CN111405441B - 一种压电式mems麦克风 - Google Patents

一种压电式mems麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN111405441B
CN111405441B CN202010300029.7A CN202010300029A CN111405441B CN 111405441 B CN111405441 B CN 111405441B CN 202010300029 A CN202010300029 A CN 202010300029A CN 111405441 B CN111405441 B CN 111405441B
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezoelectric
mems microphone
diaphragm
limiting structure
membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010300029.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111405441A (zh
Inventor
段炼
张睿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Holdings Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202010300029.7A priority Critical patent/CN111405441B/zh
Priority to PCT/CN2020/086935 priority patent/WO2021208137A1/zh
Publication of CN111405441A publication Critical patent/CN111405441A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111405441B publication Critical patent/CN111405441B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
    • H04R7/18—Mounting or tensioning of diaphragms or cones at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups

Abstract

本发明涉及声电转换的技术领域，提供了一种压电式MEMS麦克风，包括：具有背腔的基底和压电振膜，压电振膜包括悬置部和与基底连接的基底固定部，压电振膜还包括连接基底固定部和悬置部的支撑部，悬置部通过支撑部悬置于背腔上方，压电式MEMS麦克风还包括限位结构，悬置部包括与限位结构沿振动方向的投影范围重叠的中部膜，限位结构与中部膜形成压电振膜的固定结构。压电振膜在氧化层释放之后，在压电振膜内残余应力的作用下，中部膜向上或向下进行形变，并与对应的限位结构连接，以完全释放应力和梯度应力。应用本技术方案解决了现有技术中膜片由于加工工艺过程中的应力分布不均导致形变不一，进而影响麦克风的灵敏度等性能的一致性的技术问题。

