JP2015533946A - 電解液及びバリア層上に銅を電気めっきする方法 - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 132
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 131
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 131
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 24
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 20
- UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N thiodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CSCC(O)=O UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical group OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylaniline Chemical compound CC1=CC(C)=CC(N)=C1 MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKOAFLAGUQUJQG-UHFFFAOYSA-N 2-pyrimidin-2-ylpyrimidine Chemical compound N1=CC=CN=C1C1=NC=CC=N1 HKOAFLAGUQUJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLJOSEUOQHDGTQ-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxyquinoline-2-sulfonic acid Chemical compound C1=C(S(O)(=O)=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 QLJOSEUOQHDGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- BQNXHDSGGRTFNX-UHFFFAOYSA-N n-methylpyrimidin-2-amine Chemical compound CNC1=NC=CC=N1 BQNXHDSGGRTFNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
Description
・シリコン表面上へのラインのエッチング;
・(通常はシリコン酸化物又はシリコン窒化物からなる)誘電体絶縁層の堆積;
・銅のマイグレーションを防止するために用いられるバリア層の堆積;
・シード層と呼ばれる金属銅の薄層の堆積;
・酸性媒体中で銅を電気めっきすることによるトレンチの充填;及び、
・研磨による余分な銅の除去。
・0.4〜40mMの濃度の硫酸銅;
・イミダゾールとチオジグリコール酸の混合物;
・2,2’−ビピリジン;
・この組成物のpHは7.5〜8.5。
上記方法は、
・本発明の第1又は第2の態様の電解液と上記バリア層を接触させる工程と、
・上記バリア層又は上記銅シード層上に銅を電気めっきすることが可能な電位で上記バリア層の表面を分極させて、上記バリア層上に銅堆積物を形成する工程
を含む方法を提案する。
・上記被覆される表面を電気的に分極させずに電気めっき浴と接触させ、好ましくはこの状態に5秒以上、好ましくは10〜60秒間、より好ましくは約10〜30秒間保つ「非通電投入」工程;
・皮膜が形成されるのに充分な時間上記表面を分極させる皮膜形成工程;
・上記表面を電気的に分極させたまま電気めっき浴から引き離す「通電取出(hot exit)」工程。
2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びチオジグリコール酸を主体とした本発明の組成物を用いて、幅55nm、深さ202nmのトレンチにおいてルテニウムバリア層上に直接銅シード層を作製した。
基板:
本実施例で使用した基板は、幅55nm、深さ202nmのトレンチを有する構造化されたシリコン酸化物層で被覆された長さ4cm、幅4cmのシリコン片からなり、該シリコン酸化物層自体は、反応性スパッタリングにより堆積させた厚み3nmのルテニウム(Ru)層で被覆されている。ルテニウム層の抵抗率は250Ω/□であった。
本実施例で使用した電気めっき溶液は、CuSO4・(H2O)5、2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びチオジグリコール酸を含有する水溶液であった。
本実施例においては、システムの流体力学を制御するための流体再循環システムを備えた、電気めっき溶液を収容するための槽、及び、使用した試料片の寸法(4cm×4cm)に適した試料ホルダーを備えた回転電極という2つの部分から構成される電解析出装置を使用した。電解析出槽は以下の2つの電極を備えていた。
・銅アノード、
・ルテニウム層で被覆された構造化されたシリコン片(カソードとなる)。
本実施例で用いた電気めっき方法は、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
電流を5mA(すなわち0.63mA/cm2)〜15mA(すなわち1.88mA/cm2)の範囲内、例えば7.5mA(すなわち0.94mA/cm2)として定電流モードでカソードを分極させた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、18.2MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2bar程度の圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用することによって、厚みが5nmの連続したコンフォーマルな銅層が得られた(このことは走査電子顕微鏡により確認した)。このように得られた銅シード層を当業者に周知の「4端子」測定法用装置を用いて測定したところ、シート抵抗は72Ω/□であった。
2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びチオジグリコール酸を主体とした本発明の組成物を用いて、幅55nm、深さ202nmのトレンチをルテニウムバリア層上において直接銅で充填した。
基板:
本実施例で使用した基板は実施例1と同じであった。
本実施例で使用した電気めっき溶液は実施例1と同じであった。
本実施例で使用した機器は実施例1と同じであった。
本実施例で用いた電気めっき方法は、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
電流を5mA(すなわち0.63mA/cm2)〜15mA(すなわち1.88mA/cm2)の範囲内、例えば7.5mA(すなわち0.94mA/cm2)として定電流モードでカソードを分極させた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、18.2MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2bar程度の圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用することによって、幅55nm、深さ202nmのトレンチが完全に充填された。このように充填されたトレンチには孔(ボイド)がなく、トレンチの最適なボトムアップ充填がなされたことが示された。
2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びチオジグリコール酸を主体とした本発明の組成物を用いて、幅140nm、深さ380nmのトレンチを20nmのPVD銅層で被覆されたTiN/Tiバリア層上において銅で充填した。
基板:
本実施例で使用した基板は、幅140nm、深さ380nmのトレンチを有する構造化されたシリコン酸化物層で被覆された長さ4cm、幅4cmのシリコン片からなり、該シリコン酸化物層自体は、反応性スパッタリングにより堆積させた厚み15nmのTiN/Ti二重層及び20nmの銅層で被覆されている。銅層の抵抗率は2.5Ω/□であった。
本実施例で使用した電気めっき溶液は実施例1と同じであった。
本実施例で使用した機器は実施例1と同じであった。
本実施例で用いた電気めっき方法は、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
電流を5mA(すなわち0.63mA/cm2)〜15mA(すなわち1.88mA/cm2)の範囲内、例えば10mA(すなわち1.25mA/cm2)として定電流モードでカソードを分極させた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、18.2MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2bar程度の圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用することによって、幅140nm、深さ380nmのトレンチが完全に充填された。このように充填されたトレンチには穴(ボイド)がなく、トレンチの最適なボトムアップ充填がなされたことが示された。トレンチの最適な充填が達成されたことは、図1の顕微鏡写真に示されるように、トレンチの頂部で銅が突出形成されていることにより実証された。
2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(SPS)を主体とした組成物を用いて、幅140nm、深さ380nmのトレンチをPVD銅層で被覆されたTiN/Tiバリア層上において銅で充填した。
基板:
本比較例で使用した基板は実施例3と同じであった。
本比較例で使用した電気めっき溶液は、CuSO4・(H2O)5、2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(SPS)を含有する水溶液であった。
本比較例で使用した機器は実施例1と同じであった。
本比較例で用いた電気めっき方法は、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
電流を5mA(すなわち0.44mA/cm2)〜15mA(すなわち1.3mA/cm2)の範囲内、例えば10mA(すなわち1.25mA/cm2)として定電流モードでカソードを分極させた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、10MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2bar程度の圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用すると、トレンチ内で銅の不均一な成長が観察された。得られた銅の形態は非常に悪いこと(不均一な形状の非常に小さな粒子)が分かり、これはSPSが本発明に係る溶液の配合及びpHと適合しないことを示している。図2は本比較例の電気めっき溶液を用いた場合の粗悪な充填を示す。
2,2’−ビピリジン、イミダゾール及びチオジグリコール酸を主体とした本発明の組成物を用いて、幅55nm、深さ165nmのトレンチを10nmPVD銅層で被覆されたTiN/Tiバリア層上において銅で充填した。
基板:
本実施例で使用した基板は、幅55nm、深さ165nmのトレンチを有する構造化されたシリコン酸化物層で被覆された長さ4cm、幅4cmのシリコン片からなり、該シリコン酸化物層自体は、反応性スパッタリングにより堆積させた厚み10nmのTiN/Ti二重層及び10nmの銅層で被覆されている。銅層の抵抗率は8Ω/□であった。
本実施例で使用した電気めっき溶液は実施例1と同じであった。
本実施例で使用した機器は実施例1と同じであった。
本実施例で用いた電気めっきプロトコルは、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
