CN108966100B - Mems麦克风 - Google Patents

Mems麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN108966100B
CN108966100B CN201810663425.9A CN201810663425A CN108966100B CN 108966100 B CN108966100 B CN 108966100B CN 201810663425 A CN201810663425 A CN 201810663425A CN 108966100 B CN108966100 B CN 108966100B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
diaphragm
mems microphone
vibrating diaphragm
floating gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810663425.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108966100A (zh
Inventor
邹泉波
董永伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Goertek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Inc filed Critical Goertek Inc
Priority to CN201810663425.9A priority Critical patent/CN108966100B/zh
Priority to US16/640,009 priority patent/US11388526B2/en
Priority to PCT/CN2018/104441 priority patent/WO2020000650A1/zh
Publication of CN108966100A publication Critical patent/CN108966100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108966100B publication Critical patent/CN108966100B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • H04R23/006—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/008—MEMS characterised by an electronic circuit specially adapted for controlling or driving the same
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/015—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/03—Electronic circuits for micromechanical devices which are not application specific, e.g. for controlling, power supplying, testing, protecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种MEMS麦克风，包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管，浮栅场效应晶体管包括设置在衬底上的源极、漏极，还包括设置在振膜上的浮动栅极。本发明的MEMS麦克风，振膜与第一衬底之间围成了真空腔，从而可以降低声阻对振膜振动的影响，提高了麦克风的信噪比。由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔，因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸，增强了麦克风的可靠性。

