JPH01219187A - 電気銅めっき液 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気銅めっき液に関する。
従来の技術及びその課題
鉄や亜鉛等の卑金属材料への銅めっき処理においては、
硫酸銅めっき液等の酸性めっき浴を用いると、直接密着
性のよいめっき皮膜を形成することができず、シアン化
銅めっき液を用いて下地めっきを施した後、硫酸銅めっ
きを行なうことが一般的である。しかしながら、シアン
化銅めっき液は、激しい毒性を持つために、作業環境、
廃水処理などの点で問題が多く、これに代わるものが望
まれている。
硫酸銅めっき液等の酸性めっき浴を用いると、直接密着
性のよいめっき皮膜を形成することができず、シアン化
銅めっき液を用いて下地めっきを施した後、硫酸銅めっ
きを行なうことが一般的である。しかしながら、シアン
化銅めっき液は、激しい毒性を持つために、作業環境、
廃水処理などの点で問題が多く、これに代わるものが望
まれている。
また、被めっき物が、鉛ガラス、亜鉛、タングステン焼
結体、セラミックス等の強酸や強塩基に侵され易い材料
を構成成分として有するもの、例えはチップコンデンサ
ー、チップ抵抗、セラミック基板、サーデイツプIC等
である場合にも、これらの材料を侵すことのない銅めっ
き液が要望されている。
結体、セラミックス等の強酸や強塩基に侵され易い材料
を構成成分として有するもの、例えはチップコンデンサ
ー、チップ抵抗、セラミック基板、サーデイツプIC等
である場合にも、これらの材料を侵すことのない銅めっ
き液が要望されている。
一方、近年、プリント配線基板の高密度化、多層化等に
ともない、板厚が厚(、スルーホールの穴径の小さい基
板、即ち高アスペクト比(板厚/穴径)のプリント基板
が増加しつつあり、スルーホールめっき用の電気銅めっ
き液として、均一電着性に優れ、しかも析出皮膜の物性
が良好なめつき液が要望されている。
ともない、板厚が厚(、スルーホールの穴径の小さい基
板、即ち高アスペクト比(板厚/穴径)のプリント基板
が増加しつつあり、スルーホールめっき用の電気銅めっ
き液として、均一電着性に優れ、しかも析出皮膜の物性
が良好なめつき液が要望されている。
従来、スルーホールめっき用の電気銅めっき液としては
、ピロリン酸銅及びピロリン酸カリを主成分とするビロ
リン酸銅めっき液が主として用いられている。しかしな
がら、ピロリン酸銅めっき液では、多量に含まれるピロ
リン酸の加水分解によりオルソリン酸が形成され、これ
が電流効率やめっき皮膜の物性に悪影響を及ぼすために
、定期的な液の廃棄が避けられず、コスト高になること
に加えて、廃水処理が煩雑になるという欠点がある。し
かも、析出皮膜は、伸び等の物性が不充分であり、また
均一電着性についても改善の余地がある。
、ピロリン酸銅及びピロリン酸カリを主成分とするビロ
リン酸銅めっき液が主として用いられている。しかしな
がら、ピロリン酸銅めっき液では、多量に含まれるピロ
リン酸の加水分解によりオルソリン酸が形成され、これ
が電流効率やめっき皮膜の物性に悪影響を及ぼすために
、定期的な液の廃棄が避けられず、コスト高になること
に加えて、廃水処理が煩雑になるという欠点がある。し
かも、析出皮膜は、伸び等の物性が不充分であり、また
均一電着性についても改善の余地がある。
また、硫酸銅、硫酸等を主成分とする酸性銅めっき液も
プリント基板のスルーホールめっき用として用いられて
いるが、析出皮膜の引張り強度が低く、更に微量添加剤
の管理などにも問題がある。
プリント基板のスルーホールめっき用として用いられて
いるが、析出皮膜の引張り強度が低く、更に微量添加剤
の管理などにも問題がある。
また、この型のめっき液では、均一電着性を向上させる
ために、高硫酸濃度(a硫酸300g/(り、低硫酸銅
濃度(Cuとして10 g/l以下)としためっき液が
用いられているが、作業性が悪く、基板、レジスト皮膜
などの耐酸性にも問題があり、用途が限定されている。
ために、高硫酸濃度(a硫酸300g/(り、低硫酸銅
濃度(Cuとして10 g/l以下)としためっき液が
用いられているが、作業性が悪く、基板、レジスト皮膜
などの耐酸性にも問題があり、用途が限定されている。
課題を解決するための手段
本発明者は、上記した如き従来技術の問題点を解消し得
る電気銅めっき液を得るべく鋭意研究を重ねてきた。そ
の結果、特定の有機キレート化剤を用いた銅錯塩水溶液
に、ピロリン酸及びその塩類、2,2′−ジピリジル、
1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム及び
フェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種の化合物を
少曾添加しためっき液は、広いpH範囲で良好なめっき
皮膜を形成することができ、しかも均一電着性や析出皮
膜の物性等が非常に良好であり、更に、このめっき液に
特定の含窒素化合物を添加しためっき液は、析出皮膜の
物性がより一層向上することを見出した。そして、これ
らのめっき液は、スルーホールめっき用の電気めっき液
として優れたものであると同時に、広いpH範囲で使用
可能であることから、適宜pHを調製することによって
鉄等の卑金属素材を含む各種の材料に直接密着性良くめ
っき皮膜を形成でき、また強酸、強塩基等に侵され易い
材料をも侵すことなくめっき可能であることを見出した
。また、これらのめっき液に、更に、アルカリ金属のハ
ロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ土類金属のハロゲン化
物及び硫酸塩並びにアンモニウムのハロゲン化物及び硫
酸塩の少なくとも1種の化合物を添加することによって
、均一電着性がより一層向上し、スルーホールめっき用
の電気銅めっき液として極めて優れたものとなることを
見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成され
たものである。
る電気銅めっき液を得るべく鋭意研究を重ねてきた。そ
の結果、特定の有機キレート化剤を用いた銅錯塩水溶液
に、ピロリン酸及びその塩類、2,2′−ジピリジル、
1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム及び
フェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種の化合物を
少曾添加しためっき液は、広いpH範囲で良好なめっき
皮膜を形成することができ、しかも均一電着性や析出皮
膜の物性等が非常に良好であり、更に、このめっき液に
特定の含窒素化合物を添加しためっき液は、析出皮膜の
物性がより一層向上することを見出した。そして、これ
らのめっき液は、スルーホールめっき用の電気めっき液
として優れたものであると同時に、広いpH範囲で使用
可能であることから、適宜pHを調製することによって
鉄等の卑金属素材を含む各種の材料に直接密着性良くめ
っき皮膜を形成でき、また強酸、強塩基等に侵され易い
材料をも侵すことなくめっき可能であることを見出した
。また、これらのめっき液に、更に、アルカリ金属のハ
ロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ土類金属のハロゲン化
物及び硫酸塩並びにアンモニウムのハロゲン化物及び硫
酸塩の少なくとも1種の化合物を添加することによって
、均一電着性がより一層向上し、スルーホールめっき用
の電気銅めっき液として極めて優れたものとなることを
見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成され
たものである。
即ち、本発明は、以下に示す電気銅めっき液を提供する
ものである。
ものである。
(1)a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般
式 (式中、Xlは水素原子又は基−COOM4、X2は基
−C00!v15又は基−CH2CH20H1nは0〜
2の整数を示し、Ml、M2、MS、M4及びMSは同
−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,であ
る)で表わされる化合物、及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOMs、基−
CH2CH2CO0M7又は 基−CH2CH20HSX4は基−CH2COOM8、
基−CH2・CH2C00M9又は基−CH2CH20
H,X5は基−CH2C00MiQ、基−CH2CH2
COOMI +又は基−CH2CH20Hを示し、MB
、M7 、M8、M9、Mlo及びMllは同−又は
異なって各々水素原子、KSNa又はNH4である)で
表わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化
剤0.01〜2モル/9.並びに C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリ
ジル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウ
ム及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.
006〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液(以下、「本
発明めっき液(I)」という)、 ■a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般式 (式中、Xlは水素原子又は基−COO′M4、X2は
基−COOM5又は基−CH2CH20H1nは0〜2
の整数を示し、Ml、M2 、MS、M4及びMSは同
−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,であ
る)で表わされる化合物、及び一般式、 / X 3 N−X。
式 (式中、Xlは水素原子又は基−COOM4、X2は基
−C00!v15又は基−CH2CH20H1nは0〜
2の整数を示し、Ml、M2、MS、M4及びMSは同
−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,であ
る)で表わされる化合物、及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOMs、基−
CH2CH2CO0M7又は 基−CH2CH20HSX4は基−CH2COOM8、
基−CH2・CH2C00M9又は基−CH2CH20
H,X5は基−CH2C00MiQ、基−CH2CH2
COOMI +又は基−CH2CH20Hを示し、MB
、M7 、M8、M9、Mlo及びMllは同−又は
異なって各々水素原子、KSNa又はNH4である)で
表わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化
剤0.01〜2モル/9.並びに C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリ
ジル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウ
ム及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.
006〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液(以下、「本
発明めっき液(I)」という)、 ■a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般式 (式中、Xlは水素原子又は基−COO′M4、X2は
基−COOM5又は基−CH2CH20H1nは0〜2
の整数を示し、Ml、M2 、MS、M4及びMSは同
−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,であ
る)で表わされる化合物、及び一般式、 / X 3 N−X。
\X。
(式中、X3は水素原子、基−CH2C00Me、基−
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20H,X、は基−CH2Co。
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20H,X、は基−CH2Co。
M8、基−CH2CH2COOM9又は基−C1H2C
H20H1X5は基−CH2COOMid、基−CH2
CH2COOMI +又は基−CH2CH20Hを示し
、MB 、M7 、MB、Mg 、Mlo及びMllは
同−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,で
ある)で表わされる化合物の少なくとも1種からなるキ
レート化剤0.01〜2モル/9゜ C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリジ
ル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム
及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0..
006〜1モル/l、並びにd)一般式 (式中、Zl、Z2、Z3及びZ4は同−又は異なって
各々水素原子又はメチル基、Qlは水素原子、KXNa
又はNH4、mは1〜15の整数を示す。)で表わされ
る化合物、及び一般式(式中、Aは水素原子、水酸基、
−8H。
H20H1X5は基−CH2COOMid、基−CH2
CH2COOMI +又は基−CH2CH20Hを示し
、MB 、M7 、MB、Mg 、Mlo及びMllは
同−又は異なって各々水素原子、K、Na又はNH,で
ある)で表わされる化合物の少なくとも1種からなるキ
レート化剤0.01〜2モル/9゜ C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリジ
ル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム
及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0..
