JP2015529747A5

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Publication number: JP2015529747A5
Application number: JP2015524226A
Authority: JP
Filing date: 2013-07-26
Publication date: 2018-08-02
Anticipated expiration: 2033-07-26

Description

本発明によるストリップは、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
コアインゴットに中間層を取り付ける段階；
任意に、中間層にＡｌ−Ｓｉクラッドを取り付ける段階であって、中間層が、重量百分率で、必須的に、
Ｓｉ≦０．９％、適切には≦０．７％、好ましくは０．１〜０．５５％、より好ましくは０．１５〜０，４０％；
Ｆｅ≦０．７％、好ましくは≦０．５％、より好ましくは≦０．３％；
Ｃｕ≦０．５％、好ましくは≦０．２％、より好ましくは≦０．１％；最も好ましくは≦０．０５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％、好ましくは０．７〜１．７％、より好ましくは０．９〜１．６％；
Ｍｇ≦０．７％、好ましくは≦０．３％、より好ましくは≦０．１５％、最も好ましくは≦０．０５％；
Ｚｎ≦４．０％、好ましくは≦１．０％、より好ましくは≦０．５％、最も好ましくは≦０．１％；
Ｎｉ≦１．５％、好ましくは≦１．０％、より好ましくは≦０．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下、それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である、不可避不純物元素の周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、コアが、ろう付け後に中間層より不活性である段階；
任意に、中間層が取り付けられたインゴットを予備熱処理に晒す段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、中間層が、少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９７．５％の高さまで減少するように、得られたストリップを冷間圧延する段階；
中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって材料を軟化させる目的で最終送出調質まで冷間圧延されたストリップを熱処理する段階；
を含む方法によって生成され得る。

他の実施形態によれば、ストリップの特性は、追加的に、最終的な熱処理後に（焼き戻しによって材料を軟化させる目的で）、冷間圧延、テンションレベリング、及びあるレベルの低温作業を与える他の同様の方法によって改善され得、ここで、コアは、０．０５〜２０％、好ましくは０．０５〜１５％、より好ましくは０．０５〜１０％、最も好ましくは０．０５〜５％の範囲の低温作業で再結晶化しない。このように、中間層の粒径は、追加的に調整され得る。得られた材料は、良好なろう付け性能及び例外的にろう付け後における高い耐食性及びろう付け中における液体コア浸透に対する低い感受性を有する独特の組合せで、ろう付け後に高い強度を有し得る。同時に、最終送出調質の良好な成形性は、達成され得る。コアが犠牲的に保護されるように、介在層は、材料のコア層に対して調整され得る腐食電位を有する。

このような再結晶化が起こる場合に中間層の再結晶化を引き起こす最後の加熱処理の後に、中間層は、鋳造されたままであるか、圧延によって少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９７．５％、最も好ましくは少なくとも９９％まで高さが低下した熱間圧延状態のままである。冷間圧延されたストリップは、その後、中間層合金の再結晶化なしに焼き戻すことによって材料を軟化させる目的で、最終送出調質まで熱処理される。生じた変形の程度が、中間層を再結晶化する熱処理による上述の制限以下まで低下されないことは重要である。しかしながら、コアは、最終状態において再結晶化され又は再結晶化され得ない。

