JP2010045064A - 固体真空デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板10の一表面側に、第1のポリシリコン層12に支持された熱型デバイス要素部20が形成され、熱型デバイス要素部20を囲む形で真空封止用キャップ部40が形成されている。真空封止用キャップ部40は、シリコン基板10の上記一表面側に形成した第2のポリシリコン層41の一部を陽極酸化することにより形成された真空封止用多孔質部42と、真空封止用多孔質部42に積層されたキャップ層43とを有し、熱型デバイス要素部20におけるシリコン基板10側の第1の空間15および真空封止用キャップ部40側の第2の空間35が真空となっている。第1のポリシリコン層12の一部を陽極酸化することにより形成された多孔質ポリシリコン部からなり熱型デバイス要素部20とシリコン基板10とを熱絶縁する断熱部13を備えている。
【選択図】 図1
Description
Rihui He,et al,「On-Wafer Monolithic Encapsulation by Surface MicromachiningWith Porous Polysilicon Shell」,JOURNAL OFMICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,VOL.16,NO.2,p462-472,APRIL 2007
本実施形態の固体真空デバイスは、図1に示すように、シリコン基板10の一表面側に当該シリコン基板10から離間して配置され当該シリコン基板10の上記一表面側の第1のポリシリコン層12に支持された熱型デバイス要素部20が形成され、シリコン基板10の上記一表面側に熱型デバイス要素部20を囲む形で真空封止用キャップ部40が形成され、真空封止用キャップ部40が、シリコン基板10の上記一表面側に形成した第2のポリシリコン層41の一部を陽極酸化することにより形成された多孔質ポリシリコン部からなる真空封止用多孔質部42と、当該真空封止用多孔質部42に積層され当該真空封止用多孔質部42の微細孔を封孔したキャップ層43とを有し、熱型デバイス要素部20におけるシリコン基板10側の第1の空間15および真空封止用キャップ部40側の第2の空間35が真空となっている。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態1と略同じであって、図5に示すように、熱型デバイス要素部20が赤外線を放射する発熱体層からなる赤外光源23であり、赤外光源23としての発熱体層が金属膜(例えば、Pt膜など)により構成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態1と略同じであって、図6に示すように、第1の空間15がシリコン基板10の上記一表面側の一部を陽極酸化して形成した多孔質部を酸化してエッチングすることで上記一表面に凹所10cを設けることにより形成されている。ここで、本実施形態では、シリコン基板10の上記一表面側の凹所10cの内面である曲面を、凹面ミラーとして機能させることが可能であり、熱型デバイス要素部20側から第1の空間15側へ進行した赤外線を凹面ミラーにより熱型デバイス要素部20側へ反射させることができるから、当該曲面に入射した赤外線を温接点に集光させることができるので、赤外線の検知感度を向上させることができる。この曲面は、陽極酸化の電流密度に面内分布を持たせることにより曲面を形成する曲面形成方法によって形成することができる。他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、他の実施形態において本実施形態と同様の凹所10cをシリコン基板10に設けてもよく、例えば、実施形態2においては、赤外線を凹面ミラーにより熱型デバイス要素部20である赤外光源23側へ反射させることで赤外線を集光して出射させることが可能となる。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態1と略同じであって、図7に示すように、熱型デバイス要素部20が、導電性を有する第1のポリシリコン層12を陽極酸化することによって形成された多孔質シリコン部からなる抵抗ボロメータ25により構成され、断熱部13を兼ねている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態4と略同じであって、図8に示すように、真空封止用キャップ部40における真空封止用多孔質部42のサイズを小さくして真空封止用多孔質部42を複数形成してある点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態5と略同じであって、図9に示すように、熱型デバイス要素部20がノンドープの第1のポリシリコン層12aにおいて不純物をドーピングした導電性領域からなる抵抗ボロメータ26により構成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態6と略同じであって、図11に示すように、真空封止用キャップ部40において、真空封止用多孔質部42として複数の輪帯状の多孔質ポリシリコン部を形成してあり、キャップ層43が第3のポリシリコン層により構成され、熱型デバイス要素部20に光学的に結合された赤外線用のフレネルレンズとして機能する点が相違する。なお、実施形態6と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の固体真空デバイスの基本構成は実施形態4と略同じであって、図13に示すように、真空封止用多孔質部42と第1のポリシリコン層12の一部とを一対の電極とするコンデンサが形成されている点などが相違する。なお、実施形態4と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