006〜1モル/l、並びにd)一般式 (式中、Zl、Z2、Z3及びZ4は同−又は異なって
各々水素原子又はメチル基、Qlは水素原子、KXNa
又はNH4、mは1〜15の整数を示す。)で表わされ
る化合物、及び一般式(式中、Aは水素原子、水酸基、
−8H。
基NH2CO−1基−COOQ3、アミノ基、基NH2
C0NH−1Z5、Z6及びZ7は同−又は異なって各
々水素原子、メチル基又はエチル基、Qは0〜4の整数
、kは0又は1を示し、Q2及びQ3は同−又は異なっ
て各々水素原子、K、Na又はNH,である)で表わさ
れる化合物の少なくとも1種0.006〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液(以下「本発
明めっき液(■)」という)、 ■ アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ
土類金属のハロゲン化物及び硫酸塩並びにアンモニウム
のハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種0.01〜
3モル/lを含有する請求項第1項又は第2項のいずれ
かに記載の電気銅めっき液(以下[本発明めっき液(■
)」という)。
C0NH−1Z5、Z6及びZ7は同−又は異なって各
々水素原子、メチル基又はエチル基、Qは0〜4の整数
、kは0又は1を示し、Q2及びQ3は同−又は異なっ
て各々水素原子、K、Na又はNH,である)で表わさ
れる化合物の少なくとも1種0.006〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液(以下「本発
明めっき液(■)」という)、 ■ アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ
土類金属のハロゲン化物及び硫酸塩並びにアンモニウム
のハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種0.01〜
3モル/lを含有する請求項第1項又は第2項のいずれ
かに記載の電気銅めっき液(以下[本発明めっき液(■
)」という)。
本発明めっき液では、銅化合物としては、b)成分のキ
レート化剤によって銅錯体となり、水溶液中で安定した
存在するものであれば、特に限定はなく、例えば、硫酸
銅、塩化銅、酸化銅、炭酸銅、酢酸銅、ビロリン酸銅、
しゅう酸銅等を用いることができる。これらのうちで、
硫酸銅、酸化銅等が好ましく用いられる。銅化合物の水
溶液中での濃度は、0.01〜1モル/l程度、好まし
くは0.05〜0.5モル/l程度とする。0゜01モ
ル/lを下回る濃度では、めっき皮膜の析出速度が遅く
なるので実用的ではなく、一方、1モル/lを上回る濃
度では、析出速度がより向上することはなく、しかもめ
つき皮膜の安定性が阻害されることがあるので好ましく
ない。
レート化剤によって銅錯体となり、水溶液中で安定した
存在するものであれば、特に限定はなく、例えば、硫酸
銅、塩化銅、酸化銅、炭酸銅、酢酸銅、ビロリン酸銅、
しゅう酸銅等を用いることができる。これらのうちで、
硫酸銅、酸化銅等が好ましく用いられる。銅化合物の水
溶液中での濃度は、0.01〜1モル/l程度、好まし
くは0.05〜0.5モル/l程度とする。0゜01モ
ル/lを下回る濃度では、めっき皮膜の析出速度が遅く
なるので実用的ではなく、一方、1モル/lを上回る濃
度では、析出速度がより向上することはなく、しかもめ
つき皮膜の安定性が阻害されることがあるので好ましく
ない。
銅錯体を形成するために用いるキレート化剤としては、
一般式 (式中、Xl、X2、Ml、M2、M3及びnは上記に
同じ) で表わされる化合物及び一般式 (式中、X3、X4及びX5は上記に同じ)で表わされ
る化合物の少なくとも1種の化合物を用いる。これらの
キレート化剤の好ましい具体例としては、エチレンジア
ミン四酢酸(EDTA) 、エチレンジアミン四酢酸二
ナトリウム塩(EDTA・2Na) 、ヒドロキシエチ
ルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA) 、ジエチレ
ントリアミン五酢酸(DTPA) 、ニトリロ三酢酸(
NTA)、トリエチレンテトラアミン六酢酸(TTHA
)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(
IDP)等を示すことができる。この様なキレート化剤
を添加することによって、銅化合物は銅錯体としてめっ
き液中に安定に存在することができ、良好なめっき皮膜
を形成し得るものとなる。
一般式 (式中、Xl、X2、Ml、M2、M3及びnは上記に
同じ) で表わされる化合物及び一般式 (式中、X3、X4及びX5は上記に同じ)で表わされ
る化合物の少なくとも1種の化合物を用いる。これらの
キレート化剤の好ましい具体例としては、エチレンジア
ミン四酢酸(EDTA) 、エチレンジアミン四酢酸二
ナトリウム塩(EDTA・2Na) 、ヒドロキシエチ
ルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA) 、ジエチレ
ントリアミン五酢酸(DTPA) 、ニトリロ三酢酸(
NTA)、トリエチレンテトラアミン六酢酸(TTHA
)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(
IDP)等を示すことができる。この様なキレート化剤
を添加することによって、銅化合物は銅錯体としてめっ
き液中に安定に存在することができ、良好なめっき皮膜
を形成し得るものとなる。
特に好ましいキレート化剤は、エチレンジアミン四酢酸
及びその塩類である。キレート化剤の添加量は、0.0
1〜2モル/l程度、好ましくは0゜05〜1モル/l
程度とする。0.01モル/lを下回る濃度では、めっ
き液の安定性が不充分であり、一方2モル/lを上回る
濃度としても液の安定性がより向上することはないので
、不経済である。
及びその塩類である。キレート化剤の添加量は、0.0
1〜2モル/l程度、好ましくは0゜05〜1モル/l
程度とする。0.01モル/lを下回る濃度では、めっ
き液の安定性が不充分であり、一方2モル/lを上回る
濃度としても液の安定性がより向上することはないので
、不経済である。
本発明の電気銅めっき液では、添加剤として、ピロリン
酸及びそのカリウム、ナトリウム、アンモニウム等の塩
類、2,2′−ジピリジル、1゜10−フェナントロリ
ン、シアン化ナトリウム及びフェロシアン化ナトリウム
の少なくとも1種(以下、「添加剤成分(A)」という
)を用いる。
酸及びそのカリウム、ナトリウム、アンモニウム等の塩
類、2,2′−ジピリジル、1゜10−フェナントロリ
ン、シアン化ナトリウム及びフェロシアン化ナトリウム
の少なくとも1種(以下、「添加剤成分(A)」という
)を用いる。
添加剤成分(A)を加えることによって、析出皮膜の引
張り強さ、伸び等の物性が優れたものとなり、均一電着
性も良好になる。添加剤成分(A)のうちで、ピロリン
酸及びその塩類が好ましく用いられる。
張り強さ、伸び等の物性が優れたものとなり、均一電着
性も良好になる。添加剤成分(A)のうちで、ピロリン
酸及びその塩類が好ましく用いられる。
添加剤成分(A)の添加量は、0.006〜1モル/l
程度、好ましくは0.03〜0.5モル/l程度とする
。0.006モル/lを下回る濃度では、物性の向上効
果が不充分となり、一方、1モル/lを上回る濃度とし
ても物性がより向上することはなく、不経済である。本
発明めっき液では、ピロリン酸類を配合する場合にも、
その配合量は、従来のピロリン酸銅めっき液でのビロリ
ン酸類の配合量と比較して、極めて少思でよく、この様
な少ない添加量で充分な添加効果が発揮される。このた
