CN214901303U - 微机电结构与晶圆、麦克风和终端 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种微机电结构与晶圆、麦克风和终端，该微机电结构包括：衬底、第一支撑部、第一功能层、第二支撑部以及第二功能层，第二功能层具有下沉部，第二功能层的下沉部沿第二支撑部的内侧壁延伸至第一功能层上，或/和，第一功能层具有下沉部，第一功能层的下沉部沿第一支撑部的内侧壁延伸至衬底上，其中，第一功能层为振膜和背板中的一种，第二功能层为振膜和背板中的另一种。该微机电结构通过在第二功能层中设置与第一功能层接触的下沉部，和/或，通过在第一功能层中设置与衬底接触的下沉部，不仅从结构上限制了背板与振膜的有效尺寸，而且还能增加背板与振膜边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

Description

微机电结构与晶圆、麦克风和终端

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及微机电结构与晶圆、麦克风和终端。

背景技术

基于微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)制造的器件被称为MEMS器件，MEMS器件主要包括振膜与背板，并且振膜与背板之间具有间隙。气压的改变会导致振膜变形，振膜与电极板之间的电容值发生改变，从而转换为电信号输出。

在现有技术中，由于工艺的限制，振膜、背板的有效尺寸均会受到湿法腐蚀工艺的影响，对于整个晶圆上的微机电结构而言，振膜、背板的有效尺寸会具有10～30um的波动，此波动会导致同一晶圆上制作的产品的灵敏度及信噪比集中性不好。此外，由于受力影响，振膜和背板的边缘容易破裂，导致产品的性能下降。

因此，希望提供一种改进的微机电结构，以提高产品的性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种改进的微机电结构与晶圆、麦克风和终端，通过在第二功能层中设置与第一功能层接触的下沉部，和/或，通过在第一功能层中设置与衬底接触的下沉部，不仅从结构上限制了第二功能层与第一功能层的有效尺寸，而且还能增加第二功能层与第一功能层边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供了一种微机电结构，包括：衬底，具有腔体；第一支撑部，位于所述衬底上，具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁；第一功能层，位于所述第一支撑部上；第二支撑部，位于所述第一功能层上，具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁；以及第二功能层，位于所述第二支撑部上，其中，所述第二功能层具有下沉部，所述第二功能层的下沉部具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁，且所述第二功能层的下沉部沿所述第二支撑部的内侧壁延伸至所述第一功能层上，或/和，所述第一功能层具有下沉部，所述第一功能层的下沉部具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁，且所述第二功能层的下沉部沿所述第一支撑部的内侧壁延伸至所述衬底上，所述第一功能层为振膜和背板中的一种，所述第二功能层为所述振膜和所述背板中的另一种，所述腔体中轴线垂直于所述第一功能层。

可选地，所述第二功能层的下沉部呈环状，和/或，所述第一功能层的下沉部呈环状。

可选地，所述第一支撑部朝所述腔体中轴线的方向凸出于所述第二功能层的下沉部的内侧壁，或者，所述第一支撑部的内侧壁与所述第二功能层的下沉部的内侧壁对齐。

可选地，所述第二功能层的下沉部的内侧壁与所述第一功能层的下沉部的内侧壁对齐。

可选地，所述第二功能层的下沉部的宽度为d1，所述第二功能层的厚度为d2，d1≤2d2。

可选地，所述第二功能层的下沉部的高度为d3，所述第二功能层的厚度为d2，d2≥0.5d3。

可选地，所述第一功能层的下沉部的宽度为d4，所述第一功能层的厚度为d5，d4≤2d5。

可选地，所述第一功能层的下沉部的高度为d6，所述第一功能层的厚度为d5，d5≥0.5d6。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供了一种晶圆，包括多个呈阵列排布的如上所述的微机电结构。

根据本实用新型实施例的第三方面，提供了一种麦克风，包括如上所述的微机电结构。

根据本实用新型实施例的第四方面，提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。

本实用新型实施例提供的微机电结构在第二功能层中设置了与第一功能层接触的下沉部，第二功能层下沉部是自第二支撑部靠近腔体中轴线的内侧壁延伸至第一功能层上的，第二功能层下沉部与第二功能层的主体部分(位于第二支撑部上的部分)连续，以增加第二功能层边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