Description

一种压电式MEMS麦克风
【技术领域】
本发明涉及声电转换技术领域，尤其涉及压电式MEMS麦克风。
【背景技术】
压电式MEMS麦克风相比于传统的电容式MEMS麦克风具有很多优势，包括防尘性和防水性以及较高的最大输出声压(AOP)等。受限于压电膜层的溅射生长工艺，压电膜层的应力较大且分布不均匀，沿着膜层生长的厚度方向存在较大的梯度应力。这些应力和梯度应力的存在，导致无论是对膜片四周进行固定、或者是在膜片当中进行局部固定都无法避免膜片的翘曲、形变等。膜片的翘曲和形变会进一步的增大泄气槽的间隙，且形变和翘曲的程度不一，难以控制，进而进一步影响压电麦克风的性能，比如信噪比、低频衰减、性能的一致性等；而且这一形变和翘曲也会对产品的可靠性造成影响.
因此，有必要提供一种压电式MEMS麦克风。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种压电式MEMS麦克风，以解决现有技术中膜片由于加工工艺过程中的应力分布不均导致形变不一，进而影响麦克风的灵敏度、谐振峰以及低频衰减等性能的一致性的技术问题。
本发明的技术方案如下：
一种压电式MEMS麦克风，包括：具有背腔的基底和设置在所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括位于中间位置的悬置部和环绕所述悬置部并与所述基底固定连接的基底固定部，所述压电振膜还包括连接所述基底固定部和所述悬置部的支撑部，所述悬置部通过所述支撑部悬置于所述背腔上方，所述压电式MEMS麦克风还包括固定于所述悬置部的限位结构，所述悬置部包括由所述限位结构围设形成的的中部膜，所述限位结构与所述中部膜形成所述压电振膜的固定结构。
进一步地，所述悬置部与所述基底固定部间隔设置形成第一透气缝，所述支撑部自所述基底固定部朝向所述悬置部延伸至与所述悬置部连接。
进一步地，所述悬置部还包括自所述中部膜边缘朝向所述基底延伸形成的周部膜，所述周部膜设有沿振动方向贯穿其上的开口，所述开口自所述周部膜的边缘延伸至所述中部膜，所述支撑部自所述基底固定部延伸并通过所述开口与所述中部膜连接。
进一步地，所述开口为若干个，若干个所述开口间隔设置，所述周部膜包括位于相邻所述开口间的若干个周部子膜。
进一步地，所述第一透气缝位于所述基底固定部与所述周部子膜之间，所述周部子膜与所述支撑部间隔形成第二透气缝，所述第一透气缝与所述第二透气缝连通。
进一步地，所述限位结构包括若干个环绕所述压电振膜的中心呈环形设置且相互间隔设置的限位件，若干所述限位件与若干个所述周部子膜一一对应设置。
进一步地，所述限位件为圆弧形，若干所述限位件环绕所述压电振膜的中心呈圆环形设置。
进一步地，所述限位结构以所述压电振膜的中心为环心呈环形结构设置。
进一步地，所述限位结构以所述压电振膜的中心为圆心呈圆环形结构设置。
进一步地，所述限位结构以所述压电振膜的中心为圆心呈圆形结构设置。
本发明的有益效果在于：基底固定部固定连接于基底上，悬置部位于中间位置，且悬置部通过支撑部与基底固定部连接并悬置于背腔上方；压电式MEMS麦克风还包括固定于悬置部的限位结构，其中，悬置部包括由限位结构围设形成的中部膜，限位结构和中部膜形成了压电振膜的固定结构。根据压电振膜中残余应力的数值和方向，在悬置部的一侧设置有限位结构，且限位结构的数量不限定。压电振膜在氧化层释放工艺之后，在压电振膜内残余应力的作用下，中部膜向上或向下进行形变，并与对应的限位结构连接，以完全释放压电振膜的应力和梯度应力；即限位结构和中部膜形成压电振膜的固定结构，且压电振膜在限位结构和中部膜的共同作用下进行自由振动。应用本技术方案解决了现有技术中膜片由于加工工艺过程中的应力分布不均导致形变不一，进而影响麦克风的灵敏度等性能的技术问题。
【附图说明】
图1为本发明一种压电式MEMS麦克风的结构示意图；
图2为本发明一种压电式MEMS麦克风的结构示意图；
图3为本发明一种压电式MEMS麦克风的结构示意图；
图4为本发明一种压电式MEMS麦克风的结构示意图；
图5为图1中A-A方向的剖视图；
图6为图1在氧化层释放前B-B方向的剖视图；
图7为图1在氧化层释放后B-B方向的剖视图。
【具体实施方式】
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。参见图1、图5 及图7，一种压电式MEMS麦克风，包括：具有背腔10a的基底10和设置在基底10上的压电振膜20，压电振膜20包括位于中间位置的悬置部22 和环绕悬置部22并与基底10固定连接的基底固定部21，压电振膜20还包括连接基底固定部21和悬置部22的支撑部23，悬置部22通过支撑部 23悬置于背腔10a上方，压电式MEMS麦克风还包括固定于所述悬置部 22的限位结构30，悬置部22包括由限位结构30围设形成的中部膜221，限位结构30与中部膜221形成压电振膜20的固定结构。