め、オルソリン酸のような分解生成物による悪影響をほ
とんど受けることがなく、めっき液を安定に長期間連続
使用することが可能である。
程度、好ましくは0.03〜0.5モル/l程度とする
。0.006モル/lを下回る濃度では、物性の向上効
果が不充分となり、一方、1モル/lを上回る濃度とし
ても物性がより向上することはなく、不経済である。本
発明めっき液では、ピロリン酸類を配合する場合にも、
その配合量は、従来のピロリン酸銅めっき液でのビロリ
ン酸類の配合量と比較して、極めて少思でよく、この様
な少ない添加量で充分な添加効果が発揮される。このた
め、オルソリン酸のような分解生成物による悪影響をほ
とんど受けることがなく、めっき液を安定に長期間連続
使用することが可能である。
本発明めっき液(I)は、上記したa)銅化合物、b)
キレート化剤、及びC)添加剤成分(A)を水に溶解す
ることによって得られる。このめっき液は、従来のピロ
リン酸銅めっき液や硫酸銅めっき液等のスルーホールめ
っき用めっき液と比較して、優れた均一電着性を有する
。また、従来のスルーホールめっき用めっき液では、引
張り強度と伸びの両方の特性が同時に良好なめっき皮膜
を得ることができなかったが、本発明めっき液では、両
方の特性が同時に優れためっき皮膜を形成できる。また
、本発明めっき液は、広い範囲のpH値でめっき可能で
あることから、適当なpH値に調節することによって、
鉄素材等の卑金属素材上へ直接密着性よくめっき皮膜を
形成することが可能であり、シアン化銅めっき液の代替
としても使用し得るものである。また、強酸や強塩基に
侵され易い材料に対しても、これを侵すことなくめっき
皮膜を形成することが可能である。
キレート化剤、及びC)添加剤成分(A)を水に溶解す
ることによって得られる。このめっき液は、従来のピロ
リン酸銅めっき液や硫酸銅めっき液等のスルーホールめ
っき用めっき液と比較して、優れた均一電着性を有する
。また、従来のスルーホールめっき用めっき液では、引
張り強度と伸びの両方の特性が同時に良好なめっき皮膜
を得ることができなかったが、本発明めっき液では、両
方の特性が同時に優れためっき皮膜を形成できる。また
、本発明めっき液は、広い範囲のpH値でめっき可能で
あることから、適当なpH値に調節することによって、
鉄素材等の卑金属素材上へ直接密着性よくめっき皮膜を
形成することが可能であり、シアン化銅めっき液の代替
としても使用し得るものである。また、強酸や強塩基に
侵され易い材料に対しても、これを侵すことなくめっき
皮膜を形成することが可能である。
本発明めっき液(II)は、上記した本発明めっき液(
I)に、更に一般式: (式中、zl、Z2、Z3、z4、Ql、及びmは上記
に同じ)で表わされる化合物、及び一般式:(式中、A
s Z5 、Z6 、Z7 、Q2 、Q及びkは上記
に同じ)で表わされる化合物の少なくとも1種(以下「
添加剤成分(B)」という)を添加したものであり、析
出皮膜の引張り強さ、伸び率等の物性がより一層向上し
たものである。添加剤成分(B)の好ましい具体例とし
ては、グリシン、アラニン、N−メチルグリシン、バリ
ン、ノルバリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシ
ン、セリン、システィン、アスパラギン、アスパラギン
酸、グルタミン酸、オルニチン、リジン、アルギニン等
を挙げることができ、グリシン、アラニン、N−メチル
グリシン、リジン等が特に好ましい。
I)に、更に一般式: (式中、zl、Z2、Z3、z4、Ql、及びmは上記
に同じ)で表わされる化合物、及び一般式:(式中、A
s Z5 、Z6 、Z7 、Q2 、Q及びkは上記
に同じ)で表わされる化合物の少なくとも1種(以下「
添加剤成分(B)」という)を添加したものであり、析
出皮膜の引張り強さ、伸び率等の物性がより一層向上し
たものである。添加剤成分(B)の好ましい具体例とし
ては、グリシン、アラニン、N−メチルグリシン、バリ
ン、ノルバリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシ
ン、セリン、システィン、アスパラギン、アスパラギン
酸、グルタミン酸、オルニチン、リジン、アルギニン等
を挙げることができ、グリシン、アラニン、N−メチル
グリシン、リジン等が特に好ましい。
添加剤成分(B)の添加量は、0.006〜1モル/l
程度、好ましくは0.03〜0.5モル/l程度とする
。0.006モル/lを下回る添加量では、物性向上に
十分に寄与せず、一方1モル/lを上回る量を添加して
も物性がより向上することはな(、不経済である。
程度、好ましくは0.03〜0.5モル/l程度とする
。0.006モル/lを下回る添加量では、物性向上に
十分に寄与せず、一方1モル/lを上回る量を添加して
も物性がより向上することはな(、不経済である。
本発明では、上記した本発明めっき液(I)又は(n)
に、更に、アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、ア
ルカリ土類金属の/’%ロゲン化物及び硫酸塩並びにア
ンモニウムのハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種
を添加することによって、析出皮膜の物性をほとんど低
下させることなく、めっき液の均一電着性を更に向上さ
せることができる。このような化合物を添加しためつき
液(本発明めっき液(■))は均一電着性、析出皮膜の
物性ともに極めて優れたものであり、プリント基板のス
ルーホールめっき用の電気銅めっき液として、特に有用
性が高い。
に、更に、アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、ア
ルカリ土類金属の/’%ロゲン化物及び硫酸塩並びにア
ンモニウムのハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種
を添加することによって、析出皮膜の物性をほとんど低
下させることなく、めっき液の均一電着性を更に向上さ
せることができる。このような化合物を添加しためつき
液(本発明めっき液(■))は均一電着性、析出皮膜の
物性ともに極めて優れたものであり、プリント基板のス
ルーホールめっき用の電気銅めっき液として、特に有用
性が高い。
アルカリ金属としては、カリウム、ナトリウム等を例示
でき、アルカリ土類金属としては、カルンウム、マグネ
シウム等を例示でき、ハロゲンとしては、塩素、ヨウ素
、シュウ素等を例示できる。
でき、アルカリ土類金属としては、カルンウム、マグネ
シウム等を例示でき、ハロゲンとしては、塩素、ヨウ素
、シュウ素等を例示できる。
好マシい化合物の具体例としては、塩化カリウム、塩化
マグネシウム、塩化カルシウム、塩化アンモニウム、ヨ
ウ化カリウム、シュウ化カリウム、硫酸カリウム、硫酸
ナトリウム、硫酸アンモニウム等を例示できる。これら
の化合物の添加量は、0゜01〜3モル/l程度、好ま
しくは0.05〜2モル/l程度とする。0.01モル
/lを下回る添加量では、均一電着性向上の効果は充分
には発揮されず、一方3モル/lを上回る添加量として
も均一電着性かより向上することはなく、しかもめっき
液中に完全に溶解しない場合があるので好ましくない。
マグネシウム、塩化カルシウム、塩化アンモニウム、ヨ
ウ化カリウム、シュウ化カリウム、硫酸カリウム、硫酸
ナトリウム、硫酸アンモニウム等を例示できる。これら
の化合物の添加量は、0゜01〜3モル/l程度、好ま
しくは0.05〜2モル/l程度とする。0.01モル
/lを下回る添加量では、均一電着性向上の効果は充分
には発揮されず、一方3モル/lを上回る添加量として
も均一電着性かより向上することはなく、しかもめっき
液中に完全に溶解しない場合があるので好ましくない。
本発明めっき液(I)〜(m)は、いずれもめっき時の
