JP4725502B2 - 半導体光学レンズの製造方法 - Google Patents
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Si + 2HF + (2-n) h+ (R) SiF2 + 2H+ + n×e-
SiF2 + 2HF (R) SiF4 + H2
SiF4 + 2HF (R) SiH2F6
ここで、h+ はホールを示し、e−は電子を示す。
Si基材が陽極酸化されると直ぐに、酸化された部分が電解溶液と反応して取り除かれることで、半導体基材10の上面に多孔質層を形成する。従って、陽極酸化処理は、酸化された部分によって遅延されることなく進行することになり、より深い厚みの多孔質層30を発達させることができ、厚みが比較的大きなレンズの製造が可能となる。
実施例
直径が100mmで、厚さが0.5mm、抵抗値が80Ωcmのp型Si基材10に1μm厚のアルミニウム導電層20をスパッタリングで形成した。導電層20を420℃で20分間焼結した後に、フォトリソグラフィにより直径2mmの複数の窓を有するレジストパターンでマスクした。次いで、導体層20のマスクされていない部分をウェットエッチングにて除去して、図9に示すように、導電層即ち陽極20に直径2mmの複数の開口22を形成した。レジストパターンを除去した後、半導体基材を、フッ化水素(HF)の50%水溶液とエタノールとの混合比が1:1の電解溶液を含む図5の陽極酸化処理装置に収めた。この半導体基材10の陽極酸化処理を30mA/cm2の電流密度で3時間行った。この結果形成された多孔質層30は導電層20に対応する部分の厚さが0.3mmで、半導体基材に平行な面内で開口20の中央に向けて次第に厚さが減少する。多孔質層30及び導電層20は、その後、10%のKOH溶液でエッチング除去を15分間行って、複数の平凸レンズを形成した。次いで、半導体基材10をHF系溶液に1時間浸積して、半導体基材10の表面に残る微細な突起12を選択的にエッチング除去した。この後、半導体基材10を複数のレンズに切り出した。多孔質層30を除去するエッチング速度は、半導体基材10上の微細な突起を除去するエッチング速度の10倍以上であった。このようにして得られたレンズの厚さは0.195mmで平均二乗表面粗さ(RMS)は50nmであった。
12 突起
14 酸化層
20 陽極
30 多孔質層
110 陰電極
140 電解溶液
Claims (3)
- 半導体基材の一部を除去して半導体光学レンズを製造する半導体光学レンズの製造方法であって、互いに対向する平坦な上面と平坦な下面とを備える半導体基材を用意し、
上記半導体基材の下面に、陽極パターンを有する陽極を形成し、
上記の半導体基材を電解溶液内に収め、
上記陽極と上記電解溶液内の陰電極との間に電流を流して、上記上面での陽極酸化処理を場所によって異なる深さとなる迄に進めることで、上記上面内に多孔質層を形成し、
上記半導体基材から上記の多孔質層を除去して上記の上面に曲面を残し、
上記の陽極は、上記半導体基材の上面及び下面に沿った部所毎に変化する所定の電界強度の分布を形成するように構成され、これにより上記の電界強度の分布に応じて深さが異なる上記の多孔質層を与えるものであり、
上記の多孔質層を形成するに工程において、半導体基材の上面の陽極酸化処理のパラメータを時間と共に変化させることにより、上記半導体基材との界面での多孔度をそれ以外の部分よりも小さくすることを特徴とする半導体光学レンズの製造方法。 - 上記パラメータは上記陽極と上記陰電極との間に流す電流の電流密度であり、上記の多孔質層を形成する陽極酸化処理の最終段階で電流密度を減少させることを特徴とする請求項1に記載の半導体光学レンズの製造方法。
- 上記パラメータは上記電解液の濃度であり、上記の多孔質層を形成する陽極酸化処理の最終段階でこの濃度を上げることを特徴とする請求項1に記載の半導体光学レンズの製造方法。
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