CN109511023B - 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 - Google Patents
一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109511023B CN109511023B CN201811479373.6A CN201811479373A CN109511023B CN 109511023 B CN109511023 B CN 109511023B CN 201811479373 A CN201811479373 A CN 201811479373A CN 109511023 B CN109511023 B CN 109511023B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- cavity
- piezoelectric
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 154
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/08—Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2231/00—Details of apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor covered by H04R31/00, not provided for in its subgroups
- H04R2231/001—Moulding aspects of diaphragm or surround
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
Description
技术领域
本发明涉及高灵敏度MEMS传感器技术领域，涉及一种麦克风，具体涉及一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法。
背景技术
麦克风是将声音信号转换为电信号的能量转换器件，也称话筒、微音器。目前已被广泛应用于各种电子领域、军事领域、医疗领域等。在未来的十年内，语音交互将成为消费者家居内互联网和器件的主要交互接口。为此，需要利用MEMS麦克风阵列，在环境噪音中实现精准的语音识别。现有的电容式MEMS麦克风解决方案，受制于双层膜的设计，防污、防尘、防水的能力，本身就会受到一定程度的局限，加上空气的干扰让信噪比，长年都只停留在65dB层次，这让MEMS麦克风效能要想再升级，必需靠材料技术及设计架构上的突破。压电MEMS麦克风可用于室内、户外、烟雾缭绕的厨房等所有环境，这对于大型语音控制及监控MEMS麦克风阵列来说是非常关键的特性，因为在这样的环境中，MEMS麦克风阵列的可靠性将会是主要问题。此外，灵敏度和信噪比将成为必要条件。
未来，MEMS传感器是麦克风的发展趋势，目前MEMS麦克风结构多为隔膜结构，压电麦克风在稳定性、防水防潮性、结构制备上相对电容式麦克风都有所提升，但是压电麦克风的压电膜感应音频信号转换成电能的灵敏度较低，产品性能与预期还存在一定差距，其中一个原因就是隔膜内部气压的影响。一般压电MEMS麦克风制备过程中，先选取没有空腔的SOI基片作为基底，然后再进行压电薄膜及电极的制备，当完成整个麦克风结构时再在SOI基片的背部也就是底部进行背部刻蚀，从而释放压电薄膜。这样刻蚀出来的空腔内部充满了空气，在压电膜开始振动的时候空腔内部的空气具有一定的压强，就会形成空气抵抗，从而减小压电薄膜上下的气压差，产生阻尼，降低了压电薄膜的应变，最终导致灵敏度降低。
发明内容
本发明的目的针对现有技术存在的问题，提供了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号，提高压电麦克风的灵敏度，进一步提升麦克风的性能
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种高灵敏度的压电麦克风，其特征在于：包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构；所述基底上的空腔为真空的振动空腔，所述压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极。
作为改进，所述基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，所述基底底层上设有凹槽型的空腔，基底顶层在真空环境下盖合在基底底层上形成振动空腔，所述基底中间层起到连接基底顶层和基底底层的作用。
作为改进，所述空腔为圆柱形、长方体形、圆台形及多棱柱形中任意一种。
作为改进，所述基底顶层通过键合方式与基底底层相连。
作为改进，所述基底底层和基底顶层均为单晶硅片，基底中间层为二氧化硅，单晶硅片与二氧化硅之间键合相连。
一种高灵敏度的压电麦克风制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、制备压电麦克风所需的基底底层，所述基底底层为硅衬底；
步骤2、在硅衬底上刻蚀出空腔；
步骤3、在空腔一侧的硅衬底上生成基底中间层二氧化硅；
步骤4、在真空环境下将作为基底顶层的单晶硅片盖合在基底底层的空腔上，形成真空的振动空腔；
步骤5、在基底顶层上表面刻蚀多圈环形沟槽或回字形沟槽；