pH@は特に限定されず、いがなるpH領域においても
良好なめっき皮膜を形成することか可能であり、使用す
る素材の種類や要求される析出皮膜の物性に応じてpH
値を適宜設定すればよい。例えは、pH11程度以上で
用いることによって、鉄素材上へ直接密着性よくめっき
皮膜を形成することができる。また、pH6〜8程度に
調整することによって強酸や強塩基に侵され易い材料を
も侵すことな(めっき皮膜を形成することかできる。
pH@は特に限定されず、いがなるpH領域においても
良好なめっき皮膜を形成することか可能であり、使用す
る素材の種類や要求される析出皮膜の物性に応じてpH
値を適宜設定すればよい。例えは、pH11程度以上で
用いることによって、鉄素材上へ直接密着性よくめっき
皮膜を形成することができる。また、pH6〜8程度に
調整することによって強酸や強塩基に侵され易い材料を
も侵すことな(めっき皮膜を形成することかできる。
更にスルーホールめっき用として用いる場合には、pH
6〜9程度または11〜13程度の範囲内で用いること
によって、均一電着性、引張り強さ、伸び率等の全てに
優れためっき皮膜を得ることができる。特に均一電着性
を良好にするためにはpH6〜9程度で用いることが好
ましい。めっき液のpH′:A整には、塩酸、硫酸等の
酸類や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ
性化合物を適宜用いることができる。
6〜9程度または11〜13程度の範囲内で用いること
によって、均一電着性、引張り強さ、伸び率等の全てに
優れためっき皮膜を得ることができる。特に均一電着性
を良好にするためにはpH6〜9程度で用いることが好
ましい。めっき液のpH′:A整には、塩酸、硫酸等の
酸類や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ
性化合物を適宜用いることができる。
本発明めっき液は、浴温10〜90°C程度で使用する
ことができるが、作業性や析出皮膜の物性の点から、2
0〜60’C程度で用いることが好ましい。
ことができるが、作業性や析出皮膜の物性の点から、2
0〜60’C程度で用いることが好ましい。
陰極電流密度は、めっき液の液温や流動状態により広い
範囲で選択することができるが、通常0゜1〜10 A
/dm2程度、好ましくは0.5〜5A/dm2程度と
すればよい。
範囲で選択することができるが、通常0゜1〜10 A
/dm2程度、好ましくは0.5〜5A/dm2程度と
すればよい。
発明の効果
本発明めっき液は、以下に示すような優れた特徴を有す
るものである。
るものである。
■ 均一電着性、析出皮膜の引張り強度、伸び率等が良
好であり、プリント基板のスルーホールめっき用めっき
液として好適である。特に、本発明めっき液(m)は、
極めて優れた均一電着性を有するものである。
好であり、プリント基板のスルーホールめっき用めっき
液として好適である。特に、本発明めっき液(m)は、
極めて優れた均一電着性を有するものである。
■ 広いpH域でめっき可能であり、例えばpH11程
度以上で用いることによって、鉄素地上に直接密着性よ
く銅めっき皮膜を形成することができる。また、被めっ
き物が鉛カラス、亜鉛、タングステン焼結体、セラミッ
クス等の強酸や強塩基に侵され易い材料を構成成分とし
て有するもの、例えばチップコンデンサー、チップ抵抗
、セラミック基板、サーデイツプIC等である場合にも
、めっき液のpHを適宜調節することによって、これら
の材料を侵すことなく銅めっきを施すことが可能となる
。
度以上で用いることによって、鉄素地上に直接密着性よ
く銅めっき皮膜を形成することができる。また、被めっ
き物が鉛カラス、亜鉛、タングステン焼結体、セラミッ
クス等の強酸や強塩基に侵され易い材料を構成成分とし
て有するもの、例えばチップコンデンサー、チップ抵抗
、セラミック基板、サーデイツプIC等である場合にも
、めっき液のpHを適宜調節することによって、これら
の材料を侵すことなく銅めっきを施すことが可能となる
。
■ 通常の硫酸銅めっき液に添加されているような硫黄
系光沢剤を使用することなく光沢めっきを形成できる。
系光沢剤を使用することなく光沢めっきを形成できる。
このため、厚付けを行なう場合にも析出皮膜への硫黄共
析の悪影響がなく、電鋳用銅めっき液として好適に用い
られる。
析の悪影響がなく、電鋳用銅めっき液として好適に用い
られる。
■ めっき液の維持管理が容易であり、また、析出皮膜
に悪影響を及ぼすような不純物の生成が少ないので、長
期間安定に使用できる。
に悪影響を及ぼすような不純物の生成が少ないので、長
期間安定に使用できる。
■ 毒性の少ないめっき液である。
実施例
以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
下記組成のめっき液を調製した。
A浴 B浴
モル/l モル/l
OCuSOa * 5H200,10,10エチレンジ
アミン四酢酸 0.2 0.20に、P207
0.06 0.060グリシン
− 0.06上記A浴及びB浴を用いて、pH
8〜13、浴温50℃、陰極電流密度IA/dm2の条
件で60mmX 100mmのチタン板上に30μm厚
のめっきを施し、その後めっき皮膜を剥離した。
アミン四酢酸 0.2 0.20に、P207
0.06 0.060グリシン
− 0.06上記A浴及びB浴を用いて、pH
8〜13、浴温50℃、陰極電流密度IA/dm2の条
件で60mmX 100mmのチタン板上に30μm厚
のめっきを施し、その後めっき皮膜を剥離した。
得られためっき皮膜から、測定部の幅が4.2mmのダ
ンベル状の試料を打ち抜き、引張り試験を行なって、ス
トレス−ストレイン曲線を求めることによって、引張り
強さ、及び伸び率を求めた。
ンベル状の試料を打ち抜き、引張り試験を行なって、ス
トレス−ストレイン曲線を求めることによって、引張り
強さ、及び伸び率を求めた。
結果を第1図及び第2図に示す。
第1図から、A浴、B浴共にpH8〜9、及びpH11
〜13において、析出皮膜が高い引張り強度を示すこと
が判る。この引張り強度の値は、ピロリン酸銅めっき液
から得られるめっき皮膜と同程度であり、硫酸銅めっき
液から得られるめっき皮膜に比して非常に高い値である
。また、第2図から、A浴、B浴共にpH8〜9及びp
H11〜13において、析出皮膜が大きな伸び率を示す
ことが判る。この伸び率は、硫酸銅めっき液から得られ
るめっき皮膜の伸び率と同程度であり、ピロリン酸銅め
っき液から得られるめっき皮膜の伸び率に比して非常に
大きな値である。
〜13において、析出皮膜が高い引張り強度を示すこと
が判る。この引張り強度の値は、ピロリン酸銅めっき液
から得られるめっき皮膜と同程度であり、硫酸銅めっき
液から得られるめっき皮膜に比して非常に高い値である
。また、第2図から、A浴、B浴共にpH8〜9及びp
H11〜13において、析出皮膜が大きな伸び率を示す
ことが判る。この伸び率は、硫酸銅めっき液から得られ
るめっき皮膜の伸び率と同程度であり、ピロリン酸銅め
っき液から得られるめっき皮膜の伸び率に比して非常に
大きな値である。
以上の結果から、本発明めっき液は、析出皮膜の引張り
強度及び伸び率がともに優れたものであることが判る。
強度及び伸び率がともに優れたものであることが判る。
特に、B浴を用いた場合に、引張り強さ、伸び率共に大
きな値を示すめっき皮膜が寿られる。
きな値を示すめっき皮膜が寿られる。
実施例2
下記組成のめっき液を調製した。
ocusO4争5H200,1モル/lOキレート化剤
x O02モル/lOK、p207
0.06モル/lOグリシン 0.
06モル/l※ キレート化剤としては、エチレンジア
ミン四酢酸二ナトリウム(EDTA−2Na)、ヒドロ
キシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA) 、
ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ニトリロ三
酢酸(NTA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TT
HA)、イミノジ酢酸(IDA)及びイミノジプロピオ
ン酸(IDP)を各々単独で用いた。
x O02モル/lOK、p207
0.06モル/lOグリシン 0.
06モル/l※ キレート化剤としては、エチレンジア
ミン四酢酸二ナトリウム(EDTA−2Na)、ヒドロ
キシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA) 、
ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ニトリロ三
酢酸(NTA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TT
HA)、イミノジ酢酸(IDA)及びイミノジプロピオ
ン酸(IDP)を各々単独で用いた。
実施例1と同様にしてめっき試料を作成し、引張り強度
及び伸び率を測定した。その結果、いずれのキレート化
剤を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の範囲
で、引張り強度50〜80kg/ mm2、伸び率1.
5〜3.5%のめっき皮膜が形成された。
及び伸び率を測定した。その結果、いずれのキレート化
剤を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の範囲
で、引張り強度50〜80kg/ mm2、伸び率1.
5〜3.5%のめっき皮膜が形成された。
実施例3
下記組成のめっき液を調製した。
ocusO4# 5H200,1モル/lOエチレンジ
アミン四酢酸 0.2 モル/lO添加剤成分(A)
xO,06モル/ QOグリシン 0
.06モル/l※ 添加剤成分(A)としては、ピロリ
ン酸、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸アンモニウム
、2,2′−ジピリジル、1,10−フェナントロリン
及びシアン化ナトリウムを各々単独で用いた。
アミン四酢酸 0.2 モル/lO添加剤成分(A)
xO,06モル/ QOグリシン 0
.06モル/l※ 添加剤成分(A)としては、ピロリ
ン酸、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸アンモニウム
、2,2′−ジピリジル、1,10−フェナントロリン
及びシアン化ナトリウムを各々単独で用いた。
実施例1と同様にしてめっき試料を作成し、引張り強度
及び伸び率を測定した。その結果、いずれの添加剤成分
(A)を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の
範囲内において、引張り強度50〜80 kg/ lI
l[11” 、伸び率1.5〜3.5%のめつき皮膜が
形成された。
及び伸び率を測定した。その結果、いずれの添加剤成分
(A)を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の
範囲内において、引張り強度50〜80 kg/ lI
l[11” 、伸び率1.5〜3.5%のめつき皮膜が
形成された。
実施例4
下記組成のめっき液を調製した。
ocusO415H200,1モル/l○エチレンジア
ミン四酢酸 0.2 モル/lOKA P207
0.06モル/loffi加剤成分(B) x
O,06モル/ Q※ 添加剤成分(B)としては、ア
ラニン、N−メチルグリシン、リジン、バリン、ロイシ
ン及びグルタミン酸を各々単独で用いた。
ミン四酢酸 0.2 モル/lOKA P207
0.06モル/loffi加剤成分(B) x
O,06モル/ Q※ 添加剤成分(B)としては、ア
ラニン、N−メチルグリシン、リジン、バリン、ロイシ
ン及びグルタミン酸を各々単独で用いた。
実施例1と同様にしてめっき試料を作成し、引張り強度
及び伸び率を測定した。その結果、いずれの添加剤成分
(B)を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の
範囲内において、引張り強度50〜80kg/mm2、
伸び率1.5〜3.5%のめっき皮膜が形成された。
及び伸び率を測定した。その結果、いずれの添加剤成分
(B)を用いた場合にも、pH8〜9及び11〜13の
範囲内において、引張り強度50〜80kg/mm2、
伸び率1.5〜3.5%のめっき皮膜が形成された。
実施例5
下記組成のめっき液を調製した。
C浴 D浴
モル/l モル/l
ocusO4”5H200,10,1
0エチレンジアミン四酢酸 0.2 0.20に、P
207 0.06 0.060グリシン
0.06 0.06oKcQ
2上記C浴及びD浴を用いて、浴温
50℃、陰極電流密度IA/dm2でpH8及び11の
各々の条件で、大きさ60mmX 100mmのアスペ
クト比の異なるプリント基板上に、30μm厚のめっき
皮膜を形成させた。その後プリント基板のラウンド部と
スルーホール部のめっき膜厚を測定し、両者の比から均
一電着性を求めた。結果を第3図に示す。従来のピロリ
ン酸銅めっき液(以下、従来浴という)を用いて同様に
均一電着性を測定した結果も第3図に併せて示す。
207 0.06 0.060グリシン
0.06 0.06oKcQ
2上記C浴及びD浴を用いて、浴温
50℃、陰極電流密度IA/dm2でpH8及び11の
各々の条件で、大きさ60mmX 100mmのアスペ
クト比の異なるプリント基板上に、30μm厚のめっき
皮膜を形成させた。その後プリント基板のラウンド部と
スルーホール部のめっき膜厚を測定し、両者の比から均
一電着性を求めた。結果を第3図に示す。従来のピロリ
ン酸銅めっき液(以下、従来浴という)を用いて同様に
均一電着性を測定した結果も第3図に併せて示す。
第3図から、C浴及びC浴はいずれも従来浴に比して均
一電着性に優れたものであることが判る・特に、K(,
9を含有し、pH8に調整したD浴は、優れた均一電着
性を示すものであった。
一電着性に優れたものであることが判る・特に、K(,
9を含有し、pH8に調整したD浴は、優れた均一電着
性を示すものであった。
第1図は、実施例1のめっき皮膜の引張り強度の測定結
果のグラフ、第2図は、実施例1のめつき皮膜の伸び率
の測定結果のグラフ、第3図は、実施例5のめっき液の
均一電着性試験結果のグラフである。 (以 上) 第1図 第2図 めうきジ丸のpH 第3図 基庄反のアスペクト垣し 手続辛甫正書(自発)≦j′ 昭和63年4月19日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1 事件の表示 昭和63年特許願第43552号 石原薬品株式会社 (ほか1名) 4代理人 大阪市東区平野町2の10 沢の鶴ビル自 発 6 補正、の対象 明細書中「特許請求の範囲」の項及び 「発明の詳細な説明」の項 7 補正の内容 別紙添附の通り 補正の内容 1 特許請求の範囲の項の記載を別紙の通り訂正する。 2 明細書第14頁下から第4行 rNH2−C−NH−Jとあるのを NH 3明細書第33頁第1行「C浴及びC浴は」とあるのを
「C浴及びD浴は」と訂正する。 (以 上) 特許請求の範囲 (1)a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般
式 (式中、Xlは水素原子又は基−cooM、、X2は基
−COOM、3又は基−CH2CH20H。 nは0〜2の整数を示し、Ml 、M2 、M3、M4
及びM5は同−又は異なって各々水素原子、1く、Na