Description

MEMS麦克风
技术领域
本发明涉及声电转换领域，更具体地，涉及一种MEMS麦克风的机构，尤其是一种具有高SNR的麦克风结构。
背景技术
现在的MEMS麦克风，无论是电容式的感测结构还是压电式的感测结构，均需要设计一个具有环境压力的巨大后腔，以确保流动空气的刚性远高于 振膜。背腔的容积通常远大于1mm3，例如通常设计为1-15mm3。而且麦克风芯片在封装的时候，需要开放其腔体。这就限制了MEMS麦克风最小尺寸封装的设计(>3mm3)。
这是由于如果后腔容积过小，则不利于空气的流通，这种空气的刚性则会大大降低振膜的机械灵敏度。另外，为了均压，背极板上通常会设计密集的通孔，由于空气粘度造成的间隙或穿孔中的空气流动阻力成为MEMS 麦克风噪声的主导因素，从而限制了麦克风的高信噪比性能。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种MEMS麦克风的新技术方案。
根据本发明的第一方面，提供了一种MEMS麦克风，包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，所述第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管，所述浮栅场效应晶体管包括设置在衬底上的源极、漏极，还包括设置在振膜上的浮动栅极。
可选地，所述浮动栅极设置在振膜上位于真空腔一侧的位置，或者设置在振膜上远离真空腔一侧的位置。
可选地，所述振膜采用复合结构，所述浮动栅极设置在振膜的复合结构中。
可选地，所述振膜的机械灵敏度为0.02至0.9nm/Pa。
可选地，所述振膜和第一衬底之间的初始间隙为1-100μm。
可选地，还包括ASIC电路，所述ASIC电路集成在第一衬底上。
可选地，振膜上的浮动栅极通过引线与第一衬底上的电路布图导通。
可选地，所述引线的一端与浮动栅极导通，另一端在振膜上延伸至间隔部的位置，并穿过间隔部连接到第一衬底的电路布图中。
可选地，在所述振膜远离真空腔的一侧还设置有第二衬底，所述第二衬底上对应振膜中部区域的位置形成有将振膜露出的空腔。
可选地，在所述第一衬底远离真空腔的一侧设置有用于外接的焊盘。
本发明的MEMS麦克风，振膜与第一衬底之间围成了真空腔，真空腔内的空气粘度远远低于环境压力中的空气粘度，从而可以降低声阻对振膜振动的影响，提高了麦克风的信噪比。另外，由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔，因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸，增强了麦克风的可靠性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明麦克风第一实施方式的结构示意图。
图2是本发明麦克风第二实施方式的结构示意图。
图3是本发明麦克风其中一种封装方式的示意图。
具体实施方式
为了使本发明解决的技术问题、采用的技术方案、取得的技术效果易于理解，下面结合具体的附图，对本发明的具体实施方式做进一步说明。
参考图1，本发明提供了一种MEMS麦克风，其包括第一衬底1以及通过间隔部3支撑在第一衬底1上方的振膜，第一衬底1、间隔部3、振膜围成了真空腔4。
本发明的第一衬底1可以采用单晶硅或者本领域技术人员所熟知的其它材质，并可通过逐层沉积、图案化、牺牲的工艺形成间隔部3以及通过间隔部3支撑在第一衬底1上的振膜。如有必要，在间隔部3与第一衬底 1之间还设置有绝缘层11，在此不再具体说明。
真空腔4例如可由低压等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在 200-350℃下进行密封。这种MEMS工艺属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。其中真空腔4优选小于1kPa，这使得真空腔4中的残余气体粘度大大低于标准压力下的空气粘度。
由于振膜与第一衬底1之间形成了低于大气压力的真空腔，因此振膜在大气压力下且无声压时会发生静态偏转，即振膜会朝向第一衬底1的方向发生静态偏转。为了防止振膜静态时偏转至与第一衬底1接触，设计该振膜的静态偏转距离要小于振膜与第一衬底1之间的距离。这主要可以通过改变振膜的刚性和/或改变振膜与第一衬底1之间的距离来实现。
例如可以加厚振膜的尺寸，当然也可以通过选择合适的振膜材质来提升振膜的刚性。例如可以通过设计使得振膜具有0.02至0.9nm/Pa的机械灵敏度。也就是说，每受1Pa的压力，振膜则会发生0.02-0.9nm的偏转，这种振膜的刚性是传统振膜的10-100倍，使得振膜足够坚硬以抵抗外界的大气压力。
振膜和第一衬底1之间的相应初始间隙可以设计在1-100μm的范围内，配合上述刚性的振膜，使得在大气压力下不会发生振膜2塌陷的问题。
为了提高MEMS麦克风的灵敏度，MEMS麦克风可以采用高灵敏度的检测构件，例如采用浮栅型场效应晶体管结构。
在本发明一个具体的实施方式中，浮栅型场效应晶体管包括源极5、漏极6和浮动栅极7。源极5和漏极6可通过晶体管领域所熟知的方式形成在第一衬底1上，浮动栅极7设置在振膜2上。
浮动栅极7可以设置在振膜2上位于真空腔4一侧的位置，或者设置在振膜2上远离真空腔4一侧的位置。
还可以是，振膜2可以采用复合结构，例如为了形成真空腔，需要首先在牺牲层上设置一层具有牺牲孔的覆盖层，通过牺牲孔将覆盖层下方的牺牲层腐蚀掉；之后在覆盖层的上方沉积一层填充层，以将覆盖层上的牺牲孔封闭住，形成真空腔。浮动栅极7可以设置在振膜2的复合结构中，在此不再具体说明。
通过振膜2振动时浮动栅极7的变化，改变浮动栅极7与第一衬底1 之间电容的变化，使得整个场效应晶体管可以输出变化的电信号。浮栅场效应晶体管的工作原理属于本领域技术人员的公知常识，本发明将其应用到麦克风的检测中，可以提高本发明MEMS麦克风的灵敏度。
本发明的MEMS麦克风，振膜与第一衬底1之间围成了真空腔，真空腔内的空气粘度远远低于环境压力中的空气粘度，从而可以降低声阻对振膜振动的影响，提高了麦克风的信噪比。另外，由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔，因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸，增强了麦克风的可靠性。
本发明的MEMS麦克风，除了采用表面微加工或者体硅微加工的工艺制造，还可以采用键合的工艺。参考图2，在振膜2远离真空腔4的一侧还设置有第二衬底12，该第二衬底12上对应振膜中部区域的位置形成有将振膜2露出的空腔。
在制造时，例如通过表面微加工或者体硅微加工的工艺将一部分间隔部形成在第一衬底1上，源极5和漏极6预先形成在第一衬底1上。将振膜2以及振膜2上的浮动栅极7、另一部分间隔部形成在第二衬底12上，然后通过键合的工艺在真空环境中将两部分间隔部键合在一起，最后对第二衬底进行处理。该第二衬底可以完全去除；也可以形成如图2所示的结构，在该结构中，第二衬底可以起到保护振膜的作用，也提高了麦克风安装的灵活性。
本发明的麦克风，振膜2上浮动栅极7可以通过引线连接到第一衬底 1的引脚上或者电路布图中。由于振膜2与第一衬底1之间还有间隔部3，因此在导通的时候，引线的一端与浮动栅极7导通，另一端在振膜2上延伸至间隔部3的位置，并穿过间隔部3连接到第一衬底1的电路布图中。
具体地，参考图1，引线包括在振膜2上延伸的第一导电部8，以及在间隔部3中延伸的第二导电部9，第一导电部8的一端与浮动栅极7导通，另一端在振膜2上延伸至间隔部3的位置，并与第二导电部9导通在一起。第二导电部9贯穿间隔部3的上下两端，从而将浮动栅极7的信号引到第一衬底1的电路布图中。
在本发明一个可选的实施方式中，参考图1，第一衬底1上可以集成麦克风的ASIC电路10，可以通过第一衬底1上或者第一衬底1内的电路布图将浮栅场效应晶体管与ASIC电路10导通起来，使得浮栅场效应晶体管输出的电信号可以经过ASIC电路10进行处理。
本发明的MEMS麦克风，由于不需要较大容积的背腔，使得可以完全采用晶圆级封装(WLP)，无需传统的PCB板封装，该麦克风可以直接安装到外部终端上。在本发明一个具体的实施方式中，参考图3，在第一衬底1 远离真空腔4的一端形成有焊盘14，并可通过金属化通孔13将位于第一衬底1上方的电信号引到焊盘14上，使得MEMS麦克风可以通过焊盘14直接安装。
在本发明另一个具体的实施方式中，外接的引脚可以形成在第一衬底的上表面(邻近振膜的一侧)，可通过凸点焊接(植锡球)的方式直接将麦克风安装到外部终端上。
当然，本发明的MEMS麦克风还可以采用传统封装的结构，例如设置由电路板以及壳体围成的封装结构，MEMS麦克风安装在封装结构内，形成传统的顶部封装结构或者顶部封装结构，最终以麦克风模组的形式再安装到外部的终端上。
本发明已通过优选的实施方式进行了详尽的说明。然而，通过对前文的研读，对各实施方式的变化和增加也是本领域的一般技术人员所显而易见的。申请人的意图是所有这些变化和增加都落在了本发明权利要求所保护的范围中。
相似的编号通篇指代相似的元件。为清晰起见，在附图中可能有将某些线、层、元件、部件或特征放大的情况。
本文中使用的术语仅为对具体的实施例加以说明，其并非意在对本发明进行限制。除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均与本发明所属领域的一般技术人员的理解相同。

Claims (8)

1.一种MEMS麦克风，其特征在于：包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，所述第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管，所述浮栅场效应晶体管包括设置在衬底上的源极、漏极，还包括设置在振膜上的浮动栅极；
所述真空腔内的压力值小于1kPa；
所述真空腔内的空气粘度低于环境压力中空气粘度；
所述振膜的机械灵敏度为0.02至0.9nm/Pa；
所述振膜和第一衬底之间的初始间隙为1-100μm。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述浮动栅极设置在振膜上位于真空腔一侧的位置，或者设置在振膜上远离真空腔一侧的位置。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述振膜采用复合结构，所述浮动栅极设置在振膜的复合结构中。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：还包括ASIC电路，所述ASIC电路集成在第一衬底上。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：振膜上的浮动栅极通过引线与第一衬底上的电路布图导通。
6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述引线的一端与浮动栅极导通，另一端在振膜上延伸至间隔部的位置，并穿过间隔部连接到第一衬底的电路布图中。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：在所述振膜远离真空腔的一侧还设置有第二衬底，所述第二衬底上对应振膜中部区域的位置形成有将振膜露出的空腔。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：在所述第一衬底远离真空腔的一侧设置有用于外接的焊盘。
CN201810663425.9A 2018-06-25 2018-06-25 Mems麦克风 Active CN108966100B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810663425.9A CN108966100B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 Mems麦克风
US16/640,009 US11388526B2 (en) 2018-06-25 2018-09-06 MEMS microphone
PCT/CN2018/104441 WO2020000650A1 (zh) 2018-06-25 2018-09-06 Mems麦克风

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810663425.9A CN108966100B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 Mems麦克风

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108966100A CN108966100A (zh) 2018-12-07
CN108966100B true CN108966100B (zh) 2020-02-21

Family

ID=64486664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810663425.9A Active CN108966100B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 Mems麦克风

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11388526B2 (zh)
CN (1) CN108966100B (zh)
WO (1) WO2020000650A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109005490B (zh) * 2018-06-25 2020-01-21 歌尔股份有限公司 Mems电容式麦克风
CN112822615B (zh) * 2020-12-31 2022-08-05 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 骨传导mems芯片以及其制备方法和骨传导拾音器件
CN115778002B (zh) * 2023-01-05 2023-04-25 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种电子烟感测组件、制备方法及电子烟

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303240A (zh) * 2007-05-10 2008-11-12 北方工业大学 一种灵敏大信号输出微型压力传感器
JP2010045430A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Panasonic Electric Works Co Ltd 静電型トランスデューサ
CN102967407A (zh) * 2012-10-23 2013-03-13 深圳先进技术研究院 一种绝对压力传感器芯片及其制作方法
CN104254046A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 英飞凌科技股份有限公司 具有在振膜与对电极之间的低压区的mems麦克风

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100591169C (zh) * 2004-08-17 2010-02-17 佳乐电子股份有限公司 浮动闸极式驻极体电容麦克风
EP1742506B1 (en) * 2005-07-06 2013-05-22 Epcos Pte Ltd Microphone assembly with P-type preamplifier input stage
WO2007117198A1 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Niklaus Consulting Microelectromechanical pressure sensor with integrated circuit and method of manufacturing such
JP4960921B2 (ja) * 2008-04-25 2012-06-27 ホシデン株式会社 エレクトレットコンデンサマイクロホン
DE102011002457A1 (de) 2011-01-05 2012-07-05 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Mikrofoneinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Mikrofoneinrichtung
DE102012216493A1 (de) * 2012-09-17 2014-03-20 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102012217979A1 (de) * 2012-10-02 2014-04-03 Robert Bosch Gmbh Hybrid integriertes Drucksensor-Bauteil
KR102207928B1 (ko) * 2014-08-13 2021-01-26 삼성전자주식회사 음향 센싱 소자 및 주파수 정보 획득 방법
CN207283809U (zh) * 2017-10-20 2018-04-27 歌尔科技有限公司 一种电容式麦克风

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303240A (zh) * 2007-05-10 2008-11-12 北方工业大学 一种灵敏大信号输出微型压力传感器
JP2010045430A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Panasonic Electric Works Co Ltd 静電型トランスデューサ
CN102967407A (zh) * 2012-10-23 2013-03-13 深圳先进技术研究院 一种绝对压力传感器芯片及其制作方法
CN104254046A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 英飞凌科技股份有限公司 具有在振膜与对电极之间的低压区的mems麦克风

Also Published As

Publication number Publication date
US11388526B2 (en) 2022-07-12
WO2020000650A1 (zh) 2020-01-02
CN108966100A (zh) 2018-12-07
US20200260192A1 (en) 2020-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108551646B (zh) Mems麦克风
CN109005490B (zh) Mems电容式麦克风
CN108924720B (zh) Mems麦克风
CN111479179B (zh) 微机电系统
CN108966100B (zh) Mems麦克风
CN102742301B (zh) 微机电换能器及对应组装工艺
JP4459498B2 (ja) シリコンベースのセンサーシステム
US20080219482A1 (en) Condenser microphone
WO2012114536A1 (ja) マイクロフォン
EP3896997B1 (en) Sound producing package structure and method for packaging sound producing package structure
CN107635910A (zh) Mems传感器组件
JP2009071813A (ja) 振動トランスデューサ
JP2009139202A (ja) 静電容量型センサ及びその製造方法
JP6311800B2 (ja) 拡大されたバックチャンバを備えたマイクロホンおよび製造方法
CN105744453A (zh) 具有绝缘的导电板的电容式麦克风
EP2680614A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing microphone
JP2014207538A (ja) マイクロフォン
CN107105378A (zh) Mems芯片、麦克风及制作方法与封装方法
CN108702576A (zh) 电容式mems麦克风及电子装置
US10863282B2 (en) MEMS package, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS package
US20150139467A1 (en) Acoustic device and microphone package including the same
JP2010109416A (ja) 圧力トランスデューサおよび圧力トランスデューサの製造方法
JP2007060228A (ja) シリコンマイクロホンパッケージ
KR101472297B1 (ko) 1칩형 mems 마이크로폰 및 그 제작 방법
CN217323378U (zh) 微机电结构、麦克风、电子烟开关以及终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200803

Address after: 261031 building 10, Geer phase II Industrial Park, No. 102, Ronghua Road, Ronghua community, Xincheng street, high tech Zone, Weifang City, Shandong Province

Patentee after: Weifang goer Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: GOERTEK Inc.