令第二功能层的厚度不小于其下沉部的宽度的一半，优选地，令第二功能层的厚度不小于其下沉部的高度的一半，使得第二功能层边缘处的强度进一步提高。

第二功能层下沉部呈环状，使得第二功能层下沉部不仅在结构上限制了第二功能层的有效尺寸(第二功能层悬空部分的尺寸)，而且还能够使得第二功能层与第一功能层间的间隙形状更加规整，提高产品的一致性。

第一支撑部凸出于自第二功能层下沉部的内侧壁，或者，第一支撑部的内侧壁与第二功能层的下沉部的内侧壁对齐，该凸出部分或者对齐部分可以支撑第二功能层下沉部，防止与第二功能层下沉部接触的第一功能层处由于上下受力不均而破损。

通过在第一功能层中设置下沉部，第一功能层下沉部自第一支撑部靠近腔体中轴线的内侧壁延伸至衬底上，第一功能层下沉部与第一功能层的主体部分(位于第一支撑部上的部分)连续，以增加第一功能层边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

进一步的，第一功能层下沉部呈环状，使得第一功能层下沉部在结构上限制了第一功能层的有效尺寸(第一功能层悬空部分的尺寸)。

进一步的，第二功能层下沉部的内侧壁与第一功能层下沉部的内侧壁对齐，最大程度上使第一功能层的有效尺寸增大，从而提升产品的灵敏度。

进一步的，令第一功能层的厚度不小于其下沉部的宽度的一半，优选地，令第一功能层的厚度不小于其下沉部的高度的一半，从而使得第一功能层的上表面(靠近间隙的表面)更加平整。

本实用新型实施例的第一功能层为振膜和背板中的一种，第二功能层为振膜和背板中的另一种，当具有背板下沉部和/或振膜下沉部的多个微机电结构基于同一晶圆制作时，可以减小各微机电结构中振膜和/或背板的有效尺寸的波动，提升同一晶圆上制作的产品的灵敏度及信噪比集中性。

因此，本实用新型提供的微机电结构与晶圆、麦克风和终端可以大大提高产品的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单介绍，显而易见地，下面的描述中的附图仅涉及本申请的一些实施例，而非对本申请的限制。

图1a示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的示意图。

图1b示出了图1a中背板的一种结构示意图。

图2a与图2b示出了在制造本实用新型第一实施例的微机电结构的阶段示意图。

图3示出了本实用新型第二实施例的微机电结构的示意图。

图4示出了本实用新型第三实施例的微机电结构的示意图。

图5示出了本实用新型第四实施例的微机电结构的示意图。

图6示出了本实用新型第五实施例的微机电结构的示意图。

图7示出了本实用新型第六实施例的微机电结构的示意图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。

应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”等表述方式。

在下文中描述了本实用新型的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本实用新型。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本实用新型。

本实用新型可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。

图1a示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图1a所示，本实用新型第一实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130。衬底101具有腔体101a。第一支撑部111位于衬底101上的边缘处，具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。振膜120位于第一支撑部111上并覆盖腔体101a。第二支撑部112位于振膜120上，位置与第一支撑部111对应，第二支撑部112具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。背板130位于第二支撑部112上，与振膜120之间具有间隙102，其中，背板130具有下沉部130a，背板的下沉部130a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，并且背板的下沉部130a沿第二支撑部112的内侧壁延伸至振膜111上。在本实施例中，背板130的有效尺寸由下沉部130a确定，振膜120的有效尺寸由第一支撑部111确定。第一支撑部111与第二支撑部112的材料为绝缘材料，包括但不限于氧化硅。振膜120的材料包括但不限于多晶硅。在一些具体的实施例中，衬底101为硅衬底，腔体101a位于衬底101的中部，且连通衬底101相对的两个表面。当然，腔体101a的位置、形状等本领域技术人员可以根据需要设置，此处不做限定。

在一些具体的实施例中，背板130包括绝缘层131和电极板132，如图1b所示。电极板132位于绝缘层131上，与振膜120接触的为绝缘层131，以将电极板132与振膜120隔开，其中，绝缘层131的材料包括氮化硅。当然，在保持电极板132与振膜120隔开的前提下，本领域技术人员还可以根据需要对背板130的结构、材料进行其他设置，此处不做限定。