Claims

アルミニウムベースの合金のコア、並びに、前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む、耐食性ストリップであって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．９％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、
ろう付け後に前記コアが前記中間層より不活性であるように、前記コアの組成及び前記中間層の組成が選択され、
ろう付け後に前記中間層が、Ｐ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分の少なくとも３０％の体積分率を示すように前記中間層の組成が選択され、ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍである、耐食性ストリップ。
アルミニウムベースの合金のコア、並びに、前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む、耐食性ストリップであって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．７％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、
ろう付け後に前記コアが前記中間層より不活性であるように、前記コアの組成及び前記中間層の組成が選択され、
前記中間層が、Ｐ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分の少なくとも３０％の体積分率を示し、ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍである、請求項１に記載の耐食性ストリップ。
ろう付け後に前記中間層が、前記Ｐ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分の少なくとも５０％の体積分率を示す、請求項１又は２に記載の耐食性ストリップ。
前記中間層が、１％以下のＺｎを含む、請求項１から３の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
前記中間層が、０．５％以下のＺｎを含む、請求項４に記載の耐食性ストリップ。
前記コアが、重量百分率で、
Ｓｉ≦１．０％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦１．０％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦０．５％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有する、請求項１から５の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
前記コアのＳｉ含有量が、０．１５％以下である、請求項６に記載の耐食性ストリップ。
４〜１３％のＳｉを含むアルミニウムろう付け材料であるＡｌ−Ｓｉベースのクラッドを含む、請求項１から７の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
１〜４％のＳｉを含むアルミニウム合金であるＡｌ−Ｓｉベースのクラッドを含む、請求項１から８の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
取り付けられた各中間層の厚さが、前記ストリップの総厚の２〜２０％の間である、請求項１から９の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
前記中間層が、最終状態において、３０〜４００ｎｍの範囲の直径を有する粒子の、少なくとも１×１０^６から２０×１０^６粒子／ｍｍ^２の範囲の分散質粒子密度でＭｎリッチの粒子を含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１５０μｍである、請求項１から１１の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
コア、並びに前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む耐食性ストリップの製造方法であって、
前記方法が、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
前記コアインゴットに中間層を付ける段階であって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．９；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、前記コアが、ろう付け後に前記中間層より不活性である段階；
分散質粒子を前記中間層に形成するように少なくとも前記中間層を３８０〜５２０℃の温度に予備加熱する段階であって、最終状態において、３０〜４００ｎｍの範囲の直径を有する粒子の１×１０ ^６から２０×１０ ^６粒子／ｍｍ ^２の範囲の分散質粒子密度が得られる段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
前記中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、前記中間層が、少なくとも９０％の高さまで減少するように、前記得られたストリップを冷間圧延する段階；
前記中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって前記中間層の材料を軟化させる目的で最終送出調質まで前記冷間圧延されたストリップを２００〜５００℃で少なくとも１０分間熱処理する段階であって、前記中間層がＰ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分の少なくとも３０％の体積分率を示すように前記中間層の組成が選択され、ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍである段階；
を含む、耐食性ストリップの製造方法。
コア、並びに前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む耐食性ストリップの製造方法であって、
前記方法が、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
前記コアインゴットに中間層を付ける段階であって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．７％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、前記コアが、ろう付け後に前記中間層より不活性である段階；
分散質粒子を前記中間層に形成するように少なくとも前記中間層を３８０〜５２０℃の温度に予備加熱する段階であって、最終状態において、３０〜４００ｎｍの範囲の直径を有する粒子の１×１０ ^６から２０×１０ ^６粒子／ｍｍ ^２の範囲の分散質粒子密度が得られる段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
前記中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、前記中間層が、少なくとも９０％の高さまで減少するように、前記得られたストリップを冷間圧延する段階；
前記中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって前記中間層の材料を軟化させる目的で最終送出調質まで前記冷間圧延されたストリップを２００〜５００℃で少なくとも１０分間熱処理する段階であって、前記中間層がＰ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分の少なくとも３０％の体積分率を示すように前記中間層の組成が選択され、ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍである段階；
を含む、請求項１３に記載の耐食性ストリップの製造方法。
前記得られたストリップの冷間圧延が、少なくとも９５％の高さまで低減された前記中間層をもたらす、請求項１３又は１４に記載の耐食性ストリップの製造方法。
前記得られたストリップの冷間圧延が、少なくとも９９％の高さまで低減された前記中間層をもたらす、請求項１３又は１４に記載の耐食性ストリップの製造方法。
コア合金が、重量百分率で、
Ｓｉ≦１．０％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦１．０％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦０．５％；
Ｎｉ≦１．５％；
０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒ；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有する、請求項１３から１６の何れか一項に記載の方法。
前記コアのＳｉ含有量が０．１５％以下である、請求項１７に記載の方法。
前記中間層が、中間層インゴットとして提供され、前記コアインゴットに取り付けられ、あるいは、前記コアインゴットに直接鋳造される、請求項１３から１８の何れか一項に記載の方法。
前記コアインゴット、あるいは前記中間層が取り付けられた前記コアインゴットが、前記熱間圧延の前に５２０℃以下の温度で均質化に晒される、請求項１３から１９の何れか一項に記載の方法。
前記コアインゴットが、前記熱間圧延の前に５２０℃を超える温度で均質化に晒される、請求項１３から２０の何れか一項に記載の方法。
前記中間層に分散質粒子を形成するように熱間圧延の前に、少なくとも前記中間層が、４００〜５２０℃の温度に予備加熱される、請求項１３から２１の何れか一項に記載の方法。
３０〜４００ｎｍの直径を有する粒子の、１×１０^６〜２０×１０^６粒子／ｍｍ^２の範囲の分散質粒子密度が得られるように、前記予備加熱の温度及び時間が制御される、請求項２２に記載の方法。
ろう付け後における前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍであるように制御される、請求項１３から２３の何れか一項に記載の方法。
ろう付け製品の製造における、請求項１から１２の何れか一項に記載の耐食性ストリップの使用。
請求項１から１２の何れか一項に記載の耐食性ストリップを含むろう付けされた熱交換器。