又はNH4である)で表わされる化合物、及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOM6、基−
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20HSX4は基−CH2COOM8、
基−CH2CH2COO〜19又は基−CH2CH20
H1X5は基−CH2COOMIO,基−CH2CH2
C00M、、又は基−CH2CH20Hを示し、MB、
M7、M8、M9、Mlo及びMI +は同−又は異な
って各々水素原子、Iく、Na又はNH4である)で表
わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化剤
0.01〜2モル/l、並びに C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリジ
ル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム
及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.0
06〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液。 ■a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般式 (式中、Xlは水素原子又は基−COOM、、X2は基
−CoOM5又は基−CH2CH20H1nは0〜2の
整数を示し、M 1 、M2 、M3、N14及びM5
は同−又は異なって各々水素原子、1(、Na又はNH
,である)で表わされる化合物(及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOM6、基−
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20HSX aは基−CH2COOM8
、基−CH2CH2C00M9又は基−CH2CH20
H1X5は基−CH2COOM1゜、基−CH2CH2
COOM、、又は基−CH2CH20Hを示し、MB
、M7 、MB 。 M9 、Ml。及びMI +は同−又は異なって各々水
素原子、K、Na又はNH4である)で表わされる化合
物の少なくとも1種からなるキレート化剤0.01〜2
モル/l。 C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリ
ジル、1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウ
ム及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.
006〜1モル/l、並ひにd) 一般式 (式中、Zl、Z2、Z3及びZ4は同−又は異なって
各々水素原子又はメチル基、Qlは水素原子、K、Na
又はNH4、mは1〜15の整数を示す。)で表わされ
る化合物、及び一般式Z5 Z7 (式中、Aは水素原子、水酸基、〜SH1基NH2CO
−1基−C00Q3、アミノ基、基NH2C0NH−1
Z5、Z6及びZ7は同−又は異なって各々水素原子、
メチル基又はエチル基、Qは0〜4の整数、kはO又は
1を示し、Q2及びQ3は同−又は異なって各々水素原
子、K、Na又はNH,である)で表わされる化合物の
少なくとも1種0.006〜1モル/lを含有する水溶
液からなる電気銅めっき液。 ■ アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ
土類金属のハロゲン化物及び硫酸塩並びにアンモニウム
のハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種0.01〜
3モル/lを含有する請求項第1項又は第2項のいずれ
かに記載の電気銅めっき液。
果のグラフ、第2図は、実施例1のめつき皮膜の伸び率
の測定結果のグラフ、第3図は、実施例5のめっき液の
均一電着性試験結果のグラフである。 (以 上) 第1図 第2図 めうきジ丸のpH 第3図 基庄反のアスペクト垣し 手続辛甫正書(自発)≦j′ 昭和63年4月19日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1 事件の表示 昭和63年特許願第43552号 石原薬品株式会社 (ほか1名) 4代理人 大阪市東区平野町2の10 沢の鶴ビル自 発 6 補正、の対象 明細書中「特許請求の範囲」の項及び 「発明の詳細な説明」の項 7 補正の内容 別紙添附の通り 補正の内容 1 特許請求の範囲の項の記載を別紙の通り訂正する。 2 明細書第14頁下から第4行 rNH2−C−NH−Jとあるのを NH 3明細書第33頁第1行「C浴及びC浴は」とあるのを
「C浴及びD浴は」と訂正する。 (以 上) 特許請求の範囲 (1)a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般
式 (式中、Xlは水素原子又は基−cooM、、X2は基
−COOM、3又は基−CH2CH20H。 nは0〜2の整数を示し、Ml 、M2 、M3、M4
及びM5は同−又は異なって各々水素原子、1く、Na
又はNH4である)で表わされる化合物、及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOM6、基−
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20HSX4は基−CH2COOM8、
基−CH2CH2COO〜19又は基−CH2CH20
H1X5は基−CH2COOMIO,基−CH2CH2
C00M、、又は基−CH2CH20Hを示し、MB、
M7、M8、M9、Mlo及びMI +は同−又は異な
って各々水素原子、Iく、Na又はNH4である)で表
わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化剤
0.01〜2モル/l、並びに C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリジ
ル、1.10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム
及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.0
06〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液。 ■a) 銅化合物0.01〜1モル/lb) 一般式 (式中、Xlは水素原子又は基−COOM、、X2は基
−CoOM5又は基−CH2CH20H1nは0〜2の
整数を示し、M 1 、M2 、M3、N14及びM5
は同−又は異なって各々水素原子、1(、Na又はNH
,である)で表わされる化合物(及び一般式 (式中、X3は水素原子、基−CH2COOM6、基−
CH2CH2COOM7又は 基−CH2CH20HSX aは基−CH2COOM8
、基−CH2CH2C00M9又は基−CH2CH20
H1X5は基−CH2COOM1゜、基−CH2CH2
COOM、、又は基−CH2CH20Hを示し、MB
、M7 、MB 。 M9 、Ml。及びMI +は同−又は異なって各々水
素原子、K、Na又はNH4である)で表わされる化合
物の少なくとも1種からなるキレート化剤0.01〜2
モル/l。 C) ピロリン酸及びその塩類、2,2′ −ジピリ
ジル、1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウ
ム及びフェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.