在本实施例中，微机电结构还包括多个位于背板130上的焊盘(未示出)，用于和背板130、振膜120电连接。

在本实施例中，振膜120作为第一功能层，背板130作为第二功能层，背板的下沉部130a的宽度为d1，背板130的厚度为d2，d1≤2d2，进一步的，背板的下沉部130a的高度为d3，d2≥0.5d3。第一支撑部111朝腔体101a中轴线的方向凸出于背板的下沉部130a的内侧壁。第一支撑部111为该层牺牲层释放之后在衬底101上留下来的部分，第一支撑部111位于衬底110的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第一支撑部111上方的振膜120支撑在衬底101上。第二支撑部112为该层牺牲层释放之后在振膜120上留下来的部分，第二支撑部112位于振膜120的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第二支撑部112上方的背板130支撑固定。背板的下沉部130a呈环状包围间隙102。

在形成背板下沉部130a的步骤中，需要先在振膜120上方的牺牲层106中形成开槽107，以暴露部分振膜120，如图2a与图2b所示，其中，图2b为图2a沿AA线的截面图。在形成背板130时，会将开槽107填满，构成下沉部130a。开槽107采用干法刻蚀，可以更好地控制开槽107的形状与平整度，进而控制下沉部130a的形状与平整度。在后续的步骤中，被下沉部130a围绕的牺牲层106被去除，剩余的牺牲层106作为第二支撑部112。

进一步的，背板130还具有多个声孔103，振膜120具有多个泄气孔104，以将该微机电结构用于麦克风。声孔103与泄气孔104的数量、形状、尺寸本领域技术人员可以根据需要设置。本实施例的微机电结构还包括多个防粘结构140，位于背板130靠近振膜120的表面，防止背板130与振膜120粘连。

图3示出了本实用新型第二实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图3所示，本实用新型第二实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130，其中，振膜120作为第一功能层，背板130作为第二功能层。优选地，该微机电结构还包括防粘结构140。本实施例与第一实施例的微机电结构大体一致，此处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，振膜120具有下沉部120a。振膜的下沉部120a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，且振膜的下沉部120a沿第一支撑部111的内延伸至衬底101上。第一支撑部111环绕腔体101a，振膜的下沉部120a也呈环状。背板的下沉部130a的内侧壁与振膜的下沉部120a的内侧壁对齐。在本实施例中，背板130的有效尺寸由下沉部130a确定，振膜120的有效尺寸由下沉部130a与下沉部120a共同确定。在一些其他实施例中，第一支撑部111朝腔体101a中轴线的方向凸出于背板的下沉部130a的内侧壁。

在一些优选地实施例中，振膜的下沉部120a的宽度d4，振膜120的厚度d5，d4≤2d5。进一步的，振膜的下沉部120a的高度为d6，d5≥0.5d6，在形成下沉部120a的过程中，振膜120的厚度d5与下沉部120a的宽度d4、高度d6设置可以使得振膜120的填充效果较好，振膜120上表面较为平整，其中，下沉部120a的形成过程与下沉部130a大体一致，可参照第一实施例的描述，此处不再赘述。

图4示出了本实用新型第三实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图4所示，本实用新型第三实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130，其中，振膜120作为第一功能层，背板130作为第二功能层。优选地，该微机电结构还包括防粘结构140。本实施例与第二实施例的微机电结构大体一致，此处不再赘述。与第二实施例的不同之处在于，仅振膜120具有下沉部120a，背板130不具有下沉部。在本实施例中，背板130的有效尺寸由第二支撑部112确定，振膜120的有效尺寸由下沉部120a确定。

图5示出了本实用新型第四实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图5所示，本实用新型第四实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130。衬底101具有腔体101a。第一支撑部111位于衬底101上的边缘处，具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。背板130位于第一支撑部111上并覆盖腔体101a。第二支撑部112位于背板130上，位置与第一支撑部111对应，第二支撑部112具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。振膜120位于第二支撑部112上，与背板130之间具有间隙102。其中，背板130具有下沉部130a，背板的下沉部130a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，并且背板的下沉部130a沿第一支撑部111的内侧壁延伸至衬底101上。

在本实施例中，背板130的有效尺寸由下沉部130a确定，振膜120的有效尺寸由第二支撑部112确定。第一支撑部111与第二支撑部112的材料为绝缘材料，包括但不限于氧化硅。振膜120的材料包括但不限于多晶硅。在一些具体的实施例中，衬底101为硅衬底，腔体101a位于衬底101的中部，且连通衬底101相对的两个表面。当然，腔体101a的位置、形状等本领域技术人员可以根据需要设置，此处不做限定。