步骤6、利用化学气相沉积法生产的牺牲层将环形沟槽或回字形沟槽内充满；
步骤7、在基底顶层上沉积底部电极；
步骤8、在底部电极上沉积压电薄膜，形成振动膜；
步骤9、在压电薄膜上沉积顶部电极；
步骤10、在顶部电极上刻蚀出与环形沟槽相通的腐蚀槽；
步骤11、通过腐蚀槽将环形沟槽内的牺牲层腐蚀掉，在基底顶层上形成环形空腔或回字形空腔，即可完成压电麦克风的制作。
作为改进，步骤2中、所述硅衬底上的空腔在真空环境下，采用气体刻蚀法刻蚀。
作为改进，在空腔一侧的硅衬底上利用热氧化法生成基底中间层二氧化硅，作为基底顶层的单晶硅片通过键合方式盖在基底底层的空腔上形成振动空腔。
作为改进，在基底顶层上沉积了牺牲层后，将基底顶层上表面磨平抛光，使得牺牲层只填充在环形沟槽内。
作为改进，所述压电薄膜薄膜为ALN，利用物理气相沉积技术生成，所述底部电极和顶部电极均为导电金属，也采用物理气相沉积技术生成。
本发明有益效果是：
本发明提出的压电MEMS麦克风，通过事先在基底底层进行图案化处理，并刻蚀出需要的空腔结构，其次在基底底层生成基底中间层，最后再与基底顶层进行键合，形成能够满足麦克风各项性能指标的麦克风基底。由于空腔的存在，当同等声强作用于压电薄膜时，压电薄膜的振动位移大大提高，从而应变程度增强产生更多的电荷。同时由于在真空状态下完成带有空腔的基底底层，基底中间层，及基底顶层的键合，能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
本发明通过设置环形凹槽，可以增大压电薄膜变形的应力，能够在相同压强作用下产生更大的电压，从而提高灵敏度。
附图说明
将结合附图在下文中描述本发明实施例，其中相同的附图标记指示相同的元件，并且在附图中：
图1为本发明压电麦克风整体结构的示意图。
图2为本发明基底底层为方形，基底底层上空腔为矩形实施例示意图，其中图2（a）为基底底层剖视图，图2（b）基底底层俯视图。
图3为本发明基底底层为方形，基底底层上空腔为圆形实施例示意图，其中图3（a）为基底底层剖视图，图3（b）基底底层俯视图。
图4为本发明的基底底层，基底中间层，与基底顶层相互键合后示意图。
图5为至图17为基底底层为圆形，空腔为圆形的制造工艺流程示意图；
其中图5为作为基底底层的硅衬底示意图；
图6为在基底底层上刻蚀出圆形空腔示意图；
图7是在基底底层上沉积基底中间层示意图；
图8是基底顶层和基底底层键合后结构示意图；
图9是在基底顶层上刻蚀环形沟槽剖视图；
图10是在基底顶层上刻蚀环形沟槽俯视图；
图11是在基底顶层的环形沟槽内填充牺牲层示意图；
图12是在基底顶层上沉积底部电极示意图；
图13是在底部电极上沉积压电薄膜示意图；
图14是在压电薄膜上沉积顶部电极示意图；
图15是在顶部电极刻定位孔示意图；
图16是在顶部电极刻蚀腐蚀孔剖视图；
图17是在顶部电极刻蚀腐蚀孔俯视图。
附图中各部件的标记如下：1-基底底层，2-基底中间层，3-基底顶层，4-顶部电极，5-压电薄膜，6-牺牲层，7-空腔，8-底部电极，9-腐蚀孔，10-环形沟槽，11-定位孔。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对照附图说明本发明实施例。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
图1为利用本发明一种高灵敏度的压电麦克风的整体结构的示意图，整体结构的示意图包括具有空腔7的基底和位于基底上的压电堆叠结构。所述的基底为带有空腔7的三明治结构，包括基底底层1，基底中间层2和基底顶层3，在基底底层1上事先刻蚀出需要的空腔7，在基底顶层3上设有环形沟槽10，所述压电堆叠结构依次包括底部电极8、压电薄膜5和顶部电极4，在顶部电极4上刻蚀贯穿顶部电极4、压电薄膜5和底部电极8通往环形沟槽10的腐蚀孔9，通过腐蚀孔9将环形沟槽10内的牺牲层6腐蚀释放掉，形成环形空腔，为压电薄膜5形变提供空间。
图2和图3为实现本发明高灵敏度的压电麦克风的基底示意图，其中图2为空腔7是矩形的麦克风基底的示意图，所示基底底层1包括具有矩形空腔的基底底层1、基底中间层2和基底顶层3，基底顶层3上设有回字形沟槽，其中基底顶层3的腐蚀孔9与回字形沟槽相通，利用腐蚀孔9将回字形沟槽内的牺牲层6腐蚀掉，形成回字形空腔。同理，图3为基底底层1的空腔7是圆柱形的麦克风基底的示意图，所示基底底层1包括具有圆柱形空腔的基底底层1、基底中间层2和基底顶层3，基底顶层3上设有环形沟槽10，基底顶层3上设有腐蚀孔9，其中基底顶层3的腐蚀孔9与环形沟槽10相通，通过腐蚀孔9将环形沟槽10内的牺牲层6腐蚀释放掉，形成环形空腔。
图4为本发明的基底底层1，基底中间层2，与基底顶层3相互键合后的图形。在本实施例选用亲水性的硅材料作为衬底，本实施例先在基底底层1进行图案化处理，并刻蚀出需要的空腔结构，其次在基底底层1生成基底中间层，基底中间层为SiO2；将氧化并抛光的基底底层1与一片表面平整洁净的抛光硅片（基底顶层3）先经适当表面清洗与活化，然后在室温下、真空环境中将带有基底中间层的基底底层1和基底顶层3的单晶硅片的抛光面贴合在一起，使单晶硅片和SiO2在室温下依靠短程的分子间作用力吸合在一起。再将贴合好的硅片在O2或N2环境下经过数小时的高温退火处理，使界面发生物理化学反应，增加键合强度形成整体。由于空腔7的存在，当同等声强作用于压电薄膜5时，压电薄膜5的振动位移大大提高，从而应变程度增强产生更多的电荷。同时由于在真空状态下完成带有空腔7的基底底层1、基底中间层2及基底顶层3的键合，能够保证空腔7内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜5的应变应力，输出更强的电信号。
