JP2015532313A5

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Publication number: JP2015532313A5
Application number: JP2015532525A
Authority: JP
Filing date: 2013-09-26
Publication date: 2016-03-17
Anticipated expiration: 2033-09-26

Claims

下記一般式（１）

（式中、
Ｅ^１〜Ｅ^３はそれぞれ独立に炭素および窒素からなる群から選択され、これらのうち少なくとも一つが窒素であり、
Ｆ^１〜Ｆ^３はそれぞれ独立に酸素および硫黄からなる群から選択され、Ｇ^１〜Ｇ^３はそれぞれ独立にビニロキシ基、Ｎ−メトキシメチルアミド基および水素からなる群から選択され、これらのうち少なくとも一つがビニロキシ基もしくはＮ−メトキシメチルアミド基であり、かつ
ｐ^１〜ｐ^３はそれぞれ独立に０を含む整数から選択され、これらのうち少なくとも二つが１以上である）
で表わされることを特徴とする架橋剤。
前記一般式（１）のＥ^１〜Ｅ^３のすべてが窒素である、請求項１に記載の架橋剤。
下記一般式（２）

（式中、
Ｅ^１〜Ｅ^３はそれぞれ独立に炭素および窒素からなる群から選択され、これらのうち少なくとも一つが窒素であり、かつ
Ｆ^１〜Ｆ^３はそれぞれ独立に酸素および硫黄からなる群から選択される）で表される化合物、および
下記一般式（３）

（式中、
Ｘは塩素、臭素、およびヨウ素からなる群から選択され、
Ｇはビニロキシ基またはＮ−メトキシメチルアミド基であり、かつ
ｐは０以上の整数である）
で表される化合物
を塩基性化合物と反応させることを特徴とする、請求項１または２に記載の架橋剤を製造する方法。
溶媒と、
請求項１または２に記載の架橋剤と、
下記一般式（４）
−Ａ_ｍ−Ｂ_ｎ− （４）
［式中、ＡおよびＢは、それぞれ下記一般式（Ａ）および（Ｂ）

（式中、
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に水素およびアルキル基からなる群から選択される基であり、
Ｌは、単結合、炭素数１以上の直鎖アルキレンおよび分岐アルキレン、ならびにＣＯＯからなる群から選択される連結基であり、
Ｙは、１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、カルボン酸エステル、スルホ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていても置換されていなくてもよく、また前記芳香族に含まれるベンゼン環のひとつがキノン環に置換されていてもよく、かつ
Ｚは、Ｒ^３ＣＯＯＲ^４、およびＲ^３ＯＲ^４からなる群から選択される基であり、ここで、
Ｒ^３は、単結合、酸素、フッ素で置換されていてもよい炭素数１以上の直鎖アルキレンおよび分岐アルキレン、ならびに芳香環からなる群から選択される連結基であり、
Ｒ^４は、水素、置換炭化水素基および非置換炭化水素基からなる群から選択される基である）
で表される繰り返し単位であって、
ＡおよびＢは、ランダムに結合しても、ブロックを形成してもよく、
ＡおよびＢは、それぞれ異なった構造を有する２種類以上の繰り返し単位を組み合わせてもよく、
ｍ、およびｎは重合度を表す数であり、ｍは１０以上の数、ｎは０以上の数である］
で表されるポリマーと
を含んでなることを特徴とする下層反射防止膜形成用組成物。
光酸発生剤をさらに含む、請求項４に記載の下層反射防止膜形成用組成物。
請求項４または５に記載の下層反射防止膜形成用組成物を基板上に塗布し、加熱することによって得られたことを特徴とする、下層反射防止膜。
請求項４または５に記載の下層反射防止膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し、加熱して下層反射防止膜を形成する工程、
前記下層反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する工程、
前記下層反射防止膜と前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、および
前記露光後の基板に現像液で現像する工程
を含んでなることを特徴とするパターンの形成方法。
前記露光が１３．５〜２４８ｎｍの波長の光により行われる請求項７に記載のパターン形成方法。