10c 凹所
11 シリコン酸化膜
12 第1のポリシリコン層
13 断熱部
14 第1の絶縁膜
15 第1の空間
20 熱型デバイス要素部
23 赤外光源
25 抵抗ボロメータ
26 抵抗ボロメータ
35 第2の空間
40 真空封止用キャップ部
41 第2のポリシリコン層
42 真空封止用多孔質部
43 キャップ層
45 多孔質ポリシリコン部
Claims (13)
- シリコン基板の一表面側に当該シリコン基板から離間して配置され当該シリコン基板の前記一表面側の第1のポリシリコン層に支持された熱型デバイス要素部が形成され、シリコン基板の前記一表面側に熱型デバイス要素部を囲む形で真空封止用キャップ部が形成され、真空封止用キャップ部が、シリコン基板の前記一表面側に形成した第2のポリシリコン層の一部を陽極酸化することにより形成された多孔質ポリシリコン部からなる真空封止用多孔質部と、当該真空封止用多孔質部に積層され当該真空封止用多孔質部の微細孔を封孔したキャップ層とを有し、熱型デバイス要素部におけるシリコン基板側の第1の空間および真空封止用キャップ部側の第2の空間が真空となっている固体真空デバイスであって、第1のポリシリコン層の一部を陽極酸化することにより形成された多孔質ポリシリコン部からなり熱型デバイス要素部とシリコン基板とを熱絶縁する断熱部を備えてなることを特徴とする固体真空デバイス。
- 前記第1のポリシリコン層に、前記第1の空間と前記第2の空間とを連通させるスリットが形成されてなることを特徴とする請求項1記載の固体真空デバイス。
- 前記断熱部は、前記第1のポリシリコン層の前記一部であって不純物がドーピングされた導電性領域を陽極酸化することにより形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の固体真空デバイス。
- 前記断熱部は、前記真空封止用多孔質部よりも多孔度が大きいことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記第1のポリシリコン層の所定部位を陽極酸化することにより形成され断熱部とは異なる機能を有する少なくとも1つの機能部を有し、断熱部および少なくとも1つの機能部それぞれで独立して多孔度を設定してあることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記熱型デバイス要素部がサーモパイルであり、当該サーモパイルは、温接点が赤外線吸収層により覆われ、当該赤外線吸収層が不純物をドーピングしたポリシリコン層からなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記熱型デバイス要素部が赤外線を放射する発熱体層からなる赤外光源であり、当該発熱体層は、前記第1のポリシリコン層の所定領域に不純物をドーピングすることにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記熱型デバイス要素部が抵抗ボロメータであり、当該抵抗ボロメータは、前記第1のポリシリコン層の一部により構成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記第1の空間は、前記シリコン基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を酸化して除去することで前記一表面に凹所を設けることにより形成され、当該凹所の内面が赤外線を反射する凹面ミラーを構成していることを特徴とする請求項6ないし請求項8のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記真空封止用キャップ部は、前記キャップ層が第3のポリシリコン層により構成され、赤外線を透過させる赤外線透過部として機能することを特徴とする請求項6ないし請求項9のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記真空封止用キャップ部は、前記真空封止用多孔質部として複数の輪帯状の多孔質ポリシリコン部が同心的に形成されるとともに、前記キャップ層が第3のポリシリコン層により構成され、前記熱型デバイス要素部に光学的に結合された赤外線用のフレネルレンズとして機能することを特徴とする請求項6ないし請求項10のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記真空封止用キャップ部は、前記真空封止用多孔質部とは別に複数の輪帯状の多孔質ポリシリコン部が同心的に形成されるとともに、前記キャップ層が第3のポリシリコン層により構成され、前記熱型デバイス要素部に光学的に結合された赤外線用のフレネルレンズとして機能することを特徴とする請求項6ないし請求項10のいずれか1項に記載の固体真空デバイス。
- 前記真空封止用多孔質部と前記第1のポリシリコン層の一部とを一対の電極とするコンデンサが形成されてなることを特徴とする請求項1記載の固体真空デバイス。
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