压电振膜20由压电材料和电极材料复合而成，压电振膜20可以为圆形、曲形或者多边形等，在本实施例中，压电振膜20呈矩形结构设置。基底10则由半导体材料制成，例如硅，背腔10a纵向贯穿基底10，其中，背腔10a可以通过体硅工艺或干法刻蚀形成。
在本技术方案中，基底固定部21固定连接于基底10上，悬置部22 位于中间位置，且悬置部22通过支撑部23与基底固定部21连接并悬置于背腔10a上方；压电式MEMS麦克风还包括固定于悬置部22的限位结构 30，其中，悬置部22包括由限位结构30围设形成的中部膜221，限位结构30和中部膜221形成了压电振膜20的固定结构。即根据压电振膜20 中残余应力的数值和方向，在悬置部22的一侧设置有限位结构30，且限位结构30的数量不限定。压电振膜20在氧化层释放工艺之后，在压电振膜20内残余应力的作用下，中部膜221向上或向下进行形变，并与对应的限位结构30连接，以完全释放压电振膜20的应力和梯度应力；即限位结构30和中部膜221形成压电振膜20的固定结构，且压电振膜20并在限位结构30和中部膜221的共同作用进行自由振动。应用本技术方案解决了现有技术中膜片由于加工工艺过程中的应力分布不均导致形变不一，进而影响麦克风的灵敏度等性能的技术问题。
图6揭示了在氧化层40释放前中部膜221与限位结构30的位置关系，此时中部膜221与限位结构30相间隔，未形成压电式MEMS麦克风成品；图7揭示了在氧化层40释放后中部膜221与限位结构30的位置关系，在氧化层40释放后，压电振膜20被释放，在残余应力的作用下产生翘曲或形变，中部膜221进而与限位结构30进行刚性接触，同时释放压电振膜20内的残余应力和梯度应力，而限位结构30通过中部膜221悬置于背腔上方，至此形成压电式MEMS麦克风成品。
进一步地，对悬置部22与基底固定部21之间的位置关系进行设置，使悬置部22与基底固定部21间隔设置形成第一透气缝24，支撑部23则自基底固定部21朝向悬置部22延伸至与悬置部22连接。即悬置部22通过支撑部23与基底固定部21间隔设置并悬置在背腔10a上方。
参见图1及图2所示，悬置部22还包括自中部膜221边缘朝向基底 10延伸形成的周部膜222，周部膜222设有沿压电振膜20振动方向贯穿其上的开口，开口自周部膜222的边缘延伸至中部膜221，支撑部23自基底固定部21延伸并通过开口与中部膜221连接。悬置部22由中部膜221和周部膜222组成，支撑部23则通过周部膜222的开口连接在基底固定部 21与中部膜221之间。
其中，开口为若干个，若干个开口间隔设置，周部膜222包括位于相邻开口间的若干个周部子膜222a。
优选地，中部膜221的中心轴线与背腔10a的中心轴线重合；周部子膜222a可以为一个，也可以是多个，且多个周部子膜222a的大小和形状可以相同，也可以不相同。即压电振膜20可以是对称结构，也可以是非对称结构。多个周部子膜222a的大小形状相同时，则每个周部子膜222a的谐振频率相同，即整个压电振膜20的谐振频率只有一个；当多个周部子膜 222a的大小形状不相同时，每个周部子膜222a的谐振频率也不相同，即整个压电振膜20具有不同的谐振频率。因此，可以根据实际需要设置若干个周部子膜222a的大小和形状。在本实施例，多个周部子膜222a的大小形状均相同，即压电振膜20为对称结构。
进一步地，基底固定部21与基底10固定连接，支撑部23的一端与基底固定部21连接，支撑部23的另一端与中部膜221连接。基底固定部21 通过支撑部23将悬置部22与基底10固定连接，支撑部23的数量可以为一个，也可以为多个。即悬置部22可以通过一个支撑部23固定在基底10 上，如图2所示；也可以通过多个支撑部23固定在基底10上，如图1所示。
进一步地，第一透气缝24位于基底固定部21与周部子膜222a之间，周部子膜222a与支撑部23间隔形成第二透气缝25，第一透气缝24与第二透气缝25连通。即周部子膜222a分别与基底固定部21、支撑部23间隔设置形成相互连通的第一透气缝24和第二透气缝25。如图1-图4所示，周部子膜222a与基底固定部21间隔设置形成第一透气缝24，周部子膜222a与支撑部23间隔设置形成第二透气缝25。
如图1所示，限位结构30包括若干个环绕压电振膜20的中心呈环形设置且相互间隔设置的限位件31。将限位结构30设置成若干个相互间隔限位件31，若干个相互间隔的限位件31环绕压电振膜20的中心以呈环形设置，从而对压电振膜20受残余应力和梯度应力作用产生的形变进行均匀补偿。优选地，若干个限位件31与若干个周部子膜222a一一对应设置。根据周部子膜222a的数量对限位件31的数量和位置进一步进行设置，使限位件31可以对整个压电振膜20进行更均匀的刚性接触，以使得压电振膜20完全释放应力和梯度应力。可以理解的是，中部膜221由若干个限位结构30围设形成，中部膜221的形状与该若干个限位结构30围设形成的环形的区域形状相对应。