006〜1モル/l、並ひにd) 一般式 (式中、Zl、Z2、Z3及びZ4は同−又は異なって
各々水素原子又はメチル基、Qlは水素原子、K、Na
又はNH4、mは1〜15の整数を示す。)で表わされ
る化合物、及び一般式Z5 Z7 (式中、Aは水素原子、水酸基、〜SH1基NH2CO
−1基−C00Q3、アミノ基、基NH2C0NH−1
Z5、Z6及びZ7は同−又は異なって各々水素原子、
メチル基又はエチル基、Qは0〜4の整数、kはO又は
1を示し、Q2及びQ3は同−又は異なって各々水素原
子、K、Na又はNH,である)で表わされる化合物の
少なくとも1種0.006〜1モル/lを含有する水溶
液からなる電気銅めっき液。 ■ アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、アルカリ
土類金属のハロゲン化物及び硫酸塩並びにアンモニウム
のハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種0.01〜
3モル/lを含有する請求項第1項又は第2項のいずれ
かに記載の電気銅めっき液。
Claims (3)
- (1)a)銅化合物0.01〜1モル/l b)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X_1は水素原子又は基−COOM_4、X_
2は基−COOM_5又は基−CH_2CH_2OH、
nは0〜2の整数を示し、M_1、M_2、M_3、M
_4及びM_5は同一又は異なって各々水素原子、K、
Na又はNH_4である)で表わされる化合物、及び一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X_3は水素原子、基−CH_2COOM_6
、基−CH_2CH_2COOM_7又は 基−CH_2CH_2OH、X_4は基−CH_2CO
OM_8、基−CH_2CH_2COOM_9又は基−
CH_2CH_2OH、X_5は基−CH_2COOM
_1_0、基−CH_2CH_2COOM_1_1又は
基−CH_2CH_2OHを示し、M_6、M_7、M
_8、M_9、M_1_0及びM_1_1は同一又は異
なって各々水素原子、K、Na又はNH_4である)で
表わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化
剤0.01〜2モル/l、並びに c)ピロリン酸及びその塩類、2,2′−ジピリジル、
1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム及び
フェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.006
〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液。 - (2)a)銅化合物0.01〜1モル/l b)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X_1は水素原子又は基−COOM_4、X_
2は基−COOM_5又は基−CH_2CH_2OH、
nは0〜2の整数を示し、M_1、M_2、M_3、M
_4及びM_5は同一又は異なって各々水素原子、K、
Na又はNH_4である)で表わされる化合物、及び一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X_3は水素原子、基−CH_2COOM_6
、基−CH_2CH_2COOM_7又は 基−CH_2CH_2OH、X_4は基−CH_2CO
OM_8、基−CH_2CH_2COOM_9又は基−
CH_2CH_2OH、X_5は基−CH_2COOM
_1_0、基−CH_2CH_2COOM_1_1又は
基−CH_2CH_2OHを示し、M_6、M_7、M
_8、M_9、M_1_0及びM_1_1は同一又は異
なって各々水素原子、K、Na又はNH_4である)で
表わされる化合物の少なくとも1種からなるキレート化
剤0.01〜2モル/l、 c)ピロリン酸及びその塩類、2,2′−ジピリジル、
1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウム及び
フェロシアン化ナトリウムの少なくとも1種0.006
〜1モル/l、並びにd)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Z_1、Z_2、Z_3及びZ_4は同一又は
異なって各々水素原子又はメチル基、Q_1は水素原子
、K、Na又はNH_4、mは1〜15の整数を示す。 )で表わされる化合物、及び一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Aは水素原子、水酸基、−SH、 基NH_2CO−、基−COOQ_3、アミノ基、基▲
数式、化学式、表等があります▼、基CH_3CH_2
S−又は 基NH_2CONH−、Z_5、Z_6及びZ_7は同
一又は異なって各々水素原子、メチル基又はエチル基、
Qは0〜4の整数、kは0又は1を示し、Q_2及びQ
_3は同一又は異なって各々水素原子、K、Na又はN
H_4である)で表わされる化合物の少なくとも1種0
.006〜1モル/l を含有する水溶液からなる電気銅めっき液。 - (3)アルカリ金属のハロゲン化物及び硫酸塩、アルカ
リ土類金属のハロゲン化物及び硫酸塩並びにアンモニウ
ムのハロゲン化物及び硫酸塩の少なくとも1種0.01
〜3モル/lを含有する請求項第1項又は第2項のいず
れかに記載の電気銅めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4355288A JPH01219187A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 電気銅めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4355288A JPH01219187A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 電気銅めっき液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01219187A true JPH01219187A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12666916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4355288A Pending JPH01219187A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 電気銅めっき液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01219187A (ja) |
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- 1988-02-25 JP JP4355288A patent/JPH01219187A/ja active Pending
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