如图5~图17所示：一种提高压电麦克风灵敏度的方法通过以下工艺步骤实现。
步骤1、如图5所示，提供制备麦克风所需的基底底层1，基底底层1为硅衬底；
步骤2、如图6所示，在真空环境中，利用气体刻蚀，在硅衬底上刻蚀出空腔7；
步骤3、如图7所示，在刻蚀出空腔7的硅衬底上利用热氧化法生成基底中间层2，生成的基底中间层2为SiO2，便于基底底层1与基底顶层3在真空环境中键合在一起；
步骤4、如图8所示，基底底层1和基底顶层3在真空环境中预键合，然后在高温环境中热键合形成完整的基底；
步骤5、如图9和图10所示，在基底顶层3利用光刻技术刻蚀出图案沟槽，本实施例图案沟槽俯视图为一圈一圈的圆环形，即环形沟槽；
步骤6、如图11所示，在基底顶层3上表面利用化学气相沉积技术沉积一层牺牲层6，再进行抛光，将多余的牺牲层6与硅材料磨除，保证表面平坦光滑，利用牺牲层6填充满环形沟槽；
步骤7、如图12所示，在平坦表面上利用物理气相沉积技术，沉积底部电极8，本实施例底部电极8为导电金属，比如铜、铝和钼；
步骤8、如图13所示，接着在已有的结构基础上利用物理气相沉积技术沉积压电薄膜5，形成振动膜，本实施例压电薄膜5薄膜的材料为ALN；
步骤9、如图14所示，在压电薄膜5上继续利用物理气相沉积技术，沉积顶部电极4，顶部电极4导电金属，比如铜、铝和钼；
步骤10、如图15所示，在顶部电极4上左右两边刻蚀出定位孔11，方便对准；
步骤11、如图16和图17所示，在顶部电极4上利用光刻技术刻蚀多个腐蚀孔9，腐蚀孔9穿过顶部电极4、压电薄膜5和底部电极8，直通基底顶层3上的环形沟槽10，本实施例中腐蚀孔9为矩形孔；
步骤12、通过腐蚀孔9利用气体刻蚀法将牺牲层6刻蚀掉，气体通过腐蚀孔9进去与牺牲层6接触并发生反应，参与刻蚀过程的气体只与牺牲层6发生反应，制成的压电麦克风如图1所示。
需要指出的本实施例中采用的上述刻蚀，沉积技术均为现有技术中表面硅常规加工技术。
上述实施例所述是用以具体说明本发明，文中虽通过特定的术语进行说明，但不能以此限定本发明的保护范围，熟悉此技术领域的人士可在了解本发明的精神与原则后对其进行变更或修改而达到等效目的，而此等效变更和修改，皆应涵盖于权利要求范围所界定范畴内。
Claims (8)
1.一种高灵敏度的压电麦克风制作方法，其特征在于：压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，所述基底上的空腔为真空的振动空腔，所述压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极；
所述基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，所述基底底层上设有凹槽型的空腔，基底顶层在真空环境下盖合在基底底层上形成振动空腔，所述基底中间层起到连接基底顶层和基底底层的作用，制作方法具体如下：
步骤1、制备压电麦克风所需的基底底层，所述基底底层为硅衬底；
步骤2、在硅衬底上刻蚀出空腔；
步骤3、在空腔一侧的硅衬底上生成基底中间层二氧化硅；
步骤4、在真空环境下将作为基底顶层的单晶硅片盖合在基底底层的空腔上，形成真空的振动空腔；
步骤5、在基底顶层上表面刻蚀多圈环形沟槽或回字形沟槽；
步骤6、利用化学气相沉积法生产的牺牲层将环形沟槽或回字形沟槽内充满；
步骤7、在基底顶层上沉积底部电极；
步骤8、在底部电极上沉积压电薄膜，形成振动膜；
步骤9、在压电薄膜上沉积顶部电极；
步骤10、在顶部电极上刻蚀出与环形沟槽相通的腐蚀槽；
步骤11、通过腐蚀槽将环形沟槽内的牺牲层腐蚀掉，在基底顶层上形成环形空腔或回字形空腔，即可完成压电麦克风的制作。
2.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：所述空腔为圆柱形、长方体形、圆台形及多棱柱形中任意一种。
3.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：所述基底顶层通过键合方式与基底底层相连。
4.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：所述基底底层和基底顶层均为单晶硅片，基底中间层为二氧化硅，单晶硅片与二氧化硅之间键合相连。
5.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：步骤2中、所述硅衬底上的空腔在真空环境下，采用气体刻蚀法刻蚀。
6.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：在空腔一侧的硅衬底上利用热氧化法生成基底中间层二氧化硅，作为基底顶层的单晶硅片通过键合方式盖在基底底层的空腔上形成振动空腔。
7.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：在基底顶层上沉积了牺牲层后，将基底顶层上表面磨平抛光，使得牺牲层只填充在环形沟槽内。