且限位件31为圆弧形，当若干个圆弧形的限位件31环绕压电振膜20 的中心时，若干个圆弧形的限位件31呈圆环形设置，使得限位件31进一步均匀的与整个压电振膜20接触，使得压电振膜20更加整体性均匀性的释放应力和梯度力。
在此不对限位结构30的形状进行限定，如限位结构30以压电振膜20 的中心为环心呈环形结构设置；优选地，如图3及图4所示，限位结构30 可以以压电振膜20的中心为圆心呈圆环形结构设置，或者限位结构30以压电振膜20的中心为圆心呈圆形结构设置。当限位结构30呈上述环形、圆环结构或圆形片状结构设置，均可以对压电振膜20应应力或梯度应力造成的形变进行均匀补偿。通过在压电振膜20上设置限位结构30，在稳态下能固定膜片并帮助膜片释放残余应力，防止振膜在成型和使用时产生形变和翘曲；还可使得压电振膜20在声压下将产生的电信号最大化。可以理解的是，当限位结构30为圆片形时，中部膜221即为限位结构30覆盖的区域。在其他实施例中，限位结构30也可为矩形等，具体根据振膜的结构来设置，此处不作限定。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种压电式MEMS麦克风，包括：具有背腔的基底和设置在所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括位于中间位置的悬置部和环绕所述悬置部并与所述基底固定连接的基底固定部，其特征在于，所述压电振膜还包括连接所述基底固定部和所述悬置部的支撑部，所述悬置部通过所述支撑部悬置于所述背腔上方，所述压电式MEMS麦克风还包括固定于所述悬置部的限位结构，所述悬置部包括由所述限位结构围设形成的中部膜以及自所述中部膜边缘朝向所述基底延伸形成的周部膜，所述限位结构与所述中部膜形成所述压电振膜的固定结构，所述周部膜设有沿振动方向贯穿其上的开口，所述开口自所述周部膜的边缘延伸至所述中部膜，所述支撑部自所述基底固定部延伸并通过所述开口与所述中部膜连接。
2.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述悬置部与所述基底固定部间隔设置形成第一透气缝，所述支撑部自所述基底固定部朝向所述悬置部延伸至与所述悬置部连接。
3.根据权利要求2所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述开口为若干个，若干个所述开口间隔设置，所述周部膜包括位于相邻所述开口间的若干个周部子膜。
4.根据权利要求3所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述第一透气缝位于所述基底固定部与所述周部子膜之间，所述周部子膜与所述支撑部间隔形成第二透气缝，所述第一透气缝与所述第二透气缝连通。
5.根据权利要求4所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述限位结构包括若干个环绕所述压电振膜的中心呈环形设置且相互间隔的限位件，若干所述限位件与若干个所述周部子膜一一对应设置。
6.根据权利要求5所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述限位件为圆弧形，若干所述限位件环绕所述压电振膜的中心呈圆环形设置。
7.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述限位结构以所述压电振膜的中心为环心呈环形结构设置。
8.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述限位结构以所述压电振膜的中心为圆心呈圆环形结构设置。
9.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述限位结构以所述压电振膜的中心为圆心呈圆形结构设置。
CN202010300029.7A 2020-04-16 2020-04-16 一种压电式mems麦克风 Active CN111405441B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010300029.7A CN111405441B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种压电式mems麦克风
PCT/CN2020/086935 WO2021208137A1 (zh) 2020-04-16 2020-04-26 一种压电式mems麦克风