在本实施例中，微机电结构还包括多个位于振膜120上的焊盘(未示出)，用于和背板130、振膜120电连接。

在本实施例中，背板130作为第一功能层，振膜120作为第二功能层，背板的下沉部130a的宽度为、厚度、高度可参照第一实施例的描述，此处不再赘述。第一支撑部111为该层牺牲层释放之后在衬底101上留下来的部分，第一支撑部111位于衬底110的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第一支撑部111上方的背板130支撑在衬底101上。第二支撑部112为该层牺牲层释放之后在背板130上留下来的部分，第二支撑部112位于背板130的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第二支撑部112上方的振膜120支撑固定。第一支撑部111朝腔体101a中轴线的方向凸出于第二支撑部112的内侧壁。背板的下沉部130a呈环状包围腔体101a。

进一步的，背板130还具有多个声孔103，振膜120具有多个泄气孔104，以将该微机电结构用于麦克风。声孔103与泄气孔104的数量、形状、尺寸本领域技术人员可以根据需要设置。本实施例的微机电结构还包括多个防粘结构，位于背板130靠近振膜120的表面，防止背板130与振膜120粘连。

图6示出了本实用新型第五实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图6所示，本实用新型第五实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130，其中，背板130作为第一功能层，振膜120作为第二功能层。优选地，该微机电结构还包括防粘结构。本实施例与第四实施例的微机电结构大体一致，此处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，振膜120具有下沉部120a。振膜的下沉部120a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，且振膜的下沉部120a沿第二支撑部112的内侧壁延伸至背板130上。振膜的下沉部120a的宽度为、厚度、高度可参照第二实施例的描述，此处不再赘述。第二支撑部112环绕腔体101a，振膜的下沉部120a也呈环状。背板的下沉部130a朝腔体101a中轴线的方向凸出于振膜的下沉部120a的内侧壁，在一些其他实施例中，背板的下沉部130a的内侧壁与振膜的下沉部120a的内侧壁对齐。在本实施例中，振膜120的有效尺寸由下沉部120a确定，背板130的有效尺寸由下沉部130a与下沉部120a共同确定。

在一些具体的实施例中，背板130包括绝缘层和电极板，绝缘层位于电极板上，与振膜120接触的为绝缘层，以将电极板与振膜隔开，其中，绝缘层的材料包括氮化硅。当然，在保持电极板与振膜隔开的前提下，本领域技术人员还可以根据需要对背板130的结构、材料进行其他设置，此处不做限定。

图7示出了本实用新型第六实施例的微机电结构的示意图，其中，虚线表示垂直于振膜120与背板130的腔体101a中轴线。

如图7所示，本实用新型第六实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、振膜120、第二支撑部112以及背板130，其中，背板130作为第一功能层，振膜120作为第二功能层。优选地，该微机电结构还包括防粘结构。本实施例与第五实施例的微机电结构大体一致，此处不再赘述。与第五实施例的不同之处在于，仅振膜120具有下沉部120a，背板130不具有下沉部。在本实施例中，第一支撑部111的内侧壁与振膜的下沉部120a的内侧壁对齐，背板130的有效尺寸由第一支撑部112确定，振膜120的有效尺寸由下沉部120a确定。

本实用新型还提供了一种晶圆，包括多个呈阵列排布的如上所述的微机电结构。

本实用新型还提供了一种麦克风，包括如上所述的微机电结构。

本实用新型还提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。

本实用新型实施例提供的微机电结构在第二功能层中设置了与第一功能层接触的下沉部，第二功能层下沉部是自第二支撑部靠近腔体中轴线的内侧壁延伸至第一功能层上的，第二功能层下沉部与第二功能层的主体部分(位于第二支撑部上的部分)连续，以增加第二功能层边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

令第二功能层的厚度不小于其下沉部的宽度的一半，优选地，令第二功能层的厚度不小于其下沉部的高度的一半，使得第二功能层边缘处的强度进一步提高。

第二功能层下沉部呈环状，使得第二功能层下沉部不仅在结构上限制了第二功能层的有效尺寸(第二功能层悬空部分的尺寸)，而且还能够使得第二功能层与第一功能层间的间隙形状更加规整，提高产品的一致性。

