JP3918869B2 - 半導体レンズの製造方法 - Google Patents
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Description
本基本例では、後述の実施形態にて説明する半導体レンズの製造方法の基本となる製造方法の一例として、p形のシリコン基板からなる半導体基板10(図2(a)参照)の一部を陽極酸化工程において多孔質化することにより形成した多孔質シリコンからなる多孔質部14(図2(d)参照)を除去してシリコンレンズからなる半導体レンズ1(図2(e)参照)を製造する製造方法を例示する。なお、本基本例では、半導体基板10の抵抗率を80Ωcmに設定してあるが、この数値は特に限定するものではない。ただし、半導体基板10の抵抗率は、好ましくは0.1〜1000Ωcm、より好ましくは数Ωcm〜数100Ωcmである。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、シリコン基板からなる半導体基板10の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本基本例のように半導体基板10としてp形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、半導体基板10中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部14の厚みが決まることになる。本基本例では、半導体基板10中を図5の矢印で示すような経路で電流が流れるので、半導体基板10の上記他表面側(図5における上面側)では、陽極12の厚み方向に沿った開孔部13の中心線から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなり、半導体基板10の上記他表面側に形成される多孔質部14は、陽極12の開孔部13の上記中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。
以下、本実施形態の半導体レンズ1の製造方法について図1に基づいて説明するが、基本例と同様の工程については説明を適宜省略する。
10 半導体基板
11 導電性層
12 陽極
13 開孔部
14 多孔質部
15 絶縁膜
Claims (3)
- 半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法であって、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した陽極を半導体基板の一表面側に形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に対向配置される陰極と陽極との間に通電して半導体基板の他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを備え、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用いるようにし、陽極酸化工程よりも前に、前記レンズ形状に応じてパターン設計した絶縁膜を半導体基板の他表面側に形成する絶縁膜形成工程を設けてなることを特徴とする半導体レンズの製造方法。
- 前記半導体基板の材料が、Si、Ge、SiC、GaAs、GaP、InPの群から選択される材料であり、前記絶縁膜の材料が、Si3N4からなることを特徴とする請求項1記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記半導体基板の材料が、Ge、GaAs、GaP、InPの群から選択される材料であり、前記絶縁膜の材料が、SiC、SiO2、Si3N4の群から選択される材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体レンズの製造方法。
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