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010300029.7A CN111405441B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种压电式mems麦克风

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111405441A CN111405441A (zh) 2020-07-10
CN111405441B true CN111405441B (zh) 2021-06-15

Family

ID=71413748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010300029.7A Active CN111405441B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种压电式mems麦克风

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111405441B (zh)
WO (1) WO2021208137A1 (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1129359A (zh) * 1994-08-11 1996-08-21 日本碍子株式会社 带有凸面膜片部的压电/电致伸缩膜元件及其制作方法
CN1437456A (zh) * 2000-06-23 2003-08-20 梅迪特龙股份有限公司 双向机械电换能器
CN2927580Y (zh) * 2006-06-28 2007-07-25 潍坊歌尔电子有限公司 半导体传声器芯片
CN201042075Y (zh) * 2007-04-29 2008-03-26 瑞声声学科技(常州)有限公司 压电扬声器
CN101828409A (zh) * 2007-10-05 2010-09-08 新晶源微机电（私人）有限公司 具有使用接合引线的增强型冲击验证的硅麦克风
CN104204844A (zh) * 2012-03-22 2014-12-10 罗伯特·博世有限公司 用于测量对象间距的超声波传感器和方法
CN107764392A (zh) * 2016-08-17 2018-03-06 英飞凌科技股份有限公司 声波传感器
CN109587613A (zh) * 2018-12-31 2019-04-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN109587612A (zh) * 2018-12-31 2019-04-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN109803217A (zh) * 2018-12-31 2019-05-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN209659620U (zh) * 2018-12-31 2019-11-19 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100632480B1 (ko) * 2004-11-18 2006-10-16 황경환 콘덴서 스피커
TW200738028A (en) * 2006-02-24 2007-10-01 Yamaha Corp Condenser microphone
IT1392742B1 (it) * 2008-12-23 2012-03-16 St Microelectronics Rousset Trasduttore acustico integrato in tecnologia mems e relativo processo di fabbricazione
CN101453683A (zh) * 2008-12-26 2009-06-10 瑞声声学科技(深圳)有限公司 硅电容式麦克风
WO2013002847A1 (en) * 2011-03-31 2013-01-03 Bakr-Calling, Inc. Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer
US8975107B2 (en) * 2011-06-16 2015-03-10 Infineon Techologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device comprising a membrane over a substrate by forming a plurality of features using local oxidation regions
FR3000354B1 (fr) * 2012-12-20 2015-01-30 Commissariat Energie Atomique Dispositif a membrane a deplacement controle
US20150358740A1 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Invensense, Inc. Electrical tuning of parameters of piezoelectric actuated transducers
CN206932407U (zh) * 2017-06-30 2018-01-26 歌尔科技有限公司 Mems麦克风
CN109511023B (zh) * 2018-12-05 2020-09-22 武汉大学 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法
CN109495829B (zh) * 2018-12-31 2021-12-03 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110099344B (zh) * 2019-05-18 2024-03-08 安徽奥飞声学科技有限公司 一种mems结构
CN110545511B (zh) * 2019-08-16 2021-05-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110545514B (zh) * 2019-08-16 2021-01-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1129359A (zh) * 1994-08-11 1996-08-21 日本碍子株式会社 带有凸面膜片部的压电/电致伸缩膜元件及其制作方法
CN1437456A (zh) * 2000-06-23 2003-08-20 梅迪特龙股份有限公司 双向机械电换能器
CN2927580Y (zh) * 2006-06-28 2007-07-25 潍坊歌尔电子有限公司 半导体传声器芯片
CN201042075Y (zh) * 2007-04-29 2008-03-26 瑞声声学科技(常州)有限公司 压电扬声器
CN101828409A (zh) * 2007-10-05 2010-09-08 新晶源微机电（私人）有限公司 具有使用接合引线的增强型冲击验证的硅麦克风
CN104204844A (zh) * 2012-03-22 2014-12-10 罗伯特·博世有限公司 用于测量对象间距的超声波传感器和方法
CN107764392A (zh) * 2016-08-17 2018-03-06 英飞凌科技股份有限公司 声波传感器
CN109587613A (zh) * 2018-12-31 2019-04-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN109587612A (zh) * 2018-12-31 2019-04-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN109803217A (zh) * 2018-12-31 2019-05-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN209659620U (zh) * 2018-12-31 2019-11-19 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风

Also Published As

Publication number Publication date
CN111405441A (zh) 2020-07-10
WO2021208137A1 (zh) 2021-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109495829B (zh) 压电式mems麦克风
US8934648B2 (en) Support apparatus for microphone diaphragm
EP2071871B1 (en) Sensing membrane and micro-electro-mechanical system device using the same
US7885423B2 (en) Support apparatus for microphone diaphragm
CN107666645B (zh) 具有双振膜的差分电容式麦克风
CN112601169B (zh) 一种宽频带高灵敏度谐振式压电mems麦克风
US7732987B2 (en) Ultrasonic transducer array and a method for making a transducer array
EP1398298A3 (en) Process of making an all-silicon microphone
WO2022007002A1 (zh) 一种压电式mems麦克风
US10547954B2 (en) MEMS microphone and method for manufacturing the same
CN112788508B (zh) 微机电系统麦克风的结构及其制作方法
EP1254586B1 (en) Acoustical transducer with reduced parasitic capacitance and method of manufacturing same
Lin et al. Two-way piezoelectric MEMS microspeaker with novel structure and electrode design for bandwidth enhancement
WO2007085017A1 (en) Support apparatus for condenser microphone diaphragm
CN111405441B (zh) 一种压电式mems麦克风
CN213754954U (zh) Mems麦克风、微机电结构
US11477555B2 (en) Acoustic transducers having non-circular perimetral release holes
JP2001245393A (ja) 電気音響変換器
CN216752082U (zh) Mems麦克风芯片
CN112689229A (zh) 硅基麦克风及其制造方法
US6804363B2 (en) Electroacoustic transducer
CN112702684B (zh) 硅基麦克风及其制造方法
CN112995860B (zh) 微机电系统的麦克风结构
CN214901303U (zh) 微机电结构与晶圆、麦克风和终端
CN215647355U (zh) 微机电结构与晶圆、麦克风和终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant