JP5260985B2 - 赤外線放射素子 - Google Patents
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請求項2の発明は、半導体基板の一表面側に形成された凹所の周部の複数箇所の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部にヒータ層が設けられ、前記ヒータ層へ電力を与えることにより前記ヒータ層から赤外線が放射される赤外線放射素子であって、前記凹所が、前記半導体基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を除去することにより形成され、前記凹所の内面が前記ヒータ層から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラーを構成しており、前記梁部は、前記半導体基板の前記一表面を含む仮想平面から前記凹所側とは反対側に凸となる仮想凸曲面上に形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、半導体基板の一表面側で前記半導体基板とヒータ層とが凹所内の空気などの気体により断熱されるので、入力電力に対する応答速度が速く、しかも、前記凹所が、前記半導体基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を除去することに形成され、前記凹所の内面が前記ヒータ層から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラーを構成しているので、前記ヒータ層から放射された赤外線を効率良く取り出すことができ、赤外線の出力の高出力化が可能となる。また、この発明によれば、前記梁部は、前記半導体基板の前記一表面を含む仮想平面から前記凹所側とは反対側に凸となる仮想凸曲面上に形成されてなるので、高出力の点光源として利用することが可能となる。
本実施形態の赤外線放射素子は、図1(a),(b)に示すように、単結晶のシリコン基板からなる半導体基板1の一表面側(図1(b)における上面側)に形成された凹所2の周部の複数箇所(本実施形態では、2箇所)の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部6にヒータ層3が設けられ、半導体基板1の上記一表面側にヒータ層3の両端部それぞれと電気的に接続される一対のパッド4,4が形成されている。したがって、本実施形態の赤外線放射素子では、一対のパッド4,4を介してヒータ層3へ電力を与えることによりヒータ層3から赤外線が放射される。
λ=2898/T
となり、ヒータ層3の絶対温度Tとヒータ層3から放射される赤外線のピーク波長λとの関係がウィーンの変位則を満足している。要するに、本実施形態の赤外線放射素子では、ヒータ層3が黒体を構成しており、図示しない外部電源からパッド4,4間に与える入力電力を調整することにより、ヒータ層3に発生するジュール熱を変化させる(つまり、ヒータ層3の温度を変化させる)ことができる。したがって、ヒータ層3への最大入力電力に応じてヒータ層3の温度を変化させることができ、また、ヒータ層3の温度を変化させることでヒータ層3から放射される赤外線のピーク波長λを変化させることができる。ここにおいて、本実施形態では、ヒータ層3が上述のように黒体を構成し、ヒータ層3の単位面積が単位時間に放射する全エネルギEがT4に比例している(つまり、シュテファン−ボルツマンの法則を満足している)ので、ヒータ層3の温度を高くするほど赤外線の放射量を増大させることができ、広範囲の赤外線波長域において高出力の赤外線光源(赤外線放射源)として用いることが可能となる。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、シリコン基板からなる半導体基板1の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本実施形態のように半導体基板1としてp形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、半導体基板1中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部13の厚みが決まることになる。ここにおいて、半導体基板1の上記一表面側では、半導体基板1の厚み方向に沿った陽極12の中心線から離れるほど電流密度が徐々に小さくなるような電流密度の面内分布を有することとなり、半導体基板1の上記一表面側に形成される多孔質部13は、陽極12の中心線から離れるほど徐々に薄くなっている。なお、上述の電流密度の面内分布は、陽極12と陰極との間に通電しているときに陽極12と半導体基板1との接触パターンなどにより決まる半導体基板1内の電界強度の分布に応じて発生し、電界強度が強いほど電流密度が大きくなり、電界強度が弱いほど電流密度が小さくなる。
本実施形態の赤外線放射素子の基本構成は実施形態1と略同じであって、図3に示すように、梁部6が、半導体基板1の上記一表面を含む仮想平面から凹所2側に凹んだ仮想凹曲面上に形成されている点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子の基本構成は実施形態1と略同じであって、図4に示すように、梁部6が、半導体基板1の上記一表面を含む仮想平面から凹所2側とは反対側に凸となる仮想凸曲面上に形成されている点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子の基本構成は実施形態1と略同じであって、図5に示すように、ヒータ層3が、梁部6における凹所2に臨む裏面側(図5における下面側)に形成されており、ヒータ層3と各パッド4,4とが梁部6に形成したコンタクトホール6a,6aを通して電気的に接続されている点、梁部6における凹所2側とは反対の表面側(図5における上面側)にヒータ層3から梁部3側へ放射された赤外線を反射する赤外線反射膜7が形成されている点が相違するだけである。ここで、赤外線反射膜7を赤外線の反射率が略100%の金属(例えば、Auなど)からなる金属膜により構成すれば、当該赤外線反射膜7での赤外線の反射率を略100%とすることが可能となる。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子の基本構成は実施形態1と略同じであって、図6に示すように、ヒータ層3が、梁部6における凹所2に臨む裏面側(図6における下面側)に形成されており、ヒータ層3と各パッド4,4とが梁部6に形成したコンタクトホール6a,6a,を通して電気的に接続されている点、凹面ミラー2aに赤外線を反射する赤外線反射膜8が積層されている点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子の基本構成は実施形態2と略同じであって、図7に示すように、ヒータ層3が、梁部6における凹所2に臨む裏面側(図7における下面側)に形成されており、ヒータ層3と各パッド4,4とが梁部6に形成したコンタクトホール6a,6a,を通して電気的に接続されている点が相違するだけである。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 凹所
2a 凹面ミラー
3 ヒータ層
4 パッド
5 絶縁膜
6 梁部
7 赤外線反射膜(金属膜)
8 赤外線反射膜(金属膜、光学多層膜)
Claims (7)
- 半導体基板の一表面側に形成された凹所の周部の複数箇所の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部にヒータ層が設けられ、前記ヒータ層へ電力を与えることにより前記ヒータ層から赤外線が放射される赤外線放射素子であって、前記凹所が、前記半導体基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を除去することにより形成され、前記凹所の内面が前記ヒータ層から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラーを構成しており、前記梁部は、前記半導体基板の前記一表面を含む仮想平面から前記凹所側に凹んだ仮想凹曲面上に形成されてなることを特徴とする赤外線放射素子。
- 半導体基板の一表面側に形成された凹所の周部の複数箇所の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部にヒータ層が設けられ、前記ヒータ層へ電力を与えることにより前記ヒータ層から赤外線が放射される赤外線放射素子であって、前記凹所が、前記半導体基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を除去することにより形成され、前記凹所の内面が前記ヒータ層から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラーを構成しており、前記梁部は、前記半導体基板の前記一表面を含む仮想平面から前記凹所側とは反対側に凸となる仮想凸曲面上に形成されてなることを特徴とする赤外線放射素子。
- 前記ヒータ層は、前記梁部における前記凹所に臨む裏面側に形成されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
- 前記梁部における前記凹所側とは反対の表面側に、前記ヒータ層から前記梁部側へ放射された赤外線を反射する赤外線反射膜が形成されてなることを特徴とする請求項3記載の赤外線放射素子。
- 前記凹面ミラーに赤外線を反射する赤外線反射膜が積層されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
- 前記赤外線反射膜は、金属膜からなることを特徴とする請求項5記載の赤外線放射素子。
- 前記赤外線反射膜は、光学多層膜からなることを特徴とする請求項5記載の赤外線放射素子。
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