カソードパルスの周波数が非常に高くなる、すなわち0.1〜50kHz、例えば10kHzとなるように定電流パルスモードでカソードを分極させた。使用した電流範囲は、5mA(1.88mA/cm2)〜60mA(7.52mA/cm2)、例えば35mA(4.38mA/cm2)であった。周波数が0.1〜50kHz、例えば5kHzの休止時間(電流を流さない)によって各カソードパルスを隔てた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、18.2MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2bar程度の圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用することによって、幅55nm、深さ165nmのトレンチが完全に充填された。このように充填されたトレンチには孔(ボイド)がなく、トレンチの最適なボトムアップ充填がなされたことが示された。
2,2’−ビピリジン、ピリジン及びチオジグリコール酸の組成物を用いて、幅55nm、深さ202nmのトレンチをルテニウムバリア層上において銅で充填した。
基板:
本比較例で使用した基板は実施例1と同じであった。
本比較例で使用した電気めっき溶液は、イミダゾールの代わりにピリジンを同濃度、すなわち13.5mMで使用した以外は実施例1と同じであった。溶液のpHは5.8〜6.0であった。
本比較例で使用した機器は実施例1と同じであった。
本比較例で用いた電気めっき方法は、以下の連続した各工程を含む。
電気めっき溶液を槽内に注ぎ込んだ。
電流を5mA(すなわち0.63mA/cm2)〜15mA(すなわち1.88mA/cm2)の範囲内、例えば14.4mA(すなわち1.80mA/cm2)として定電流モードでカソードを分極させた。
カソードを分極させたまま電気めっき浴から引き抜いた。次に、カソードの接続を断ち、18.2MΩの脱イオン水で充分に洗滌した後、2barの圧力の窒素ガンを用いて乾燥させた。
上述の実験プロトコルを適用することによって、幅55nm、深さ202nmのトレンチが充填されたが、トレンチの側壁には小さな孔(「側壁ボイド」)があった。また、このように電気めっきした銅の表面をより詳しく調べたところ、実施例2で述べたイミダゾール含有電気めっき溶液を用いた場合と比べて粗さが大きく、このことはイミダゾールに対してピリジンの存在下では銅の核形成が悪いことを示している。この結果は、核生成密度が重大なパラメータであると分かっているより微細なトレンチにおいていっそう望ましくないといえる。したがって、イミダゾール含有電気めっき溶液が好ましい。
Claims (19)
- 銅拡散バリア層上に銅を電気めっきするための電解液であって、銅イオン源と、溶媒と、抑制剤及び促進剤の組み合わせとを含有し、前記抑制剤はビピリジン及びイミダゾールの組み合わせを含み、前記促進剤はチオジグリコール酸である
ことを特徴とする電解液。 - pHが6.7超、好ましくは7.5〜8.5、より好ましくは約8である
ことを特徴とする請求項1に記載の電解液。 - 前記銅イオンは、硫酸銅、塩化銅、硝酸銅及び酢酸銅から選択される化合物に由来する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電解液。 - 塩素イオンの含有量が50ppm未満であり、好ましくは塩素イオンを含有しない
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電解液。 - 前記ビピリジンは2,2’−ビピリジンの形態である
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電解液。 - さらにレベリング剤及び/又は光沢剤、例えばポリピリジンなどを含有する
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電解液。 - 銅イオンの濃度が0.4〜40mMであり、ビピリジンの濃度が0.4〜40mMであり、イミダゾールの濃度が1.2〜120mMであり、チオジグリコール酸の濃度が1〜500mg/Lである
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電解液。 - 前記溶媒は主に水を含む
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の電解液。 - 銅拡散バリア層上に銅を電気めっきする方法であって、
前記銅拡散バリア層は銅シード層で被覆されていてもよく、
前記バリア層は半導体基板の1つの表面を被覆しており、
前記基板の表面は、平坦部と、幅が200nm未満の1本以上のトレンチのセットとを有しており、
前記方法は、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の電解液と前記バリア層を接触させる工程と、
前記バリア層又は前記銅シード層上に銅を電気めっきすることが可能な電位で前記バリア層の表面を分極させて、前記バリア層上に銅堆積物を形成する工程
を含むことを特徴とする方法。 - 前記分極工程を行って、前記バリア層上に銅シード層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記分極工程を行って、前記トレンチの容積を銅で完全に充填する
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記バリア層は、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、タングステン(W)、チタンタングステン(TiW)及び炭窒化タングステン(WCN)から選択される少なくとも1つの材料を含む
ことを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。 - 前記空洞を充填する間、前記基板を回転速度20〜600rpm、好ましくは回転速度30〜240rpmで回転させる
ことを特徴とする請求項9〜12のいずれか1項に記載の方法。 - 前記トレンチはアスペクト比が2/1超、好ましくは3/1超である
ことを特徴とする請求項9〜13のいずれか1項に記載の方法。 - 前記表面の分極は、0.2mA/cm2〜50mA/cm2、好ましくは0.5mA/cm2〜5mA/cm2の範囲内の単位面積当たりの電流を印加することによって直流モードで行い、分極時間は5秒以上、好ましくは10秒〜10分である
ことを特徴とする請求項9〜14のいずれか1項に記載の方法。 - 前記表面の分極は、分極期間の周波数が0.1kHz〜50kHz、例えば5kHz〜15kHzとなるように定電流−パルスモードで行う