8.如权利要求1所述的压电麦克风制作方法，其特征在于：所述压电薄膜为ALN，利用物理气相沉积技术生成，所述底部电极和顶部电极均为导电金属，也采用物理气相沉积技术生成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811479373.6A CN109511023B (zh) | 2018-12-05 | 2018-12-05 | 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811479373.6A CN109511023B (zh) | 2018-12-05 | 2018-12-05 | 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109511023A CN109511023A (zh) | 2019-03-22 |
| CN109511023B true CN109511023B (zh) | 2020-09-22 |
Family
ID=65751553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811479373.6A Active CN109511023B (zh) | 2018-12-05 | 2018-12-05 | 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109511023B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111314829B (zh) * | 2019-11-22 | 2021-04-02 | 武汉大学 | 一种具有声管的mems压电超声换能器 |
| CN111405441B (zh) * | 2020-04-16 | 2021-06-15 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种压电式mems麦克风 |
| CN111669690A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-09-15 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 一种压电式麦克风及其制备工艺 |
| CN112584283B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-02-18 | 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 | 压电mems麦克风及其阵列和制备方法 |
| CN112929802A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-08 | 清华大学 | 一种基于二维薄膜的高灵敏度微型自供电声电转换器 |
| CN113259821B (zh) * | 2021-06-17 | 2021-10-19 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 麦克风及其制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207585802U (zh) * | 2017-09-11 | 2018-07-06 | 重庆大学 | 一种基于soi和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520032B (zh) * | 2011-12-05 | 2014-08-06 | 西安交通大学 | 一种基于cmut的生化传感器及其制备方法 |
| CN204128719U (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-28 | 缪建民 | 高灵敏度硅压阻压力传感器 |
| CN104296899B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-04-12 | 缪建民 | 高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法 |
| CN106257254B (zh) * | 2015-06-22 | 2020-03-20 | 意法半导体股份有限公司 | 生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法 |
| CN105841852B (zh) * | 2016-05-30 | 2018-08-03 | 华中科技大学 | 一种基于掺杂硅烯的mems压阻式压力传感器及其制造方法 |
| CN108918662B (zh) * | 2018-05-16 | 2020-10-27 | 西安交通大学 | 一种CMUTs流体密度传感器及其制备方法 |
| CN108917991B (zh) * | 2018-06-28 | 2019-10-25 | 武汉大学 | 高灵敏度压电mems传感器及其制备方法 |
-
2018
- 2018-12-05 CN CN201811479373.6A patent/CN109511023B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207585802U (zh) * | 2017-09-11 | 2018-07-06 | 重庆大学 | 一种基于soi和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109511023A (zh) | 2019-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109511023B (zh) | 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 | |
