JP2010045430A - 静電型トランスデューサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10の一表面側に形成された多孔質ポリシリコン層からなる真空封止用多孔質層19と、真空封止用多孔質層19におけるシリコン基板10側とは反対側に積層されたキャップ層22とを備え、真空封止用多孔質層19とシリコン基板10の上記一表面との間に真空層21が形成され、真空層21のシリコン基板10側にコンデンサの一方の電極となる固定電極13が形成され、真空層21のシリコン基板10側とは反対側にコンデンサの他方の電極となる可動電極24が形成されている。真空封止用多孔質層19は、シリコン基板10の上記一表面側にポリシリコン層18を当該ポリシリコン層18が上記一表面から離間する形で形成し当該ポリシリコン層18の一部を陽極酸化することにより形成されている。
【選択図】 図1
Description
Saarilahti et al,「A Novel Method for cMUT fabrication」、3rd International Workshop on Micromachined Ultrasonic Transducers(2003),June,2003 Omer Oralkan,et al,「Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers: Next-GenerationArrays for Acoustic Imaging?」,IEEE TRANSACTIONS OFULTRASONICS,FERROELECTRICS,AND FREQUENCYCONTROL,VOL.49,NO.11,p1596-1610,NOVEMBER 2002
本実施形態の静電型トランスデューサは、図1に示すように、シリコン基板10と、シリコン基板10の一表面側に形成された多孔質ポリシリコン層からなる真空封止用多孔質層19と、真空封止用多孔質層19におけるシリコン基板10側とは反対側に積層されたキャップ層22とを備え、真空封止用多孔質層19とシリコン基板10の上記一表面との間に真空層21が形成され、真空層21のシリコン基板10側にコンデンサの一方の電極となる固定電極13が形成され、真空層21のシリコン基板10側とは反対側にコンデンサの他方の電極となる可動電極24が形成されている。
本実施形態の静電型トランスデューサの基本構成は実施形態1と略同じであって、キャップ層22がシリコン酸化膜により構成されており、可動電極24が、図4に示すように、キャップ層22上に形成され、可動電極24がパッシベーション膜23に覆われずに露出するとともに可動電極24の両端部それぞれにパッド26,27が形成されていて、パッド26,27間への通電に伴う可動電極24の温度変化に伴って音波を発生する熱励起型音源としても使用可能である点が相違する。ここにおいて、熱励起型音源として用いる場合には、可動電極24が発熱体層として機能し、キャップ層22と真空封止用多孔質層19と真空層21とが発熱体層とシリコン基板10とを熱絶縁する断熱層として機能する。なお、他の構成は実施形態1と同じなので、説明を省略する。
本実施形態の静電型トランスデューサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図5に示すように、シリコン基板10の上記一表面が真空層21に直接接し、シリコン基板10の他表面側に導電性膜(例えば、Al膜、Al−Si膜など)からなる裏面電極13aが形成されており、シリコン基板10と裏面電極13aとで固定電極13が構成されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の静電型トランスデューサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図6に示すように、可動電極24が、シリコン基板10の上記一表面側に形成したポリシリコン層16において部分的にドーピングされた領域を陽極酸化することにより形成された導電性多孔質ポリシリコン層からなり、真空封止用多孔質層19を兼ねている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の静電型トランスデューサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図9に示すように、シリコン基板10の上記一表面側に上述の固定電極13と可動電極24とを電極とするコンデンサの出力を信号処理する信号処理回路40が形成されている点が相違する。ここで、信号処理回路40は、MOSFETなどにより構成され、上記コンデンサの出力信号を増幅する増幅回路を含んでいる。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
11 シリコン酸化膜
12 ノンドープポリシリコン層
13 固定電極
14 シリコン窒化膜
18 ポリシリコン層
19 真空封止用多孔質層
21 真空層
22 キャップ層
24 可動電極
Claims (5)
- シリコン基板と、シリコン基板の一表面側に形成された多孔質ポリシリコン層からなる真空封止用多孔質層と、真空封止用多孔質層におけるシリコン基板側とは反対側に積層されたキャップ層とを備え、真空封止用多孔質層とシリコン基板の前記一表面との間に真空層が形成され、真空層のシリコン基板側にコンデンサの一方の電極となる固定電極が形成され、真空層のシリコン基板側とは反対側にコンデンサの他方の電極となる可動電極が形成されてなり、真空封止用多孔質層は、シリコン基板の前記一表面側にポリシリコン層を当該ポリシリコン層が前記一表面から離間する形で形成し当該ポリシリコン層の一部を陽極酸化することにより形成されてなることを特徴とする静電型トランスデューサ。
- 前記固定電極は、前記シリコン基板の前記一表面側に形成したノンドープポリシリコン層において部分的にドーピングされた領域からなり、前記可動電極は、前記ポリシリコン層において部分的にドーピングされた領域を陽極酸化することにより形成された導電性多孔質ポリシリコン層からなり、前記真空封止用多孔質層を兼ねていることを特徴とする請求項1記載の静電型トランスデューサ。
- 前記可動電極の両端部それぞれにパッドが形成されてなり、パッド間への通電に伴う前記可動電極の温度変化に伴って音波を発生する熱励起型音源としても使用可能であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の静電型トランスデューサ。
- 前記シリコン基板の前記一表面側に前記コンデンサが複数形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の静電型トランスデューサ。
- 前記シリコン基板の前記一表面側に前記コンデンサの出力を信号処理する信号処理回路が形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の静電型トランスデューサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008206012A JP2010045430A (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 静電型トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008206012A JP2010045430A (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 静電型トランスデューサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010045430A true JP2010045430A (ja) | 2010-02-25 |
Family
ID=42016483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008206012A Ceased JP2010045430A (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 静電型トランスデューサ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010045430A (ja) |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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