JP2015517919A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- 埋め込みマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
絶縁性ボードに埋め込まれる半導体チップであって、前記チップが、放射センサＭＥＭＳ要素を含むキャビティを有し、前記チップ表面における前記キャビティの開口が、前記ＭＥＭＳ要素により感知される放射に透過性があるプレートにより覆われる、前記半導体チップ、
を含み、
前記キャビティから離れた前記プレート表面が、前記キャビティにおいて前記ＭＥＭＳ要素により感知される前記放射に晒されるべき露出した中央エリアと、前記プレート表面に接する金属フィルムと前記金属フィルム上にスタックされる接着剤の層とにより覆われる周辺エリアとを有する、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記周辺のプレート表面上に、前記金属フィルム上の前記接着剤層に接する導電性フォイルを更に含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳ要素により感知されるべき前記放射が、電磁放射、音響放射及び化学的放射を含む群から選択される、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項４に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、ＭＥＭＳデバイス。 - マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
放射センサＭＥＭＳ要素を含むキャビティを有する半導体チップを提供する工程であって、前記チップ表面における前記キャビティの開口が、前記ＭＥＭＳ要素により感知される放射に透過性があるプレートにより覆われる、前記半導体チップを提供する工程と、
前記キャビティから離れた前記プレート表面にわたって、パターニングされた金属フィルムを置く工程と、
を含む、方法。 - 請求項６に記載の方法であって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、方法。 - 請求項７に記載の方法であって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、方法。 - 埋め込みマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
プレートにより覆われるキャビティにおいて放射感知ＭＥＭＳ要素を有するチップを提供する工程であって、前記プレートが、前記キャビティから離れた前記プレート表面上にパターニングされた金属フィルムを有する、前記チップを提供する工程と、
接着剤の層により覆われるパターニングされた導電性フォイル上に前記金属フィルムと共に前記チップ表面を取り付ける工程と、
非取り付けチップボディを絶縁性ボードに埋め込む工程と、
前記覆うプレートから順次に、前記導電性フォイルの一部と、その後前記接着剤層の一部と、その後前記金属フィルムの一部とを取り除く工程であって、それにより、前記キャビティにおいて前記ＭＥＭＳ要素により感知されるべき放射に前記プレートを晒させる、前記取り除く工程と、
を含む、方法。 - 請求項９に記載の方法であって、
前記導電性フォイルの一部を取り除く前記工程が化学的エッチング技法を含む、方法。 - 請求項１０に記載の方法であって、
前記接着剤層の一部を取り除く前記工程がレーザー技法を含む、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記金属フィルムの一部を取り除く前記工程が別の化学的エッチング技法を含む、方法。 - 請求項１２に記載の方法であって、
前記チップ表面が、前記ＭＥＭＳデバイスに接続されるチップ端子を更に含む、方法。 - 請求項１３に記載の方法であって、
前記チップ端子を前記パターニングされた導電性フォイルに接続する工程を更に含む、方法。 - 請求項１４に記載の方法であって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、方法。 - 請求項１５に記載の方法であって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、方法。
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