| US9611135B1 (en) | System and method for a differential comb drive MEMS | |
| CN109244232B (zh) | 微机电系统压电换能器及制作方法 | |
| US9676615B2 (en) | MEMS silicone microphone and manufacturing method thereof | |
| US9266716B2 (en) | MEMS acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
| CN102728534B (zh) | 机电换能器及其制造方法 | |
| US7902615B2 (en) | Micromechanical structure for receiving and/or generating acoustic signals, method for producing a micromechanical structure, and use of a micromechanical structure | |
| JP5702966B2 (ja) | 電気機械変換装置及びその作製方法 | |
| TWI664755B (zh) | 使用熔合結合工序在ｃｍｏｓ基板上整合ａｉｎ超音波傳感器 | |
| US8300857B2 (en) | Acoustic sensor | |
| JP2009291514A (ja) | 静電容量型トランスデューサの製造方法、及び静電容量型トランスデューサ | |
| US10104478B2 (en) | System and method for a perpendicular electrode transducer | |
| TWI667815B (zh) | 一種ｍｅｍｓ壓電轉換器及其製作方法 | |
| CN103454018B (zh) | 压力传感器、振荡器、超声波传感器及测量方法 | |
| US9502635B2 (en) | Symmetric dual piezoelectric stack microelectromechanical piezoelectric devices | |
| CN114620673B (zh) | Cmut结合mems压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法 | |
| CN111174951A (zh) | 一种压电式传感器及其制备方法 | |
| US20230234837A1 (en) | Mems microphone with an anchor | |
| US20230239641A1 (en) | Method of making mems microphone with an anchor | |
| JP2010045430A (ja) | 静電型トランスデューサ | |
| WO2022135213A1 (zh) | Mems传感器芯片、麦克风和电子设备 | |
| CN111669690A (zh) | 一种压电式麦克风及其制备工艺 | |
| CN216253241U (zh) | 一种mems结构 | |
| CN218783911U (zh) | 一种mems结构 | |
| CN211656380U (zh) | 一种mems结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220408 Address after: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee after: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) Address before: 430072 Hubei Province, Wuhan city Wuchang District of Wuhan University Luojiashan Patentee before: WUHAN University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220823 Address after: No.01, 4th floor, building D7, phase 3, Wuhan Software New Town, No.9 Huacheng Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430000 Patentee after: Wuhan Minsheng New Technology Co.,Ltd. Address before: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee before: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) |
|
| TR01 | Transfer of patent right |