第一支撑部凸出于自第二功能层下沉部的内侧壁，或者，第一支撑部的内侧壁与第二功能层的下沉部的内侧壁对齐，该凸出部分或者对齐部分可以支撑第二功能层下沉部，防止与第二功能层下沉部接触的第一功能层处由于上下受力不均而破损。

通过在第一功能层中设置下沉部，第一功能层下沉部自第一支撑部靠近腔体中轴线的内侧壁延伸至衬底上，第一功能层下沉部与第一功能层的主体部分(位于第一支撑部上的部分)连续，以增加第一功能层边缘处的强度，从而提高了产品的性能。

进一步的，第一功能层下沉部呈环状，使得第一功能层下沉部在结构上限制了第一功能层的有效尺寸(第一功能层悬空部分的尺寸)。

进一步的，第二功能层下沉部的内侧壁与第一功能层下沉部的内侧壁对齐，最大程度上使第一功能层的有效尺寸增大，从而提升产品的灵敏度。

进一步的，令第一功能层的厚度不小于其下沉部的宽度的一半，优选地，令第一功能层的厚度不小于其下沉部的高度的一半，从而使得第一功能层的上表面(靠近间隙的表面)更加平整。

本实用新型实施例的第一功能层为振膜和背板中的一种，第二功能层为振膜和背板中的另一种，当具有背板下沉部和/或振膜下沉部的多个微机电结构基于同一晶圆制作时，可以减小各微机电结构中振膜和/或背板的有效尺寸的波动，提升同一晶圆上制作的产品的灵敏度及信噪比集中性。

因此，本实用新型提供的微机电结构与晶圆、麦克风和终端可以大大提高产品的性能。

在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

以上对本实用新型的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本实用新型的范围。本实用新型的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本实用新型的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本实用新型的范围之内。

Claims (11)

1.一种微机电结构，其特征在于，包括：

衬底，具有腔体；

第一支撑部，位于所述衬底上，具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁；

第一功能层，位于所述第一支撑部上；

第二支撑部，位于所述第一功能层上，具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁；以及

第二功能层，位于所述第二支撑部上，

其中，所述第二功能层具有下沉部，所述第二功能层的下沉部具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁，且所述第二功能层的下沉部沿所述第二支撑部的内侧壁延伸至所述第一功能层上，

或/和，

所述第一功能层具有下沉部，所述第一功能层的下沉部具有靠近所述腔体中轴线的内侧壁以及远离所述腔体中轴线的外侧壁，且所述第一功能层的下沉部沿所述第一支撑部的内侧壁延伸至所述衬底上，

所述第一功能层为振膜和背板中的一种，所述第二功能层为所述振膜和所述背板中的另一种，

所述腔体中轴线垂直于所述第一功能层。

2.根据权利要求1所述的微机电结构，其特征在于，所述第二功能层的下沉部呈环状，和/或，所述第一功能层的下沉部呈环状。

3.根据权利要求1或2所述的微机电结构，其特征在于，所述第一支撑部朝所述腔体中轴线的方向凸出于所述第二功能层的下沉部的内侧壁，

或者，所述第一支撑部的内侧壁与所述第二功能层的下沉部的内侧壁对齐。

4.根据权利要求1或2所述的微机电结构，其特征在于，所述第二功能层的下沉部的内侧壁与所述第一功能层的下沉部的内侧壁对齐。

5.根据权利要求1或2所述的微机电结构，其特征在于，所述第二功能层的下沉部的宽度为d1，所述第二功能层的厚度为d2，d1≤2d2。

6.根据权利要求5所述的微机电结构，其特征在于，所述第二功能层的下沉部的高度为d3，所述第二功能层的厚度为d2，d2≥0.5d3。

7.根据权利要求1或2所述的微机电结构，其特征在于，所述第一功能层的下沉部的宽度为d4，所述第一功能层的厚度为d5，d4≤2d5。

8.根据权利要求7所述的微机电结构，其特征在于，所述第一功能层的下沉部的高度为d6，所述第一功能层的厚度为d5，d5≥0.5d6。

9.一种晶圆，其特征在于，包括多个呈阵列排布的如权利要求1至8任一项所述的微机电结构。

10.一种麦克风，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的微机电结构。

11.一种终端，其特征在于，包括如权利要求10所述的麦克风。

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