部形成工程で形成された改質部の一部である光吸収部にレーザ光を照射し
   て、前記改質部の近傍に新たに前記改質部を切断予定面に沿って形成し、基板の厚み方向
   に前記改質部を繰り返し形成する第２改質部形成工程と、
   前記基板に外力を加えて、前記基板を前記改質部で分割する分割工程と、
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記膜は、遮光膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
9. 請求項７に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記膜は、電極膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法を用いてスクライブし、分
    断して製造されたことを特徴とする基板。
11. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法又は、
    請求項７〜９のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法を、用いて製造されたことを
    特徴とする表示装置。
12. 請求項１１に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
    
    

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