ことを特徴とする請求項9〜14のいずれか1項に記載の方法。 - 周波数が0.1kHz〜50kHz、例えば1kHz〜10kHzのゼロ電流の休止時間によって各分極期間を隔てる
ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記分極期間の周波数は約10kHzであり、前記休止時間の周波数は約5kHzである
ことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記表面の分極は、最大強度が0.01〜10mA/cm2の電流を用いて行う
ことを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1258925 | 2012-09-24 | ||
FR1258925A FR2995912B1 (fr) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | Electrolyte et procede d'electrodeposition de cuivre sur une couche barriere |
PCT/FR2013/051987 WO2014044942A1 (fr) | 2012-09-24 | 2013-08-28 | Electrolyte et procédé d'électrodéposition de cuivre sur une couche barrière |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015533946A true JP2015533946A (ja) | 2015-11-26 |
JP6218837B2 JP6218837B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=47137948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015532481A Active JP6218837B2 (ja) | 2012-09-24 | 2013-08-28 | 電解液及びバリア層上に銅を電気めっきする方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10472726B2 (ja) |
EP (1) | EP2898121B8 (ja) |
JP (1) | JP6218837B2 (ja) |
KR (1) | KR102206291B1 (ja) |
CN (1) | CN104685107B (ja) |
CA (1) | CA2885231A1 (ja) |
FR (1) | FR2995912B1 (ja) |
IL (1) | IL237731B (ja) |
SG (1) | SG11201502044VA (ja) |
TW (1) | TWI592522B (ja) |
WO (1) | WO2014044942A1 (ja) |
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-
2012
- 2012-09-24 FR FR1258925A patent/FR2995912B1/fr active Active
-
2013
- 2013-08-28 SG SG11201502044VA patent/SG11201502044VA/en unknown
- 2013-08-28 CN CN201380049746.5A patent/CN104685107B/zh active Active
- 2013-08-28 EP EP13767028.7A patent/EP2898121B8/fr active Active
- 2013-08-28 US US14/429,584 patent/US10472726B2/en active Active
- 2013-08-28 WO PCT/FR2013/051987 patent/WO2014044942A1/fr active Application Filing
- 2013-08-28 CA CA2885231A patent/CA2885231A1/fr not_active Abandoned
- 2013-08-28 KR KR1020157010506A patent/KR102206291B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-28 JP JP2015532481A patent/JP6218837B2/ja active Active
- 2013-09-05 TW TW102132058A patent/TWI592522B/zh active
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10472726B2 (en) | 2019-11-12 |
US20150218724A1 (en) | 2015-08-06 |
CA2885231A1 (fr) | 2014-03-27 |
SG11201502044VA (en) | 2015-05-28 |
EP2898121A1 (fr) | 2015-07-29 |
EP2898121B1 (fr) | 2016-08-03 |
KR20150056655A (ko) | 2015-05-26 |
IL237731B (en) | 2018-04-30 |
KR102206291B1 (ko) | 2021-01-22 |
WO2014044942A1 (fr) | 2014-03-27 |
CN104685107B (zh) | 2017-05-03 |
FR2995912A1 (fr) | 2014-03-28 |
CN104685107A (zh) | 2015-06-03 |
TW201418528A (zh) | 2014-05-16 |
JP6218837B2 (ja) | 2017-10-25 |
FR2995912B1 (fr) | 2014-10-10 |
EP2898121B8 (fr) | 2016-09-14 |
TWI592522B (zh) | 2017-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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