JP4270265B2 - 半導体レンズの製造方法 - Google Patents
半導体レンズの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4270265B2 JP4270265B2 JP2006319071A JP2006319071A JP4270265B2 JP 4270265 B2 JP4270265 B2 JP 4270265B2 JP 2006319071 A JP2006319071 A JP 2006319071A JP 2006319071 A JP2006319071 A JP 2006319071A JP 4270265 B2 JP4270265 B2 JP 4270265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- anode
- infrared
- semiconductor
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 23
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0806—Focusing or collimating elements, e.g. lenses or concave mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
以下、本参考例の赤外線検出装置について図1〜図4を参照しながら説明する。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、第2のシリコンウェハからなる第2の半導体ウェハ30の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本参考例のように第2の半導体ウェハ30としてp形のシリコンウェハを用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、第2の半導体ウェハ30中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部34の厚みが決まることになる。ここで、第2の半導体ウェハ30の上記他表面側では、陽極32の厚み方向に沿った開孔部33の中心線から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなり、第2の半導体ウェハ30の上記他表面側に形成される多孔質部34は、陽極32の開孔部33の上記中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。
本参考例の赤外線検出装置の基本構成は参考例1と略同じであり、図7に示すように、半導体レンズ3のレンズ部3aの凸曲面を赤外線検出素子1に向けた形で半導体レンズ3をキャップ2に取り付けてある点が相違する。なお、参考例1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線検出装置の基本構成は参考例1と略同じであり、図8および図9に示すように、半導体レンズ3が複数(4つ)のレンズ部3aを有し互いに重なり合うような形で近接した所謂マルチレンズからなる点が相違する。なお、参考例1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本参考例の赤外線検出装置の基本構成は参考例1と略同じであり、半導体レンズ3として図11(h)に示すような両凸型の非球面レンズ状のレンズ部3aを有する半導体レンズ3を用いる点が相違するだけである。
Claims (1)
- 赤外線検出素子を収納するパッケージにおいて赤外線検出素子の受光面の前方に形成された透光窓を覆うようにパッケージの内側から配設され、赤外線検出素子の受光面へ赤外線を集光するレンズ部を有する半導体レンズであり、透光窓の内側に位置するレンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ入射しようとする赤外線を阻止する赤外線阻止部が設けられてなり、レンズ部およびベース部は、半導体基板の一表面側に形成した陽極を利用して当該半導体基板の他表面側を陽極酸化することで除去部位となる多孔質部を形成してから当該多孔質部を除去することにより形成されてなり、前記赤外線阻止部が前記陽極により構成されてなり、レンズ部を複数有し、当該複数のレンズ部が隣り合うレンズ部が互いに重なる形で近接してなり、前記陽極は、各レンズ部ごとに独立した開孔部が形成されてなり、隣り合うレンズ部の境界部を通して赤外線が出射されるのを防止する半導体レンズの製造方法であって、レンズ部の形状に応じてパターン設計した陽極を半導体基板の一表面側に形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に対向配置される陰極と前記陽極との間に通電して半導体基板の他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、当該多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを有し、陽極形成工程では、前記陽極の材料として赤外線を反射する金属材料を採用して前記陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように前記陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用いるようにし、多孔質部除去工程では、前記陽極を前記赤外線阻止部として残存させるように多孔質部を選択的に除去することを特徴とする半導体レンズの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006319071A JP4270265B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-27 | 半導体レンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005341213 | 2005-11-25 | ||
JP2006089602 | 2006-03-28 | ||
JP2006319071A JP4270265B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-27 | 半導体レンズの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006334974A Division JP5426812B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-12-12 | 半導体レンズの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007292721A JP2007292721A (ja) | 2007-11-08 |
JP4270265B2 true JP4270265B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=38763461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006319071A Expired - Fee Related JP4270265B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-27 | 半導体レンズの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4270265B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5426812B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP5260858B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 赤外線検出装置の製造方法 |
JP5834230B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2015-12-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電子機器 |
US10078007B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-09-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor |
WO2013088903A1 (ja) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサ |
US8866237B2 (en) * | 2012-02-27 | 2014-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Methods for embedding controlled-cavity MEMS package in integration board |
JP6462991B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2019-01-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線検出装置および視野制限ユニットの製造方法 |
JP6871043B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-05-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP6989206B1 (ja) * | 2021-07-13 | 2022-01-05 | 株式会社京都セミコンダクター | 受光装置 |
WO2023286164A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 株式会社京都セミコンダクター | 受光装置 |
-
2006
- 2006-11-27 JP JP2006319071A patent/JP4270265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007292721A (ja) | 2007-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4270265B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP4158830B2 (ja) | 熱型赤外線検出装置の製造方法 | |
JP4944590B2 (ja) | 熱型赤外線検出装置の製造方法 | |
WO2007061137A1 (en) | Infrared detection unit using a semiconductor optical lens | |
US8350350B2 (en) | Optical sensor | |
US10883804B2 (en) | Infra-red device | |
KR100996669B1 (ko) | 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP5010253B2 (ja) | 半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法 | |
US11359973B2 (en) | MEMS device having curved reflective layer and method for manufacturing MEMS device | |
JP3918868B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
CN113363331A (zh) | 一种双透镜红外传感器 | |
JP3979440B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP3918869B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP3918870B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP5426812B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP2007086768A (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP2012048249A (ja) | 半導体レンズ、半導体レンズの製造方法 | |
JP5442648B2 (ja) | 赤外線センサ | |
KR102358860B1 (ko) | 볼로미터 멤스 소자 및 볼로미터 멤스 소자의 제조 방법 | |
CN113428833A (zh) | Mems热电堆红外传感器及制备方法 | |
JP4586796B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP4586797B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
JP4007395B2 (ja) | 曲面の形成方法 | |
JP2010045064A (ja) | 固体真空デバイス | |
JP4586798B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080324 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080724 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |