JP2007086768A - 半導体レンズの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n形のシリコン基板からなる半導体基板10の一表面側に陽極11を形成する陽極形成工程と、電解液B中で半導体基板10の他表面側に配置される陰極25と陽極11との間に通電して半導体基板10の他表面側に除去部位となる多孔質部14を形成する陽極酸化工程と、多孔質部14を除去する多孔質部除去工程とを備える。陽極酸化工程において半導体基板10の上記他表面側に対向配置される陰極25が、半導体基板10の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源30と半導体基板10の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。
【選択図】図1
Description
この発明によれば、陽極酸化工程では、陰極と陽極との間への通電時に、一表面側に陽極を形成した半導体基板の他表面側に光源から光を照射するようにし、光源と半導体基板の前記他表面との間に、前記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計したマスクを配置するので、半導体基板の前記他表面側の光強度分布により多孔質部の形成に寄与するホールの供給量が調整されるから、陽極酸化工程にて形成する多孔質部の厚みの面内分布を制御することができて厚みが連続的に変化した多孔質部を形成することが可能であり、しかも、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用いるので、所望の厚さ分布の多孔質部を1回の陽極酸化工程で容易に形成することができ、当該多孔質部を多孔質部除去工程にて除去することで所望のレンズ形状の半導体レンズが形成されるから、半導体基板の厚みによらず任意形状の半導体レンズを容易に形成することが可能になる。
本実施形態では、半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法として、シリコン基板からなる半導体基板10(図1(a)参照)の一部を陽極酸化工程において多孔質化することにより形成した多孔質シリコンからなる多孔質部14(図1(c)参照)を除去してシリコンレンズからなる半導体レンズ1(図1(d)参照)を製造する製造方法を例示する。ここにおいて、本実施形態における半導体レンズ1は、平凸型の非球面レンズである。なお、本実施形態では、半導体基板10として導電形がn形のものを用いるようにしてあるが、半導体基板10としては、後述のように、不純物濃度が1×1019cm−3未満のものを用いるのが好ましい。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、半導体基板10の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、陽極酸化工程では、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、半導体基板10中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部14の厚みが決まることになる。
本実施形態の半導体レンズの製造方法は実施形態1と略同じであって、実施形態1では陽極酸化工程において、光源30としてタングステンランプを用いており、マスクを兼ねる陰極25を利用して半導体基板10の上記他表面側に光量分布(光強度分布)を形成していたのに対して、図6に示すように光源30として単色光のレーザ光源を用い、所望のレンズ形状(ここでは、平凹型のレンズ形状)に応じてレーザ光を半導体基板10の上記他表面上で走査し位置ごとに光強度を調節するようにしている点が相違する。ここで、本実施形態における陽極酸化工程においては、半導体レンズの所望のレンズ形状に応じて個別に設計した陰極25(図1(c)参照)を用意する必要がなく、半導体レンズの所望のレンズ形状によらず、共通の陰極を利用することができ、低コスト化を図れる。なお、他の工程は実施形態1と同じなので説明を省略する。
10 半導体基板
11 陽極
14 多孔質部
25 陰極
30 光源
Claims (6)
- 半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法であって、半導体基板の一表面側に陽極を形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に配置される陰極と陽極との間に通電して半導体基板の他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを備え、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用い、前記通電時に半導体基板の前記他表面側に光源から光を照射するようにし、光源と半導体基板の前記他表面との間に、前記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計したマスクを配置することを特徴とする半導体レンズの製造方法。
- 前記陰極を前記マスクに兼用することを特徴とする請求項1記載の半導体レンズの製造方法。
- 半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法であって、半導体基板の一表面側に陽極を形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に配置される陰極と陽極との間に通電して半導体基板の他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを備え、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用い、前記通電時に半導体基板の前記他表面側に光源から光を照射するようにし、所望のレンズ形状に応じて光源からの光を半導体基板の前記他表面上で走査し位置ごとに光強度を調節することを特徴とする半導体レンズの製造方法。
- 前記陽極酸化工程では、前記半導体基板の前記他表面側に照射する光を単色光とすることを特徴とする請求項3記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記光源としてレーザ光源を用いることを特徴とする請求項4記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記半導体基板として導電形がn形のものを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体レンズの製造方法。
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